電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器
【課題】例えば、画素電極及びコンタクトホールの接触抵抗を増大させることなく、液晶装置における光の透過率を高める。
【解決手段】第２画素電極部分３９ａ２は、画素７２ｇのうち開口領域７２aの外側の非開口領域７２ｂに形成され、且つ第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚い電極部分である。非開口領域７２ｂは、画素７２ｇのうち開口領域７２ａを除く部分を占める領域である。第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａによれば、画素電極９ａ全体の膜厚が第２画素電極部分３９ａ２の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極９ａを透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分３９ａ１によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。
【解決手段】第２画素電極部分３９ａ２は、画素７２ｇのうち開口領域７２aの外側の非開口領域７２ｂに形成され、且つ第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚い電極部分である。非開口領域７２ｂは、画素７２ｇのうち開口領域７２ａを除く部分を占める領域である。第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａによれば、画素電極９ａ全体の膜厚が第２画素電極部分３９ａ２の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極９ａを透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分３９ａ１によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びにそのような電気光学装置をライトバルブとして具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、表示される画像のコントラストを高めることを目的として、これら画素電極を相互に電気的に絶縁する段差部を備えた液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、電極材料の非対称性を一因として発生する内部起電力を低減するために段差部が形成された反射型液晶装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１２２８号公報
【特許文献２】特開２００４−１７０６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置の一例である透過型の液晶装置では、画素電極における光の反射を抑制し、且つ光の透過率を高めるために、画素電極の下地膜及び画素電極の夫々の屈折率の組み合わせを最適することに加え、画素電極の膜厚を薄くすることによって、画素において実質的に光が透過する開口領域における光の透過率が高まることが本願発明者等の考察により分かっている。
【０００５】
しかしながら、画素電極の膜厚を薄くした場合、画素電極及びその下層側の配線部を電気的に接続するコンタクト部の接触抵抗が増大し、画像信号に応じた電位を画素電極に供給することが困難となる問題点が生じる。このような接触抵抗の増大は、画素電極の膜厚を薄くすることに起因してコンタクト部における電極材料の付き回り状態が悪化し、コンタクト部及び画素電極が十分に接続されていないことが一つの原因であると考えられる。また、反射型の液晶装置においても、画素電極が光を反射する反射率を高めることを目的として当該画素電極の膜厚を薄くした場合に、透過型の液晶装置と同様に接触抵抗の増大を招いてしまい、液晶装置の表示性能を低下させてしまう。
【０００６】
画素電極に対向するように設けられた対向電極は、相互に物理的に分断された状態で複数の画素の夫々に形成されるのではなく、複数の画素に渡って物理的に連続した一の導電膜として形成される。このような対向電極について、透過率を高めることを目的としてその膜厚を薄くした場合、対向電極のシート抵抗が増大する。このようなシート抵抗の増大によれば、画素電極の電位に対して一定の電位に保持されるべき対向電極の電位が変動し、コントラスト低下等の表示不良を生じさせてしまう問題点が生じる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素電極及びコンタクト部の接触抵抗を増大させることなく、液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高めることができる電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、光源からの光量を低減させても、表示される画像の輝度を維持し、消費電力の低減に繋がる環境に配慮した電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、対向電極のシート抵抗が増大することを可能な限り抑制し、且つ表示性能を高めることができる液晶装置等の電気光学装置の製造方法を提供する。加えて、これら電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記画素のうち前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、第１基板は、例えば、画素スイッチング素子等の半導体素子が形成された素子基板である。素子基板等の基板上の表示領域を構成する複数の画素は、例えばマトリクス状に配列された領域であり、画素電極はこれら画素に形成された画素電極の一つである。
【００１０】
開口領域は、画素の一部の領域であって、例えば、液晶装置等の電気光学装置においては、遮光性を有する配線及び遮光膜が光源から出射された光を遮光し、且つ実質的に画像表示に寄与しない領域を除く領域である。したがって、当該電気光学装置が透過型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分は、画素のうち実質的に画像表示に寄与する光を透過させる領域に形成された電極部分である。また、当該電気光学装置が反射型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分は、画素電極のうち反射すべき光が照射される電極部分である。
【００１１】
第２画素電極部分は、前記画素のうち前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い電極部分である。非開口領域は、画素のうち開口領域を除く部分を占める領域である。より具体的には、非開口領域は、例えば、基板上において、相互に隣り合う画素の夫々の開口領域間に位置する領域である。
【００１２】
このような第１画素電極部分及び第２画素電極部分から構成される画素電極によれば、透過型の液晶装置等の電気光学装置では、画素電極全体の膜厚が第２画素電極部分の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極を透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、例えば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、表示される画像の表示品位を高めることが可能である。
【００１３】
加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、例えば、表示される画像の輝度を一定に維持しつつ、光源から出射される出射光の光量を低減できるため、光源で消費される電力を低減でき、環境に配慮した電気光学装置を提供できる。
【００１４】
また、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極及びその下層側の回路部等を電気的に相互に接続するコンタクト部を第２画素電極部分に接続することによって、第１画素電極部分にコンタクト部を接続する場合に比べて、コンタクトホール等の付き回り状態、即ち物理的な接続状態を良好な状態にすることができる。したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極全体の膜厚を第１画素電極部分と同じ膜厚にする場合に比べて、画素電極及びコンタクト部相互の接触抵抗を低減できる。よって、本発明に係る電気光学装置は、画素電極の光の透過率を高めるために犠牲にせざるを得なかった接触抵抗の増大を抑制できるため、画像信号に応じた電位に画素電極が設定され、透過率の向上及び画素電極の電位の変動が改善された高い表示性能を有する。
【００１５】
尚、本発明に係る電気光学装置によれば、当該電気光学装置が例えば反射型の液晶装置である場合であっても、画素電極の下層側に設けられた絶縁膜等の下地膜の屈折率及びＩＴＯ等の画素電極の夫々の屈折率の組み合わせに応じて、画素電極による光の反射率が高まるように第１画素電極部分の膜厚を薄くでき、当該電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記画素電極は、前記画素電極の縁に形成され、且つ前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含む段差部を有していてもよい。
【００１７】
この態様によれば、段差部は、前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含んでおり、第２画素電極部分の中央部及び平坦部の高さに応じた段差形状を有している。このような段差部は、例えば、前記画素電極の複数の縁のうち隣の画素電極に向かい合う縁に形成されている。
【００１８】
即ち、この態様によれば、画素電極の複数の縁のうち隣の画素電極に向かい合う縁は、第２画素電極部分の中央部の厚みと等しい高さから画素電極の下地に向かって切り立った形状を有する端面から構成されているのではなく、第２画素電極部分の中央部の高さから一旦低くなった部分、即ち、中央部より厚みが薄い平坦部と、中央部との夫々の厚みの違いに応じて形成された段差形状を有している。
【００１９】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の動作時に、画素電極及び、当該画素電極に隣り合う画素電極の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された際に、段差部と、隣り合う画素電極の複数の縁のうち当該段差部に向かい合う縁との間で基板面に沿って生じる横電界が、これら画素電極間に存在する液晶などの電気光学物質の配向状態に及ぼす影響を低減できる。加えて、段差部を設けない場合に比べて、例えば、複数の画素電極に渡って形成された配向膜を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。
【００２０】
尚、横電界及び配向膜のラビングむらの夫々を低減する観点からみれば、画素電極の縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、基板の基板面に対して傾斜したテーパ形状の傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。しかしながら、本発明に係る電気光学装置によれば、第２画素電極部分の中央部の厚みより薄い平坦部を縁に形成すればよいので、縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つ透明導電材料から構成されており、（ｉ）前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極とを更に備えていてもよい。
【００２２】
この態様によれば、第２基板は、例えば、画素スイッチング素子等の半導体素子が形成された素子基板である第１基板上に配置された対向基板である。
【００２３】
対向電極は、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。このような対向電極は、画素毎に相互に分断されることなく、連続的に第１基板に臨む面側に形成された一の透明な電極である。
【００２４】
対向電極は、前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有している。
【００２５】
重なり領域は、開口領域に重なっていればよく、そのサイズが開口領域より大きくてもよい。重なり領域の外側とは、画素のうち当該重なり領域を除く範囲を占める領域をいい、例えば、相互の隣り合う画素の夫々の開口領域の間の領域に相当する。このような重なり領域に形成された第２対向電極部分は、第１対向電極部分の膜厚より厚い。言い換えれば、開口領域において実質的に光が透過する第１対向電極の膜厚が第２対向電極部分の膜厚より薄くなっている。したがって、対向電極全体の膜厚を第２対向電極部分の膜厚と等しい膜厚で一様に形成する場合に比べて、光源から出射された光のうち第１対向電極部分で吸収される光を低減できる。よって、一定の光源を用いた場合であっても、当該電気光学装置の動作時において表示領域に表示される画像の輝度を高めることが可能であり、電気光学装置の表示性能を高めることができる。
【００２６】
加えて、この態様によれば、画像の輝度を低下させることなく、光源で消費される電力を低減きるため、環境に配慮した電気光学装置を提供することも可能である。
【００２７】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成された画素電極と、前記第１基板に対向するように前記第１基板上に配置された第２基板と、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つ透明導電材料から構成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極とを備える。
【００２８】
本発明の第２の発明に電気光学装置によれば、上述の電気光学装置と同様に、画像の輝度を高めることが可能であると共に、表示品位を低下させることなく、光源の消費電力を低減できる。
【００２９】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する工程と、前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なり、且つ前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する工程とを備える。
【００３０】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する。第１導電膜は、例えば、画素のうち開口領域となるべき領域の外側の領域に形成される。このような第１導電膜は、例えば、液晶装置等の電気光学装置の画素電極の電極材料として汎用されるＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法を用いて成膜する。その後、当該成膜された導電膜をフォトエッチング等のエッチング法を用いて所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００３１】
次に、前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に、例えば、第１導電膜と同種のＩＴＯ等の透明導電材料からなる電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なり、且つ前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する。
【００３２】
これにより、第１導電膜及び第２導電膜が相互に積層された一の電極部分と、当該電極部分より第１導電膜の膜厚分だけ膜厚が薄い第２導電膜から構成された他の電極部分が形成される。
【００３３】
次に、前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する。これにより、複数の画素に各々形成され、隣り合う電極と相互に分断された画素電極が形成される。
【００３４】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の第１の発明に係る電気光学装置を製造することが可能であり、表示性能が高められた液晶装置等の電気光学装置を提供できる。
【００３５】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素を覆うように導電膜を形成する工程と、（ｉ）前記導電膜のうち前記画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、（ｉｉ）前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記第レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、（ｉ）前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する工程とを備える。
【００３６】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素を覆うように、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法等の成膜法を成膜することによって、導電膜を形成する。
【００３７】
次に、前記導電膜のうち前記画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記第１レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜部を有するレジスト膜を形成する。相互に膜厚の異なる第１レジスト膜部及び第２レジスト膜部の夫々は、一旦、第２レジスト膜部と等しい膜厚となるようにレジスト材料を画素全体に成膜した後、フォトエッチングなどの汎用のパターニング法を用いて、当該成膜されたレジスト材料の膜のうち開口領域に重なる部分を除去することによって形成される。
【００３８】
次に、前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する。
【００３９】
より具体的には、第１レジスト膜部及び第２レジスト膜部相互の膜厚の違いに応じて、導電膜のうち開口領域及び非開口領域の夫々に重なる部分に対するエッチング量が相互に異なる。このようなエッチング量の違いに応じて、導電膜のうち非開口領域に重なる部分は、導電膜のうち開口領域に重なる部分より膜厚が厚くなるように形成される。ここで、第１レジスト膜部の膜厚を調整しておくことによって、最終的に形成される画素電極のうち開口領域に重なる部分の膜厚をその外側の部分より薄く形成することができ、例えば、光の透過率が高い透過型の液晶装置等の電気光学装置を製造できる。また、開口領域に重なる部分の膜厚を薄くし、光の反射率が高められた反射型の液晶装置等の電気光学装置を製造することも可能である。
【００４０】
加えて、導電膜のうち非開口領域に重なる部分は、導電膜のうち開口領域に重なる部分の膜厚より厚くなるため、当該膜厚が厚い部分でコンタクト部との電気的に接続をとれば、開口領域及び非開口領域の夫々に重なる部分から構成される画素電極と、コンタクト部との接触抵抗を低減することも可能である。
【００４１】
したがって、本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の第１の発明に係る電気光学装置を製造でき、表示性能が高められた電気光学装置を提供することが可能である。
【００４２】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４３】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、プロジェクタ等の投写型表示装置、直視型ディスプレイ装置、携帯電話、カーナビゲーションシステムに適用されるディスプレイ装置、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ等の小型情報機器、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００４４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置を例に挙げる。
【００４６】
＜第１実施形態＞
図１乃至図１７を参照しながら、本発明の第１の発明に係る電気光学装置、並びに、本発明の第３及び第４の発明に係る電気光学装置の各実施形態を説明する。
【００４７】
＜１：電気光学装置＞
図１乃至図９を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１を説明する。図１は、本発明の「第１基板」の一例である素子基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「第２基板」の一例である対向基板２０の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００４８】
図１及び図２において、液晶装置１では、素子基板１０及び対向基板２０が相互に対向配置されている。素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、複数の画素で構成された本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、素子基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。より具体的には、本実施形態では、素子基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より外側の領域が周辺領域として規定されている。
【００５０】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。対向基板２０の４つのコーナー部には、素子基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。
【００５１】
図２において、素子基板１０上には、画素スイッチング用のトランジスタの一例であるＴＦＴ、走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、液晶装置１の動作時に所定の配向状態をとる。
【００５２】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【００５３】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御し、当該制御に応じて液晶素子５０ａを駆動する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態にすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５５】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。保持容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと電気的に並列に接続されており、固定電位線３００を介して一方の容量電極に固定電位が供給される。
【００５６】
次に、図４乃至図９を参照しながら、液晶装置１の具体的な構成を詳細に説明する。図４は、液晶装置１における複数の画素電極９ａの配列状態を図式的に示した液晶装置１の図式的平面図である。図５は、液晶装置１の画像表示領域１０ａの一部を拡大して示した素子基板１０の拡大平面図である。図６は、図５に対応する対向基板２０の拡大平面図である。尚、図５及び図７では、相互に隣り合う画素電極９ａ１及び９ａ２を区別するために便宜上相互に異なる参照符号を付している。図７は、図５及び図６のＶＩＩ−ＶＩI’線断面図である。図８は、比較例と共に、液晶装置１の液晶に加わる電界強度を図式的に示した図式的断面図である。図９は、画素電極を透過する光の透過率を光の波長に対して測定した測定値を示すグラフであり、画素電極の膜厚及び反射防止膜（ＡＲ膜）の各種条件をパラメータとして示している。
【００５７】
図４において、複数の画素電極９ａの夫々は、素子基板１０上の画像表示領域１０ａを構成するように、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って規定された複数の画素７２ｇに形成されている。
【００５８】
図５において、複数の画素電極９ａの夫々は、上述したＴＦＴ３０（図３参照）と共に、複数の画素部７２の夫々を構成している。画素電極９ａは、第１画素電極部分３９ａ１、第２画素電極部分３９ａ２及び平坦部３９ａ３を含んで構成されている。コンタクトホール８３は、下層側に形成された配線層と第２画素電極部分３９ａ２とを電気的に接続している。後述するように、コンタクトホール８３は、画素電極９ａのうち相対的に膜厚が厚い電極部分に対応して設けられており、下層側に形成された配線層と電気的に接続されている。したがって、画素電極９ａと下層側に形成された配線層との接触抵抗は、膜厚が薄い部分に接続される場合に比べて低減されている。
【００５９】
図６において、対向電極２１は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って複数の画素７２ｇに渡って連続した一の電極膜として形成され、画像表示領域１０ａ全体に重なっている。対向電極２１は、各画素７２ｇにおいて、第１対向電極部分２１ａ１及び第２対向電極部分２１ａ２を含んで構成されている。
【００６０】
次に、図７を参照しながら、画素電極９ａ及び対向電極２１をより詳細に説明する。
【００６１】
図７において、画素電極９ａ１、及び画素電極９ａ２の夫々は、素子基板１０に順次形成された絶縁膜４１、４２及び４３上に形成されている。素子基板１０には、ソース１ｓ、チャネル１ｃ、及びドレイン１ｄを含む半導体層１ａを備えたＴＦＴ３０が絶縁膜４１及び４２に埋め込まれるように形成されている。絶縁膜４２上における画素電極９ａ１及び９ａ２間の領域には、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光すると共に、画素７２ｇを規定する遮光膜８０が形成されている。遮光膜８０は、例えば、アルミニウム等の金属材料で構成されており、画素電極９ａ及びその下層側の回路部を電気的に接続する配線層として兼用されている。
【００６２】
開口領域７２ａは、画素７２ｇの一部を占める領域であって、画素７２ｇのうち遮光膜８０が重なっておらず、実質的に画像表示に寄与する領域である。したがって、透過型液晶装置である液晶装置１においては、第１画素電極部分３９ａ１は、画素７２ｇのうち実質的に画像表示に寄与する光を透過させる領域に形成された電極部分である。また、液晶装置１が対向基板２０側から入射光を画素電極９ａによって反射する反射型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分３９ａ１は、画素電極９ａのうち反射すべき光が照射される電極部分である。第２画素電極部分３９ａ２は、画素７２ｇのうち開口領域７２aの外側の非開口領域７２ｂに形成されている。また、第２画素電極部分３９ａ２は、第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚く形成されている。なお、第２画素電極部分３９ａ２を開口領域７２a及び非開口領域７２ｂにそれぞれ重なるように形成してもよい。
【００６３】
第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａによれば、画素電極９ａ全体の膜厚が第２画素電極部分３９ａ２の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極９ａを透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分３９ａ１によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、表示される画像の表示品位を高めることが可能である。
【００６４】
加えて、液晶装置１によれば、第１画素電極部分３９ａ１による光の吸収率が低いため、表示される画像の輝度を一定に維持しつつ、光源から出射される出射光の光量を低減できる。よって、液晶装置１は、光源で消費される電力を低減でき、環境に配慮した装置構成を有している。
【００６５】
液晶装置１によれば、画素電極９ａ１及びその下層側の回路部等を電気的に相互に接続する、本発明の「コンタクト部」の一例であるコンタクトホール８３が第２画素電極部分３９ａ２に対応して設けられているため、第１画素電極部分３９ａ１にコンタクトホール８３を接続する場合に比べて、コンタクトホール８３における導電材料の付き回り状態、即ち画素電極９ａ及びコンタクトホール８３相互の物理的な接続状態を良好な状態にすることができる。
【００６６】
したがって、液晶装置１によれば、画素電極９ａ全体の膜厚を第１画素電極部分３９ａ１と同じ膜厚にする場合に比べて、画素電極９ａ及びコンタクトホール８３相互の接触抵抗を低減できる。よって、液晶装置１は、画素電極９ａの光の透過率を高めるために犠牲にせざるを得なかった接触抵抗の増大を抑制できるため、その動作時に、画像信号に応じた電位に画素電極９ａの電位を設定でき、透過率を向上させることができ、且つ画素電極９ａの電位の変動が改善された高い表示性能を有する。
【００６７】
尚、液晶装置１によれば、液晶装置１が例えば反射型の液晶装置である場合でも、画素電極９ａの下層側に設けられた絶縁膜等の下地膜の屈折率及びＩＴＯ等の画素電極９ａの夫々の屈折率の組み合わせに応じて、画素電極９ａによる光の反射率が高まるように第１画素電極部分３９ａ１の膜厚を薄くでき、当該液晶装置１の表示性能を高めることが可能である。
【００６８】
対向電極２１は、対向基板２０の両面のうち素子基板１０に臨む面の側において画素電極９ａに向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。対向電極２１は、画素７２ｇ毎に相互に分断されることなく、複数の画素７２ｇに渡って連続的に形成された一の透明な電極である。
【００６９】
対向電極２１は、開口領域７２ａに重なる重なり領域７２ｃに形成された第１対向電極部分２１ａ１と、重なり領域７２ｃの外側に形成され、且つ第１対向電極部分２１ａ１より膜厚が厚い第２対向電極部分２１ａ２とを有している。本実施形態では、重なり領域７２ｃは、開口領域７２ａに一致しているが、少なくとも開口領域７２ａに重なっていればよく、そのサイズが開口領域７２ａより大きくても、若干小さくても同様の効果が得られる。第２対向電極部分２１ａ２は、画素７２ｇのうち当該重なり領域７２ｃを除く範囲を占める領域である非開口領域７２ｂに形成されている。
【００７０】
第２対向電極部分２１ａ２の膜厚は、第１対向電極部分の膜厚より厚い。言い換えれば、開口領域７２ａにおいて実質的に光が透過する第１対向電極２１ａ１の膜厚が第２対向電極部分２１ａ２の膜厚より薄くなっている。したがって、対向電極２１全体の膜厚を第２対向電極部分２１ａ１の膜厚と等しい膜厚で一様に形成する場合に比べて、光源から出射された光のうち第１対向電極部分２１ａ１で吸収される光を低減できる。よって、一定の光源を用いた場合であっても、液晶装置１の動作時において画像表示領域１０ａに表示される画像の輝度を高めることが可能であり、液晶装置１の表示性能を高めることができる。
【００７１】
加えて、このような対向電極２１によれば、画像の輝度を低下させることなく、光源で消費される電力を低減きるため、液晶装置１は環境に配慮した装置構成を有している。
【００７２】
また、第１対向電極２１ａ１のみで対向電極を形成した場合、膜厚が薄い為にシート抵抗が高くなり、対向基板側の一様な電極としての機能が果たせなくなるといった不具合を生じる。それに対し、本形態によると、膜厚の厚い第２対向電極２１a２が主に非開口領域７２ｂに形成されることで、シート抵抗の上昇を抑え、対向電極としての機能を維持する事が可能となる。
【００７３】
画素電極９ａ１は、画素電極９ａ１の縁に形成され、且つ第２画素電極部分３９ａ２の中央部より厚みが薄い平坦部３９ａ３を含む段差部２７を有している。
【００７４】
段差部２７は、第２画素電極部分３９ａ２の中央部及び平坦部３９ａ３の膜厚の差に応じた段差形状を有している。段差部は、画素電極９ａ１の複数の縁のうち隣の画素電極９ａ２に向かい合う縁に形成されている。
【００７５】
したがって、画素電極９ａ１の複数の縁のうち隣の画素電極９ａ２に向かい合う縁は、第２画素電極部分３９ａ２の中央部の厚みと等しい高さから画素電極９ａ１の下地に向かって切り立った形状を有する端面から構成されているのではなく、第２画素電極部分３９ａ２の中央部の高さから一旦低くなった部分、即ち、当該中央部より厚みが薄い平坦部３９ａ３と、当該中央部との夫々の厚みの違いに応じて形成された段差形状を有している。本実施形態では、画素電極９ａ１と同様に、画素電極９ａ２も段差部２８を有している。
【００７６】
次に、図８を参照しながら、画素電極９ａの特有の形状に応じて得られる液晶装置１の効果を説明する。尚、以下で参照する比較例に係る液晶装置、及び液晶装置の製造方法では、本実施形態に係る液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付している。
【００７７】
図８（ａ）に示すように、比較例に係る液晶装置によれば、相互に隣り合う画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々に縁のうち相互に向かい合う縁の端面形状は、画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の表面から絶縁膜４３の表面に向かって切り立った形状である。このような画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の電位が、液晶装置の動作時に相互に異なる電位に設定された場合、切り立った端面形状に起因して、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間の領域に存在する液晶に加わる電界に乱れが生じる。即ち、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響が大きくなり、液晶の配向に乱れを生じさせる。このような液晶の配向の乱れが発生することによって、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間の領域で光抜け等の表示不良が発生してしまう。
【００７８】
加えて、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間に、これら画素電極の夫々の表面の位置と、絶縁膜４３の表面の位置との差、即ち画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の厚みに起因して溝部７９が形成されてしまうため、画素電極１９ａ１及び１９ａ２に渡って形成された配向膜１６のうち溝部７９に重なる部分は、その他より窪んだ凹部なる。したがって、配向膜１６ａは平坦に形成されないことになる。このような配向膜１６ａによれば、配向膜１６ａをラビングするラビング処理を均一に行うことが困難となり、ラビングむらに起因した表示不良が発生してしまう。また、画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の肩部において、配向膜１６ａの膜厚が薄くなるため、液晶が安定して配向することができなくなり、この部分において表示不良が発生してしまう。
【００７９】
また、横電界によって発生する液晶の配向乱れを低減すること及び配向膜のラビングむらを低減することの夫々の観点からみれば、画素電極１９ａの縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、素子基板１０の基板面に対して傾斜したテーパ形状を構成する傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。
【００８０】
そこで、図８（ｂ）に示すように、液晶装置１によれば、画素電極９ａ１に段差部２７が形成されているため、液晶装置１の動作時に画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合でも、画素電極９ａ１及び９ａ２間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響を低減できる。より具体的には、段差部２７が設けられていることによって、これら画素電極間における電界によって液晶の配向状態が乱される範囲を比較例に係る液晶装置に比べて小さくできる。特に、本実施形態では、画素電極９ａ２にも段差部２８が設けられているため、液晶の配向の乱れをより効果的に低減できる。
【００８１】
加えて、これら段差部２７及び２８によれば、画素電極９ａ１及び９ａ２に渡って形成された配向膜１６を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。また、画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の段差部において、本実施形態に係る配向膜１６の膜厚が上記の比較例に係る配向膜１６ａよりも厚く形成されるため、液晶の配向が安定し、表示不良を防止できる。
【００８２】
また、液晶装置１によれば、第２画素電極部分３９ａ２の中央部より膜厚が薄い平坦部３９ａ３を形成すればよいので、画素電極の縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。
【００８３】
次に、図９を参照しながら、画素電極９ａの膜厚を薄くした場合における光の透過率の変化を説明する。図９では、画素電極を構成するＩＴＯの屈折率は、１．４であり、その下地であるＳｉＯ２からなる絶縁膜の屈折率は１．９６であり、反射防止膜（ＡＲ膜）の屈折率は１．６６である。
【００８４】
図９において、透過率特性線Ｌ１は、ＩＴＯから構成された画素電極９ａの膜厚が１４００Åであり、反射防止膜（ＡＲ膜）が形成されていない場合の光の透過率を示している。透過率特性線Ｌ２は、ＩＴＯから構成された画素電極９ａの膜厚が２００Åであり、反射防止膜（ＡＲ膜）が形成されていない場合の透過率を示している。透過率特性線Ｌ３は、ＩＴＯから構成された画素電極の膜厚が２００Åであり、反射防止膜の膜厚が１４００Åである場合の透過率を示している。
【００８５】
図９によれば、ＩＴＯからなる画素電極の膜厚が薄いほうが、透過率が高く、且つ波長による透過率の低下も発生していないことわかる。したがって、本実施形態に液晶装置１のように、画素電極９ａのうち開口領域７２ａに重なる部分である第１画素電極部分３９ａ１、及び第１対向電極部分２１ａ１の膜厚がその周囲の部分より薄くすることによって、高い表示品位で、より具体的には高い輝度で画像を表示可能になることがわかる。
【００８６】
＜２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図１０乃至図１７を参照しながら、本発明の第３及び第４の発明の夫々に係る電気光学装置の製造方法の各実施形態を説明する。
【００８７】
先ず、図１０乃至図１３を参照しながら、本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する。図１０及び図１１は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図１２及び図１３は、図１０及び図１１に対応した工程断面図である。尚、以下では、液晶装置１を製造する場合を例に挙げている。
【００８８】
図１０（ａ）及び図１２（ａ）に示すように、ＴＴＦアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成する複数の画素７２ｇの夫々の開口領域７２ａの外側の非開口領域７２ｂに第１導電膜９１を形成する。第１導電膜９１は、画素電極の電極材料として汎用されるＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法を用いて成膜された導電膜をフォトエッチング等のエッチング法を用いて所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００８９】
次に、図１０（ｂ）及び図１２（ｂ）に示すように、素子基板１０上から開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂに、第１導電膜９１と同種のＩＴＯ等の透明導電材料からなる電極材料をスパッタリング法を用いて成膜することによって、開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂに重なり、且つ第１導電膜９１を覆う第２導電膜９２を形成する。
【００９０】
次に、図１１（ｃ）及び図１３（ｃ）に示すように、第２導電膜９２が複数の画素７２ｇ相互で互いに分断されるように第２導電膜９２を所定の形状にパターニングすることによって、第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａを形成する。本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１導電膜９１及び第２導電膜９２が相互に積層された電極部分である第１画素電極部分３９ａ１と、第１画素電極部分２９ａ１より第１導電膜９１の膜厚分だけ膜厚が薄い第２画素電極部分３９ａ２とを形成可能である。
【００９１】
加えて、画素電極９ａは、第２導電膜９２がパターニングされる際に、第２画素電極部分３９ａ１の外側に延びる平坦部３９ａ３が形成されるため、段差部２７も有している。尚、本実施形態では、複数の画素７２ｇの夫々において同様の処理がなされるため、画素電極９ａ１に隣り合う画素電極９ａ２にも段差部２８が形成される。その後、素子基板１０上に対向基板２０を配置し、これら基板間に液晶を封止することによって液晶装置１が組み上がる。
【００９２】
したがって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の液晶装置１を製造することが可能であり、表示性能が高められた液晶装置を提供できる。
【００９３】
次に、図１４乃至図１７を参照しながら、本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する。図１４及び図１５は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図１６及び図１７は、図１４及び図１５に対応した工程断面図である。
【００９４】
図１４（ａ）及び図１６（ａ）に示すように、素子基板１０上の画像表示領域１０ａを覆うように、複数の画素７２ｇに渡ってＩＴＯ等の透明導電材料を成膜し、導電膜４７を形成する。
【００９５】
次に、図１４（ｂ）及び図１６（ｂ）に示すように、導電膜４７上に複数の画素７２ｇに渡ってレジスト材料からなるレジスト膜５７を形成する。
【００９６】
次に、図１５（ｃ）及び図１７（ｃ）に示すように、開口領域７２ａに重なる部分を覆う第１レジスト膜部５８ａ１、非開口領域７２ｂに重なり、且つ第１レジスト膜部５８ａ１より膜厚が厚い第２レジスト膜部５８ａ２、及び第２レジスト膜部５８ａ２より膜厚が薄い平坦部５８ａ３を備える、本発明の「レジスト膜」の一例であるレジスト膜５８を形成する。相互に膜厚の異なる第１レジスト膜部５８ａ１及び第２レジスト膜部５８ａ２の夫々は、一旦、上述の工程において、第２レジスト膜部５８ａ２と等しい膜厚となるようにレジスト材料を画素７２ｇ全体に成膜した後、フォトエッチングなどの汎用のパターニング法を用いて、当該成膜されたレジスト膜のうち開口領域７２ａに重なる部分を除去することによって形成される。平坦部５８ａ３も、第１レジスト膜部５８ａ１を形成する方法と同様に方法で形成される。
【００９７】
図１５（ｄ）及び図１７（ｄ）に示すように、レジスト膜５８上から導電膜４７をエッチングすることによって、開口領域７２ａに重なる第１画素電極部分３９ａ１と、非開口領域７２ｂに形成され、且つ第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚い第２画素電極部分３９ａ２と、第２画素電極部分３９ａ２及び平坦部３９ａ３の膜厚の差に応じて形成された段差部２７とからなる画素電極９ａを形成する。
【００９８】
より具体的には、第１レジスト膜部５８ａ１及び第２レジスト膜部５８ａ２相互の膜厚の違いに応じて、導電膜４７のうち開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂの夫々に重なる部分に対するエッチング量が相互に異なる。このようなエッチング量の違いに応じて、導電膜４７のうち非開口領域７２ｂに重なる部分は、導電膜４７のうち開口領域７２ａに重なる部分より膜厚が厚くなるように形成される。ここで、第１レジスト膜部５８ａ１の膜厚を調整しておくことによって、最終的に形成される第１画素電極部分３９ａ１の膜厚をその外側の部分である第２画素電極部分３９ａ２より薄く形成することができ、光の透過率が高い透過型の液晶装置１を製造できる。なお、同様にして、開口領域７２ａに重なる部分の膜厚を薄く形成された画素電極を備え、光の反射率が高められた反射型の液晶装置等の電気光学装置を製造することも可能である。
【００９９】
したがって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、表示性能が高められた液晶装置１を製造できる。
【０１００】
＜第２実施形態＞
次に、図１８を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。図１８は、本実施形態に係る液晶装置２０１の断面の一部を示した部分断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【０１０１】
図１８において、液晶装置２０１は、対向基板２０の両面のうち素子基板１０に臨む面の側において画素電極９ａに向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成された対向電極２２１を備えている。特に、対向電極２２１は、画素７２ｇの開口領域７２ａに重なる重なり領域７２ｃに形成された第１対向電極部分２２１ａ１と、重なり領域７２ｃの外側に形成され、且つ第１対向電極部分２２１ａ１より膜厚が厚い第２対向電極部分２２１ａ２とを有する点に特徴がある。
【０１０２】
このような対向電極２２１を備えた液晶装置２０１によれば、第１対向電極部分２２１ａ１の膜厚を第２対向電極部分２２１ａ２の膜厚より薄くできることによって、対向電極２２１によって吸収される光を低減でき、第２対向電極部分２２１ａ２と同じ膜厚を有する一様な対向電極が形成された液晶装置に比べて、開口領域７２ａにおける光の透過率を高めることが可能である。
【０１０３】
加えて、第２対向電極部分２２１ａ２の膜厚は、第１対向電極部分２２１ａ１の膜厚より厚いため、対向電極２２１全体を第１対向電極２２１ａ１の膜厚まで薄くする場合に比べて対向電極２２１のシート抵抗を低減することが可能である。したがって、対向電極２２１によれば、液晶装置２０１の動作時に、画素電極９ａの電位に対して一定の電位に保持されるべき対向電極２２１の電位が変動することを低減でき、コントラスト低下等の表示不良が生じることを低減することが可能である。
【０１０４】
したがって、本実施形態に係る液晶装置２０１によれば、上述の液晶装置１と同様に、表示される画像の画質を高めることが可能であると共に、表示品位を低下させることなく、光源の消費電力を低減できる利点がある。
【０１０５】
＜電子機器＞
次に、図１９を参照しながら、上述した液晶装置を用いた電子機器の一例を説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述した液晶装置をライトバルブに用いたプロジェクタである。図１９は、本実施形態に係るプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１０６】
図１９に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。液晶パネル及び位相差板を含む光学系から出射された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１０】
このようなプロジェクタは、ライトバルブとして上述の液晶装置を具備してなるので、スクリーン等の投写面に投写される投写画像の画質が高められており、高品位の画像を表示可能である。加えて、プロジェクタ１１００によれば、ランプユニット１１０２で消費される電力を低減でき、環境に配慮した装置構成が実現可能となっている。
【０１１１】
尚、本実施形態に係る液晶装置は、上述したプロジェクタに適用される場合に限定されるものではなく、直視型の液晶表示装置の一部を構成することも可能である。また、ＬＣＯＳ型の反射型の表示装置を構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の第１の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置における複数の画素電極の配列状態を図式的に示した液晶装置の図式的平面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の素子基板における画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の対向基板における画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。
【図７】図５及び図６のＶＩＩ−ＶＩI´線断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の液晶に加わる電界強度を比較例と共に図式的に示した図式的断面図である。
【図９】画素電極を透過する光の透過率を光の波長に対して測定した測定値を示すグラフである。
【図１０】本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その１）である。
【図１１】本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その２）である。
【図１２】図１０に対応した工程断面図である。
【図１３】図１１に対応した工程断面図である。
【図１４】本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その１）である。
【図１５】本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その２）である。
【図１６】図１４に対応した工程断面図である。
【図１７】図１５に対応した工程断面図である。
【図１８】本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置の断面の一部示した断面図である。
【図１９】本実施形態に係る電子機器の一例を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１・・・液晶装置、１０・・・素子基板、２０・・・対向基板、２７，２８・・・段差部、５０・・・液晶層、５０ａ・・・液晶素子、７２・・・画素部、４７・・・導電膜、５７・・・レジスト膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びにそのような電気光学装置をライトバルブとして具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、表示される画像のコントラストを高めることを目的として、これら画素電極を相互に電気的に絶縁する段差部を備えた液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、電極材料の非対称性を一因として発生する内部起電力を低減するために段差部が形成された反射型液晶装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１２２８号公報
【特許文献２】特開２００４−１７０６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置の一例である透過型の液晶装置では、画素電極における光の反射を抑制し、且つ光の透過率を高めるために、画素電極の下地膜及び画素電極の夫々の屈折率の組み合わせを最適することに加え、画素電極の膜厚を薄くすることによって、画素において実質的に光が透過する開口領域における光の透過率が高まることが本願発明者等の考察により分かっている。
【０００５】
しかしながら、画素電極の膜厚を薄くした場合、画素電極及びその下層側の配線部を電気的に接続するコンタクト部の接触抵抗が増大し、画像信号に応じた電位を画素電極に供給することが困難となる問題点が生じる。このような接触抵抗の増大は、画素電極の膜厚を薄くすることに起因してコンタクト部における電極材料の付き回り状態が悪化し、コンタクト部及び画素電極が十分に接続されていないことが一つの原因であると考えられる。また、反射型の液晶装置においても、画素電極が光を反射する反射率を高めることを目的として当該画素電極の膜厚を薄くした場合に、透過型の液晶装置と同様に接触抵抗の増大を招いてしまい、液晶装置の表示性能を低下させてしまう。
【０００６】
画素電極に対向するように設けられた対向電極は、相互に物理的に分断された状態で複数の画素の夫々に形成されるのではなく、複数の画素に渡って物理的に連続した一の導電膜として形成される。このような対向電極について、透過率を高めることを目的としてその膜厚を薄くした場合、対向電極のシート抵抗が増大する。このようなシート抵抗の増大によれば、画素電極の電位に対して一定の電位に保持されるべき対向電極の電位が変動し、コントラスト低下等の表示不良を生じさせてしまう問題点が生じる。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素電極及びコンタクト部の接触抵抗を増大させることなく、液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高めることができる電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、光源からの光量を低減させても、表示される画像の輝度を維持し、消費電力の低減に繋がる環境に配慮した電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。また、対向電極のシート抵抗が増大することを可能な限り抑制し、且つ表示性能を高めることができる液晶装置等の電気光学装置の製造方法を提供する。加えて、これら電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記画素のうち前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、第１基板は、例えば、画素スイッチング素子等の半導体素子が形成された素子基板である。素子基板等の基板上の表示領域を構成する複数の画素は、例えばマトリクス状に配列された領域であり、画素電極はこれら画素に形成された画素電極の一つである。
【００１０】
開口領域は、画素の一部の領域であって、例えば、液晶装置等の電気光学装置においては、遮光性を有する配線及び遮光膜が光源から出射された光を遮光し、且つ実質的に画像表示に寄与しない領域を除く領域である。したがって、当該電気光学装置が透過型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分は、画素のうち実質的に画像表示に寄与する光を透過させる領域に形成された電極部分である。また、当該電気光学装置が反射型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分は、画素電極のうち反射すべき光が照射される電極部分である。
【００１１】
第２画素電極部分は、前記画素のうち前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い電極部分である。非開口領域は、画素のうち開口領域を除く部分を占める領域である。より具体的には、非開口領域は、例えば、基板上において、相互に隣り合う画素の夫々の開口領域間に位置する領域である。
【００１２】
このような第１画素電極部分及び第２画素電極部分から構成される画素電極によれば、透過型の液晶装置等の電気光学装置では、画素電極全体の膜厚が第２画素電極部分の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極を透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、例えば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、表示される画像の表示品位を高めることが可能である。
【００１３】
加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、例えば、表示される画像の輝度を一定に維持しつつ、光源から出射される出射光の光量を低減できるため、光源で消費される電力を低減でき、環境に配慮した電気光学装置を提供できる。
【００１４】
また、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極及びその下層側の回路部等を電気的に相互に接続するコンタクト部を第２画素電極部分に接続することによって、第１画素電極部分にコンタクト部を接続する場合に比べて、コンタクトホール等の付き回り状態、即ち物理的な接続状態を良好な状態にすることができる。したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極全体の膜厚を第１画素電極部分と同じ膜厚にする場合に比べて、画素電極及びコンタクト部相互の接触抵抗を低減できる。よって、本発明に係る電気光学装置は、画素電極の光の透過率を高めるために犠牲にせざるを得なかった接触抵抗の増大を抑制できるため、画像信号に応じた電位に画素電極が設定され、透過率の向上及び画素電極の電位の変動が改善された高い表示性能を有する。
【００１５】
尚、本発明に係る電気光学装置によれば、当該電気光学装置が例えば反射型の液晶装置である場合であっても、画素電極の下層側に設けられた絶縁膜等の下地膜の屈折率及びＩＴＯ等の画素電極の夫々の屈折率の組み合わせに応じて、画素電極による光の反射率が高まるように第１画素電極部分の膜厚を薄くでき、当該電気光学装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記画素電極は、前記画素電極の縁に形成され、且つ前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含む段差部を有していてもよい。
【００１７】
この態様によれば、段差部は、前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含んでおり、第２画素電極部分の中央部及び平坦部の高さに応じた段差形状を有している。このような段差部は、例えば、前記画素電極の複数の縁のうち隣の画素電極に向かい合う縁に形成されている。
【００１８】
即ち、この態様によれば、画素電極の複数の縁のうち隣の画素電極に向かい合う縁は、第２画素電極部分の中央部の厚みと等しい高さから画素電極の下地に向かって切り立った形状を有する端面から構成されているのではなく、第２画素電極部分の中央部の高さから一旦低くなった部分、即ち、中央部より厚みが薄い平坦部と、中央部との夫々の厚みの違いに応じて形成された段差形状を有している。
【００１９】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、電気光学装置の動作時に、画素電極及び、当該画素電極に隣り合う画素電極の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された際に、段差部と、隣り合う画素電極の複数の縁のうち当該段差部に向かい合う縁との間で基板面に沿って生じる横電界が、これら画素電極間に存在する液晶などの電気光学物質の配向状態に及ぼす影響を低減できる。加えて、段差部を設けない場合に比べて、例えば、複数の画素電極に渡って形成された配向膜を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。
【００２０】
尚、横電界及び配向膜のラビングむらの夫々を低減する観点からみれば、画素電極の縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、基板の基板面に対して傾斜したテーパ形状の傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。しかしながら、本発明に係る電気光学装置によれば、第２画素電極部分の中央部の厚みより薄い平坦部を縁に形成すればよいので、縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つ透明導電材料から構成されており、（ｉ）前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極とを更に備えていてもよい。
【００２２】
この態様によれば、第２基板は、例えば、画素スイッチング素子等の半導体素子が形成された素子基板である第１基板上に配置された対向基板である。
【００２３】
対向電極は、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。このような対向電極は、画素毎に相互に分断されることなく、連続的に第１基板に臨む面側に形成された一の透明な電極である。
【００２４】
対向電極は、前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有している。
【００２５】
重なり領域は、開口領域に重なっていればよく、そのサイズが開口領域より大きくてもよい。重なり領域の外側とは、画素のうち当該重なり領域を除く範囲を占める領域をいい、例えば、相互の隣り合う画素の夫々の開口領域の間の領域に相当する。このような重なり領域に形成された第２対向電極部分は、第１対向電極部分の膜厚より厚い。言い換えれば、開口領域において実質的に光が透過する第１対向電極の膜厚が第２対向電極部分の膜厚より薄くなっている。したがって、対向電極全体の膜厚を第２対向電極部分の膜厚と等しい膜厚で一様に形成する場合に比べて、光源から出射された光のうち第１対向電極部分で吸収される光を低減できる。よって、一定の光源を用いた場合であっても、当該電気光学装置の動作時において表示領域に表示される画像の輝度を高めることが可能であり、電気光学装置の表示性能を高めることができる。
【００２６】
加えて、この態様によれば、画像の輝度を低下させることなく、光源で消費される電力を低減きるため、環境に配慮した電気光学装置を提供することも可能である。
【００２７】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成された画素電極と、前記第１基板に対向するように前記第１基板上に配置された第２基板と、前記第２基板の両面のうち前記第１基板に臨む面の側において前記画素電極に向かい合うように形成され、且つ透明導電材料から構成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、且つ前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極とを備える。
【００２８】
本発明の第２の発明に電気光学装置によれば、上述の電気光学装置と同様に、画像の輝度を高めることが可能であると共に、表示品位を低下させることなく、光源の消費電力を低減できる。
【００２９】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する工程と、前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なり、且つ前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する工程とを備える。
【００３０】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する。第１導電膜は、例えば、画素のうち開口領域となるべき領域の外側の領域に形成される。このような第１導電膜は、例えば、液晶装置等の電気光学装置の画素電極の電極材料として汎用されるＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法を用いて成膜する。その後、当該成膜された導電膜をフォトエッチング等のエッチング法を用いて所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００３１】
次に、前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に、例えば、第１導電膜と同種のＩＴＯ等の透明導電材料からなる電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なり、且つ前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する。
【００３２】
これにより、第１導電膜及び第２導電膜が相互に積層された一の電極部分と、当該電極部分より第１導電膜の膜厚分だけ膜厚が薄い第２導電膜から構成された他の電極部分が形成される。
【００３３】
次に、前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する。これにより、複数の画素に各々形成され、隣り合う電極と相互に分断された画素電極が形成される。
【００３４】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の第１の発明に係る電気光学装置を製造することが可能であり、表示性能が高められた液晶装置等の電気光学装置を提供できる。
【００３５】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素を覆うように導電膜を形成する工程と、（ｉ）前記導電膜のうち前記画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、（ｉｉ）前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記第レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、（ｉ）前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する工程とを備える。
【００３６】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１基板上の表示領域を構成する複数の画素を覆うように、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法等の成膜法を成膜することによって、導電膜を形成する。
【００３７】
次に、前記導電膜のうち前記画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記第１レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜部を有するレジスト膜を形成する。相互に膜厚の異なる第１レジスト膜部及び第２レジスト膜部の夫々は、一旦、第２レジスト膜部と等しい膜厚となるようにレジスト材料を画素全体に成膜した後、フォトエッチングなどの汎用のパターニング法を用いて、当該成膜されたレジスト材料の膜のうち開口領域に重なる部分を除去することによって形成される。
【００３８】
次に、前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する。
【００３９】
より具体的には、第１レジスト膜部及び第２レジスト膜部相互の膜厚の違いに応じて、導電膜のうち開口領域及び非開口領域の夫々に重なる部分に対するエッチング量が相互に異なる。このようなエッチング量の違いに応じて、導電膜のうち非開口領域に重なる部分は、導電膜のうち開口領域に重なる部分より膜厚が厚くなるように形成される。ここで、第１レジスト膜部の膜厚を調整しておくことによって、最終的に形成される画素電極のうち開口領域に重なる部分の膜厚をその外側の部分より薄く形成することができ、例えば、光の透過率が高い透過型の液晶装置等の電気光学装置を製造できる。また、開口領域に重なる部分の膜厚を薄くし、光の反射率が高められた反射型の液晶装置等の電気光学装置を製造することも可能である。
【００４０】
加えて、導電膜のうち非開口領域に重なる部分は、導電膜のうち開口領域に重なる部分の膜厚より厚くなるため、当該膜厚が厚い部分でコンタクト部との電気的に接続をとれば、開口領域及び非開口領域の夫々に重なる部分から構成される画素電極と、コンタクト部との接触抵抗を低減することも可能である。
【００４１】
したがって、本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の第１の発明に係る電気光学装置を製造でき、表示性能が高められた電気光学装置を提供することが可能である。
【００４２】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４３】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、プロジェクタ等の投写型表示装置、直視型ディスプレイ装置、携帯電話、カーナビゲーションシステムに適用されるディスプレイ装置、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ等の小型情報機器、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。
【００４４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器の各実施形態を説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス駆動方式を採用した液晶装置を例に挙げる。
【００４６】
＜第１実施形態＞
図１乃至図１７を参照しながら、本発明の第１の発明に係る電気光学装置、並びに、本発明の第３及び第４の発明に係る電気光学装置の各実施形態を説明する。
【００４７】
＜１：電気光学装置＞
図１乃至図９を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１を説明する。図１は、本発明の「第１基板」の一例である素子基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「第２基板」の一例である対向基板２０の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【００４８】
図１及び図２において、液晶装置１では、素子基板１０及び対向基板２０が相互に対向配置されている。素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、複数の画素で構成された本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、素子基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。より具体的には、本実施形態では、素子基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より外側の領域が周辺領域として規定されている。
【００５０】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。対向基板２０の４つのコーナー部には、素子基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。
【００５１】
図２において、素子基板１０上には、画素スイッチング用のトランジスタの一例であるＴＦＴ、走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、液晶装置１の動作時に所定の配向状態をとる。
【００５２】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【００５３】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御し、当該制御に応じて液晶素子５０ａを駆動する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５４】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態にすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５５】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光或いは反射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。保持容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと電気的に並列に接続されており、固定電位線３００を介して一方の容量電極に固定電位が供給される。
【００５６】
次に、図４乃至図９を参照しながら、液晶装置１の具体的な構成を詳細に説明する。図４は、液晶装置１における複数の画素電極９ａの配列状態を図式的に示した液晶装置１の図式的平面図である。図５は、液晶装置１の画像表示領域１０ａの一部を拡大して示した素子基板１０の拡大平面図である。図６は、図５に対応する対向基板２０の拡大平面図である。尚、図５及び図７では、相互に隣り合う画素電極９ａ１及び９ａ２を区別するために便宜上相互に異なる参照符号を付している。図７は、図５及び図６のＶＩＩ−ＶＩI’線断面図である。図８は、比較例と共に、液晶装置１の液晶に加わる電界強度を図式的に示した図式的断面図である。図９は、画素電極を透過する光の透過率を光の波長に対して測定した測定値を示すグラフであり、画素電極の膜厚及び反射防止膜（ＡＲ膜）の各種条件をパラメータとして示している。
【００５７】
図４において、複数の画素電極９ａの夫々は、素子基板１０上の画像表示領域１０ａを構成するように、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿って規定された複数の画素７２ｇに形成されている。
【００５８】
図５において、複数の画素電極９ａの夫々は、上述したＴＦＴ３０（図３参照）と共に、複数の画素部７２の夫々を構成している。画素電極９ａは、第１画素電極部分３９ａ１、第２画素電極部分３９ａ２及び平坦部３９ａ３を含んで構成されている。コンタクトホール８３は、下層側に形成された配線層と第２画素電極部分３９ａ２とを電気的に接続している。後述するように、コンタクトホール８３は、画素電極９ａのうち相対的に膜厚が厚い電極部分に対応して設けられており、下層側に形成された配線層と電気的に接続されている。したがって、画素電極９ａと下層側に形成された配線層との接触抵抗は、膜厚が薄い部分に接続される場合に比べて低減されている。
【００５９】
図６において、対向電極２１は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って複数の画素７２ｇに渡って連続した一の電極膜として形成され、画像表示領域１０ａ全体に重なっている。対向電極２１は、各画素７２ｇにおいて、第１対向電極部分２１ａ１及び第２対向電極部分２１ａ２を含んで構成されている。
【００６０】
次に、図７を参照しながら、画素電極９ａ及び対向電極２１をより詳細に説明する。
【００６１】
図７において、画素電極９ａ１、及び画素電極９ａ２の夫々は、素子基板１０に順次形成された絶縁膜４１、４２及び４３上に形成されている。素子基板１０には、ソース１ｓ、チャネル１ｃ、及びドレイン１ｄを含む半導体層１ａを備えたＴＦＴ３０が絶縁膜４１及び４２に埋め込まれるように形成されている。絶縁膜４２上における画素電極９ａ１及び９ａ２間の領域には、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光すると共に、画素７２ｇを規定する遮光膜８０が形成されている。遮光膜８０は、例えば、アルミニウム等の金属材料で構成されており、画素電極９ａ及びその下層側の回路部を電気的に接続する配線層として兼用されている。
【００６２】
開口領域７２ａは、画素７２ｇの一部を占める領域であって、画素７２ｇのうち遮光膜８０が重なっておらず、実質的に画像表示に寄与する領域である。したがって、透過型液晶装置である液晶装置１においては、第１画素電極部分３９ａ１は、画素７２ｇのうち実質的に画像表示に寄与する光を透過させる領域に形成された電極部分である。また、液晶装置１が対向基板２０側から入射光を画素電極９ａによって反射する反射型の液晶装置である場合には、第１画素電極部分３９ａ１は、画素電極９ａのうち反射すべき光が照射される電極部分である。第２画素電極部分３９ａ２は、画素７２ｇのうち開口領域７２aの外側の非開口領域７２ｂに形成されている。また、第２画素電極部分３９ａ２は、第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚く形成されている。なお、第２画素電極部分３９ａ２を開口領域７２a及び非開口領域７２ｂにそれぞれ重なるように形成してもよい。
【００６３】
第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａによれば、画素電極９ａ全体の膜厚が第２画素電極部分３９ａ２の膜厚に等しい場合に比べて、画素電極９ａを透過する光の透過率を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、光源から出射された光のうち第１画素電極部分３９ａ１によって吸収される光の割合を低減でき、同じ光源を用いた場合でも画像の輝度を高めることが可能である。したがって、液晶装置１によれば、表示される画像の表示品位を高めることが可能である。
【００６４】
加えて、液晶装置１によれば、第１画素電極部分３９ａ１による光の吸収率が低いため、表示される画像の輝度を一定に維持しつつ、光源から出射される出射光の光量を低減できる。よって、液晶装置１は、光源で消費される電力を低減でき、環境に配慮した装置構成を有している。
【００６５】
液晶装置１によれば、画素電極９ａ１及びその下層側の回路部等を電気的に相互に接続する、本発明の「コンタクト部」の一例であるコンタクトホール８３が第２画素電極部分３９ａ２に対応して設けられているため、第１画素電極部分３９ａ１にコンタクトホール８３を接続する場合に比べて、コンタクトホール８３における導電材料の付き回り状態、即ち画素電極９ａ及びコンタクトホール８３相互の物理的な接続状態を良好な状態にすることができる。
【００６６】
したがって、液晶装置１によれば、画素電極９ａ全体の膜厚を第１画素電極部分３９ａ１と同じ膜厚にする場合に比べて、画素電極９ａ及びコンタクトホール８３相互の接触抵抗を低減できる。よって、液晶装置１は、画素電極９ａの光の透過率を高めるために犠牲にせざるを得なかった接触抵抗の増大を抑制できるため、その動作時に、画像信号に応じた電位に画素電極９ａの電位を設定でき、透過率を向上させることができ、且つ画素電極９ａの電位の変動が改善された高い表示性能を有する。
【００６７】
尚、液晶装置１によれば、液晶装置１が例えば反射型の液晶装置である場合でも、画素電極９ａの下層側に設けられた絶縁膜等の下地膜の屈折率及びＩＴＯ等の画素電極９ａの夫々の屈折率の組み合わせに応じて、画素電極９ａによる光の反射率が高まるように第１画素電極部分３９ａ１の膜厚を薄くでき、当該液晶装置１の表示性能を高めることが可能である。
【００６８】
対向電極２１は、対向基板２０の両面のうち素子基板１０に臨む面の側において画素電極９ａに向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成されている。対向電極２１は、画素７２ｇ毎に相互に分断されることなく、複数の画素７２ｇに渡って連続的に形成された一の透明な電極である。
【００６９】
対向電極２１は、開口領域７２ａに重なる重なり領域７２ｃに形成された第１対向電極部分２１ａ１と、重なり領域７２ｃの外側に形成され、且つ第１対向電極部分２１ａ１より膜厚が厚い第２対向電極部分２１ａ２とを有している。本実施形態では、重なり領域７２ｃは、開口領域７２ａに一致しているが、少なくとも開口領域７２ａに重なっていればよく、そのサイズが開口領域７２ａより大きくても、若干小さくても同様の効果が得られる。第２対向電極部分２１ａ２は、画素７２ｇのうち当該重なり領域７２ｃを除く範囲を占める領域である非開口領域７２ｂに形成されている。
【００７０】
第２対向電極部分２１ａ２の膜厚は、第１対向電極部分の膜厚より厚い。言い換えれば、開口領域７２ａにおいて実質的に光が透過する第１対向電極２１ａ１の膜厚が第２対向電極部分２１ａ２の膜厚より薄くなっている。したがって、対向電極２１全体の膜厚を第２対向電極部分２１ａ１の膜厚と等しい膜厚で一様に形成する場合に比べて、光源から出射された光のうち第１対向電極部分２１ａ１で吸収される光を低減できる。よって、一定の光源を用いた場合であっても、液晶装置１の動作時において画像表示領域１０ａに表示される画像の輝度を高めることが可能であり、液晶装置１の表示性能を高めることができる。
【００７１】
加えて、このような対向電極２１によれば、画像の輝度を低下させることなく、光源で消費される電力を低減きるため、液晶装置１は環境に配慮した装置構成を有している。
【００７２】
また、第１対向電極２１ａ１のみで対向電極を形成した場合、膜厚が薄い為にシート抵抗が高くなり、対向基板側の一様な電極としての機能が果たせなくなるといった不具合を生じる。それに対し、本形態によると、膜厚の厚い第２対向電極２１a２が主に非開口領域７２ｂに形成されることで、シート抵抗の上昇を抑え、対向電極としての機能を維持する事が可能となる。
【００７３】
画素電極９ａ１は、画素電極９ａ１の縁に形成され、且つ第２画素電極部分３９ａ２の中央部より厚みが薄い平坦部３９ａ３を含む段差部２７を有している。
【００７４】
段差部２７は、第２画素電極部分３９ａ２の中央部及び平坦部３９ａ３の膜厚の差に応じた段差形状を有している。段差部は、画素電極９ａ１の複数の縁のうち隣の画素電極９ａ２に向かい合う縁に形成されている。
【００７５】
したがって、画素電極９ａ１の複数の縁のうち隣の画素電極９ａ２に向かい合う縁は、第２画素電極部分３９ａ２の中央部の厚みと等しい高さから画素電極９ａ１の下地に向かって切り立った形状を有する端面から構成されているのではなく、第２画素電極部分３９ａ２の中央部の高さから一旦低くなった部分、即ち、当該中央部より厚みが薄い平坦部３９ａ３と、当該中央部との夫々の厚みの違いに応じて形成された段差形状を有している。本実施形態では、画素電極９ａ１と同様に、画素電極９ａ２も段差部２８を有している。
【００７６】
次に、図８を参照しながら、画素電極９ａの特有の形状に応じて得られる液晶装置１の効果を説明する。尚、以下で参照する比較例に係る液晶装置、及び液晶装置の製造方法では、本実施形態に係る液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付している。
【００７７】
図８（ａ）に示すように、比較例に係る液晶装置によれば、相互に隣り合う画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々に縁のうち相互に向かい合う縁の端面形状は、画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の表面から絶縁膜４３の表面に向かって切り立った形状である。このような画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の電位が、液晶装置の動作時に相互に異なる電位に設定された場合、切り立った端面形状に起因して、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間の領域に存在する液晶に加わる電界に乱れが生じる。即ち、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響が大きくなり、液晶の配向に乱れを生じさせる。このような液晶の配向の乱れが発生することによって、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間の領域で光抜け等の表示不良が発生してしまう。
【００７８】
加えて、画素電極１９ａ１及び１９ａ２間に、これら画素電極の夫々の表面の位置と、絶縁膜４３の表面の位置との差、即ち画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の厚みに起因して溝部７９が形成されてしまうため、画素電極１９ａ１及び１９ａ２に渡って形成された配向膜１６のうち溝部７９に重なる部分は、その他より窪んだ凹部なる。したがって、配向膜１６ａは平坦に形成されないことになる。このような配向膜１６ａによれば、配向膜１６ａをラビングするラビング処理を均一に行うことが困難となり、ラビングむらに起因した表示不良が発生してしまう。また、画素電極１９ａ１及び１９ａ２の夫々の肩部において、配向膜１６ａの膜厚が薄くなるため、液晶が安定して配向することができなくなり、この部分において表示不良が発生してしまう。
【００７９】
また、横電界によって発生する液晶の配向乱れを低減すること及び配向膜のラビングむらを低減することの夫々の観点からみれば、画素電極１９ａの縁を断面上テーパ形状に形成することも考えられるが、製造プロセスにおける加工精度のばらつきを考えると、素子基板１０の基板面に対して傾斜したテーパ形状を構成する傾斜面を複数の画素電極相互で均一となるように形成することは技術的困難である。
【００８０】
そこで、図８（ｂ）に示すように、液晶装置１によれば、画素電極９ａ１に段差部２７が形成されているため、液晶装置１の動作時に画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合でも、画素電極９ａ１及び９ａ２間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響を低減できる。より具体的には、段差部２７が設けられていることによって、これら画素電極間における電界によって液晶の配向状態が乱される範囲を比較例に係る液晶装置に比べて小さくできる。特に、本実施形態では、画素電極９ａ２にも段差部２８が設けられているため、液晶の配向の乱れをより効果的に低減できる。
【００８１】
加えて、これら段差部２７及び２８によれば、画素電極９ａ１及び９ａ２に渡って形成された配向膜１６を平坦に形成できるため、配向膜のラビングむらを低減でき、ラビングむらを一因として生じる光抜け等の表示不良を低減することが可能である。また、画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の段差部において、本実施形態に係る配向膜１６の膜厚が上記の比較例に係る配向膜１６ａよりも厚く形成されるため、液晶の配向が安定し、表示不良を防止できる。
【００８２】
また、液晶装置１によれば、第２画素電極部分３９ａ２の中央部より膜厚が薄い平坦部３９ａ３を形成すればよいので、画素電極の縁の形状をテーパ形状にする場合に比べて、製造プロセスにおける加工条件を制御し易い利点もある。
【００８３】
次に、図９を参照しながら、画素電極９ａの膜厚を薄くした場合における光の透過率の変化を説明する。図９では、画素電極を構成するＩＴＯの屈折率は、１．４であり、その下地であるＳｉＯ２からなる絶縁膜の屈折率は１．９６であり、反射防止膜（ＡＲ膜）の屈折率は１．６６である。
【００８４】
図９において、透過率特性線Ｌ１は、ＩＴＯから構成された画素電極９ａの膜厚が１４００Åであり、反射防止膜（ＡＲ膜）が形成されていない場合の光の透過率を示している。透過率特性線Ｌ２は、ＩＴＯから構成された画素電極９ａの膜厚が２００Åであり、反射防止膜（ＡＲ膜）が形成されていない場合の透過率を示している。透過率特性線Ｌ３は、ＩＴＯから構成された画素電極の膜厚が２００Åであり、反射防止膜の膜厚が１４００Åである場合の透過率を示している。
【００８５】
図９によれば、ＩＴＯからなる画素電極の膜厚が薄いほうが、透過率が高く、且つ波長による透過率の低下も発生していないことわかる。したがって、本実施形態に液晶装置１のように、画素電極９ａのうち開口領域７２ａに重なる部分である第１画素電極部分３９ａ１、及び第１対向電極部分２１ａ１の膜厚がその周囲の部分より薄くすることによって、高い表示品位で、より具体的には高い輝度で画像を表示可能になることがわかる。
【００８６】
＜２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図１０乃至図１７を参照しながら、本発明の第３及び第４の発明の夫々に係る電気光学装置の製造方法の各実施形態を説明する。
【００８７】
先ず、図１０乃至図１３を参照しながら、本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する。図１０及び図１１は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図１２及び図１３は、図１０及び図１１に対応した工程断面図である。尚、以下では、液晶装置１を製造する場合を例に挙げている。
【００８８】
図１０（ａ）及び図１２（ａ）に示すように、ＴＴＦアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを構成する複数の画素７２ｇの夫々の開口領域７２ａの外側の非開口領域７２ｂに第１導電膜９１を形成する。第１導電膜９１は、画素電極の電極材料として汎用されるＩＴＯ等の透明導電材料をスパッタリング法を用いて成膜された導電膜をフォトエッチング等のエッチング法を用いて所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００８９】
次に、図１０（ｂ）及び図１２（ｂ）に示すように、素子基板１０上から開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂに、第１導電膜９１と同種のＩＴＯ等の透明導電材料からなる電極材料をスパッタリング法を用いて成膜することによって、開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂに重なり、且つ第１導電膜９１を覆う第２導電膜９２を形成する。
【００９０】
次に、図１１（ｃ）及び図１３（ｃ）に示すように、第２導電膜９２が複数の画素７２ｇ相互で互いに分断されるように第２導電膜９２を所定の形状にパターニングすることによって、第１画素電極部分３９ａ１及び第２画素電極部分３９ａ２を含んで構成される画素電極９ａを形成する。本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１導電膜９１及び第２導電膜９２が相互に積層された電極部分である第１画素電極部分３９ａ１と、第１画素電極部分２９ａ１より第１導電膜９１の膜厚分だけ膜厚が薄い第２画素電極部分３９ａ２とを形成可能である。
【００９１】
加えて、画素電極９ａは、第２導電膜９２がパターニングされる際に、第２画素電極部分３９ａ１の外側に延びる平坦部３９ａ３が形成されるため、段差部２７も有している。尚、本実施形態では、複数の画素７２ｇの夫々において同様の処理がなされるため、画素電極９ａ１に隣り合う画素電極９ａ２にも段差部２８が形成される。その後、素子基板１０上に対向基板２０を配置し、これら基板間に液晶を封止することによって液晶装置１が組み上がる。
【００９２】
したがって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述の液晶装置１を製造することが可能であり、表示性能が高められた液晶装置を提供できる。
【００９３】
次に、図１４乃至図１７を参照しながら、本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する。図１４及び図１５は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図１６及び図１７は、図１４及び図１５に対応した工程断面図である。
【００９４】
図１４（ａ）及び図１６（ａ）に示すように、素子基板１０上の画像表示領域１０ａを覆うように、複数の画素７２ｇに渡ってＩＴＯ等の透明導電材料を成膜し、導電膜４７を形成する。
【００９５】
次に、図１４（ｂ）及び図１６（ｂ）に示すように、導電膜４７上に複数の画素７２ｇに渡ってレジスト材料からなるレジスト膜５７を形成する。
【００９６】
次に、図１５（ｃ）及び図１７（ｃ）に示すように、開口領域７２ａに重なる部分を覆う第１レジスト膜部５８ａ１、非開口領域７２ｂに重なり、且つ第１レジスト膜部５８ａ１より膜厚が厚い第２レジスト膜部５８ａ２、及び第２レジスト膜部５８ａ２より膜厚が薄い平坦部５８ａ３を備える、本発明の「レジスト膜」の一例であるレジスト膜５８を形成する。相互に膜厚の異なる第１レジスト膜部５８ａ１及び第２レジスト膜部５８ａ２の夫々は、一旦、上述の工程において、第２レジスト膜部５８ａ２と等しい膜厚となるようにレジスト材料を画素７２ｇ全体に成膜した後、フォトエッチングなどの汎用のパターニング法を用いて、当該成膜されたレジスト膜のうち開口領域７２ａに重なる部分を除去することによって形成される。平坦部５８ａ３も、第１レジスト膜部５８ａ１を形成する方法と同様に方法で形成される。
【００９７】
図１５（ｄ）及び図１７（ｄ）に示すように、レジスト膜５８上から導電膜４７をエッチングすることによって、開口領域７２ａに重なる第１画素電極部分３９ａ１と、非開口領域７２ｂに形成され、且つ第１画素電極部分３９ａ１より膜厚が厚い第２画素電極部分３９ａ２と、第２画素電極部分３９ａ２及び平坦部３９ａ３の膜厚の差に応じて形成された段差部２７とからなる画素電極９ａを形成する。
【００９８】
より具体的には、第１レジスト膜部５８ａ１及び第２レジスト膜部５８ａ２相互の膜厚の違いに応じて、導電膜４７のうち開口領域７２ａ及び非開口領域７２ｂの夫々に重なる部分に対するエッチング量が相互に異なる。このようなエッチング量の違いに応じて、導電膜４７のうち非開口領域７２ｂに重なる部分は、導電膜４７のうち開口領域７２ａに重なる部分より膜厚が厚くなるように形成される。ここで、第１レジスト膜部５８ａ１の膜厚を調整しておくことによって、最終的に形成される第１画素電極部分３９ａ１の膜厚をその外側の部分である第２画素電極部分３９ａ２より薄く形成することができ、光の透過率が高い透過型の液晶装置１を製造できる。なお、同様にして、開口領域７２ａに重なる部分の膜厚を薄く形成された画素電極を備え、光の反射率が高められた反射型の液晶装置等の電気光学装置を製造することも可能である。
【００９９】
したがって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、表示性能が高められた液晶装置１を製造できる。
【０１００】
＜第２実施形態＞
次に、図１８を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。図１８は、本実施形態に係る液晶装置２０１の断面の一部を示した部分断面図である。尚、以下では、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【０１０１】
図１８において、液晶装置２０１は、対向基板２０の両面のうち素子基板１０に臨む面の側において画素電極９ａに向かい合うように形成され、且つＩＴＯ等の透明導電材料から構成された対向電極２２１を備えている。特に、対向電極２２１は、画素７２ｇの開口領域７２ａに重なる重なり領域７２ｃに形成された第１対向電極部分２２１ａ１と、重なり領域７２ｃの外側に形成され、且つ第１対向電極部分２２１ａ１より膜厚が厚い第２対向電極部分２２１ａ２とを有する点に特徴がある。
【０１０２】
このような対向電極２２１を備えた液晶装置２０１によれば、第１対向電極部分２２１ａ１の膜厚を第２対向電極部分２２１ａ２の膜厚より薄くできることによって、対向電極２２１によって吸収される光を低減でき、第２対向電極部分２２１ａ２と同じ膜厚を有する一様な対向電極が形成された液晶装置に比べて、開口領域７２ａにおける光の透過率を高めることが可能である。
【０１０３】
加えて、第２対向電極部分２２１ａ２の膜厚は、第１対向電極部分２２１ａ１の膜厚より厚いため、対向電極２２１全体を第１対向電極２２１ａ１の膜厚まで薄くする場合に比べて対向電極２２１のシート抵抗を低減することが可能である。したがって、対向電極２２１によれば、液晶装置２０１の動作時に、画素電極９ａの電位に対して一定の電位に保持されるべき対向電極２２１の電位が変動することを低減でき、コントラスト低下等の表示不良が生じることを低減することが可能である。
【０１０４】
したがって、本実施形態に係る液晶装置２０１によれば、上述の液晶装置１と同様に、表示される画像の画質を高めることが可能であると共に、表示品位を低下させることなく、光源の消費電力を低減できる利点がある。
【０１０５】
＜電子機器＞
次に、図１９を参照しながら、上述した液晶装置を用いた電子機器の一例を説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述した液晶装置をライトバルブに用いたプロジェクタである。図１９は、本実施形態に係るプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１０６】
図１９に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０７】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。液晶パネル及び位相差板を含む光学系から出射された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０８】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０９】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１０】
このようなプロジェクタは、ライトバルブとして上述の液晶装置を具備してなるので、スクリーン等の投写面に投写される投写画像の画質が高められており、高品位の画像を表示可能である。加えて、プロジェクタ１１００によれば、ランプユニット１１０２で消費される電力を低減でき、環境に配慮した装置構成が実現可能となっている。
【０１１１】
尚、本実施形態に係る液晶装置は、上述したプロジェクタに適用される場合に限定されるものではなく、直視型の液晶表示装置の一部を構成することも可能である。また、ＬＣＯＳ型の反射型の表示装置を構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の第１の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置における複数の画素電極の配列状態を図式的に示した液晶装置の図式的平面図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の素子基板における画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の対向基板における画像表示領域の一部を拡大して示した拡大平面図である。
【図７】図５及び図６のＶＩＩ−ＶＩI´線断面図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の液晶に加わる電界強度を比較例と共に図式的に示した図式的断面図である。
【図９】画素電極を透過する光の透過率を光の波長に対して測定した測定値を示すグラフである。
【図１０】本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その１）である。
【図１１】本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その２）である。
【図１２】図１０に対応した工程断面図である。
【図１３】図１１に対応した工程断面図である。
【図１４】本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その１）である。
【図１５】本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法における一実施形態の主要な工程を順に示した工程平面図（その２）である。
【図１６】図１４に対応した工程断面図である。
【図１７】図１５に対応した工程断面図である。
【図１８】本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置の断面の一部示した断面図である。
【図１９】本実施形態に係る電子機器の一例を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１・・・液晶装置、１０・・・素子基板、２０・・・対向基板、２７，２８・・・段差部、５０・・・液晶層、５０ａ・・・液晶素子、７２・・・画素部、４７・・・導電膜、５７・・・レジスト膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極は、前記画素電極の縁に形成され、前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含む段差部を有すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第２基板上に前記画素電極に向かい合うように形成され、（ｉ）前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極と
を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
第１基板と、
該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第２基板上に前記画素電極に向かい合うように形成され、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する工程と、
前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に渡って電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なるように前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する工程と、
前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
第１基板上に導電膜を形成する工程と、
（ｉ）前記導電膜のうち前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、（ｉｉ）前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記１第レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、（ｉ）前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１基板と、
該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記開口領域の外側の非開口領域に形成され、前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極は、前記画素電極の縁に形成され、前記第２画素電極部分の中央部より厚みが薄い平坦部を含む段差部を有すること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第２基板上に前記画素電極に向かい合うように形成され、（ｉ）前記開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極と
を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
第１基板と、
該第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第２基板上に前記画素電極に向かい合うように形成され、（ｉ）前記画素の開口領域に重なる重なり領域に形成された第１対向電極部分と、（ｉｉ）前記重なり領域の外側に形成され、前記第１対向電極部分より膜厚が厚い第２対向電極部分とを有する対向電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々の開口領域の外側の非開口領域に第１導電膜を形成する工程と、
前記第１基板上から前記開口領域及び前記非開口領域に渡って電極材料を成膜することによって、前記開口領域及び前記非開口領域に重なるように前記第１導電膜を覆う第２導電膜を形成する工程と、
前記第２導電膜が前記複数の画素相互で互いに分断されるように前記第２導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、該分断された第２導電膜及び前記第１導電膜から各々構成される画素電極を前記画素に形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
第１基板上に導電膜を形成する工程と、
（ｉ）前記導電膜のうち前記第１基板上の表示領域を構成する複数の画素の開口領域に重なる部分を覆う第１レジスト膜部、及び、（ｉｉ）前記導電膜のうち前記開口領域の外側の非開口領域に重なり、且つ前記１第レジスト膜部より膜厚が厚い第２レジスト膜部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜上から前記導電膜をエッチングすることによって、（ｉ）前記開口領域に重なる第１画素電極部分と、（ｉｉ）前記非開口領域に形成され、且つ前記第１画素電極部分より膜厚が厚い第２画素電極部分とを有する画素電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−１９２８２９（Ｐ２００９−１９２８２９Ａ）
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３３５４５（Ｐ２００８−３３５４５）
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１４日（２００８．２．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]