電子発光素子
【課題】配線と端子とのコンタクト部分での接触抵抗の増加を防止し、これにより、駆動電圧を低くして均一な表示を可能にする電子発光素子を提供する。
【解決手段】基板３１、基板３１の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部４０、基板３１の上面のエッジに備えられ、発光部４０から延びた複数個の配線ライン４５がその上面を通じて接続される複数個の端子５０、端子と配線ラインとの間のコンタクトされる部分に備えられ、端子５０と配線ライン４５との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部５８を含むことを特徴とする電子発光素子である。
【解決手段】基板３１、基板３１の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部４０、基板３１の上面のエッジに備えられ、発光部４０から延びた複数個の配線ライン４５がその上面を通じて接続される複数個の端子５０、端子と配線ラインとの間のコンタクトされる部分に備えられ、端子５０と配線ライン４５との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部５８を含むことを特徴とする電子発光素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子発光素子に係り、特に、配線と端子とのコンタクト抵抗が低減された電子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子発光素子は、自己発光型の表示素子であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有するので、次世代の表示素子として注目されている。このような電子発光素子は、発光層を形成する物質によって、無機電子発光素子と有機電子発光素子とに区分されるが、このうち、有機電子発光素子は、無機電子発光素子に比べて輝度、応答速度などの特性が優秀であり、カラーディスプレイが可能であるという点など多様な長所を有するので、最近に研究が活発に進まれている。
【０００３】
電子発光素子は、ガラスやその他の透明な絶縁基板上に所定パターンで正極を形成し、この正極上に有機膜または無機膜で発光層を形成し、その上に前記正極と直交するように、所定パターンの負極を順次に積層して形成する。
【０００４】
この際、前記有機膜または無機膜は、下部からホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）が順次に積層された構造を有し、前述したように、ＥＭＬが有機物質または無機物質から形成される。
【０００５】
前述したように構成された電子発光素子の正極及び負極に電圧を印加すれば、正極から注入されたホールがＨＴＬを経由してＥＭＬに移動し、電子は、負極からＥＴＬを経由してＥＭＬに注入される。このＥＭＬで、電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化することによって、ＥＭＬの蛍光性分子が発光することによって、画像が形成される。
【０００６】
このように、電子発光素子においては、ＥＭＬの材料によって、有機電子発光素子と無機電子発光素子とに区分されるので、以下では、有機電子発光素子を中心に説明する。
【０００７】
有機電子発光素子は、透明な基板の上面に画像を形成する有機発光部が形成され、キャップが前記基板と接合されて、有機発光部を包んで密封する構造を有する。この際、有機発光部に所定の電圧や信号を印加する電極端子グループは、キャップの外側まで延びており、この端子グループに回路を搭載したフレキシブル印刷回路基板が連結される。
【０００８】
前記有機発光部は、ＥＭＬを含む有機膜を介して、第１電極ラインと第２電極ラインとが向き合う構造を有する。したがって、所定のパターンで形成された第１電極ラインの端部で、有機膜の厚さは、非常に薄くなり、この部分で、第１電極ラインと第２電極ラインとの短絡が発生する恐れがある。また、第１電極ラインの相互間の短絡の恐れもある。
【０００９】
このような電極間の短絡を防止するために、特許文献１及び２には、第１電極ラインの間に内部絶縁膜を形成した技術が開示されている。特に、特許文献１に開示された内部絶縁膜は、隣接した電極ラインの方に段々薄くなる形態を有して、その境界部での短絡を防止できるという効果がある。
【００１０】
一方、第１電極ライン及び第２電極ラインは、電極端子グループの第１電極端子グループ及び第２電極端子グループに接続されるが、この際、電極ラインと電極端子グループとの接続される地点で、電極端子グループと基板表面との段差によって、電気的短絡が発生することがある。
【００１１】
本発明者は、このような問題を解決するために、特許文献３に、図１及び図２に示したような有機電子発光素子を提案したことがある。
【００１２】
図１及び図２に示すように、第１電極ライン１２と第２電極ライン１４とが基板１１上で有機膜１８を介して互いに交差するように配置されている。第２電極ライン１４は、一側に延びて、第２電極パッド部２０の第２電極端子２４に連結されている。第１電極ライン１２の間には、埋め込み絶縁層１６が配列されている。
【００１３】
この際、第２電極端子２４は、導電性酸化膜２４ａ及び金属膜２４ｂで形成されている。そして、第２電極端子２４を覆うように絶縁膜２６が形成されており、この絶縁膜２６には、コンタクトホール２７が形成されている。
【００１４】
前記第２電極ライン１４は、絶縁膜２６上に形成され、コンタクトホール２７を通じて第２電極端子２４とコンタクトされる。
【００１５】
一方、前記第１端子２４ａは、第１電極ライン１２と同一なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成され、第２端子２４ｂは、第１端子２４ａのライン抵抗による電圧降下を補完するために、導電性の良いＣｒまたはＡｇで形成される。
【００１６】
しかし、前記コンタクトホール２７によって露出された第２端子２４ｂの部分では、第２電極ライン１４と第２電極端子２４の第２端子２４ｂとの間に、接触抵抗が増加し、この接触抵抗が不均一であるという問題が発生する。これは、コンタクトホール２７によって露出された第２端子２４ｂが、工程中に発生する有機物または無機物により汚染されて発生する。このような有機物または無機物による第２端子２４ｂの汚染は、ＵＶ洗浄や酸素プラズマによっても完全に除去されないためであり、これにより、このコンタクトホール２７の部分で、接触抵抗の増加または不均一の問題が発生する。
【００１７】
このように、第２電極ライン１４と第２電極端子グループ２４の第２端子２４ｂとの接触抵抗の増加、または不均一は、該当ラインで駆動電圧が高くなる原因となり、これにより、画像の具現時、輝度むらが発生する。
【特許文献１】米国特許第６，２２２，３１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２９７，５８９号明細書
【特許文献３】米国公開特許第２００４０１０８８０９ Ａ１明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、前記のような問題を解決するためのものであって、配線と端子とのコンタクト部分での接触抵抗の増加を防止し、これにより、駆動電圧を低くし、均一な表示を可能にする電子発光素子を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記のような目的を達成するために、本発明は基板と、前記基板の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部と、前記発光部と電気的に接続された第２導電体と接続された第１導電体と、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクトされる部分に備えられ、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部と、を有することを特徴とする電子発光素子である。
【００２０】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体に備えられた引入部を有し、前記第２導電体が、前記引入部を覆っていることを特徴とする。
【００２１】
前記第１導電体は、少なくとも二つの層の導電膜を備え、前記引入部は、前記導電膜のうち少なくとも一つの前記導電膜と前記第２導電体とがコンタクトされることで形成されていることを特徴とする。
【００２２】
前記引入部が形成された部分で、前記第２導電体は、前記導電膜とコンタクトされていることを特徴とする。
【００２３】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、前記第１導電体の上面の一部が露出されるコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記引入部は、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１導電体の部分に備えられたことを特徴とする。
【００２４】
本発明においては、さらに、前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体と前記第２導電体とがコンタクトされる部分の前記第１導電体の上面に形成された構造物を備え、前記第２導電体は、前記構造物を覆っていることを特徴とする。このような前記構造物は、絶縁体により構成される。
【００２５】
また、本発明においては、前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出するようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記構造物は、前記コンタクトホールを通じて露出されていることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明においては、前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出されるようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記第１導電体は、相異なる材質の少なくとも二つの層の導電膜を備え、前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体の導電膜のうち洗浄特性の良い導電膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明においては、前記第１導電体は、前記基板の方向から導電性酸化膜及び金属膜を順次に含み、前記コンタクト抵抗調節部は、前記導電性酸化膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする。
【００２８】
前記導電性酸化膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３、またはＺｎＯを含み、前記金属膜は、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、またはＩｒを含む。
【００２９】
また、本発明においては、前記発光部は、前記基板上に位置する下層電極と、前記下層電極に対向する上層電極と、前記下層電極と上層電極との間に介在された発光膜と、前記下層電極と電気的に接続された下層第２導電体と、前記上層電極と電気的に接続された上層第２導電体とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
【００３１】
第１に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分に、第１導電体と第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部を形成することによって、このコンタクト抵抗調節部によりコンタクト抵抗を低減できる。特にコンタクト抵抗調節部として引入部を形成することによって、この引入部での電流集中を図り、コンタクト抵抗を低減している。
【００３２】
第２に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分に構造物を形成することによって、この構造物での電流集中を図って、コンタクト抵抗を低減できる。
【００３３】
第３に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分で、第１導電体の洗浄性を良好にすることによって、このコンタクト部分でのコンタクト抵抗を低減できる。
【００３４】
第４に、第１導電体と第２導電体とのコンタクト抵抗が低くなることによって、駆動電圧を低めることができ、均一な表示を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付した図面を参考として本発明の具体的な実施形態について、さらに詳細に説明する。下記で説明する本発明の望ましい実施形態は、いずれも有機化合物をＥＭＬとして使用している有機電子発光素子についてのものであり、以下に説明する本発明によるあらゆる技術的思想は、ＥＭＬとして無機化合物を使用する無機電子発光素子にも同一に適用されることができる。
【００３６】
図３は、本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の分離斜視図である。
【００３７】
図３に示すように、本発明の有機電子発光素子は、透明な基板３１と、この基板３１の上面に形成されて画像を形成する発光部４０と、前記基板３１と接合されて発光部４０を包んで密封する密封部材３２と、前記発光部４０に電流を供給するものであって前記密封部材３２の外側まで延びる端子５０とを備える。そして、前記密封部材３２の外側に露出された端子５０には、前記発光部４０を駆動させるための回路部（図示せず）を搭載したフレキシブル印刷回路基板３３を連結することができる。このような基本的な構成は、以下で説明する本発明のあらゆる実施形態にそのまま適用することができる。
【００３８】
図４ないし図６は、それぞれ本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の構造をさらに詳細に説明するための図面であって、図４は、図３のＡ部分についての部分拡大平面図であって、第２電極ラインを形成する前の図面であり、図５は、図４に第２電極ラインを形成した後の図面であり、図６は、図５のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【００３９】
図３ないし図６に示すように、前記発光部４０は、基板３１の上面に所定パターンで形成された複数個の第１電極ライン４２と、その上部に形成された電子発光膜４８と、電子発光膜４８の上部に所定パターンで形成された複数個の第２電極ライン４４とを備える。ここでは第１電極ライン４２が下層電極、第２電極ライン４４が上層電極である。そしてその間に発光膜である電子発光膜４８が介在されている。
【００４０】
基板３１は、ガラス材が使われる。またこの他に、アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、マイラー、その他のプラスチック材料を使用することもできる。また、この基板３１上には、必要によって、不純物イオンの拡散を防止するためのバッファ層が形成され、水分や外気の侵入を防止するためのバリヤー層が形成されることもある。
【００４１】
前記第１電極ライン４２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成され、前記第２電極ライン４４は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物で形成される。そして、それらが相互交差する部分で、前記電子発光膜４８が発光して所定の画像を形成する。
【００４２】
前記第１電極ライン４２及び第２電極ライン４４は、必ずしも前述した材料に限定されず、使用可能ないかなる材料ででも形成できるということはいうまでもない。
【００４３】
前記電子発光膜４８は、有機電子発光素子に使われる有機膜であればいずれも適用可能であり、低分子または高分子材料が使われる。
【００４４】
低分子物質を使用する場合、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが、単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。それらの低分子有機層は、真空蒸着の方法で形成されることができる。
【００４５】
一方、高分子物質を使用する場合には、大体ＨＴＬ及びＥＭＬで備えられた構造を有し、この際、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬとしてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、それをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成できる。
【００４６】
前記電子発光膜４８は、各画素のカラーに対応するように多様なパターンで形成可能である。
【００４７】
このような第１電極ライン４２、第２電極ライン４４及び電子発光膜４８についての事項は、以下で説明する本発明のあらゆる実施形態で同一に適用可能であるということはいうまでもない。
【００４８】
一方、前記のような発光部４０で、電子発光膜４８の下部には、内部絶縁膜４６がさらに形成される。この内部絶縁膜４６は、第１電極ライン４２の相互間の絶縁、及び非発光部分での第１電極ライン４２と第２電極ライン４４との絶縁を維持するために形成されるものであって、フォトレジストや感光性ポリイミドなどの絶縁性物質でフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。前記内部絶縁膜４６は、ストライプ状または格子状にパターニングされる。
【００４９】
一方、前記端子５０は、図３に示すように、基板３１の少なくとも一側のエッジに形成される第１電極端子５２、及び少なくとも他側のエッジに形成される第２電極端子５４を備える。図３では、第１電極端子５２が基板３１の一側のエッジに形成され、その両側のエッジに第２電極端子５４が形成されているが、これは、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１電極端子５２と第２電極端子５４とを基板３１の一側のエッジにいずれも備えることもある。
【００５０】
図６に示すように、第２電極端子５４は、下部の第１導電膜５４ａと、上部の第２導電膜５４ｂとを備えるが、前記第１導電膜５４ａは、前述した第１電極ライン４２と同様に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成でき、前記第２導電膜５４ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物で形成できる。このような第２電極端子５４の上面に、第２電極ライン４４が発光部４０から延びて接続される。図示していないが、前記第１電極端子５２も、同一な構成で形成でき、この際、第１電極端子５２の第１導電膜は、第１電極ラインと一体に延びて形成できる。
【００５１】
前記のような構成を有する本発明の有機電子発光素子において、前記発光部４０と端子５０のうち少なくとも第２電極端子５４との間には、絶縁性素材からなる外部絶縁膜５６がさらに形成される。
【００５２】
前記外部絶縁膜５６は、前記内部絶縁膜４６のうち、発光部４０の最外郭に位置した第１電極ライン４２ａの外側に形成される絶縁膜を、第２電極端子５４まで延ばして形成できるものであって、少なくとも前記第２電極端子５４の前記発光部４０側の端部に接するように、すなわち、前記発光部４０と前記第２電極端子６４との間に間隔が生じないように形成することが望ましい。
【００５３】
本発明の望ましい一実施形態によれば、前記外部絶縁膜５６は、図６に示すように、前記第２電極端子５４の前記発光部４０側の端部を覆うように形成できる。このように外部絶縁膜５６が形成されることによって、前記第２電極端子５４の前記基板３１の上面についての段差は緩和され、これにより、発光部４０の第２電極ライン４４に電気的に連結された第２電極配線ライン４５が、前記第２電極端子５４の上面に延びて互いに連結される時に、前記第２電極端子５４の基板３１の上面についての段差によって、その連結が遮断される現象を防止できる。前記のような外部絶縁膜の形状は、必ずしも前記図面に限定されず、前記第２電極端子５４の前記基板３１の上面についての段差を緩和させることが可能ないかなる構造も適用可能である。
【００５４】
前記外部絶縁膜５６のうち、前記第２電極端子５４の端部を覆う外部絶縁膜５６の一部には、コンタクトホール５７が形成されている。このコンタクトホール５７は、これを通じて、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４とが互いに電気的に連結可能にするためのものである。
【００５５】
このようなコンタクトホール５７は、第２電極端子５４の第２導電膜５４ｂの部分に形成されており、コンタクトホール５７を通じて第２導電膜５４ｂが露出される。
【００５６】
さらに本発明は、このコンタクトホール５７で、端子と配線との間のコンタクト抵抗を低減させ、コンタクト抵抗が均一に維持されるようにコンタクト抵抗調節部５８を備える。
【００５７】
このコンタクト抵抗調節部５８の一実施形態として、図４に示すように、第２導電膜５４ｂに引入部５８ａを具備できる。
【００５８】
前記引入部５８ａは、コンタクトホール５７を通じて露出された第２導電膜５４ｂに形成されて、このコンタクトホール５７及び引入部５８ａを通じて、第１導電膜５４ａの一部分を露出させたものであって、第２電極配線ライン４５とコンタクトされる時に、この引入部５８ａが形成された部分で電流の集中が発生して、コンタクト抵抗を低減できる。なお、この構成にあっては、第２電極端子５４が第１導電体であり、第２電極配線ライン４５が第２導電体となる。
【００５９】
このような引入部５８ａは、図４に示すように、第２導電膜５４ｂの少なくともコンタクトホール５７に露出された部分のうち一部が、所定深さで凹むように形成されるが、その形状は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様に変形可能である。たとえば、凹みに限らず波形状であってもよい。
【００６０】
このような引入部５８ａの構造は、必ずしも前述したような外部絶縁膜５６及びコンタクトホール５７を有する構造のみに適用されるものではなく、第２電極配線ラインと第２電極端子とが外部絶縁膜なしにコンタクトされる時にも、そのコンタクトされる部分に引入部を形成することによって、その部分での電流の集中を図って、コンタクト抵抗を低減できる。
【００６１】
図７ないし図９は、前記コンタクト抵抗調節部５８の他の一実施形態を示すためのものであって、図面に示すように、前記コンタクト抵抗調節部５８は、前記第２電極配線ライン４５とコンタクトされる部分で、第２電極配線ライン４５とコンタクトされる第２電極端子５４の上面に形成された所定形状の構造物５８ｂを含むことができる。この際、前記構造物５８ｂは、コンタクトホール５７を通じて露出されており、第２電極配線ライン４５は、この構造物５８ｂを覆うように第２電極端子５４とコンタクトされる。
【００６２】
前記構造物５８ｂは、多様な材質で形成できるが、外部絶縁膜５６と同一な絶縁体で形成でき、コンタクトホール５７の形成と同時にパターニングされることができる。
【００６３】
このような構造物５８ｂの場合にも、この部分（具体的には第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４の第１導電膜５４ａとが接触する部分）で電流の集中を発生させて、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００６４】
前記構造物５８ｂの形状は、必ずしも図７に示した形状に限定されるものではなく、多様に変形可能である。
【００６５】
また、前述したように、前記構造物５８ｂの構造は、必ずしも外部絶縁膜５６及びコンタクトホール５７を有する構造のみに適用されるものではなく、第２電極配線ラインと第２電極端子とが外部絶縁膜なしにコンタクトされる時にも、そのコンタクトされる部分に構造物を形成することによって、その部分での電流の集中を図ってコンタクト抵抗を低減できる。
【００６６】
図１０ないし図１２は、前記コンタクト抵抗調節部５８のさらに他の一実施形態を示すためのものである。
【００６７】
図面に示すように、前記コンタクト抵抗調節部５８は、前記第２電極端子５４の導電膜５４ａ、５４ｂのうち洗浄特性の良い第１導電膜５４ａが、コンタクトホール５７を通じて露出されるように備えられる。
【００６８】
前述したように、前記第１導電膜５４ａは、導電性酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成でき、前記第２導電膜５４ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒのような金属で形成できるが、この際、金属である第２導電膜５４ｂより、導電性酸化物である第１導電膜５４ａが、酸素プラズマやＵＶ洗浄のような洗浄工程時、洗浄性がさらに良好である。すなわち、洗浄時、金属である第２導電膜５４ｂより、導電性酸化物である第１導電膜５４ａ上に存在する汚染物が、さらによく除去される。
【００６９】
したがって、本発明は、図１０ないし図１２に示すように、コンタクトホール５７を通じて第１導電膜５４ａを露出させて、この第１導電膜５４ａを第２電極配線ライン４５と直接コンタクトさせ、これにより、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗を低減できる。
【００７０】
以上説明したように、本発明のコンタクト抵抗調節部により、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗を低減するが、本発明は、必ずしも第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗のみに適用されるものではなく、発光部４０から延びて出るいかなる配線ラインと発光部の外側の端子とのコンタクト時にも同一に適用できる。
【００７１】
また、前述した本発明の実施形態は、パッシブマトリックス方式を示したものであるが、本発明が、必ずしもこれに限定されるものではなく、アクティブマトリックス方式の場合にも同一に適用できる。
【００７２】
この場合、発光部の第１電極と第２電極とは、前述した実施形態のように、ライン電極で備えられず、それぞれの画素ごとにパターニングされた画素電極と、全体画素に共通的にパターニングされた共通電極とで備えられる。そして、この際、画素電極には、選択駆動回路が連結されることができる。
【００７３】
このようなアクティブマトリックス方式の場合、前述した本発明のコンタクト抵抗調節部は、画素電極、共通電極とそれらの端子との間に適用されるだけでなく、スキャン、データ、ＶＤＤ配線などの各種配線とそれらの端子との間にも適用されることができる。
【００７４】
本明細書では、本発明を限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の思想的範囲内で多様な実施形態が可能である。また、説明されていないが、均等な手段も本発明にそのまま結合されるといえる。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、テレビジョン、モニタ及び携帯機器の各種の表示装置に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】従来の有機電子発光素子の部分拡大平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線の断面図である。
【図３】本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の分離斜視図である。
【図４】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部の一実施形態を示す図面である。
【図５】図４に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図６】図５のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図７】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部の他の一実施形態を示す図面である。
【図８】図７に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図９】図８のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
【図１０】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部のさらに他の一実施形態を示す図面である。
【図１１】図１０に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図１２】図１１のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
３１…基板
３２…密封部材
３３…フレキシブル印刷回路基板
４０…発光部
５０…端子
５２…第１電極端子
５４…第２電極端子
５６…外部絶縁膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子発光素子に係り、特に、配線と端子とのコンタクト抵抗が低減された電子発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子発光素子は、自己発光型の表示素子であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有するので、次世代の表示素子として注目されている。このような電子発光素子は、発光層を形成する物質によって、無機電子発光素子と有機電子発光素子とに区分されるが、このうち、有機電子発光素子は、無機電子発光素子に比べて輝度、応答速度などの特性が優秀であり、カラーディスプレイが可能であるという点など多様な長所を有するので、最近に研究が活発に進まれている。
【０００３】
電子発光素子は、ガラスやその他の透明な絶縁基板上に所定パターンで正極を形成し、この正極上に有機膜または無機膜で発光層を形成し、その上に前記正極と直交するように、所定パターンの負極を順次に積層して形成する。
【０００４】
この際、前記有機膜または無機膜は、下部からホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）が順次に積層された構造を有し、前述したように、ＥＭＬが有機物質または無機物質から形成される。
【０００５】
前述したように構成された電子発光素子の正極及び負極に電圧を印加すれば、正極から注入されたホールがＨＴＬを経由してＥＭＬに移動し、電子は、負極からＥＴＬを経由してＥＭＬに注入される。このＥＭＬで、電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化することによって、ＥＭＬの蛍光性分子が発光することによって、画像が形成される。
【０００６】
このように、電子発光素子においては、ＥＭＬの材料によって、有機電子発光素子と無機電子発光素子とに区分されるので、以下では、有機電子発光素子を中心に説明する。
【０００７】
有機電子発光素子は、透明な基板の上面に画像を形成する有機発光部が形成され、キャップが前記基板と接合されて、有機発光部を包んで密封する構造を有する。この際、有機発光部に所定の電圧や信号を印加する電極端子グループは、キャップの外側まで延びており、この端子グループに回路を搭載したフレキシブル印刷回路基板が連結される。
【０００８】
前記有機発光部は、ＥＭＬを含む有機膜を介して、第１電極ラインと第２電極ラインとが向き合う構造を有する。したがって、所定のパターンで形成された第１電極ラインの端部で、有機膜の厚さは、非常に薄くなり、この部分で、第１電極ラインと第２電極ラインとの短絡が発生する恐れがある。また、第１電極ラインの相互間の短絡の恐れもある。
【０００９】
このような電極間の短絡を防止するために、特許文献１及び２には、第１電極ラインの間に内部絶縁膜を形成した技術が開示されている。特に、特許文献１に開示された内部絶縁膜は、隣接した電極ラインの方に段々薄くなる形態を有して、その境界部での短絡を防止できるという効果がある。
【００１０】
一方、第１電極ライン及び第２電極ラインは、電極端子グループの第１電極端子グループ及び第２電極端子グループに接続されるが、この際、電極ラインと電極端子グループとの接続される地点で、電極端子グループと基板表面との段差によって、電気的短絡が発生することがある。
【００１１】
本発明者は、このような問題を解決するために、特許文献３に、図１及び図２に示したような有機電子発光素子を提案したことがある。
【００１２】
図１及び図２に示すように、第１電極ライン１２と第２電極ライン１４とが基板１１上で有機膜１８を介して互いに交差するように配置されている。第２電極ライン１４は、一側に延びて、第２電極パッド部２０の第２電極端子２４に連結されている。第１電極ライン１２の間には、埋め込み絶縁層１６が配列されている。
【００１３】
この際、第２電極端子２４は、導電性酸化膜２４ａ及び金属膜２４ｂで形成されている。そして、第２電極端子２４を覆うように絶縁膜２６が形成されており、この絶縁膜２６には、コンタクトホール２７が形成されている。
【００１４】
前記第２電極ライン１４は、絶縁膜２６上に形成され、コンタクトホール２７を通じて第２電極端子２４とコンタクトされる。
【００１５】
一方、前記第１端子２４ａは、第１電極ライン１２と同一なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成され、第２端子２４ｂは、第１端子２４ａのライン抵抗による電圧降下を補完するために、導電性の良いＣｒまたはＡｇで形成される。
【００１６】
しかし、前記コンタクトホール２７によって露出された第２端子２４ｂの部分では、第２電極ライン１４と第２電極端子２４の第２端子２４ｂとの間に、接触抵抗が増加し、この接触抵抗が不均一であるという問題が発生する。これは、コンタクトホール２７によって露出された第２端子２４ｂが、工程中に発生する有機物または無機物により汚染されて発生する。このような有機物または無機物による第２端子２４ｂの汚染は、ＵＶ洗浄や酸素プラズマによっても完全に除去されないためであり、これにより、このコンタクトホール２７の部分で、接触抵抗の増加または不均一の問題が発生する。
【００１７】
このように、第２電極ライン１４と第２電極端子グループ２４の第２端子２４ｂとの接触抵抗の増加、または不均一は、該当ラインで駆動電圧が高くなる原因となり、これにより、画像の具現時、輝度むらが発生する。
【特許文献１】米国特許第６，２２２，３１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２９７，５８９号明細書
【特許文献３】米国公開特許第２００４０１０８８０９ Ａ１明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、前記のような問題を解決するためのものであって、配線と端子とのコンタクト部分での接触抵抗の増加を防止し、これにより、駆動電圧を低くし、均一な表示を可能にする電子発光素子を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記のような目的を達成するために、本発明は基板と、前記基板の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部と、前記発光部と電気的に接続された第２導電体と接続された第１導電体と、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクトされる部分に備えられ、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部と、を有することを特徴とする電子発光素子である。
【００２０】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体に備えられた引入部を有し、前記第２導電体が、前記引入部を覆っていることを特徴とする。
【００２１】
前記第１導電体は、少なくとも二つの層の導電膜を備え、前記引入部は、前記導電膜のうち少なくとも一つの前記導電膜と前記第２導電体とがコンタクトされることで形成されていることを特徴とする。
【００２２】
前記引入部が形成された部分で、前記第２導電体は、前記導電膜とコンタクトされていることを特徴とする。
【００２３】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、前記第１導電体の上面の一部が露出されるコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記引入部は、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１導電体の部分に備えられたことを特徴とする。
【００２４】
本発明においては、さらに、前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体と前記第２導電体とがコンタクトされる部分の前記第１導電体の上面に形成された構造物を備え、前記第２導電体は、前記構造物を覆っていることを特徴とする。このような前記構造物は、絶縁体により構成される。
【００２５】
また、本発明においては、前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出するようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記構造物は、前記コンタクトホールを通じて露出されていることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明においては、前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出されるようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、前記第１導電体は、相異なる材質の少なくとも二つの層の導電膜を備え、前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体の導電膜のうち洗浄特性の良い導電膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明においては、前記第１導電体は、前記基板の方向から導電性酸化膜及び金属膜を順次に含み、前記コンタクト抵抗調節部は、前記導電性酸化膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする。
【００２８】
前記導電性酸化膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３、またはＺｎＯを含み、前記金属膜は、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、またはＩｒを含む。
【００２９】
また、本発明においては、前記発光部は、前記基板上に位置する下層電極と、前記下層電極に対向する上層電極と、前記下層電極と上層電極との間に介在された発光膜と、前記下層電極と電気的に接続された下層第２導電体と、前記上層電極と電気的に接続された上層第２導電体とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
【００３１】
第１に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分に、第１導電体と第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部を形成することによって、このコンタクト抵抗調節部によりコンタクト抵抗を低減できる。特にコンタクト抵抗調節部として引入部を形成することによって、この引入部での電流集中を図り、コンタクト抵抗を低減している。
【００３２】
第２に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分に構造物を形成することによって、この構造物での電流集中を図って、コンタクト抵抗を低減できる。
【００３３】
第３に、第１導電体と第２導電体とがコンタクトされる部分で、第１導電体の洗浄性を良好にすることによって、このコンタクト部分でのコンタクト抵抗を低減できる。
【００３４】
第４に、第１導電体と第２導電体とのコンタクト抵抗が低くなることによって、駆動電圧を低めることができ、均一な表示を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付した図面を参考として本発明の具体的な実施形態について、さらに詳細に説明する。下記で説明する本発明の望ましい実施形態は、いずれも有機化合物をＥＭＬとして使用している有機電子発光素子についてのものであり、以下に説明する本発明によるあらゆる技術的思想は、ＥＭＬとして無機化合物を使用する無機電子発光素子にも同一に適用されることができる。
【００３６】
図３は、本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の分離斜視図である。
【００３７】
図３に示すように、本発明の有機電子発光素子は、透明な基板３１と、この基板３１の上面に形成されて画像を形成する発光部４０と、前記基板３１と接合されて発光部４０を包んで密封する密封部材３２と、前記発光部４０に電流を供給するものであって前記密封部材３２の外側まで延びる端子５０とを備える。そして、前記密封部材３２の外側に露出された端子５０には、前記発光部４０を駆動させるための回路部（図示せず）を搭載したフレキシブル印刷回路基板３３を連結することができる。このような基本的な構成は、以下で説明する本発明のあらゆる実施形態にそのまま適用することができる。
【００３８】
図４ないし図６は、それぞれ本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の構造をさらに詳細に説明するための図面であって、図４は、図３のＡ部分についての部分拡大平面図であって、第２電極ラインを形成する前の図面であり、図５は、図４に第２電極ラインを形成した後の図面であり、図６は、図５のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【００３９】
図３ないし図６に示すように、前記発光部４０は、基板３１の上面に所定パターンで形成された複数個の第１電極ライン４２と、その上部に形成された電子発光膜４８と、電子発光膜４８の上部に所定パターンで形成された複数個の第２電極ライン４４とを備える。ここでは第１電極ライン４２が下層電極、第２電極ライン４４が上層電極である。そしてその間に発光膜である電子発光膜４８が介在されている。
【００４０】
基板３１は、ガラス材が使われる。またこの他に、アクリル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、マイラー、その他のプラスチック材料を使用することもできる。また、この基板３１上には、必要によって、不純物イオンの拡散を防止するためのバッファ層が形成され、水分や外気の侵入を防止するためのバリヤー層が形成されることもある。
【００４１】
前記第１電極ライン４２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成され、前記第２電極ライン４４は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物で形成される。そして、それらが相互交差する部分で、前記電子発光膜４８が発光して所定の画像を形成する。
【００４２】
前記第１電極ライン４２及び第２電極ライン４４は、必ずしも前述した材料に限定されず、使用可能ないかなる材料ででも形成できるということはいうまでもない。
【００４３】
前記電子発光膜４８は、有機電子発光素子に使われる有機膜であればいずれも適用可能であり、低分子または高分子材料が使われる。
【００４４】
低分子物質を使用する場合、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが、単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。それらの低分子有機層は、真空蒸着の方法で形成されることができる。
【００４５】
一方、高分子物質を使用する場合には、大体ＨＴＬ及びＥＭＬで備えられた構造を有し、この際、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬとしてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、それをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成できる。
【００４６】
前記電子発光膜４８は、各画素のカラーに対応するように多様なパターンで形成可能である。
【００４７】
このような第１電極ライン４２、第２電極ライン４４及び電子発光膜４８についての事項は、以下で説明する本発明のあらゆる実施形態で同一に適用可能であるということはいうまでもない。
【００４８】
一方、前記のような発光部４０で、電子発光膜４８の下部には、内部絶縁膜４６がさらに形成される。この内部絶縁膜４６は、第１電極ライン４２の相互間の絶縁、及び非発光部分での第１電極ライン４２と第２電極ライン４４との絶縁を維持するために形成されるものであって、フォトレジストや感光性ポリイミドなどの絶縁性物質でフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。前記内部絶縁膜４６は、ストライプ状または格子状にパターニングされる。
【００４９】
一方、前記端子５０は、図３に示すように、基板３１の少なくとも一側のエッジに形成される第１電極端子５２、及び少なくとも他側のエッジに形成される第２電極端子５４を備える。図３では、第１電極端子５２が基板３１の一側のエッジに形成され、その両側のエッジに第２電極端子５４が形成されているが、これは、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１電極端子５２と第２電極端子５４とを基板３１の一側のエッジにいずれも備えることもある。
【００５０】
図６に示すように、第２電極端子５４は、下部の第１導電膜５４ａと、上部の第２導電膜５４ｂとを備えるが、前記第１導電膜５４ａは、前述した第１電極ライン４２と同様に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成でき、前記第２導電膜５４ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物で形成できる。このような第２電極端子５４の上面に、第２電極ライン４４が発光部４０から延びて接続される。図示していないが、前記第１電極端子５２も、同一な構成で形成でき、この際、第１電極端子５２の第１導電膜は、第１電極ラインと一体に延びて形成できる。
【００５１】
前記のような構成を有する本発明の有機電子発光素子において、前記発光部４０と端子５０のうち少なくとも第２電極端子５４との間には、絶縁性素材からなる外部絶縁膜５６がさらに形成される。
【００５２】
前記外部絶縁膜５６は、前記内部絶縁膜４６のうち、発光部４０の最外郭に位置した第１電極ライン４２ａの外側に形成される絶縁膜を、第２電極端子５４まで延ばして形成できるものであって、少なくとも前記第２電極端子５４の前記発光部４０側の端部に接するように、すなわち、前記発光部４０と前記第２電極端子６４との間に間隔が生じないように形成することが望ましい。
【００５３】
本発明の望ましい一実施形態によれば、前記外部絶縁膜５６は、図６に示すように、前記第２電極端子５４の前記発光部４０側の端部を覆うように形成できる。このように外部絶縁膜５６が形成されることによって、前記第２電極端子５４の前記基板３１の上面についての段差は緩和され、これにより、発光部４０の第２電極ライン４４に電気的に連結された第２電極配線ライン４５が、前記第２電極端子５４の上面に延びて互いに連結される時に、前記第２電極端子５４の基板３１の上面についての段差によって、その連結が遮断される現象を防止できる。前記のような外部絶縁膜の形状は、必ずしも前記図面に限定されず、前記第２電極端子５４の前記基板３１の上面についての段差を緩和させることが可能ないかなる構造も適用可能である。
【００５４】
前記外部絶縁膜５６のうち、前記第２電極端子５４の端部を覆う外部絶縁膜５６の一部には、コンタクトホール５７が形成されている。このコンタクトホール５７は、これを通じて、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４とが互いに電気的に連結可能にするためのものである。
【００５５】
このようなコンタクトホール５７は、第２電極端子５４の第２導電膜５４ｂの部分に形成されており、コンタクトホール５７を通じて第２導電膜５４ｂが露出される。
【００５６】
さらに本発明は、このコンタクトホール５７で、端子と配線との間のコンタクト抵抗を低減させ、コンタクト抵抗が均一に維持されるようにコンタクト抵抗調節部５８を備える。
【００５７】
このコンタクト抵抗調節部５８の一実施形態として、図４に示すように、第２導電膜５４ｂに引入部５８ａを具備できる。
【００５８】
前記引入部５８ａは、コンタクトホール５７を通じて露出された第２導電膜５４ｂに形成されて、このコンタクトホール５７及び引入部５８ａを通じて、第１導電膜５４ａの一部分を露出させたものであって、第２電極配線ライン４５とコンタクトされる時に、この引入部５８ａが形成された部分で電流の集中が発生して、コンタクト抵抗を低減できる。なお、この構成にあっては、第２電極端子５４が第１導電体であり、第２電極配線ライン４５が第２導電体となる。
【００５９】
このような引入部５８ａは、図４に示すように、第２導電膜５４ｂの少なくともコンタクトホール５７に露出された部分のうち一部が、所定深さで凹むように形成されるが、その形状は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様に変形可能である。たとえば、凹みに限らず波形状であってもよい。
【００６０】
このような引入部５８ａの構造は、必ずしも前述したような外部絶縁膜５６及びコンタクトホール５７を有する構造のみに適用されるものではなく、第２電極配線ラインと第２電極端子とが外部絶縁膜なしにコンタクトされる時にも、そのコンタクトされる部分に引入部を形成することによって、その部分での電流の集中を図って、コンタクト抵抗を低減できる。
【００６１】
図７ないし図９は、前記コンタクト抵抗調節部５８の他の一実施形態を示すためのものであって、図面に示すように、前記コンタクト抵抗調節部５８は、前記第２電極配線ライン４５とコンタクトされる部分で、第２電極配線ライン４５とコンタクトされる第２電極端子５４の上面に形成された所定形状の構造物５８ｂを含むことができる。この際、前記構造物５８ｂは、コンタクトホール５７を通じて露出されており、第２電極配線ライン４５は、この構造物５８ｂを覆うように第２電極端子５４とコンタクトされる。
【００６２】
前記構造物５８ｂは、多様な材質で形成できるが、外部絶縁膜５６と同一な絶縁体で形成でき、コンタクトホール５７の形成と同時にパターニングされることができる。
【００６３】
このような構造物５８ｂの場合にも、この部分（具体的には第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４の第１導電膜５４ａとが接触する部分）で電流の集中を発生させて、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００６４】
前記構造物５８ｂの形状は、必ずしも図７に示した形状に限定されるものではなく、多様に変形可能である。
【００６５】
また、前述したように、前記構造物５８ｂの構造は、必ずしも外部絶縁膜５６及びコンタクトホール５７を有する構造のみに適用されるものではなく、第２電極配線ラインと第２電極端子とが外部絶縁膜なしにコンタクトされる時にも、そのコンタクトされる部分に構造物を形成することによって、その部分での電流の集中を図ってコンタクト抵抗を低減できる。
【００６６】
図１０ないし図１２は、前記コンタクト抵抗調節部５８のさらに他の一実施形態を示すためのものである。
【００６７】
図面に示すように、前記コンタクト抵抗調節部５８は、前記第２電極端子５４の導電膜５４ａ、５４ｂのうち洗浄特性の良い第１導電膜５４ａが、コンタクトホール５７を通じて露出されるように備えられる。
【００６８】
前述したように、前記第１導電膜５４ａは、導電性酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成でき、前記第２導電膜５４ｂは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒのような金属で形成できるが、この際、金属である第２導電膜５４ｂより、導電性酸化物である第１導電膜５４ａが、酸素プラズマやＵＶ洗浄のような洗浄工程時、洗浄性がさらに良好である。すなわち、洗浄時、金属である第２導電膜５４ｂより、導電性酸化物である第１導電膜５４ａ上に存在する汚染物が、さらによく除去される。
【００６９】
したがって、本発明は、図１０ないし図１２に示すように、コンタクトホール５７を通じて第１導電膜５４ａを露出させて、この第１導電膜５４ａを第２電極配線ライン４５と直接コンタクトさせ、これにより、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗を低減できる。
【００７０】
以上説明したように、本発明のコンタクト抵抗調節部により、第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗を低減するが、本発明は、必ずしも第２電極配線ライン４５と第２電極端子５４との間のコンタクト抵抗のみに適用されるものではなく、発光部４０から延びて出るいかなる配線ラインと発光部の外側の端子とのコンタクト時にも同一に適用できる。
【００７１】
また、前述した本発明の実施形態は、パッシブマトリックス方式を示したものであるが、本発明が、必ずしもこれに限定されるものではなく、アクティブマトリックス方式の場合にも同一に適用できる。
【００７２】
この場合、発光部の第１電極と第２電極とは、前述した実施形態のように、ライン電極で備えられず、それぞれの画素ごとにパターニングされた画素電極と、全体画素に共通的にパターニングされた共通電極とで備えられる。そして、この際、画素電極には、選択駆動回路が連結されることができる。
【００７３】
このようなアクティブマトリックス方式の場合、前述した本発明のコンタクト抵抗調節部は、画素電極、共通電極とそれらの端子との間に適用されるだけでなく、スキャン、データ、ＶＤＤ配線などの各種配線とそれらの端子との間にも適用されることができる。
【００７４】
本明細書では、本発明を限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の思想的範囲内で多様な実施形態が可能である。また、説明されていないが、均等な手段も本発明にそのまま結合されるといえる。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、テレビジョン、モニタ及び携帯機器の各種の表示装置に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】従来の有機電子発光素子の部分拡大平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線の断面図である。
【図３】本発明の望ましい一実施形態による有機電子発光素子の分離斜視図である。
【図４】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部の一実施形態を示す図面である。
【図５】図４に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図６】図５のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図７】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部の他の一実施形態を示す図面である。
【図８】図７に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図９】図８のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
【図１０】図３のＡ部分について、第２電極ラインを形成する前の部分平面拡大図であって、コンタクト抵抗調節部のさらに他の一実施形態を示す図面である。
【図１１】図１０に第２電極ラインを形成した後の図面である。
【図１２】図１１のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
３１…基板
３２…密封部材
３３…フレキシブル印刷回路基板
４０…発光部
５０…端子
５２…第１電極端子
５４…第２電極端子
５６…外部絶縁膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部と、
前記発光部と電気的に接続された第２導電体と接続された第１導電体と、
前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクトされる部分に備えられ、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部と、を有することを特徴とする電子発光素子。
【請求項２】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体に備えられた引入部を有し、
前記第２導電体が、前記引入部を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項３】
前記第１導電体は、少なくとも二つの層の導電膜を備え、
前記引入部は、前記導電膜のうち少なくとも一つの前記導電膜と前記第２導電体とがコンタクトされることで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子発光素子。
【請求項４】
前記引入部が形成された部分で、前記第２導電体は、前記導電膜とコンタクトされていることを特徴とする請求項３に記載の電子発光素子。
【請求項５】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、前記第１導電体の上面の一部が露出されるコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記引入部は、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１導電体の部分に備えられたことを特徴とする請求項２に記載の電子発光素子。
【請求項６】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体と前記第２導電体とがコンタクトされる部分の前記第１導電体の上面に形成された構造物を備え、
前記第２導電体は、前記構造物を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項７】
前記構造物は、絶縁体により構成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子発光素子。
【請求項８】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出するようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記構造物は、前記コンタクトホールを通じて露出されていることを特徴とする請求項６に記載の電子発光素子。
【請求項９】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出されるようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記第１導電体は、相異なる材質の少なくとも二つの層の導電膜を備え、
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体の導電膜のうち洗浄特性の良い導電膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項１０】
前記第１導電体は、前記基板の方向から導電性酸化膜及び金属膜を順次に含み、
前記コンタクト抵抗調節部は、前記導電性酸化膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする請求項９に記載の電子発光素子。
【請求項１１】
前記導電性酸化膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３、またはＺｎＯを含み、
前記金属膜は、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、またはＩｒを含むことを特徴とする請求項１０に記載の電子発光素子。
【請求項１２】
前記発光部は、前記基板上に位置する下層電極と、前記下層電極に対向する上層電極と、前記下層電極と上層電極との間に介在された発光膜と、前記下層電極と電気的に接続された下層第２導電体と、前記上層電極と電気的に接続された上層第２導電体とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に形成されて所定の画像を具現する発光部と、
前記発光部と電気的に接続された第２導電体と接続された第１導電体と、
前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクトされる部分に備えられ、前記第１導電体と前記第２導電体との間のコンタクト抵抗を低減させるコンタクト抵抗調節部と、を有することを特徴とする電子発光素子。
【請求項２】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体に備えられた引入部を有し、
前記第２導電体が、前記引入部を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項３】
前記第１導電体は、少なくとも二つの層の導電膜を備え、
前記引入部は、前記導電膜のうち少なくとも一つの前記導電膜と前記第２導電体とがコンタクトされることで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電子発光素子。
【請求項４】
前記引入部が形成された部分で、前記第２導電体は、前記導電膜とコンタクトされていることを特徴とする請求項３に記載の電子発光素子。
【請求項５】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、前記第１導電体の上面の一部が露出されるコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記引入部は、前記コンタクトホールを通じて露出された前記第１導電体の部分に備えられたことを特徴とする請求項２に記載の電子発光素子。
【請求項６】
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体と前記第２導電体とがコンタクトされる部分の前記第１導電体の上面に形成された構造物を備え、
前記第２導電体は、前記構造物を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項７】
前記構造物は、絶縁体により構成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子発光素子。
【請求項８】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出するようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記構造物は、前記コンタクトホールを通じて露出されていることを特徴とする請求項６に記載の電子発光素子。
【請求項９】
前記発光部と前記第１導電体との間に位置し、かつ前記第２導電体と前記基板との間に介在され、前記第１導電体のうち少なくとも一つの端部を覆い、かつ前記第１導電体の上面の一部が露出されるようにコンタクトホールを有して、前記コンタクトホールを通じて前記第２導電体と前記第１導電体とをコンタクトさせる絶縁膜をさらに備え、
前記第１導電体は、相異なる材質の少なくとも二つの層の導電膜を備え、
前記コンタクト抵抗調節部は、前記第１導電体の導電膜のうち洗浄特性の良い導電膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【請求項１０】
前記第１導電体は、前記基板の方向から導電性酸化膜及び金属膜を順次に含み、
前記コンタクト抵抗調節部は、前記導電性酸化膜が、前記コンタクトホールを通じて露出されるように備えられていることを特徴とする請求項９に記載の電子発光素子。
【請求項１１】
前記導電性酸化膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３、またはＺｎＯを含み、
前記金属膜は、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、またはＩｒを含むことを特徴とする請求項１０に記載の電子発光素子。
【請求項１２】
前記発光部は、前記基板上に位置する下層電極と、前記下層電極に対向する上層電極と、前記下層電極と上層電極との間に介在された発光膜と、前記下層電極と電気的に接続された下層第２導電体と、前記上層電極と電気的に接続された上層第２導電体とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電子発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００６−１９２６６（Ｐ２００６−１９２６６Ａ）
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１７９９２７（Ｐ２００５−１７９９２７）
【出願日】平成１７年６月２０日（２００５．６．２０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月２０日（２００５．６．２０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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