電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の高品化を図る。
【解決方法】電気光学装置は、基板（１０）と、画素領域（４０ｂ）において表面に凹部を有するように段差部（１２´）が形成された下地膜（１２）と、下地膜の凸部上に形成された導電層（１５）と、段差部の表面を覆うように導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層（１６）とを備える。
【解決方法】電気光学装置は、基板（１０）と、画素領域（４０ｂ）において表面に凹部を有するように段差部（１２´）が形成された下地膜（１２）と、下地膜の凸部上に形成された導電層（１５）と、段差部の表面を覆うように導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層（１６）とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例として、ライトバルブとして用いられる液晶パネル等の液晶装置がある。このような液晶装置では、対向基板及び素子基板間に液晶が挟持されている。素子基板上には、例えば画素毎に画素電極が配置されると共に、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。画素が配列された画像表示領域に入射された光源光は、画素のうち遮光膜等が形成された非開口部によって規定される開口部を透過し出射されることにより、スクリーン上に画像が投影表示される。
【０００３】
ここで、画像表示に用いられる光源光の利用効率を高めるために、例えば、特許文献１では、対向基板に光を集光させるための側壁反射層を画素毎に形成している。また、特許文献２では屈折率の異なる複数の層を基板上に積層することにより、光源光を屈折させ、画素毎に集光を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０８１３２号公報
【特許文献２】特開２００５−３２１６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では対向基板に開孔し、側壁反射層を形成する必要があるため、製造工程が複雑化してしまうという技術的問題点がある。特に解像度を向上させるために画素数を増加させようとする場合に、高精細化な加工が困難になるため、このような問題点はより一層顕著なものとなってしまう。また、特許文献２では、光源光全体を屈折させるため、光源光の入射方向などの条件によっては、本来開口部に入射する光をも屈折させ、逆に非開口部に導き、無駄にしてしまうおそれがある。即ち、所定の条件下では、光の利用効率を逆に悪化させてしまう可能性があるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、明るく高品位な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板の画素領域において、表面に凹部を有するように段差部が形成された下地膜と、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上に形成され、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように、前記導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上に、下地膜を介して上層側に例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子が必要に応じて積層されている。ここで、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子は、本発明に係る導電層の一例であり、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。
【０００９】
尚、導電層としては、画素の保持特性を高めるための蓄積容量を構成する容量電極や、導電層間に生ずる電界を遮断するためのシールド電極であってもよい。この場合、導電層には一定又は不定の周期で変動する電圧が供給されてもよい。
【００１０】
導電層は、下地膜の表面に設けられた凸部上に配置される。凸部は凹部の周囲に位置する部分である。凸部と凹部との間に形成された段差部の表面には、反射層が形成されている。反射層は光源光を反射することにより、その光路を変更することができる。
【００１１】
反射層は、例えば、基板上で平面的に見て、画素領域に配列された各画素のうち光源光が透過可能な開口部の縁に沿って形成されている。この場合、画素領域の開口部（即ち、光源光が透過可能な領域）に入射しつつも、非開口部（例えば、データ線や走査線等が配置されているために、光源光が透過できない領域）に向かって進行する表示光は、仮に反射層がない場合、非開口部において吸収されることによって、無駄になってしまう。その点、本発明ではこのような光源光を反射層によって反射することにより、表示光として利用することができる。即ち、光源光の利用効率を高めることにより、明るく鮮明な画像を表示することが可能となる。
【００１２】
本発明では特に、反射層は導電層と同一の工程及び材料から形成されている。即ち、同一膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の成膜工程によって形成される膜を意味しており、反射層及び導電層が完全に同一の膜であることのみを意味するものではない。つまり、反射層及び導電層は一体的に形成されていてもよいし、互いに電気的に接続されていなくともよいし、厚さ等の各種条件が異なっていてもよい。このように同一膜から形成することにより、同一工程において反射層と導電層とを形成することができるため、工程数を削減することができ、製造コストを削減することができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、明るく高品位な画像を表示可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜の表面に凹部を有するように段差部を形成する段差工程と、前記段差形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層をパターニングすることにより、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上において電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように形成された反射層とを形成するパターニング工程とを備える。
【００１５】
本発明によれば、上述の電気光学装置（各種態様を含む）を好適に製造することができる。
【００１６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００１７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素の平面構造を示す平面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ´線断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板上の積層構造を製造するための各工程を順を追って示す工程断面図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素が設けられた領域に対応する、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００２７】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００２８】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、ブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３では点線で囲まれている領域が、個々の画素４０に対応している。
【００３０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素４０の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３１】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００３４】
次に本実施形態に係る液晶装置の画素４０の構造について説明する。ここに、図４は、本実施形態に係る液晶装置の画素４０の平面構造を示す平面図である。図５は、図４のＩ−Ｉ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００３５】
図４において、画素４０のうち光源光が透過可能な開口部４０ａは、非開口部４０ｂによって規定されている。非開口部４０ｂには、上述の走査線１１及びデータ線６ａ等の各種配線及び素子等が配置されている。これらの配線及び素子等は光源光を透過させない（即ち、反射性或いは遮光性のある）材料から形成されており、非開口部４０ｂを規定している。尚、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、半導体層に光源光が照射されることによって光リーク電流が発生することを防ぐべく、非開口部４０ｂに配置されている（図４において図不示）。
【００３６】
画素電極９ａは、画素４０毎に島状に形成されている。図４に示す点線９ａ´は、画素電極９ａの外輪郭を示している。このように画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、開口部４０ａに比べて若干広く（即ち、縁部が非開口部４０ｂに重なるように）形成されている。
【００３７】
図５に示すように、非開口部１０ｂには、走査線１１及びデータ線６ａ等の各種配線及び素子等が配置されている。以下、説明の便宜上、これらの各種配線及び素子等をまとめて導電層１５と称することとする。図５では、ＴＦＴアレイ基板１０上に複数層に亘って層間絶縁膜１２を介して形成された導電層１５を例示している。本実施形態では特に、導電層１５は上下方向に３層に亘って形成されることにより、非開口部４０ｂにおける遮光性を向上させている。ここで、３層に亘って形成された導電層１５を、下層側から順に導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃと称することとする。
【００３８】
導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃの下地膜として機能する層間絶縁膜１２ａ、１２ｂ及び１２ｃの表面には、それぞれ段差１２ａ´、１２ｂ´及び１２ｃ´が形成されている。当該段差１２ａ´、１２ｂ´及び１２ｃ´の表面はテーパ状に傾斜するように形成されており、当該表面に反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃが形成されている。反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃは、後に詳述するが、導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃと同一膜（即ち、同一工程において同一材料）から形成される。
【００３９】
ＴＦＴアレイ基板１０の上層側から入射する光源光は、その大部分は開口部４０ａを透過してＴＦＴアレイ基板１０の反対側に透過する。しかしながら、開口部４０ａに入射する光源光の一部（例えば、図５において実線で示すように斜めに入射する光源光）は、非開口部４０ｂに向かって進行されるものがある。そのため、仮に反射層１６がない場合、このような開口部４０ｂに向かって進行する光源光は、例えば図５において点線で示すような光路をとり、非開口部４０ｂに配置された導電層１５によって反射又は吸収され、無駄になってしまう。
【００４０】
本実施形態に係る液晶装置では、このように本来無駄になってしまう光源光を反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃによって反射し、開口部４０ａに戻すことができる。そのため、このような反射光を表示光の一部として利用することができる。
【００４１】
図４に示すように、このような反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、開口部４０ａの縁に沿って延在するように形成されている。従って、開口部４０ａに入射し、非開口部４０ｂにおいてロスされる光源光を反射層１６によって反射することにより、開口部４０ａに集光することができる。その結果、明るく鮮明な画像を高品位に表示可能な電気光学装置を実現することができる。
【００４２】
尚、画素４０毎に光源光を集光するためのマイクロレンズが形成されたマイクロレンズ基板を、ＴＦＴアレイ基板１０又は対抗基板２０に貼り合わせることによって、光源光の利用効率を更に向上させることもできる。また、このようなマイクロレンズは、ＴＦＴアレイ基板１０又は対抗基板２０上の積層構造として形成されていてもよい。
【００４３】
＜製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、例えばシリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板１０を用意し、層間絶縁膜１２を形成する。そして層間絶縁膜１２上に、当該層間絶縁膜１２をパターニングする際にマスクとして利用するためのレジスト３２を形成する。レジスト３２は露光及び現像されることにより、マスクとして好適な形状にパターニングされている。
【００４５】
続いて、図６（ｂ）に示すように、レジスト３２をマスクとして、下地絶縁膜１２にエッチングを施すことにより、下地絶縁膜１２の表面に段差１２´を形成する。
【００４６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、段差１２´が形成された下地絶縁膜１２の表面に導電層１５をベタ状に形成する。導電層１５は例えば、アルミニウムや銀などの光反射性に優れた導電性材料から形成するとよい。
【００４７】
続いて、図６（ｄ）に示すように、導電層１５上に、当該導電層１５をパターニングする際にマスクとして用いられるレジスト３４を形成する。レジスト３４は露光及び現像されることにより、マスクとして好適な形状にパターニングされている。
【００４８】
続いて、図６（ｅ）に示すように、レジスト３４をマスクとして、導電層１５にエッチングを施すことにより、導電層１５及び反射層１６を形成する。このとき反射層は、層間絶縁膜１２に形成された段差１２´に残存するように形成される。
【００４９】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５０】
図７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００５１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００５４】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００５５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５６】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２…層間絶縁膜、１２´…段差、１５…導電層、１６…反射層、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、３２、３４…レジスト、４０ａ…開口部、４０ｂ…非開口部、５０…液晶層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例として、ライトバルブとして用いられる液晶パネル等の液晶装置がある。このような液晶装置では、対向基板及び素子基板間に液晶が挟持されている。素子基板上には、例えば画素毎に画素電極が配置されると共に、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。画素が配列された画像表示領域に入射された光源光は、画素のうち遮光膜等が形成された非開口部によって規定される開口部を透過し出射されることにより、スクリーン上に画像が投影表示される。
【０００３】
ここで、画像表示に用いられる光源光の利用効率を高めるために、例えば、特許文献１では、対向基板に光を集光させるための側壁反射層を画素毎に形成している。また、特許文献２では屈折率の異なる複数の層を基板上に積層することにより、光源光を屈折させ、画素毎に集光を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０８１３２号公報
【特許文献２】特開２００５−３２１６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では対向基板に開孔し、側壁反射層を形成する必要があるため、製造工程が複雑化してしまうという技術的問題点がある。特に解像度を向上させるために画素数を増加させようとする場合に、高精細化な加工が困難になるため、このような問題点はより一層顕著なものとなってしまう。また、特許文献２では、光源光全体を屈折させるため、光源光の入射方向などの条件によっては、本来開口部に入射する光をも屈折させ、逆に非開口部に導き、無駄にしてしまうおそれがある。即ち、所定の条件下では、光の利用効率を逆に悪化させてしまう可能性があるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、明るく高品位な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板の画素領域において、表面に凹部を有するように段差部が形成された下地膜と、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上に形成され、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように、前記導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上に、下地膜を介して上層側に例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子が必要に応じて積層されている。ここで、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子は、本発明に係る導電層の一例であり、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。
【０００９】
尚、導電層としては、画素の保持特性を高めるための蓄積容量を構成する容量電極や、導電層間に生ずる電界を遮断するためのシールド電極であってもよい。この場合、導電層には一定又は不定の周期で変動する電圧が供給されてもよい。
【００１０】
導電層は、下地膜の表面に設けられた凸部上に配置される。凸部は凹部の周囲に位置する部分である。凸部と凹部との間に形成された段差部の表面には、反射層が形成されている。反射層は光源光を反射することにより、その光路を変更することができる。
【００１１】
反射層は、例えば、基板上で平面的に見て、画素領域に配列された各画素のうち光源光が透過可能な開口部の縁に沿って形成されている。この場合、画素領域の開口部（即ち、光源光が透過可能な領域）に入射しつつも、非開口部（例えば、データ線や走査線等が配置されているために、光源光が透過できない領域）に向かって進行する表示光は、仮に反射層がない場合、非開口部において吸収されることによって、無駄になってしまう。その点、本発明ではこのような光源光を反射層によって反射することにより、表示光として利用することができる。即ち、光源光の利用効率を高めることにより、明るく鮮明な画像を表示することが可能となる。
【００１２】
本発明では特に、反射層は導電層と同一の工程及び材料から形成されている。即ち、同一膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の成膜工程によって形成される膜を意味しており、反射層及び導電層が完全に同一の膜であることのみを意味するものではない。つまり、反射層及び導電層は一体的に形成されていてもよいし、互いに電気的に接続されていなくともよいし、厚さ等の各種条件が異なっていてもよい。このように同一膜から形成することにより、同一工程において反射層と導電層とを形成することができるため、工程数を削減することができ、製造コストを削減することができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、明るく高品位な画像を表示可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜の表面に凹部を有するように段差部を形成する段差工程と、前記段差形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層をパターニングすることにより、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上において電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように形成された反射層とを形成するパターニング工程とを備える。
【００１５】
本発明によれば、上述の電気光学装置（各種態様を含む）を好適に製造することができる。
【００１６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００１７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素の平面構造を示す平面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ´線断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板上の積層構造を製造するための各工程を順を追って示す工程断面図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素が設けられた領域に対応する、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００２６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００２７】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００２８】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、ブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３では点線で囲まれている領域が、個々の画素４０に対応している。
【００３０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素４０の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３１】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００３３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００３４】
次に本実施形態に係る液晶装置の画素４０の構造について説明する。ここに、図４は、本実施形態に係る液晶装置の画素４０の平面構造を示す平面図である。図５は、図４のＩ−Ｉ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００３５】
図４において、画素４０のうち光源光が透過可能な開口部４０ａは、非開口部４０ｂによって規定されている。非開口部４０ｂには、上述の走査線１１及びデータ線６ａ等の各種配線及び素子等が配置されている。これらの配線及び素子等は光源光を透過させない（即ち、反射性或いは遮光性のある）材料から形成されており、非開口部４０ｂを規定している。尚、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、半導体層に光源光が照射されることによって光リーク電流が発生することを防ぐべく、非開口部４０ｂに配置されている（図４において図不示）。
【００３６】
画素電極９ａは、画素４０毎に島状に形成されている。図４に示す点線９ａ´は、画素電極９ａの外輪郭を示している。このように画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、開口部４０ａに比べて若干広く（即ち、縁部が非開口部４０ｂに重なるように）形成されている。
【００３７】
図５に示すように、非開口部１０ｂには、走査線１１及びデータ線６ａ等の各種配線及び素子等が配置されている。以下、説明の便宜上、これらの各種配線及び素子等をまとめて導電層１５と称することとする。図５では、ＴＦＴアレイ基板１０上に複数層に亘って層間絶縁膜１２を介して形成された導電層１５を例示している。本実施形態では特に、導電層１５は上下方向に３層に亘って形成されることにより、非開口部４０ｂにおける遮光性を向上させている。ここで、３層に亘って形成された導電層１５を、下層側から順に導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃと称することとする。
【００３８】
導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃの下地膜として機能する層間絶縁膜１２ａ、１２ｂ及び１２ｃの表面には、それぞれ段差１２ａ´、１２ｂ´及び１２ｃ´が形成されている。当該段差１２ａ´、１２ｂ´及び１２ｃ´の表面はテーパ状に傾斜するように形成されており、当該表面に反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃが形成されている。反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃは、後に詳述するが、導電層１５ａ、１５ｂ及び１５ｃと同一膜（即ち、同一工程において同一材料）から形成される。
【００３９】
ＴＦＴアレイ基板１０の上層側から入射する光源光は、その大部分は開口部４０ａを透過してＴＦＴアレイ基板１０の反対側に透過する。しかしながら、開口部４０ａに入射する光源光の一部（例えば、図５において実線で示すように斜めに入射する光源光）は、非開口部４０ｂに向かって進行されるものがある。そのため、仮に反射層１６がない場合、このような開口部４０ｂに向かって進行する光源光は、例えば図５において点線で示すような光路をとり、非開口部４０ｂに配置された導電層１５によって反射又は吸収され、無駄になってしまう。
【００４０】
本実施形態に係る液晶装置では、このように本来無駄になってしまう光源光を反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃによって反射し、開口部４０ａに戻すことができる。そのため、このような反射光を表示光の一部として利用することができる。
【００４１】
図４に示すように、このような反射層１６ａ、１６ｂ及び１６ｃは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、開口部４０ａの縁に沿って延在するように形成されている。従って、開口部４０ａに入射し、非開口部４０ｂにおいてロスされる光源光を反射層１６によって反射することにより、開口部４０ａに集光することができる。その結果、明るく鮮明な画像を高品位に表示可能な電気光学装置を実現することができる。
【００４２】
尚、画素４０毎に光源光を集光するためのマイクロレンズが形成されたマイクロレンズ基板を、ＴＦＴアレイ基板１０又は対抗基板２０に貼り合わせることによって、光源光の利用効率を更に向上させることもできる。また、このようなマイクロレンズは、ＴＦＴアレイ基板１０又は対抗基板２０上の積層構造として形成されていてもよい。
【００４３】
＜製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、例えばシリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板１０を用意し、層間絶縁膜１２を形成する。そして層間絶縁膜１２上に、当該層間絶縁膜１２をパターニングする際にマスクとして利用するためのレジスト３２を形成する。レジスト３２は露光及び現像されることにより、マスクとして好適な形状にパターニングされている。
【００４５】
続いて、図６（ｂ）に示すように、レジスト３２をマスクとして、下地絶縁膜１２にエッチングを施すことにより、下地絶縁膜１２の表面に段差１２´を形成する。
【００４６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、段差１２´が形成された下地絶縁膜１２の表面に導電層１５をベタ状に形成する。導電層１５は例えば、アルミニウムや銀などの光反射性に優れた導電性材料から形成するとよい。
【００４７】
続いて、図６（ｄ）に示すように、導電層１５上に、当該導電層１５をパターニングする際にマスクとして用いられるレジスト３４を形成する。レジスト３４は露光及び現像されることにより、マスクとして好適な形状にパターニングされている。
【００４８】
続いて、図６（ｅ）に示すように、レジスト３４をマスクとして、導電層１５にエッチングを施すことにより、導電層１５及び反射層１６を形成する。このとき反射層は、層間絶縁膜１２に形成された段差１２´に残存するように形成される。
【００４９】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５０】
図７に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００５１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００５４】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００５５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５６】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２…層間絶縁膜、１２´…段差、１５…導電層、１６…反射層、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、３２、３４…レジスト、４０ａ…開口部、４０ｂ…非開口部、５０…液晶層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の画素領域において、表面に凹部を有するように段差部が形成された下地膜と、
前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上に形成され、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、
前記段差部の表面を覆うように、前記導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射層は、前記基板上で平面的に見て、前記画素領域に配列された各画素のうち光源光が透過可能な開口部の縁に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電層は、前記反射層と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に、
下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の表面に凹部を有するように段差部を形成する段差工程と、
前記段差形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層をパターニングすることにより、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上において電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように形成された反射層とを形成するパターニング工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
該基板の画素領域において、表面に凹部を有するように段差部が形成された下地膜と、
前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上に形成され、電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、
前記段差部の表面を覆うように、前記導電層と同一の工程及び材料から形成された反射層と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射層は、前記基板上で平面的に見て、前記画素領域に配列された各画素のうち光源光が透過可能な開口部の縁に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導電層は、前記反射層と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に、
下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の表面に凹部を有するように段差部を形成する段差工程と、
前記段差形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層をパターニングすることにより、前記下地膜のうち凹部の周囲に位置する凸部上において電気光学動作のための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する導電層と、前記段差部の表面を覆うように形成された反射層とを形成するパターニング工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１９１４７５（Ｐ２０１１−１９１４７５Ａ）
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５７１３３（Ｐ２０１０−５７１３３）
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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