電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置
【課題】電気光学装置を破壊することなく所望の厚みに形成することができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一対の基板を貼り合わせて有機ＥＬパネルを形成する工程（ステップＳ１３）と、有機ＥＬパネルにおけるエッチング処理を施す面の表面積及び有機ＥＬパネルの重量を求める工程（ステップＳ１４）と、一対の基板の少なくとも一方の基板にエッチング処理を施して有機ＥＬパネルの厚みを薄くする工程（ステップＳ１５）と、有機ＥＬパネルを洗浄及び乾燥させる工程（ステップＳ１６）と、エッチング処理後の有機ＥＬパネルの重量を求める工程（ステップＳ１７）と、重量の測定差からエッチング処理後の有機ＥＬパネルの厚みを求める工程（ステップＳ１８）と、を有する。
【解決手段】一対の基板を貼り合わせて有機ＥＬパネルを形成する工程（ステップＳ１３）と、有機ＥＬパネルにおけるエッチング処理を施す面の表面積及び有機ＥＬパネルの重量を求める工程（ステップＳ１４）と、一対の基板の少なくとも一方の基板にエッチング処理を施して有機ＥＬパネルの厚みを薄くする工程（ステップＳ１５）と、有機ＥＬパネルを洗浄及び乾燥させる工程（ステップＳ１６）と、エッチング処理後の有機ＥＬパネルの重量を求める工程（ステップＳ１７）と、重量の測定差からエッチング処理後の有機ＥＬパネルの厚みを求める工程（ステップＳ１８）と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に薄型加工処理を施す電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、有機ＥＬ装置を構成する基板の外面（露出している面）にエッチング処理を行い、有機ＥＬ装置を薄型化している。
【０００３】
エッチング処理を行った後、所望のエッチング量（厚み）に到達したか否かを、有機ＥＬ装置の厚みを測定することで行っている。厚みを測定する方法としては、接触式のマイクロメーターを用いている。有機ＥＬ装置が所望の厚みに到達しない場合は、再度エッチング処理から厚み測定までを繰り返し行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７４１７０８号公報
【特許文献２】特許第３８２４６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接触式のマイクロメーターでの測定は、有機ＥＬ装置を挟むことで厚み値が得られる。つまり、有機ＥＬ装置とマイクロメーターとが接触するため、有機ＥＬ装置を破壊する恐れがあるという課題がある。加えて、マイクロメーターで測定した場合、有機ＥＬ装置を挟み込んで測定するため、有機ＥＬ装置が変形する恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板を有する電気光学パネルの重量を求める第１測定工程と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの重量を求める第２測定工程と、前記第１測定工程と前記第２測定工程との重量差から前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを求める演算工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、薄型加工処理前の電気光学パネルの重量と、薄型加工処理後の電気光学パネルの重量との差分から、薄型加工処理された分の重量を求めることが可能となる。更に、薄型加工処理された分の重量と、基板の密度と、基板（電気光学パネル）の表面積とから薄型加工処理された厚みを求めることができる。よって、薄型加工処理後の電気光学パネルの厚みを正確に求めることができる。加えて、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで厚みを測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の電気光学パネルが変形することを防ぐことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記演算工程までを繰り返し行うことが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、所望の厚みになるまで電気光学パネルに薄型加工処理を施し重量を測定し、その結果、電気光学パネルの厚みを求めるので、品質的にばらつきの少ない電気光学装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理は、エッチング処理であることが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、エッチング処理を用いて電気光学パネルを薄くするので、機械式の研磨処理方法等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けるようにしてもよい。
【００１４】
この方法によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置の製造装置は、一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、前記電気光学パネルの重量を測定する第１測定部と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの重量を測定する第２測定部と、前記第１測定部と前記第２測定部とにより得られた重量差から前記電気光学パネルの厚みを求める演算部と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、第１測定部で測定した薄型加工処理前の電気光学パネルの重量と、第２測定部で測定した薄型加工処理後の電気光学パネルの重量とを基に、演算部で電気光学パネルの重量差と、基板の密度と、基板（電気光学パネル）の表面積とから薄型加工処理された電気光学パネルの厚みを求めることが可能となる。よって、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで厚みを測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の電気光学パネルが変形することを防ぐことが可能な製造装置を提供できる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記第２測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、搬送機構によって、複数回の薄型加工処理と電気光学パネルの重量測定を行うことができるので、電気光学パネルの厚みを所望の厚みに近づけることができると共に、電気光学パネルの厚みをばらつきの少ない厚みに形成することができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、エッチング処理部で電気光学パネルにエッチング処理を施すので、機械式の研磨処理等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けるようにしてもよい。
【００２２】
この構成によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】有機ＥＬ装置の構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置に薄型加工処理を施すエッチング装置の構造を示す模式図。
【図５】エッチング装置のうちエッチング室の構成を模式的に示す斜視図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００２５】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを有している。そして、格子状に配置された走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。また、複数の信号線１３が接続された信号線駆動回路１５と、複数の走査線１２が接続された走査線駆動回路１６とを有している。
【００２６】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００２７】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００２８】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００２９】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３１】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を発光する構成となっている。
【００３２】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３３】
図２における基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。また、図示しないが、駆動用ＩＣ３７は、信号線駆動回路１５とも接続されている。
【００３４】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３５】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、素子基板４１と、素子基板４１に接着剤５７を介して貼り合わされたカラーフィルター基板４２とを有している。
【００３６】
素子基板４１は、基板３１上に、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２がこの順に積層されている。また、カラーフィルター基板４２は、基板６１と、遮光層５３及び色要素５４を含むカラーフィルター５５とを有する。
【００３７】
有機ＥＬ装置１１は、有機発光層４７において発光した光を基板６１側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置である。観察者は、基板６１側から表示を観察する。上記のうち、サブ画素３４毎に形成された、反射層４３から陰極５１までの構成要素からなる素子が、発光素子２７に相当する。
【００３８】
基板３１は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１，２３や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するための信号線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。
【００３９】
反射層４３は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。陽極２４は、反射層４３上に、反射層４３との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層４４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００４０】
陽極２４は、各サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に一つずつ配置されており、それぞれの陽極２４は、基板３１に含まれるＴＦＴ素子２１，２３を介して、信号線（図示せず）に接続されている。陰極５１は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００４１】
陽極２４と陰極５１との間には、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８がこの順に積層されている。有機発光層４７は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。陽極２４と陰極５１との間に電圧を印加することによって、有機発光層４７には、正孔輸送層４６から正孔が、また、電子輸送層４８から電子が注入され、有機発光層４７においてこれらが再結合したときに発光が行われる。
【００４２】
有機発光層４７からの光は、一部は直接陰極５１を透過し、一部は反射層４３によって反射されてから陰極５１を透過する。いずれにせよ、有機発光層４７からの光は、陰極５１を透過し、その後薄膜封止層５２、接着剤５７、色要素５４、基板６１を順に透過する。
【００４３】
ここで、反射層４３及び陰極５１は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層４７において発せられた光は、反射層４３と陰極５１との間を往復し、共振波長の光だけが基板６１側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００４４】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１１においては、陽極２４の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいてこの順に陽極２４を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおける陽極２４の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、サブ画素３４Ｒにおいては赤色、サブ画素３４Ｇにおいては緑色、サブ画素３４Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極５１からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００４５】
陰極５１を覆って形成された薄膜封止層５２は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子２７を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極５１の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００４６】
また、基板６１としては、透光性を有するガラス基板等が挙げられる。なお、基板３１及び基板６１の外面（それぞれ露出している側の面）は、薄型加工処理としてのエッチング処理等が施されている。
【００４７】
基板６１上に形成された色要素５４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって、特定色の透過光を得るための部材である。色要素５４を配置することによって、有機ＥＬ装置１１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度抑えることができる。色要素５４は、エポキシ樹脂からなる接着剤５７を介して薄膜封止層５２と対向している。
【００４８】
色要素５４を区画する遮光層５３は、上述したようにカラーフィルター５５の一部を構成する。遮光層５３は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各サブ画素３４間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層５３は、色要素５４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００４９】
カラーフィルター５５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のそれぞれに対応する色要素５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、遮光層５３（ブラックマトリックス）とを有する。なお、カラーフィルター５５は、遮光層５３を含めない構成としてもよい。なお、この後の説明において、有機ＥＬ装置１１にフレキシブル基板３６が備えられていないものを電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル１１ａとして説明する。
【００５０】
＜有機ＥＬパネルの製造装置＞
図４は、有機ＥＬパネルに薄型加工処理（エッチング処理）を施す電気光学装置の製造装置としてのエッチング装置の構造を示す模式図である。図５は、エッチング装置のうちエッチング室の構成を模式的に示す斜視図である。以下、エッチング装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００５１】
エッチング装置７１は、第１測定部としての第１測定室７２と、薄型加工処理部（エッチング処理部）としてのエッチング室７３と、洗浄室７４と、乾燥室７５と、第２測定部としての第２測定室７６とが互いに隣接して直線的に配置されている。
【００５２】
第１測定室７２は、有機ＥＬパネル１１ａの外形寸法測定及び重量測定が行われる。具体的には、外形寸法は、有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１，６１）エッチング面の縦寸法、横寸法を計測する。つまり、エッチング面の表面積を測定する。外形寸法を測定する方法としては、例えば、非接触式の外形測定器等を用いることができる。ガラス基板（基板３１，６１）の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3で計算するものとする。
【００５３】
重量測定は、有機ＥＬパネル１１ａ全体の重量を測定する。重量を測定する方法としては、例えば、電子天秤等が挙げられる。これにより、有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１，６１）の重量を求めることが可能となり、重量変化を確認することにより、ガラス基板のエッチング量を求めることができる。
【００５４】
なお、第１測定室７２には、外部からエッチング装置７１の中に有機ＥＬパネル１１ａを搬入するための搬入口７２ａが設けられている。また、エッチング装置７１には、有機ＥＬパネル１１ａを、外部からエッチング装置７１の中に搬入したり、エッチング装置７１内を搬送したりするための搬送機構７７が備えられている。また、有機ＥＬパネル１１ａは、例えば、立てられて搬送されている。つまり、有機ＥＬパネル１１ａにおけるエッチング面と、エッチング装置７１内の側面とが向き合うようにして搬送されている。
【００５５】
エッチング室７３は、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対のガラス基板（基板３１、基板６１）の厚みを薄くするためにエッチング処理が行われる。具体的には、上記したように、基板３１及び基板６１の外面（露出している側の面）にエッチング処理を施すことによって有機ＥＬパネル１１ａの厚みを所望の厚みにする。処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みとしては、例えば、８０μｍ程度である。
【００５６】
より詳述すると、図５に示すように、エッチング室７３には、エッチング室７３に搬送された有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１に向けてエッチング処理液８１を吹きつける吐出部８２が設けられている。吐出部８２には、基板の面全体に亘って均一に吐出できるように、例えば、複数のノズル８３が設けられている。ノズル８３には、エッチング処理液８１を噴射する複数の噴射孔８４が設けられている。エッチング処理液８１としては、例えば、フッ酸等が挙げられる。
【００５７】
基板３１及び基板６１の外面は、吐出部に対して有機ＥＬパネル１１ａが相対的に移動することによりエッチング処理が行われる。このエッチング処理は、例えば、化学的な作用と物理的な作用とを行うことが可能となっている。化学的な作用としては、ガラス基板の外面の材料をフッ酸により溶出する。物理的な作用としては、フッ酸をガラス基板の外面に対し吹き付ける衝撃を利用している。
【００５８】
洗浄室７４は、エッチング処理が終了した有機ＥＬパネル１１ａを洗浄するために用いられる。洗浄液は、例えば水である。洗浄する対象物としては、エッチング処理液（フッ酸）等である。
【００５９】
乾燥室７５は、洗浄が終了した有機ＥＬパネル１１ａから洗浄液などを除去して有機ＥＬパネル１１ａを乾燥させるために用いられる。乾燥方法は、例えば、エアーシャワーである。
【００６０】
第２測定室７６は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量が測定される。有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定する方法としては、例えば、前述した電子天秤等が挙げられる。なお、第２測定室７６には、エッチング装置７１から外部に有機ＥＬパネル１１ａを搬出するための搬出口７６ａが設けられている。
【００６１】
また、第２測定室７６には、演算部７８が備えられている。演算部７８は、第１測定室７２で計測された有機ＥＬパネル１１ａの重量と、第２測定室７６で計測された有機ＥＬパネル１１ａの重量とから、重量の変化を求めることが可能となっている。つまり、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａの重量からエッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量を引いた重量が、エッチングされた重量となる。
【００６２】
また、演算部７８は、エッチングされた重量から、エッチングされた基板３１（６１）の厚みを求めることが可能となっている。一方の基板３１のみをエッチングする場合、求める演算式としては、「重量変化量÷基板３１の密度（２．５ｇ／ｃｍ3）÷基板３１の表面積」で求めることができる。これにより、有機ＥＬパネル１１ａが所望の厚みにエッチングされたか否かを求めることができる。なお、大きさの異なる基板３１，６１を同時にエッチングする場合、エッチングされた厚みを求める計算式としては、「重量変化量÷密度÷（（基板３１の表面積）＋（基板６１の表面積））÷２」で求めることができる。
【００６３】
更に、演算部７８は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値でなかった場合、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになるためのエッチング時間を求めることが可能となっている。そして、搬送機構７７によって有機ＥＬパネル１１ａがエッチング室７３に戻され、再度、エッチング処理が施される。そして、洗浄室７４、乾燥室７５、第２測定室７６での処理を繰り返すことにより、有機ＥＬパネル１１ａを所望の厚みに仕上げる。
【００６４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図６は、有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図６を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００６５】
まず、ステップＳ１１では、素子基板４１を形成する。具体的には、基板３１上に、公知の成膜技術を用いて、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２を順に形成する。
【００６６】
ステップＳ１２では、カラーフィルター基板４２を形成する。具体的には、基板６１上に、公知の成膜技術を用いて、遮光層５３及び色要素５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）を含むカラーフィルター５５を形成する。
【００６７】
ステップＳ１３（電気光学パネル形成工程）では、素子基板４１とカラーフィルター基板４２とを貼り合わせて、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。具体的には、大気を遮断した窒素雰囲気内において、接着剤５７を用いて貼り合わせ、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。以下、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１にエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄くする方法について説明する。
【００６８】
ステップＳ１４（第１測定工程）では、有機ＥＬパネル１１ａの外形寸法測定と重量測定を行う。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対の基板（基板３１、基板６１）の外面（露出面）をエッチングによって薄くするために、基板の縦寸法、横寸法を測定する。なお、有機ＥＬパネル１１ａの形状は、矩形状である。つまり、ここでは有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１、基板６１）の表面積を求めている。
【００６９】
縦寸法、横寸法を測定する方法としては、上記したように、例えば、非接触式の外形測定器が挙げられる。また、有機ＥＬパネル１１ａの総重量も測定する。総重量を求める方法としては、例えば、電子天秤等が挙げられる。一対の基板を構成するガラス基板の重量は、２．５ｇ／１ｃｍ3である。これにより、一対の基板３１，６１（有機ＥＬパネル１１ａ）の重量を求めることができる。一対の基板（基板３１、基板６１）の総厚みは、例えば、１ｍｍである。
【００７０】
ステップＳ１５（薄型加工処理工程）では、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理を施す。具体的には、エッチング装置７１の吐出部（図示せず）を通過させることにより、一対の基板３１，６１の外面にエッチング液が吹き付けられる。エッチング液としては、例えば、フッ酸などが挙げられる。一対の基板３１，６１にエッチング液を吹き付ける時間は、エッチング量に応じて変わる。所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みは、例えば、８０μｍである。よって、最初の厚みの狙い値としては、例えば、１００μｍである。
【００７１】
ステップＳ１６（洗浄乾燥工程）では、有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。具体的には、エッチング等で汚れた有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。乾燥方法としては、例えば、エアーシャワーが用いられる。
【００７２】
ステップＳ１７（第２測定工程）では、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量がいくつになったか求める。具体的には、まず、有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定する。ここで、有機ＥＬパネル１１ａの重量は、電子天秤を用いて求める。これにより、有機ＥＬパネル１１ａの重量減少分がわかる。
【００７３】
ステップＳ１８（演算工程）では、重量減少分からエッチングした厚みを求める。具体的には、重量減少分÷ガラスの密度（２．５ｇ／ｃｍ3）÷基板３１，６１の表面積で求めることができる。
【００７４】
ステップＳ１９では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになったか否かを判定する。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａの所望の厚みに対して、エッチング処理後にいくつの厚みになったかを比較する。例えば、エッチング処理前に１ｍｍあった有機ＥＬパネル１１ａの厚みが、エッチング処理後に１１０μｍになったとする。有機ＥＬパネル１１ａの厚みの最初の狙い値としては、上記したように、例えば１００μｍである。よって、狙い値に対して足りなかった分のエッチング量に加えて、更にエッチング処理を行うことになる。なお、複数回エッチング処理を繰り返し、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが８０μｍになっていれば、処理を終了する。
【００７５】
ステップＳ２０では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値にならなかった場合に、あと、どれ位エッチングすれば所望の値になるかを演算して求める。ここで求めたエッチング時間を基に、再度ステップＳ１５でエッチング処理を行う。そして、所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みになるまでステップＳ１５からステップＳ１９までの処理を繰り返し行う。
【００７６】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７７】
（１）本実施形態によれば、第１測定室７２、第２測定室７６、演算部７８によって、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａの重量と、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量と、その差分からエッチング処理された分の重量を求めることが可能となる。更に、演算部７８によって、エッチング処理された分の重量と、基板３１，６１の密度と、基板３１，６１（有機ＥＬパネル１１ａ）の表面積とからエッチング処理された厚みを求めることができる。よって、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みを正確に求めることができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、有機ＥＬパネル１１ａの厚みを重量変化分で管理するので、接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、有機ＥＬパネル１１ａが破壊されることを防ぐことができる。更に、有機ＥＬパネル１１ａを接触式の計測器で挟んで測定した際の有機ＥＬパネル１１ａが変形することを防ぐことができる。
【００７９】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記したように、薄型加工処理はエッチング処理に限定されず、例えば、ディップや、機械式の研磨加工処理でもよい。機械式の研磨処理としては、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等が挙げられる。この場合においても、重量変化分から研磨処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みを求めることができる。
【００８１】
（変形例２）
上記したように、エッチング処理の方法として、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理液を吹きつける方法に限定されず、エッチング処理液の中に入れて行う方法でもよい。
【００８２】
（変形例３）
上記したように、エッチング処理は、基板３１と基板６１との両方に行うことに限定されず、例えば、どちらか一方の基板３１（基板６１）のみにエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄型化するようにしてもよい。
【００８３】
（変形例４）
上記したように、有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定するのに電子天秤を用いることに限定されず、例えば、エッチング装置７１内を搬送するときの様に有機ＥＬパネル１１ａが立てられて配置されており、この有機ＥＬパネル１１ａが重量を測定する重量測定機器にぶら下がっていて、常に有機ＥＬパネル１１ａの重量が測定できるような機構を用いるようにしてもよい。
【００８４】
（変形例５）
上記したように、第１測定室７２において基板３１，６１のエッチング面の表面積を測定することに限定されず、例えば測定せずに、基板３１，６１における外形寸法の設計情報を流用するようにしてもよい。従って、第１測定室７２では、有機ＥＬパネル１１ａの重量のみを測定するようにしてもよい。
【００８５】
（変形例６）
上記した実施形態は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子（駆動用ＴＦＴ）、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１，６１…一対の基板を構成する基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…素子基板、４２…カラーフィルター基板、４３…反射層、４４…絶縁層、４６…正孔輸送層、４７…有機発光層、４８…電子輸送層、５１…陰極、５２…薄膜封止層、５３…遮光層、５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）…色要素、５５…カラーフィルター、５７…接着剤、７１…エッチング装置、７２…第１測定室、７２ａ…搬入口、７３…エッチング室、７４…洗浄室、７５…乾燥室、７６…第２測定室、７６ａ…搬出口、７７…搬送機構、７８…演算部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に薄型加工処理を施す電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、有機ＥＬ装置を構成する基板の外面（露出している面）にエッチング処理を行い、有機ＥＬ装置を薄型化している。
【０００３】
エッチング処理を行った後、所望のエッチング量（厚み）に到達したか否かを、有機ＥＬ装置の厚みを測定することで行っている。厚みを測定する方法としては、接触式のマイクロメーターを用いている。有機ＥＬ装置が所望の厚みに到達しない場合は、再度エッチング処理から厚み測定までを繰り返し行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７４１７０８号公報
【特許文献２】特許第３８２４６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接触式のマイクロメーターでの測定は、有機ＥＬ装置を挟むことで厚み値が得られる。つまり、有機ＥＬ装置とマイクロメーターとが接触するため、有機ＥＬ装置を破壊する恐れがあるという課題がある。加えて、マイクロメーターで測定した場合、有機ＥＬ装置を挟み込んで測定するため、有機ＥＬ装置が変形する恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板を有する電気光学パネルの重量を求める第１測定工程と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの重量を求める第２測定工程と、前記第１測定工程と前記第２測定工程との重量差から前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを求める演算工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、薄型加工処理前の電気光学パネルの重量と、薄型加工処理後の電気光学パネルの重量との差分から、薄型加工処理された分の重量を求めることが可能となる。更に、薄型加工処理された分の重量と、基板の密度と、基板（電気光学パネル）の表面積とから薄型加工処理された厚みを求めることができる。よって、薄型加工処理後の電気光学パネルの厚みを正確に求めることができる。加えて、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで厚みを測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の電気光学パネルが変形することを防ぐことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記演算工程までを繰り返し行うことが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、所望の厚みになるまで電気光学パネルに薄型加工処理を施し重量を測定し、その結果、電気光学パネルの厚みを求めるので、品質的にばらつきの少ない電気光学装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記薄型加工処理は、エッチング処理であることが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、エッチング処理を用いて電気光学パネルを薄くするので、機械式の研磨処理方法等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けるようにしてもよい。
【００１４】
この方法によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置の製造装置は、一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、前記電気光学パネルの重量を測定する第１測定部と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの重量を測定する第２測定部と、前記第１測定部と前記第２測定部とにより得られた重量差から前記電気光学パネルの厚みを求める演算部と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、第１測定部で測定した薄型加工処理前の電気光学パネルの重量と、第２測定部で測定した薄型加工処理後の電気光学パネルの重量とを基に、演算部で電気光学パネルの重量差と、基板の密度と、基板（電気光学パネル）の表面積とから薄型加工処理された電気光学パネルの厚みを求めることが可能となる。よって、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで厚みを測定する方法と比較して、電気光学パネルが破壊されることを防ぐことができる。更に、電気光学パネルを接触式の計測器で挟んで測定した際の電気光学パネルが変形することを防ぐことが可能な製造装置を提供できる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記第２測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、搬送機構によって、複数回の薄型加工処理と電気光学パネルの重量測定を行うことができるので、電気光学パネルの厚みを所望の厚みに近づけることができると共に、電気光学パネルの厚みをばらつきの少ない厚みに形成することができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、エッチング処理部で電気光学パネルにエッチング処理を施すので、機械式の研磨処理等と比較して、電気光学パネルに応力がかかることを抑えることができる。よって、電気光学パネルが変形することを抑えることができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造装置において、前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けるようにしてもよい。
【００２２】
この構成によれば、少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けてエッチング処理を行うので、電気光学パネルを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】有機ＥＬ装置の構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置に薄型加工処理を施すエッチング装置の構造を示す模式図。
【図５】エッチング装置のうちエッチング室の構成を模式的に示す斜視図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００２５】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを有している。そして、格子状に配置された走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。また、複数の信号線１３が接続された信号線駆動回路１５と、複数の走査線１２が接続された走査線駆動回路１６とを有している。
【００２６】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００２７】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００２８】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００２９】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３０】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３１】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を発光する構成となっている。
【００３２】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３３】
図２における基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。また、図示しないが、駆動用ＩＣ３７は、信号線駆動回路１５とも接続されている。
【００３４】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３５】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、素子基板４１と、素子基板４１に接着剤５７を介して貼り合わされたカラーフィルター基板４２とを有している。
【００３６】
素子基板４１は、基板３１上に、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２がこの順に積層されている。また、カラーフィルター基板４２は、基板６１と、遮光層５３及び色要素５４を含むカラーフィルター５５とを有する。
【００３７】
有機ＥＬ装置１１は、有機発光層４７において発光した光を基板６１側から取り出す構成のいわゆるトップエミッション型の発光装置である。観察者は、基板６１側から表示を観察する。上記のうち、サブ画素３４毎に形成された、反射層４３から陰極５１までの構成要素からなる素子が、発光素子２７に相当する。
【００３８】
基板３１は、ガラス基板や石英基板等の上に公知の技術を用いてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１，２３や各種配線（ＴＦＴ素子を駆動するための信号線、走査線等）、絶縁膜等が形成された、いわゆるＴＦＴ素子基板である。
【００３９】
反射層４３は、アルミニウム又は銀等から構成することができる。陽極２４は、反射層４３上に、反射層４３との短絡を防止するためのＳｉＮ等からなる絶縁層４４を挟んで配置された、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００４０】
陽極２４は、各サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に一つずつ配置されており、それぞれの陽極２４は、基板３１に含まれるＴＦＴ素子２１，２３を介して、信号線（図示せず）に接続されている。陰極５１は、マグネシウムと銀の合金を薄く形成してハーフミラー状としたものであり、光反射性及び光透過性を兼ね備えている。
【００４１】
陽極２４と陰極５１との間には、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８がこの順に積層されている。有機発光層４７は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。陽極２４と陰極５１との間に電圧を印加することによって、有機発光層４７には、正孔輸送層４６から正孔が、また、電子輸送層４８から電子が注入され、有機発光層４７においてこれらが再結合したときに発光が行われる。
【００４２】
有機発光層４７からの光は、一部は直接陰極５１を透過し、一部は反射層４３によって反射されてから陰極５１を透過する。いずれにせよ、有機発光層４７からの光は、陰極５１を透過し、その後薄膜封止層５２、接着剤５７、色要素５４、基板６１を順に透過する。
【００４３】
ここで、反射層４３及び陰極５１は、いわゆる光共振器を構成している。このため、有機発光層４７において発せられた光は、反射層４３と陰極５１との間を往復し、共振波長の光だけが基板６１側から取り出される。よって、ピーク強度が高く幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができ、有機ＥＬ装置１１による発光の色再現性を向上させることができる。
【００４４】
上記共振波長は、光共振器の長さを変えることによって調整可能である。有機ＥＬ装置１１においては、陽極２４の厚さを変えることによって光共振器の長さを調整している。より詳細には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいてこの順に陽極２４を薄くしていく構成により、光共振器の長さ、及び共振波長がこの順に長くなるようになっている。具体的には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおける陽極２４の厚さはそれぞれ９０ｎｍ，５０ｎｍ，２０ｎｍとなっている。これにより、共振波長は、サブ画素３４Ｒにおいては赤色、サブ画素３４Ｇにおいては緑色、サブ画素３４Ｂにおいては青色に相当する波長に設定される。この結果、陰極５１からは、共振波長に応じて赤、緑、または青の光が選択的に射出される。
【００４５】
陰極５１を覆って形成された薄膜封止層５２は、ＳｉＯＮ等からなる透光性を有する部材であり、発光素子２７を保護するとともに、光共振器の形成のためにできた陰極５１の段差を埋めて平滑にする役割を果たす。
【００４６】
また、基板６１としては、透光性を有するガラス基板等が挙げられる。なお、基板３１及び基板６１の外面（それぞれ露出している側の面）は、薄型加工処理としてのエッチング処理等が施されている。
【００４７】
基板６１上に形成された色要素５４は、上記したように、入射した光のうちの特定の波長成分を吸収することによって、特定色の透過光を得るための部材である。色要素５４を配置することによって、有機ＥＬ装置１１から取り出される光の色純度が向上するとともに、視野角による色の変化を抑えることができ、かつ外光の反射をある程度抑えることができる。色要素５４は、エポキシ樹脂からなる接着剤５７を介して薄膜封止層５２と対向している。
【００４８】
色要素５４を区画する遮光層５３は、上述したようにカラーフィルター５５の一部を構成する。遮光層５３は、光をほとんど透過させない樹脂であり、各サブ画素３４間の表示の混色を防止する役割を果たす。遮光層５３は、色要素５４と同様に、フォトリソグラフィー法等によって形成される。
【００４９】
カラーフィルター５５は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のそれぞれに対応する色要素５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂと、遮光層５３（ブラックマトリックス）とを有する。なお、カラーフィルター５５は、遮光層５３を含めない構成としてもよい。なお、この後の説明において、有機ＥＬ装置１１にフレキシブル基板３６が備えられていないものを電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル１１ａとして説明する。
【００５０】
＜有機ＥＬパネルの製造装置＞
図４は、有機ＥＬパネルに薄型加工処理（エッチング処理）を施す電気光学装置の製造装置としてのエッチング装置の構造を示す模式図である。図５は、エッチング装置のうちエッチング室の構成を模式的に示す斜視図である。以下、エッチング装置の構造を、図４及び図５を参照しながら説明する。
【００５１】
エッチング装置７１は、第１測定部としての第１測定室７２と、薄型加工処理部（エッチング処理部）としてのエッチング室７３と、洗浄室７４と、乾燥室７５と、第２測定部としての第２測定室７６とが互いに隣接して直線的に配置されている。
【００５２】
第１測定室７２は、有機ＥＬパネル１１ａの外形寸法測定及び重量測定が行われる。具体的には、外形寸法は、有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１，６１）エッチング面の縦寸法、横寸法を計測する。つまり、エッチング面の表面積を測定する。外形寸法を測定する方法としては、例えば、非接触式の外形測定器等を用いることができる。ガラス基板（基板３１，６１）の密度は、２．５ｇ／ｃｍ3で計算するものとする。
【００５３】
重量測定は、有機ＥＬパネル１１ａ全体の重量を測定する。重量を測定する方法としては、例えば、電子天秤等が挙げられる。これにより、有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１，６１）の重量を求めることが可能となり、重量変化を確認することにより、ガラス基板のエッチング量を求めることができる。
【００５４】
なお、第１測定室７２には、外部からエッチング装置７１の中に有機ＥＬパネル１１ａを搬入するための搬入口７２ａが設けられている。また、エッチング装置７１には、有機ＥＬパネル１１ａを、外部からエッチング装置７１の中に搬入したり、エッチング装置７１内を搬送したりするための搬送機構７７が備えられている。また、有機ＥＬパネル１１ａは、例えば、立てられて搬送されている。つまり、有機ＥＬパネル１１ａにおけるエッチング面と、エッチング装置７１内の側面とが向き合うようにして搬送されている。
【００５５】
エッチング室７３は、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対のガラス基板（基板３１、基板６１）の厚みを薄くするためにエッチング処理が行われる。具体的には、上記したように、基板３１及び基板６１の外面（露出している側の面）にエッチング処理を施すことによって有機ＥＬパネル１１ａの厚みを所望の厚みにする。処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みとしては、例えば、８０μｍ程度である。
【００５６】
より詳述すると、図５に示すように、エッチング室７３には、エッチング室７３に搬送された有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１に向けてエッチング処理液８１を吹きつける吐出部８２が設けられている。吐出部８２には、基板の面全体に亘って均一に吐出できるように、例えば、複数のノズル８３が設けられている。ノズル８３には、エッチング処理液８１を噴射する複数の噴射孔８４が設けられている。エッチング処理液８１としては、例えば、フッ酸等が挙げられる。
【００５７】
基板３１及び基板６１の外面は、吐出部に対して有機ＥＬパネル１１ａが相対的に移動することによりエッチング処理が行われる。このエッチング処理は、例えば、化学的な作用と物理的な作用とを行うことが可能となっている。化学的な作用としては、ガラス基板の外面の材料をフッ酸により溶出する。物理的な作用としては、フッ酸をガラス基板の外面に対し吹き付ける衝撃を利用している。
【００５８】
洗浄室７４は、エッチング処理が終了した有機ＥＬパネル１１ａを洗浄するために用いられる。洗浄液は、例えば水である。洗浄する対象物としては、エッチング処理液（フッ酸）等である。
【００５９】
乾燥室７５は、洗浄が終了した有機ＥＬパネル１１ａから洗浄液などを除去して有機ＥＬパネル１１ａを乾燥させるために用いられる。乾燥方法は、例えば、エアーシャワーである。
【００６０】
第２測定室７６は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量が測定される。有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定する方法としては、例えば、前述した電子天秤等が挙げられる。なお、第２測定室７６には、エッチング装置７１から外部に有機ＥＬパネル１１ａを搬出するための搬出口７６ａが設けられている。
【００６１】
また、第２測定室７６には、演算部７８が備えられている。演算部７８は、第１測定室７２で計測された有機ＥＬパネル１１ａの重量と、第２測定室７６で計測された有機ＥＬパネル１１ａの重量とから、重量の変化を求めることが可能となっている。つまり、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａの重量からエッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量を引いた重量が、エッチングされた重量となる。
【００６２】
また、演算部７８は、エッチングされた重量から、エッチングされた基板３１（６１）の厚みを求めることが可能となっている。一方の基板３１のみをエッチングする場合、求める演算式としては、「重量変化量÷基板３１の密度（２．５ｇ／ｃｍ3）÷基板３１の表面積」で求めることができる。これにより、有機ＥＬパネル１１ａが所望の厚みにエッチングされたか否かを求めることができる。なお、大きさの異なる基板３１，６１を同時にエッチングする場合、エッチングされた厚みを求める計算式としては、「重量変化量÷密度÷（（基板３１の表面積）＋（基板６１の表面積））÷２」で求めることができる。
【００６３】
更に、演算部７８は、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値でなかった場合、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになるためのエッチング時間を求めることが可能となっている。そして、搬送機構７７によって有機ＥＬパネル１１ａがエッチング室７３に戻され、再度、エッチング処理が施される。そして、洗浄室７４、乾燥室７５、第２測定室７６での処理を繰り返すことにより、有機ＥＬパネル１１ａを所望の厚みに仕上げる。
【００６４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図６は、有機ＥＬパネルの製造方法を示すフローチャートである。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図６を参照しながら説明する。なお、各種配線や電極、駆動用ＴＦＴ等を形成する製造工程については、周知の工程と同様なので、ここではそれらの説明を省略又は簡略化し、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００６５】
まず、ステップＳ１１では、素子基板４１を形成する。具体的には、基板３１上に、公知の成膜技術を用いて、反射層４３、絶縁層４４、陽極２４、正孔輸送層４６、有機発光層４７、電子輸送層４８、陰極５１、薄膜封止層５２を順に形成する。
【００６６】
ステップＳ１２では、カラーフィルター基板４２を形成する。具体的には、基板６１上に、公知の成膜技術を用いて、遮光層５３及び色要素５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）を含むカラーフィルター５５を形成する。
【００６７】
ステップＳ１３（電気光学パネル形成工程）では、素子基板４１とカラーフィルター基板４２とを貼り合わせて、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。具体的には、大気を遮断した窒素雰囲気内において、接着剤５７を用いて貼り合わせ、有機ＥＬパネル１１ａを完成させる。以下、有機ＥＬパネル１１ａを構成する基板３１及び基板６１にエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄くする方法について説明する。
【００６８】
ステップＳ１４（第１測定工程）では、有機ＥＬパネル１１ａの外形寸法測定と重量測定を行う。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａを構成する一対の基板（基板３１、基板６１）の外面（露出面）をエッチングによって薄くするために、基板の縦寸法、横寸法を測定する。なお、有機ＥＬパネル１１ａの形状は、矩形状である。つまり、ここでは有機ＥＬパネル１１ａ（基板３１、基板６１）の表面積を求めている。
【００６９】
縦寸法、横寸法を測定する方法としては、上記したように、例えば、非接触式の外形測定器が挙げられる。また、有機ＥＬパネル１１ａの総重量も測定する。総重量を求める方法としては、例えば、電子天秤等が挙げられる。一対の基板を構成するガラス基板の重量は、２．５ｇ／１ｃｍ3である。これにより、一対の基板３１，６１（有機ＥＬパネル１１ａ）の重量を求めることができる。一対の基板（基板３１、基板６１）の総厚みは、例えば、１ｍｍである。
【００７０】
ステップＳ１５（薄型加工処理工程）では、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理を施す。具体的には、エッチング装置７１の吐出部（図示せず）を通過させることにより、一対の基板３１，６１の外面にエッチング液が吹き付けられる。エッチング液としては、例えば、フッ酸などが挙げられる。一対の基板３１，６１にエッチング液を吹き付ける時間は、エッチング量に応じて変わる。所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みは、例えば、８０μｍである。よって、最初の厚みの狙い値としては、例えば、１００μｍである。
【００７１】
ステップＳ１６（洗浄乾燥工程）では、有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。具体的には、エッチング等で汚れた有機ＥＬパネル１１ａを洗浄及び乾燥させる。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。乾燥方法としては、例えば、エアーシャワーが用いられる。
【００７２】
ステップＳ１７（第２測定工程）では、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量がいくつになったか求める。具体的には、まず、有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定する。ここで、有機ＥＬパネル１１ａの重量は、電子天秤を用いて求める。これにより、有機ＥＬパネル１１ａの重量減少分がわかる。
【００７３】
ステップＳ１８（演算工程）では、重量減少分からエッチングした厚みを求める。具体的には、重量減少分÷ガラスの密度（２．５ｇ／ｃｍ3）÷基板３１，６１の表面積で求めることができる。
【００７４】
ステップＳ１９では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の厚みになったか否かを判定する。具体的には、有機ＥＬパネル１１ａの所望の厚みに対して、エッチング処理後にいくつの厚みになったかを比較する。例えば、エッチング処理前に１ｍｍあった有機ＥＬパネル１１ａの厚みが、エッチング処理後に１１０μｍになったとする。有機ＥＬパネル１１ａの厚みの最初の狙い値としては、上記したように、例えば１００μｍである。よって、狙い値に対して足りなかった分のエッチング量に加えて、更にエッチング処理を行うことになる。なお、複数回エッチング処理を繰り返し、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが８０μｍになっていれば、処理を終了する。
【００７５】
ステップＳ２０では、有機ＥＬパネル１１ａの厚みが所望の値にならなかった場合に、あと、どれ位エッチングすれば所望の値になるかを演算して求める。ここで求めたエッチング時間を基に、再度ステップＳ１５でエッチング処理を行う。そして、所望の有機ＥＬパネル１１ａの厚みになるまでステップＳ１５からステップＳ１９までの処理を繰り返し行う。
【００７６】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７７】
（１）本実施形態によれば、第１測定室７２、第２測定室７６、演算部７８によって、エッチング処理前の有機ＥＬパネル１１ａの重量と、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの重量と、その差分からエッチング処理された分の重量を求めることが可能となる。更に、演算部７８によって、エッチング処理された分の重量と、基板３１，６１の密度と、基板３１，６１（有機ＥＬパネル１１ａ）の表面積とからエッチング処理された厚みを求めることができる。よって、エッチング処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みを正確に求めることができる。
【００７８】
（２）本実施形態によれば、有機ＥＬパネル１１ａの厚みを重量変化分で管理するので、接触式の計測器で挟んで測定する方法と比較して、有機ＥＬパネル１１ａが破壊されることを防ぐことができる。更に、有機ＥＬパネル１１ａを接触式の計測器で挟んで測定した際の有機ＥＬパネル１１ａが変形することを防ぐことができる。
【００７９】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記したように、薄型加工処理はエッチング処理に限定されず、例えば、ディップや、機械式の研磨加工処理でもよい。機械式の研磨処理としては、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等が挙げられる。この場合においても、重量変化分から研磨処理後の有機ＥＬパネル１１ａの厚みを求めることができる。
【００８１】
（変形例２）
上記したように、エッチング処理の方法として、有機ＥＬパネル１１ａにエッチング処理液を吹きつける方法に限定されず、エッチング処理液の中に入れて行う方法でもよい。
【００８２】
（変形例３）
上記したように、エッチング処理は、基板３１と基板６１との両方に行うことに限定されず、例えば、どちらか一方の基板３１（基板６１）のみにエッチング処理を施して、有機ＥＬパネル１１ａを薄型化するようにしてもよい。
【００８３】
（変形例４）
上記したように、有機ＥＬパネル１１ａの重量を測定するのに電子天秤を用いることに限定されず、例えば、エッチング装置７１内を搬送するときの様に有機ＥＬパネル１１ａが立てられて配置されており、この有機ＥＬパネル１１ａが重量を測定する重量測定機器にぶら下がっていて、常に有機ＥＬパネル１１ａの重量が測定できるような機構を用いるようにしてもよい。
【００８４】
（変形例５）
上記したように、第１測定室７２において基板３１，６１のエッチング面の表面積を測定することに限定されず、例えば測定せずに、基板３１，６１における外形寸法の設計情報を流用するようにしてもよい。従って、第１測定室７２では、有機ＥＬパネル１１ａの重量のみを測定するようにしてもよい。
【００８５】
（変形例６）
上記した実施形態は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子（駆動用ＴＦＴ）、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１，６１…一対の基板を構成する基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…素子基板、４２…カラーフィルター基板、４３…反射層、４４…絶縁層、４６…正孔輸送層、４７…有機発光層、４８…電子輸送層、５１…陰極、５２…薄膜封止層、５３…遮光層、５４（５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ）…色要素、５５…カラーフィルター、５７…接着剤、７１…エッチング装置、７２…第１測定室、７２ａ…搬入口、７３…エッチング室、７４…洗浄室、７５…乾燥室、７６…第２測定室、７６ａ…搬出口、７７…搬送機構、７８…演算部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板を有する電気光学パネルの重量を求める第１測定工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、
前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの重量を求める第２測定工程と、
前記第１測定工程と前記第２測定工程との重量差から前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを求める演算工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記演算工程までを繰り返し行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理は、エッチング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、
前記電気光学パネルの重量を測定する第１測定部と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、
前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの重量を測定する第２測定部と、
前記第１測定部と前記第２測定部とにより得られた重量差から前記電気光学パネルの厚みを求める演算部と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記第２測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１】
一対の基板を有する電気光学パネルの重量を求める第１測定工程と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施して前記電気光学パネルの厚みを薄くする薄型加工処理工程と、
前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの重量を求める第２測定工程と、
前記第１測定工程と前記第２測定工程との重量差から前記薄型加工処理後の前記電気光学パネルの厚みを求める演算工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学パネルの厚みが所望の厚みになるまで、前記薄型加工処理工程から前記演算工程までを繰り返し行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記薄型加工処理は、エッチング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング処理は、エッチング液を前記少なくとも一方の基板に吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
一対の基板を有する電気光学パネルを搬送する搬送機構と、
前記電気光学パネルの重量を測定する第１測定部と、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に薄型加工処理を施す薄型加工処理部と、
前記薄型加工処理が施された前記電気光学パネルの重量を測定する第２測定部と、
前記第１測定部と前記第２測定部とにより得られた重量差から前記電気光学パネルの厚みを求める演算部と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記搬送機構は、前記薄型加工処理された前記電気光学パネルが所望の厚みになるまで、少なくとも前記薄型加工処理部と前記第２測定部との間において前記電気光学パネルの搬送を繰り返すことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記薄型加工処理部は、前記電気光学パネルにエッチング処理を施すエッチング処理部であることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置の製造装置であって、
前記エッチング処理部は、前記少なくとも一方の基板にエッチング液を吹き付けることを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１９１１３８（Ｐ２０１０−１９１１３８Ａ）
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−３４９０３（Ｐ２００９−３４９０３）
【出願日】平成２１年２月１８日（２００９．２．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１８日（２００９．２．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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