電気光学装置
【課題】複数種類のシール材の使用や、基板への凹部の形成を行なわなくても、シール部からの水分の侵入を防止することのできる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせたシール部９０では、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２起９２とが形成されており、シール部９０を横切る仮想の線上には第１突起９１および／または第２突起９２が位置する。また、シール部９０を横切る仮想の線Ｃ２上には第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している。従って、シール部９０からの水分の侵入を効果的に防止することができる。
【解決手段】電気光学装置１００において、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせたシール部９０では、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２起９２とが形成されており、シール部９０を横切る仮想の線上には第１突起９１および／または第２突起９２が位置する。また、シール部９０を横切る仮想の線Ｃ２上には第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している。従って、シール部９０からの水分の侵入を効果的に防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）装置などといった電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として代表的なものとしては、液晶装置や有機ＥＬ装置などが挙げられ、かかる電気光学装置では、図１３（ａ）に示すように、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板１０と、第１基板１０に対向配置された第２基板２０と、画素領域１０ｂを外側で囲む位置で第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５Ｘで貼り合わせたシール部９０Ｘとを有している。このような電気光学装置のうち、液晶装置においては、シール部９０は液晶層を保持するとともに、内側に水分が侵入して液晶材料や配向膜が劣化することを防止する機能を担い、有機ＥＬ装置において、第２基板２０およびシール部９０は、内側に水分が侵入して有機ＥＬ素子の機能層などが劣化するのを防止する機能を担っている。
【０００３】
しかしながら、図１３（ａ）に示すシール部９０Ｘでは、シール材９５Ｘと第１基板１０との界面を伝っての水分の侵入経路Ｌ１１、シール材９５Ｘと第２基板２０との界面を伝っての水分の侵入経路Ｌ１２、およびシール材９５Ｘの内部自身を透過しての水分の侵入経路Ｌ１３が存在するため、シール部９０Ｘの内側に水分が侵入するのを完全に防止することは不可能である。
【０００４】
そこで、図１３（ｂ）に示すように、シール部９０Ｙに２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを用いることが提案されている（特許文献１参照）。また、図１３（ｃ）に示すように、シール部９０Ｚにおいて、第２基板２０に凹部９２Ｚを形成する一方、第１基板１０に、凹部９２Ｚ内に向けて突出する突起９１Ｚを形成した上でシール材９５Ｚにより封止することが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−７８００３号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１３（ｂ）に示す構成では、２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを塗布、硬化するのに多大な手間がかかるため、生産性が低下するとともに、２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを用いても、シール材９５１Ｙ、９５２Ｙと第１基板１０との界面を伝っての水分の侵入や、シール材９５１Ｙ、９５２Ｙと第２基板２０との界面を伝っての水分の侵入を確実に防止することは不可能である。また、図１３（ｃ）に示す構成では、第２基板２０に対する凹部９２Ｚの形成や、凹部９２Ｚ内に届く程の高さ寸法をもった突起９１Ｚの第１基板１０への形成に多大な手間が発生するので、生産性が低下する。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、複数種類のシール材の使用や、基板への凹部の形成を行なわなくても、シール部からの水分の侵入を防止することのできる電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記画素領域を外側で囲む位置で前記第１基板と前記第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部とを有する電気光学装置において、前記シール部には、前記第１基板から前記２基板に向けて突出する第１突起と、該第１突起からずれた位置で前記第２基板から前記１基板に向けて突出する第２突起とが形成され、前記シール部を平面視したとき、前記シール部を横切る仮想の線上には前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が位置していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部では、第１基板に第１突起が形成されているため、第１突起が形成されている部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第１突起が形成されている部分では、第１基板とシール材との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第１突起とシール材との界面を伝って水分が侵入する経路は、第１突起を回り込む必要がある分、長い。さらに、シール部では、第２基板に第２突起が形成されているため、第２突起が形成されている部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第２突起が形成されている部分では、第２基板とシール材との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第２突起とシール材との界面を伝って水分が侵入する経路は、第２突起を回り込む必要がある分、長い。それ故、複数種類のシール材の使用や、基板への凹部の形成を行なわなくても、シール部からの水分の侵入を防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記シール部の一部では、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることが好ましい。このように構成すると、前記第１突起および前記第２突起の双方が位置している部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路を効果的に狭めることができ、シール部からの水分の侵入を効果的に防止することができる。
【００１０】
このような構成は、例えば、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が、前記画素領域を囲む方向で分割されている構成を採用した場合に発生する。このように構成すると、第１突起と第２突起との間に充填されたシール材のうち、余剰なシール材を第１突起と第２突起との間からスムーズに排出することができるという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記シール部の全体で、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることが好ましい。このように構成すると、シール部の全体でシール材の内部を透過する水分の侵入経路を大幅に狭めることができ、シール部からの水分の侵入を大幅に防止することができる。
【００１２】
このような構成は、例えば、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起はいずれも、前記画素領域を囲む方向で連続している構成を採用することにより実現することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１突起の前記第１基板からの突出寸法と前記第２突起の前記第２基板からの突出寸法との和は、前記第１基板と前記第２基板との隙間寸法より大きいことが好ましい。このように構成すると、第１突起および第２突起の双方が位置している部分では、シール材の内部を水分が直進して侵入する経路が存在せず、かつ、シール材の内部を透過する水分は、第１突起および第２突起を回り込む必要がある分、侵入経路が長いので、シール部からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記仮想の線上で多重に形成され、当該仮想の線上では前記第１突起と前記第２突起とが交互に並んでいることが好ましい。このように構成すると、シール部からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方の突起は、当該突起が形成されている基板において前記画素領域内に形成されている１乃至複数の膜と同一の膜からなることが好ましい。このように構成すると、新たな工程を追加しなくても、第１突起または／および第２突起を形成することができる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記第１基板と前記第２基板は、前記シール部で囲まれた領域内に液晶層を保持している構成とする。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置を有機ＥＬ装置として構成する場合、前記第１基板において、前記画素電極上に有機ＥＬ素子用の機能層が形成されている構成とする。
【００１８】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）は、投射型表示装置のライトバルブとして用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０ａ（画素トランジスタ）が形成されている。データ線駆動回路１０１から延びたデータ線６ａは、薄膜トランジスタ３０ａのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１は、データ線６ａに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路１０４から延びた走査線３ａは、薄膜トランジスタ３０ａのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに走査信号を線順次で供給する。画素電極９ａは、薄膜トランジスタ３０ａのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、薄膜トランジスタ３０ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１００ａの液晶容量５０ａに所定のタイミングで書き込む。液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画像信号は、第１基板１０に形成された画素電極９ａと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極９ａと共通電極との間には保持容量６０が形成されており、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、保持容量６０を構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に保持容量６０が形成される場合もある。また、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ（Fring Field Switching））モードの液晶装置の場合、共通電極は、画素電極９ａと同様、第１基板１０上に形成される。
【００２２】
図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置である。素子基板としての第１基板１０の上には、シール部９０が矩形枠状に設けられており、シール部９０によって、対向基板としての第２基板２０と、第１基板１０とが貼り合わされている。第２基板２０とシール部９０とは略同一の輪郭を備えており、シール部９０で囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、シール部９０の角部分には第１基板１０と第２基板２０との間で電気的な接続を行なうための基板間導通部１０９が配置されている。また、シール部９０は一部が途切れており、かかる途切れ部分を利用して、シール部９０で囲まれた領域内に液晶が充填された後、途切れ部分は封止材１０７で塞がれる。
【００２３】
第１基板１０において、シール部９０の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる端子１０２が第１基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２には、外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板（図示せず）が接続される。また、第１基板１０において、シール部９０の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。第１基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。さらに、第２基板２０に形成された遮光膜からなる額縁２３ｂの下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００２４】
詳しくは後述するが、第１基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、第２基板２０には、シール部９０の内側領域に遮光性材料からなる額縁２３ｂが形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。第２基板２０では、第１基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３ａが形成されている。遮光膜２３ａおよび額縁２３ｂはいずれも同一の遮光材料から形成されている。
【００２５】
このように構成した電気光学装置１００において、画像表示領域１０ａは、図１を参照して説明した画素領域１０ｂと重なる領域であるが、画素領域１０ｂの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域１０ａが構成される。
【００２６】
（画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であり、図３（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は二点鎖線で示してある。
【００２７】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ、および走査線３ａが形成されている。また、第１基板１０において、走査線３ａと並列して容量線３ｂが形成されている。
【００２８】
図３（ｂ）に示す第１基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなり、第２基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板２０ｄからなる。第１基板１０には、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａと対応する領域に薄膜トランジスタ３０ａが形成されている。薄膜トランジスタ３０ａは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａは、第１基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。図３（ｂ）には、ゲート絶縁層２が半導体層１ａの表面に熱酸化により形成されたものとして表されているが、ゲート絶縁層２はＣＶＤ法などにより形成される場合もある。なお、半導体層１ａとしてはアモルファスシリコン膜が用いられることもある。
【００２９】
薄膜トランジスタ３０ａの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁膜７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３０】
層間絶縁膜７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁層２と同時形成された絶縁層（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、保持容量６０が構成されている。
【００３１】
本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。なお、図１および図２（ａ）、（ｂ）に示す端子１０２は、層間絶縁膜７１、７２、７３に形成したコンタクトホール、あるいは層間絶縁膜７２、７３に形成したコンタクトホールを介して、走査線３ａやデータ線６ａと同時形成された配線に電気的に接続されたＩＴＯ膜からなる。
【００３２】
第２基板２０では、第１基板１０の画素電極９ａの間に対向する領域に遮光膜２３ａが形成されているとともに、遮光膜２３ａで挟まれた領域（画素電極９ａと対向する領域）にカラーフィルタ２２が形成されている。また、第２基板２０では、遮光膜２３ａおよびカラーフィルタ２２の表面に、樹脂層、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などからなるオーバーコート層２４が形成され、オーバーコート層２４の表面には、ＩＴＯ膜からなる共通電極２１、および配向膜２６が順に形成されている。遮光膜２３ａは遮光性を有する金属膜、あるいは遮光材料が配合されたアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂層からなる。
【００３３】
このように構成した第１基板１０と第２基板２０とは、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール部９０（図２（ａ）、（ｂ）参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。
【００３４】
（シール部９０の詳細構成）
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図４（ｂ）では、図４（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。
【００３５】
本形態の電気光学装置１００において、図２（ａ）、（ｂ）に示すシール部９０では、第１基板１０と第２基板２０がエポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂などのシール９５によって貼り合わされており、シール部９０は、液晶層５０を保持する機能と、外部から水分が侵入して液晶材料や配向膜１６、２６が劣化することを防止する機能とを担っている。本形態では、水分の侵入をより確実に防止する目的で、シール部９０には以下の構成が採用されている。
【００３６】
まず、図４（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。第１突起９１と第２突起９２は、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせた際、互いにずれた位置に形成されており、重なることはない。
【００３７】
本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第１突起９１は、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなり、第１突起９１同士の間には隙間が形成されている。また、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃでは極めて狭い隙間を介して分割されているが、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒでは、比較的広い隙間を介して分割されており、第１突起９１の間には空きスペースがある。
【００３８】
かかる第１突起９１を形成するにあたって、本形態では、エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で所定のパターンに塗布した後、樹脂材料に対する紫外線照射あるいは加熱により樹脂材料を硬化させる。また、第１突起９１を形成するにあたって、感光性樹脂を用いた場合には、感光性樹脂を塗布した後、露光し、しかる後に現像してもよい。このような第１突起９１は、シール材９５と違って、帯状に塗布する必要がなく、かつ、基板の状態で形成できるなどの理由から材料面での制約が少なく、水分透過性が低い樹脂材料の使用や最適な条件での硬化が可能である。このため、第１突起９１は、シール材９５と比較して第１基板１０に対する密着性が高くて水分の透過性が低い。
【００３９】
第２突起９２も、第１突起９１と同様、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第２突起９２も、第１突起９１と同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなる。但し、第２突起９２は、第１突起９１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても、比較的広い隙間を介して分割されている。このようにして、第２突起９２は、第１突起９１の空き領域と重なる位置に形成されている。
【００４０】
かかる第２突起９２を形成するにあたって、本形態では、第１突起９１と同様、エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で所定のパターンに塗布した後、樹脂材料に対する紫外線照射あるいは加熱により樹脂材料を硬化させる。また、第２突起９２を形成するにあたって、感光性樹脂を用いた場合には、感光性樹脂を塗布した後、露光し、しかる後に現像してもよい。このような第２突起９２も、シール材９５と違って、帯状に塗布する必要がなく、かつ、基板の状態で形成できるなどの理由から材料面での制約が少なく、水分透過性が低い樹脂材料の使用や最適な条件での硬化が可能である。このため、第２突起９２は、シール材９５と比較して第１基板１０に対する密着性が高くて水分の透過性が低い。
【００４１】
本形態において、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図４（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込んでおり、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込んでいる。
【００４２】
本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせるには、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方、例えば、第２基板２０に対して、ディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で未硬化のシール材９５を帯状に塗布した後、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５を挟んで重ね合わせ、この状態で、シール材９５を硬化させる。その際、第１基板１０と第２基板２０とは、第１突起９１が第２突起９２の空き領域内に位置し、第２突起９２が第１突起９１の空き領域内に位置するように重ね合わされる。
【００４３】
その結果、シール部９０を横切るいずれの仮想の線上にも第１突起９１および第２突起９２のうちの少なくとも一方が位置することになる。より具体的には、図４（ｃ）に示すように、シール部９０の一部では、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に計４重の第１突起９１が位置し、シール部９０の他の一部では、第１突起９１および第２突起９２の双方が２重ずつ位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００４４】
このように構成したシール部９０では、シール材９５にビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材（図示せず）を配合しておけば、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２の先端部と第１基板１０との間のうち、隙間が狭い方の間にギャップ材が介在するので、かかるギャップ材によって、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御することができる。また、ギャップ材を用いない場合でも、第１基板１０の画素境界領域などに第２基板２０に向けて突出する柱状突起を形成しておけば、柱状突起の上端部が第２基板２０に当接するので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御することができる。この場合、第１基板１０に対する柱状突起の形成工程を利用して、第１突起９１を形成してもよい。
【００４５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１基板１０と第２基板３０とをシール材９５で貼り合わせたシール部９０では、第１基板１０に第１突起９１が形成されているため、第１突起９１が形成されている部分では、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第１突起９０が形成されている部分では、第１基板１０とシール材９５との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第１突起９１とシール材９５との界面を伝って水分が侵入する経路は、図４（ａ）に矢印Ｌ２で示すように、第１突起９１を回り込む必要がある分、長い。また、シール部９０では、第２基板２０に第２突起９２が形成されているため、第２突起９２が形成されている部分では、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第２突起９２が形成されている部分では、第２基板２０とシール材９５との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第２突起９２とシール材９５との界面を伝って水分が侵入する経路は、図４（ｂ）に矢印Ｌ３で示すように、第２突起９２を回り込む必要がある分、長い。それ故、シール部９０からの水分の侵入を防止することができる。
【００４６】
また、シール部９０の一部では、シール部９０を横切る仮想の線Ｃ２上に第１突起９１および第２突起９２の双方が位置しているため、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路を複数個所で狭めることができ、シール部９０からの水分の侵入を効果的に防止することができる。しかも、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図４（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在せず、かつ、シール材９５の内部を透過する水分は、第１突起９１および第２突起９２を回り込む必要がある分、侵入経路が長いので、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００４７】
さらに、本形態では、第１突起９１および第２突起９２が複数の突起群からなり、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても分割されている。このため、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる際、第１突起９１の間、第２突起９２の間、第１突起９１と第２突起９２との間に充填されたシール材９５のうち、余剰なシール材９５を第１突起９１と第２突起９２との間からスムーズに排出することができ、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で好適に貼り合わせることができる。
【００４８】
さらにまた、第１基板１０に第１突起９１が形成され、第２基板２０に第２突起９２が形成されているため、シール材９５と第１基板１０との接着面積、およびシール材９５と第２基板２０との接着面積が広いので、第１基板１０と第１基板２０との接着強度が大きいという利点もある。
【００４９】
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図５（ｂ）では、図５（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５０】
図５（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。
【００５１】
本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第１突起９１は、実施の形態１と略同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで離間するように配置された複数の突起群からなるが、実施の形態１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃで近接する突起の角同士が繋がっている。このため、第１突起９１は、全体としては、シール部９０を直角に横切る方向Ｃおよび画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されている。
【００５２】
第２突起９２は、実施の形態１と同様、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されており、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなる。また、第２突起９２は、第１突起９１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても、比較的広い隙間を介して分割されている。このようにして、第２突起９２は、第１突起９１の空き領域と重なる位置に形成されている。
【００５３】
ここで、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図５（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込んでおり、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込んでいる。
【００５４】
本形態の電気光学装置１００の製造するにあたっては、実施の形態１と同様、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる際、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方、例えば、第２基板２０に対して、ディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で未硬化のシール材９５を帯状に塗布した後、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５を挟んで重ね合わせ、この状態で、シール材９５を硬化させる。その際、第１基板１０と第２基板２０とは、第１突起９１が第２突起９２の空き領域内に位置し、第２突起９２が第１突起９１の空き領域内に位置するように重ね合わされる。
【００５５】
その結果、実施の形態１と同様、図５（ｃ）に示すように、シール部９０の一部では、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に計４重の第１突起９１が位置し、シール部９０の他の一部では、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００５６】
このように構成した電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、シール材９５の内部を水分が透過して侵入する経路が狭く、かつ、図５（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在しないなど、実施の形態１と同様な理由から、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００５７】
また、本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃおよび画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されているため、水分が第１突起９１の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ａ）に矢印Ｌ２で示す経路）が存在しない。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比較して、シール部９０からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００５８】
［実施の形態３］
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図６（ｂ）では、図６（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５９】
図６（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。
【００６０】
本形態において、第１突起９１は、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒに沿って線状に連続的に延びており、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに２重に形成されている。第２突起９２も、第１突起９１と同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒに沿って線状に連続的に延びており、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに２重に形成されている。ここで、第１突起９１同士の間隔と第２突起９２同士の間隔とは等しく、これらの幅寸法は、第１突起９１および第２突起９２の幅寸法よりわずかに広い。また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせると、図６（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。また、本形態では、図６（ｃ）に示すように、シール部９０の全体において、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に第１突起９１および第２突起９２が各々、２つずつ位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００６１】
このように構成した電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、シール材９５の内部を水分が透過して侵入する経路が狭く、かつ、図６（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在しないなど、実施の形態１と同様な理由から、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００６２】
また、本形態において、第１突起９１および第２突起９２の双方が、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されているため、水分が第１突起９１の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ａ）に矢印Ｌ２で示す経路）や第２突起９２の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ｂ）に矢印Ｌ３で示す経路）が存在しない。しかも、シール部９０の全体において、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上で２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいるため、水分がシール材９５を透過していく経路が極めて長い。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比較して、シール部９０からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００６３】
［実施の形態４］
図７は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００における第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。図７に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２とが形成されている。
【００６４】
本形態では、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と、第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2とは等しい。このため、第１突起９１の先端部と第２基板２０との隙間寸法Ｇ1と、第２突起９２先端部と第１基板１０との隙間寸法Ｇ2とが等しい。それ故、シール材９５にビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材９６を配合した場合、ギャップ材９６は、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２先端部と第１基板１０との間のいずれにおいても、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御するので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇに高い精度を得ることができる。
【００６５】
また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和を第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きく設定すれば、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。このため、ギャップ材９６が周辺に流出しないので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇに高い精度を得ることができる。その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。
【００６６】
［実施の形態５］
図８は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００における第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。図８に示すように、本形態の電気光学装置１００において、第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０に、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２とを形成するにあたっては、第１基板１０の画素領域１０ｂに形成された膜や、第２基板２０の画素領域１０ｂに相当する領域内に形成された膜と同一の膜を利用することが好ましい。
【００６７】
すなわち、第１基板１０には、図３（ｂ）を参照して説明したように、下地絶縁層１２の上層に半導体層１ａ、ゲート絶縁層２、走査線３ａ、層間絶縁膜７１、データ線６ａ、層間絶縁膜７２、層間絶縁膜７３、および画素電極９ａが形成されているので、これらの膜と同時形成された１ｓ、２ｓ、３ｓ、７１ｓ、６ｓ、７２ｓ、７３ｓ、９ｓの全て、あるいはその一部を積層して第１突起９１を形成することが好ましい。また、第２基板２０には、遮光膜２３ａ、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２４、および共通電極２１が形成されているので、これらの膜と同時形成された膜２３ｓ、２２ｓ、２４ｓ、２１ｓの全て、あるいはその一部を積層して第２突起９２を形成することが好ましい。このように構成すると、第１突起９１および第２突起９２を形成するのに新たな工程を追加しなくてもよいという利点がある。
【００６８】
またに、第１突起９１の最上層が画素電極９ａと同時形成された膜９ｓで、第２突起９２の最上層が共通電極２１と同時形成された膜２１ｓである場合には、膜９ｓを所定の配線と接続しておくとともに、シール材９５に導電粒子９７を配合しておけば、第１基板１０と第２基板２０とを導通させることができ、共通電極２１を定電位に保持できる。それ故、図２（ａ）を参照して説明した基板間導通部１０９を構成することができる。
【００６９】
この場合も、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と、第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2とを等しく設定しておけば、第１突起９１の先端部と第２基板２０との隙間寸法Ｇ1と、第２突起９２先端部と第１基板１０との隙間寸法Ｇ2とが等しい。それ故、導電粒子９７は、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２先端部と第１基板１０との間のいずれにおいても、基板間導通を行なうので、確実な基板間導通を実現することができる。
【００７０】
また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和を第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きく設定すれば、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。このため、導電粒子９７が周辺に流出しないので、第１基板１０と第２基板２０との基板間導通を確実に行なうことができる。その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。
【００７１】
［実施の形態６］
以下、本発明を有機ＥＬ装置に適用した例を説明する。なお、以下の説明では、実施の形態１〜３との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００７２】
（全体構成）
図９は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的構成を示すブロック図である。図１０（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００７３】
図９に示す電気光学装置１００は、有機ＥＬ装置であり、第１基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、第１基板１０において、矩形形状の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。画素領域１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極９ａ（陽極層）と、この画素電極９ａと陰極層との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０を構成している。
【００７４】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００７５】
なお、図９に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図９に示す構成では、電源線３ｅを利用して保持容量７０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって保持容量７０を構成してもよい。
【００７６】
図１０（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板としての第１基板１０と、封止基板としての第２基板とがシール部９０によって貼り合わされている。第１基板１０と第２基板２０との間は窒素雰囲気になっているとともに、乾燥剤（図示せず）が収納されている。第１基板１０において、シール部９０の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が第１基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。第１基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。詳しくは後述するが、第１基板１０には、画素電極（陽極）、有機機能層および陰極がこの順に積層された有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に形成されている。
【００７７】
（画素の詳細な構成）
図１１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図１１（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００７８】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（実線で示す領域）が形成されている。また、第１基板１０において、走査線３ａと並列して電源線３ｅが形成されている。
【００７９】
図１１（ｂ）に示す第１基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなる。第１基板１０では、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａに対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的に接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００８０】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁膜７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはソース電極６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、ソース電極６ｇは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｈは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。層間絶縁膜７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００８１】
また、画素電極９ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えたシリコン酸化膜などからなる隔壁層５ａ、および感光性樹脂などからなる厚い隔壁層５ｂが形成されている。隔壁層５ａおよび隔壁層５ｂで囲まれた領域内において、画素電極９ａの上層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層８１、および発光層８２からなる有機機能層が形成され、発光層８２の上層には陰極層８５が形成されている。このようにして、画素電極９ａ、正孔注入層８１、発光層８２および陰極層８５によって、有機ＥＬ素子８０が構成されている。発光層８２は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層８２としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。本形態において、有機機能層は、インクジェット法などの塗布法により形成される。なお、塗布法としては、フレキソ印刷法、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法などが採用される場合もある。また、有機機能層については、低分子材料を用いた場合、蒸着法などにより形成される場合もある。さらに、発光層８２と陰極層８５との層間にはＬｉＦなどからなる電子注入層が形成されることもある。
【００８２】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、陰極層８５は、薄いアルミニウム膜や、マグネシウムやリチウムなどの薄い膜をつけて仕事関数を調整したＩＴＯ膜などといった透光性電極として形成され、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどの金属板に表面酸化などの絶縁処理を施したもの、樹脂基板などが挙げられる。これに対して、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００８３】
（シール部９０の構成）
このように構成した電気光学装置１００において、正孔注入層８１および発光層８２からなる有機機能層などは水分や酸素により劣化しやすい。従って、実施の形態１〜３で説明したシール部９０の構成を本形態の電気光学装置１００に適用すれば、シール部９０を介しての水分や酸素の侵入を確実に防止することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。また、第１基板１０には、画素領域１０ｂ内に複数種類の膜が形成されているので、これらの膜の全部あるいは一部を積層して第１突起９１を形成すれば、製造工程数が少なくてよいという利点がある。
【００８４】
なお、上記形態では、第２基板２０を封止基板として用いた例であったが、いずれの有機ＥＬ素子８０からも白色光を出射し、それをカラーフィルタ基板で着色する場合、かかるカラーフィルタ基板を第２基板２０として用いることになる。この場合、実施の形態１などで説明した液晶装置と同様、第２基板２０にカラーフィルタやオーバーコート層が形成されるので、かかる膜と同一の膜を用いて第２突起９２を形成すればよい。
【００８５】
［他の実施の形態］
上記形態では、第１突起１０および第２突起２０が４重あるいは２重に形成されている場合を例に説明したが、第１突起１０および第２突起２０が３重あるいは１重でもよく、いずれの場合も、シール部９０の略全体で、シール部９０を横切る仮想の線上に第１突起１０および第２突起２０の双方が位置することが好ましい。但し、シール部９０を横切る仮想の線上に第１突起１０および第２突起２０の一方のみが位置する場合でも、図１３を参照して説明した構成に比較して水分の侵入を阻止する効果は向上する。
【００８６】
［電子機器への搭載例］
次に、図１２を参照して、上述した実施形態１〜６に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２は、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【００８７】
図１２（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１２（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１２（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【００８８】
次に、図１２（ｄ）を参照して、本発明の実施の形態１〜５に係る電気光学装置１００（液晶装置）をプロジェクタ（投射型表示装置）の液晶ライトバルブに採用した例について図面を参照して説明する。図１２（ｄ）は、プロジェクタの概略構成図である。プロジェクタ１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型のプロジェクタである。そして、プロジェクタ１１０は、光源１１２と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００９０】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（電気光学装置）である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００９１】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００９２】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９３】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００９４】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置における第１基板と第２基板とのシール部の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置における第１基板と第２基板とのシール部の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１３】従来の電気光学装置のシール部の断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ｂ・・画素領域、２０・・第２基板、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶、８０・・有機ＥＬ素子、９０・・シール部、９１・・第１突起、９２・・第２突起、９５・・シール材、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬという）装置などといった電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として代表的なものとしては、液晶装置や有機ＥＬ装置などが挙げられ、かかる電気光学装置では、図１３（ａ）に示すように、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板１０と、第１基板１０に対向配置された第２基板２０と、画素領域１０ｂを外側で囲む位置で第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５Ｘで貼り合わせたシール部９０Ｘとを有している。このような電気光学装置のうち、液晶装置においては、シール部９０は液晶層を保持するとともに、内側に水分が侵入して液晶材料や配向膜が劣化することを防止する機能を担い、有機ＥＬ装置において、第２基板２０およびシール部９０は、内側に水分が侵入して有機ＥＬ素子の機能層などが劣化するのを防止する機能を担っている。
【０００３】
しかしながら、図１３（ａ）に示すシール部９０Ｘでは、シール材９５Ｘと第１基板１０との界面を伝っての水分の侵入経路Ｌ１１、シール材９５Ｘと第２基板２０との界面を伝っての水分の侵入経路Ｌ１２、およびシール材９５Ｘの内部自身を透過しての水分の侵入経路Ｌ１３が存在するため、シール部９０Ｘの内側に水分が侵入するのを完全に防止することは不可能である。
【０００４】
そこで、図１３（ｂ）に示すように、シール部９０Ｙに２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを用いることが提案されている（特許文献１参照）。また、図１３（ｃ）に示すように、シール部９０Ｚにおいて、第２基板２０に凹部９２Ｚを形成する一方、第１基板１０に、凹部９２Ｚ内に向けて突出する突起９１Ｚを形成した上でシール材９５Ｚにより封止することが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−７８００３号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１３（ｂ）に示す構成では、２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを塗布、硬化するのに多大な手間がかかるため、生産性が低下するとともに、２種類のシール材９５１Ｙ、９５２Ｙを用いても、シール材９５１Ｙ、９５２Ｙと第１基板１０との界面を伝っての水分の侵入や、シール材９５１Ｙ、９５２Ｙと第２基板２０との界面を伝っての水分の侵入を確実に防止することは不可能である。また、図１３（ｃ）に示す構成では、第２基板２０に対する凹部９２Ｚの形成や、凹部９２Ｚ内に届く程の高さ寸法をもった突起９１Ｚの第１基板１０への形成に多大な手間が発生するので、生産性が低下する。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、複数種類のシール材の使用や、基板への凹部の形成を行なわなくても、シール部からの水分の侵入を防止することのできる電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記画素領域を外側で囲む位置で前記第１基板と前記第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部とを有する電気光学装置において、前記シール部には、前記第１基板から前記２基板に向けて突出する第１突起と、該第１突起からずれた位置で前記第２基板から前記１基板に向けて突出する第２突起とが形成され、前記シール部を平面視したとき、前記シール部を横切る仮想の線上には前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が位置していることを特徴とする。
【０００８】
本発明において、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部では、第１基板に第１突起が形成されているため、第１突起が形成されている部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第１突起が形成されている部分では、第１基板とシール材との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第１突起とシール材との界面を伝って水分が侵入する経路は、第１突起を回り込む必要がある分、長い。さらに、シール部では、第２基板に第２突起が形成されているため、第２突起が形成されている部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第２突起が形成されている部分では、第２基板とシール材との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第２突起とシール材との界面を伝って水分が侵入する経路は、第２突起を回り込む必要がある分、長い。それ故、複数種類のシール材の使用や、基板への凹部の形成を行なわなくても、シール部からの水分の侵入を防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記シール部の一部では、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることが好ましい。このように構成すると、前記第１突起および前記第２突起の双方が位置している部分では、シール材の内部を透過する水分の侵入経路を効果的に狭めることができ、シール部からの水分の侵入を効果的に防止することができる。
【００１０】
このような構成は、例えば、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が、前記画素領域を囲む方向で分割されている構成を採用した場合に発生する。このように構成すると、第１突起と第２突起との間に充填されたシール材のうち、余剰なシール材を第１突起と第２突起との間からスムーズに排出することができるという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記シール部の全体で、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることが好ましい。このように構成すると、シール部の全体でシール材の内部を透過する水分の侵入経路を大幅に狭めることができ、シール部からの水分の侵入を大幅に防止することができる。
【００１２】
このような構成は、例えば、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起はいずれも、前記画素領域を囲む方向で連続している構成を採用することにより実現することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１突起の前記第１基板からの突出寸法と前記第２突起の前記第２基板からの突出寸法との和は、前記第１基板と前記第２基板との隙間寸法より大きいことが好ましい。このように構成すると、第１突起および第２突起の双方が位置している部分では、シール材の内部を水分が直進して侵入する経路が存在せず、かつ、シール材の内部を透過する水分は、第１突起および第２突起を回り込む必要がある分、侵入経路が長いので、シール部からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記シール部を平面視したとき、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記仮想の線上で多重に形成され、当該仮想の線上では前記第１突起と前記第２突起とが交互に並んでいることが好ましい。このように構成すると、シール部からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方の突起は、当該突起が形成されている基板において前記画素領域内に形成されている１乃至複数の膜と同一の膜からなることが好ましい。このように構成すると、新たな工程を追加しなくても、第１突起または／および第２突起を形成することができる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記第１基板と前記第２基板は、前記シール部で囲まれた領域内に液晶層を保持している構成とする。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置を有機ＥＬ装置として構成する場合、前記第１基板において、前記画素電極上に有機ＥＬ素子用の機能層が形成されている構成とする。
【００１８】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）は、投射型表示装置のライトバルブとして用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、薄膜トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、矩形の平面形状を有する画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０ａ（画素トランジスタ）が形成されている。データ線駆動回路１０１から延びたデータ線６ａは、薄膜トランジスタ３０ａのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１は、データ線６ａに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路１０４から延びた走査線３ａは、薄膜トランジスタ３０ａのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに走査信号を線順次で供給する。画素電極９ａは、薄膜トランジスタ３０ａのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、薄膜トランジスタ３０ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１００ａの液晶容量５０ａに所定のタイミングで書き込む。液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画像信号は、第１基板１０に形成された画素電極９ａと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極９ａと共通電極との間には保持容量６０が形成されており、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、保持容量６０を構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に保持容量６０が形成される場合もある。また、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ（Fring Field Switching））モードの液晶装置の場合、共通電極は、画素電極９ａと同様、第１基板１０上に形成される。
【００２２】
図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置である。素子基板としての第１基板１０の上には、シール部９０が矩形枠状に設けられており、シール部９０によって、対向基板としての第２基板２０と、第１基板１０とが貼り合わされている。第２基板２０とシール部９０とは略同一の輪郭を備えており、シール部９０で囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。なお、シール部９０の角部分には第１基板１０と第２基板２０との間で電気的な接続を行なうための基板間導通部１０９が配置されている。また、シール部９０は一部が途切れており、かかる途切れ部分を利用して、シール部９０で囲まれた領域内に液晶が充填された後、途切れ部分は封止材１０７で塞がれる。
【００２３】
第１基板１０において、シール部９０の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる端子１０２が第１基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２には、外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板（図示せず）が接続される。また、第１基板１０において、シール部９０の外側領域（画素領域１０ｂの外側領域）には、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。第１基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。さらに、第２基板２０に形成された遮光膜からなる額縁２３ｂの下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。
【００２４】
詳しくは後述するが、第１基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、第２基板２０には、シール部９０の内側領域に遮光性材料からなる額縁２３ｂが形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。第２基板２０では、第１基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３ａが形成されている。遮光膜２３ａおよび額縁２３ｂはいずれも同一の遮光材料から形成されている。
【００２５】
このように構成した電気光学装置１００において、画像表示領域１０ａは、図１を参照して説明した画素領域１０ｂと重なる領域であるが、画素領域１０ｂの外周に沿って、表示に直接寄与しないダミーの画素が形成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミーの画素を除いた領域によって画像表示領域１０ａが構成される。
【００２６】
（画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線における断面図であり、図３（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は二点鎖線で示してある。
【００２７】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ、および走査線３ａが形成されている。また、第１基板１０において、走査線３ａと並列して容量線３ｂが形成されている。
【００２８】
図３（ｂ）に示す第１基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなり、第２基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板２０ｄからなる。第１基板１０には、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａと対応する領域に薄膜トランジスタ３０ａが形成されている。薄膜トランジスタ３０ａは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。半導体層１ａは、第１基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。図３（ｂ）には、ゲート絶縁層２が半導体層１ａの表面に熱酸化により形成されたものとして表されているが、ゲート絶縁層２はＣＶＤ法などにより形成される場合もある。なお、半導体層１ａとしてはアモルファスシリコン膜が用いられることもある。
【００２９】
薄膜トランジスタ３０ａの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁膜７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００３０】
層間絶縁膜７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁層２と同時形成された絶縁層（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、保持容量６０が構成されている。
【００３１】
本形態において、走査線３ａおよび容量線３ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。また、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜であり、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。なお、図１および図２（ａ）、（ｂ）に示す端子１０２は、層間絶縁膜７１、７２、７３に形成したコンタクトホール、あるいは層間絶縁膜７２、７３に形成したコンタクトホールを介して、走査線３ａやデータ線６ａと同時形成された配線に電気的に接続されたＩＴＯ膜からなる。
【００３２】
第２基板２０では、第１基板１０の画素電極９ａの間に対向する領域に遮光膜２３ａが形成されているとともに、遮光膜２３ａで挟まれた領域（画素電極９ａと対向する領域）にカラーフィルタ２２が形成されている。また、第２基板２０では、遮光膜２３ａおよびカラーフィルタ２２の表面に、樹脂層、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などからなるオーバーコート層２４が形成され、オーバーコート層２４の表面には、ＩＴＯ膜からなる共通電極２１、および配向膜２６が順に形成されている。遮光膜２３ａは遮光性を有する金属膜、あるいは遮光材料が配合されたアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂層からなる。
【００３３】
このように構成した第１基板１０と第２基板２０とは、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、前記のシール部９０（図２（ａ）、（ｂ）参照）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。
【００３４】
（シール部９０の詳細構成）
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図４（ｂ）では、図４（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。
【００３５】
本形態の電気光学装置１００において、図２（ａ）、（ｂ）に示すシール部９０では、第１基板１０と第２基板２０がエポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂などのシール９５によって貼り合わされており、シール部９０は、液晶層５０を保持する機能と、外部から水分が侵入して液晶材料や配向膜１６、２６が劣化することを防止する機能とを担っている。本形態では、水分の侵入をより確実に防止する目的で、シール部９０には以下の構成が採用されている。
【００３６】
まず、図４（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。第１突起９１と第２突起９２は、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせた際、互いにずれた位置に形成されており、重なることはない。
【００３７】
本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第１突起９１は、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなり、第１突起９１同士の間には隙間が形成されている。また、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃでは極めて狭い隙間を介して分割されているが、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒでは、比較的広い隙間を介して分割されており、第１突起９１の間には空きスペースがある。
【００３８】
かかる第１突起９１を形成するにあたって、本形態では、エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で所定のパターンに塗布した後、樹脂材料に対する紫外線照射あるいは加熱により樹脂材料を硬化させる。また、第１突起９１を形成するにあたって、感光性樹脂を用いた場合には、感光性樹脂を塗布した後、露光し、しかる後に現像してもよい。このような第１突起９１は、シール材９５と違って、帯状に塗布する必要がなく、かつ、基板の状態で形成できるなどの理由から材料面での制約が少なく、水分透過性が低い樹脂材料の使用や最適な条件での硬化が可能である。このため、第１突起９１は、シール材９５と比較して第１基板１０に対する密着性が高くて水分の透過性が低い。
【００３９】
第２突起９２も、第１突起９１と同様、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第２突起９２も、第１突起９１と同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなる。但し、第２突起９２は、第１突起９１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても、比較的広い隙間を介して分割されている。このようにして、第２突起９２は、第１突起９１の空き領域と重なる位置に形成されている。
【００４０】
かかる第２突起９２を形成するにあたって、本形態では、第１突起９１と同様、エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で所定のパターンに塗布した後、樹脂材料に対する紫外線照射あるいは加熱により樹脂材料を硬化させる。また、第２突起９２を形成するにあたって、感光性樹脂を用いた場合には、感光性樹脂を塗布した後、露光し、しかる後に現像してもよい。このような第２突起９２も、シール材９５と違って、帯状に塗布する必要がなく、かつ、基板の状態で形成できるなどの理由から材料面での制約が少なく、水分透過性が低い樹脂材料の使用や最適な条件での硬化が可能である。このため、第２突起９２は、シール材９５と比較して第１基板１０に対する密着性が高くて水分の透過性が低い。
【００４１】
本形態において、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図４（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込んでおり、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込んでいる。
【００４２】
本形態の電気光学装置１００を製造するにあたって、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせるには、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方、例えば、第２基板２０に対して、ディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で未硬化のシール材９５を帯状に塗布した後、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５を挟んで重ね合わせ、この状態で、シール材９５を硬化させる。その際、第１基板１０と第２基板２０とは、第１突起９１が第２突起９２の空き領域内に位置し、第２突起９２が第１突起９１の空き領域内に位置するように重ね合わされる。
【００４３】
その結果、シール部９０を横切るいずれの仮想の線上にも第１突起９１および第２突起９２のうちの少なくとも一方が位置することになる。より具体的には、図４（ｃ）に示すように、シール部９０の一部では、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に計４重の第１突起９１が位置し、シール部９０の他の一部では、第１突起９１および第２突起９２の双方が２重ずつ位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００４４】
このように構成したシール部９０では、シール材９５にビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材（図示せず）を配合しておけば、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２の先端部と第１基板１０との間のうち、隙間が狭い方の間にギャップ材が介在するので、かかるギャップ材によって、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御することができる。また、ギャップ材を用いない場合でも、第１基板１０の画素境界領域などに第２基板２０に向けて突出する柱状突起を形成しておけば、柱状突起の上端部が第２基板２０に当接するので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御することができる。この場合、第１基板１０に対する柱状突起の形成工程を利用して、第１突起９１を形成してもよい。
【００４５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１基板１０と第２基板３０とをシール材９５で貼り合わせたシール部９０では、第１基板１０に第１突起９１が形成されているため、第１突起９１が形成されている部分では、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第１突起９０が形成されている部分では、第１基板１０とシール材９５との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第１突起９１とシール材９５との界面を伝って水分が侵入する経路は、図４（ａ）に矢印Ｌ２で示すように、第１突起９１を回り込む必要がある分、長い。また、シール部９０では、第２基板２０に第２突起９２が形成されているため、第２突起９２が形成されている部分では、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路が狭められている。また、第２突起９２が形成されている部分では、第２基板２０とシール材９５との界面を伝って水分が侵入することがないとともに、第２突起９２とシール材９５との界面を伝って水分が侵入する経路は、図４（ｂ）に矢印Ｌ３で示すように、第２突起９２を回り込む必要がある分、長い。それ故、シール部９０からの水分の侵入を防止することができる。
【００４６】
また、シール部９０の一部では、シール部９０を横切る仮想の線Ｃ２上に第１突起９１および第２突起９２の双方が位置しているため、シール材９５の内部を透過する水分の侵入経路を複数個所で狭めることができ、シール部９０からの水分の侵入を効果的に防止することができる。しかも、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図４（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在せず、かつ、シール材９５の内部を透過する水分は、第１突起９１および第２突起９２を回り込む必要がある分、侵入経路が長いので、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００４７】
さらに、本形態では、第１突起９１および第２突起９２が複数の突起群からなり、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても分割されている。このため、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる際、第１突起９１の間、第２突起９２の間、第１突起９１と第２突起９２との間に充填されたシール材９５のうち、余剰なシール材９５を第１突起９１と第２突起９２との間からスムーズに排出することができ、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で好適に貼り合わせることができる。
【００４８】
さらにまた、第１基板１０に第１突起９１が形成され、第２基板２０に第２突起９２が形成されているため、シール材９５と第１基板１０との接着面積、およびシール材９５と第２基板２０との接着面積が広いので、第１基板１０と第１基板２０との接着強度が大きいという利点もある。
【００４９】
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図５（ｂ）では、図５（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５０】
図５（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。
【００５１】
本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されている。ここで、第１突起９１は、実施の形態１と略同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで離間するように配置された複数の突起群からなるが、実施の形態１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃで近接する突起の角同士が繋がっている。このため、第１突起９１は、全体としては、シール部９０を直角に横切る方向Ｃおよび画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されている。
【００５２】
第２突起９２は、実施の形態１と同様、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに向かって４重に形成されており、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒ、およびシール部９０を直角に横切る方向Ｃの双方で分割された複数の突起群からなる。また、第２突起９２は、第１突起９１と違って、シール部９０を直角に横切る方向Ｃ、および画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒのいずれにおいても、比較的広い隙間を介して分割されている。このようにして、第２突起９２は、第１突起９１の空き領域と重なる位置に形成されている。
【００５３】
ここで、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、図５（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込んでおり、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込んでいる。
【００５４】
本形態の電気光学装置１００の製造するにあたっては、実施の形態１と同様、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせる際、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方、例えば、第２基板２０に対して、ディスペンサからの吐出、あるいは転写などの方法で未硬化のシール材９５を帯状に塗布した後、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５を挟んで重ね合わせ、この状態で、シール材９５を硬化させる。その際、第１基板１０と第２基板２０とは、第１突起９１が第２突起９２の空き領域内に位置し、第２突起９２が第１突起９１の空き領域内に位置するように重ね合わされる。
【００５５】
その結果、実施の形態１と同様、図５（ｃ）に示すように、シール部９０の一部では、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に計４重の第１突起９１が位置し、シール部９０の他の一部では、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００５６】
このように構成した電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、シール材９５の内部を水分が透過して侵入する経路が狭く、かつ、図５（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在しないなど、実施の形態１と同様な理由から、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００５７】
また、本形態において、第１突起９１は、シール部９０を直角に横切る方向Ｃおよび画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されているため、水分が第１突起９１の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ａ）に矢印Ｌ２で示す経路）が存在しない。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比較して、シール部９０からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００５８】
［実施の形態３］
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００において、第１基板１０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板２０のシール部９０に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板１０と第２基板２０とをシール材で貼り合わせた後のシール部９０を平面視したときの説明図、およびシール部９０の断面図である。なお、図６（ｂ）では、図６（ａ）に示す第１突起との位置関係が分りやすいように、外面から第２基板２０を透視した様子を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５９】
図６（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０において、シール部９０に相当する領域には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１が形成され、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、第２基板２０において、シール部９０に相当する領域には、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２が形成されている。
【００６０】
本形態において、第１突起９１は、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒに沿って線状に連続的に延びており、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに２重に形成されている。第２突起９２も、第１突起９１と同様、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒに沿って線状に連続的に延びており、シール部９０を直角に横切る方向Ｃに２重に形成されている。ここで、第１突起９１同士の間隔と第２突起９２同士の間隔とは等しく、これらの幅寸法は、第１突起９１および第２突起９２の幅寸法よりわずかに広い。また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和は、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きい。従って、第１基板１０と第２基板２０とをシール材９５で貼り合わせると、図６（ｄ）に示すように、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。また、本形態では、図６（ｃ）に示すように、シール部９０の全体において、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上に第１突起９１および第２突起９２が各々、２つずつ位置し、２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいる。
【００６１】
このように構成した電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、シール材９５の内部を水分が透過して侵入する経路が狭く、かつ、図６（ｄ）に矢印Ｌ１で示すように、第１突起９１および第２突起９２の双方が位置している部分では、シール材９５の内部を水分が直進して侵入する経路が存在しないなど、実施の形態１と同様な理由から、シール部９０からの水分の侵入を確実に防止することができる。
【００６２】
また、本形態において、第１突起９１および第２突起９２の双方が、画素領域１０ｂの周りを囲む方向Ｒで連続的に形成されているため、水分が第１突起９１の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ａ）に矢印Ｌ２で示す経路）や第２突起９２の間を通り抜けて侵入するという経路（図４（ｂ）に矢印Ｌ３で示す経路）が存在しない。しかも、シール部９０の全体において、シール部９０を直角に横切る仮想の線Ｃ１上で２つの第１突起９１と２つの第２突起９２が交互に並んでいるため、水分がシール材９５を透過していく経路が極めて長い。それ故、本形態によれば、実施の形態１に比較して、シール部９０からの水分の侵入をより確実に防止することができる。
【００６３】
［実施の形態４］
図７は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００における第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。図７に示すように、本形態の電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０には、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２とが形成されている。
【００６４】
本形態では、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と、第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2とは等しい。このため、第１突起９１の先端部と第２基板２０との隙間寸法Ｇ1と、第２突起９２先端部と第１基板１０との隙間寸法Ｇ2とが等しい。それ故、シール材９５にビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材９６を配合した場合、ギャップ材９６は、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２先端部と第１基板１０との間のいずれにおいても、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇを制御するので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇに高い精度を得ることができる。
【００６５】
また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和を第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きく設定すれば、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。このため、ギャップ材９６が周辺に流出しないので、第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇに高い精度を得ることができる。その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。
【００６６】
［実施の形態５］
図８は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００における第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。図８に示すように、本形態の電気光学装置１００において、第１基板１０と第２基板２０とのシール部９０に、第１基板１０から第２基板２０に向けて突出する第１突起９１と、第２基板２０から第１基板１０に向けて突出する第２突起９２とを形成するにあたっては、第１基板１０の画素領域１０ｂに形成された膜や、第２基板２０の画素領域１０ｂに相当する領域内に形成された膜と同一の膜を利用することが好ましい。
【００６７】
すなわち、第１基板１０には、図３（ｂ）を参照して説明したように、下地絶縁層１２の上層に半導体層１ａ、ゲート絶縁層２、走査線３ａ、層間絶縁膜７１、データ線６ａ、層間絶縁膜７２、層間絶縁膜７３、および画素電極９ａが形成されているので、これらの膜と同時形成された１ｓ、２ｓ、３ｓ、７１ｓ、６ｓ、７２ｓ、７３ｓ、９ｓの全て、あるいはその一部を積層して第１突起９１を形成することが好ましい。また、第２基板２０には、遮光膜２３ａ、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２４、および共通電極２１が形成されているので、これらの膜と同時形成された膜２３ｓ、２２ｓ、２４ｓ、２１ｓの全て、あるいはその一部を積層して第２突起９２を形成することが好ましい。このように構成すると、第１突起９１および第２突起９２を形成するのに新たな工程を追加しなくてもよいという利点がある。
【００６８】
またに、第１突起９１の最上層が画素電極９ａと同時形成された膜９ｓで、第２突起９２の最上層が共通電極２１と同時形成された膜２１ｓである場合には、膜９ｓを所定の配線と接続しておくとともに、シール材９５に導電粒子９７を配合しておけば、第１基板１０と第２基板２０とを導通させることができ、共通電極２１を定電位に保持できる。それ故、図２（ａ）を参照して説明した基板間導通部１０９を構成することができる。
【００６９】
この場合も、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と、第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2とを等しく設定しておけば、第１突起９１の先端部と第２基板２０との隙間寸法Ｇ1と、第２突起９２先端部と第１基板１０との隙間寸法Ｇ2とが等しい。それ故、導電粒子９７は、第１突起９１の先端部と第２基板２０との間、および第２突起９２先端部と第１基板１０との間のいずれにおいても、基板間導通を行なうので、確実な基板間導通を実現することができる。
【００７０】
また、第１突起９１の第１基板１０からの突出寸法ｈ1と第２突起９２の第２基板２０からの突出寸法ｈ2との和を第１基板１０と第２基板２０との隙間寸法Ｇより大きく設定すれば、第１突起９１の先端部分は、第２突起９２の間に入り込み、第２突起９２の先端部分は、第１突起９１の間に入り込む。このため、導電粒子９７が周辺に流出しないので、第１基板１０と第２基板２０との基板間導通を確実に行なうことができる。その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略する。
【００７１】
［実施の形態６］
以下、本発明を有機ＥＬ装置に適用した例を説明する。なお、以下の説明では、実施の形態１〜３との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００７２】
（全体構成）
図９は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的構成を示すブロック図である。図１０（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００７３】
図９に示す電気光学装置１００は、有機ＥＬ装置であり、第１基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、第１基板１０において、矩形形状の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。画素領域１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極９ａ（陽極層）と、この画素電極９ａと陰極層との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０を構成している。
【００７４】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００７５】
なお、図９に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図９に示す構成では、電源線３ｅを利用して保持容量７０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって保持容量７０を構成してもよい。
【００７６】
図１０（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板としての第１基板１０と、封止基板としての第２基板とがシール部９０によって貼り合わされている。第１基板１０と第２基板２０との間は窒素雰囲気になっているとともに、乾燥剤（図示せず）が収納されている。第１基板１０において、シール部９０の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、およびＩＴＯ膜からなる端子１０２が第１基板１０の一辺に沿って設けられており、端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。第１基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０３が設けられている。詳しくは後述するが、第１基板１０には、画素電極（陽極）、有機機能層および陰極がこの順に積層された有機ＥＬ素子８０がマトリクス状に形成されている。
【００７７】
（画素の詳細な構成）
図１１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図１１（ａ）では、画素電極９ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。
【００７８】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に形成され、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（実線で示す領域）が形成されている。また、第１基板１０において、走査線３ａと並列して電源線３ｅが形成されている。
【００７９】
図１１（ｂ）に示す第１基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの支持基板１０ｄからなる。第１基板１０では、支持基板１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａに対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的に接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００８０】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７１、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜７２、および厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる層間絶縁膜７３（平坦化膜）が形成されている。層間絶縁膜７１の表面（層間絶縁膜７１、７２の層間）にはソース電極６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、ソース電極６ｇは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｇを介してソース領域１ｈに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｈは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的に接続している。層間絶縁膜７３の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的に接続している。
【００８１】
また、画素電極９ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えたシリコン酸化膜などからなる隔壁層５ａ、および感光性樹脂などからなる厚い隔壁層５ｂが形成されている。隔壁層５ａおよび隔壁層５ｂで囲まれた領域内において、画素電極９ａの上層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などからなる正孔注入層８１、および発光層８２からなる有機機能層が形成され、発光層８２の上層には陰極層８５が形成されている。このようにして、画素電極９ａ、正孔注入層８１、発光層８２および陰極層８５によって、有機ＥＬ素子８０が構成されている。発光層８２は、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料から構成される。また、発光層８２としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる組成物も使用可能である。本形態において、有機機能層は、インクジェット法などの塗布法により形成される。なお、塗布法としては、フレキソ印刷法、スピンコート法、スリットコート法、ダイコート法などが採用される場合もある。また、有機機能層については、低分子材料を用いた場合、蒸着法などにより形成される場合もある。さらに、発光層８２と陰極層８５との層間にはＬｉＦなどからなる電子注入層が形成されることもある。
【００８２】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄからみて有機ＥＬ素子８０が形成されている側から光を取り出すので、陰極層８５は、薄いアルミニウム膜や、マグネシウムやリチウムなどの薄い膜をつけて仕事関数を調整したＩＴＯ膜などといった透光性電極として形成され、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板の他、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどの金属板に表面酸化などの絶縁処理を施したもの、樹脂基板などが挙げられる。これに対して、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、支持基板１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００８３】
（シール部９０の構成）
このように構成した電気光学装置１００において、正孔注入層８１および発光層８２からなる有機機能層などは水分や酸素により劣化しやすい。従って、実施の形態１〜３で説明したシール部９０の構成を本形態の電気光学装置１００に適用すれば、シール部９０を介しての水分や酸素の侵入を確実に防止することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。また、第１基板１０には、画素領域１０ｂ内に複数種類の膜が形成されているので、これらの膜の全部あるいは一部を積層して第１突起９１を形成すれば、製造工程数が少なくてよいという利点がある。
【００８４】
なお、上記形態では、第２基板２０を封止基板として用いた例であったが、いずれの有機ＥＬ素子８０からも白色光を出射し、それをカラーフィルタ基板で着色する場合、かかるカラーフィルタ基板を第２基板２０として用いることになる。この場合、実施の形態１などで説明した液晶装置と同様、第２基板２０にカラーフィルタやオーバーコート層が形成されるので、かかる膜と同一の膜を用いて第２突起９２を形成すればよい。
【００８５】
［他の実施の形態］
上記形態では、第１突起１０および第２突起２０が４重あるいは２重に形成されている場合を例に説明したが、第１突起１０および第２突起２０が３重あるいは１重でもよく、いずれの場合も、シール部９０の略全体で、シール部９０を横切る仮想の線上に第１突起１０および第２突起２０の双方が位置することが好ましい。但し、シール部９０を横切る仮想の線上に第１突起１０および第２突起２０の一方のみが位置する場合でも、図１３を参照して説明した構成に比較して水分の侵入を阻止する効果は向上する。
【００８６】
［電子機器への搭載例］
次に、図１２を参照して、上述した実施形態１〜６に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２は、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【００８７】
図１２（ａ）に、電気光学装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１２（ｂ）に、電気光学装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１２（ｃ）に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１００が適用可能である。
【００８８】
次に、図１２（ｄ）を参照して、本発明の実施の形態１〜５に係る電気光学装置１００（液晶装置）をプロジェクタ（投射型表示装置）の液晶ライトバルブに採用した例について図面を参照して説明する。図１２（ｄ）は、プロジェクタの概略構成図である。プロジェクタ１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型のプロジェクタである。そして、プロジェクタ１１０は、光源１１２と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８９】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００９０】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（電気光学装置）である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００９１】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００９２】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９３】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００９４】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置において、第１基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第２基板のシール部に相当する領域を平面視したときの説明図、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた後のシール部を平面視したときの説明図、およびシール部の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置における第１基板と第２基板とのシール部の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置における第１基板と第２基板とのシール部の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１３】従来の電気光学装置のシール部の断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１０ｂ・・画素領域、２０・・第２基板、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶、８０・・有機ＥＬ素子、９０・・シール部、９１・・第１突起、９２・・第２突起、９５・・シール材、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記画素領域を外側で囲む位置で前記第１基板と前記第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部とを有する電気光学装置において、
前記シール部には、前記第１基板から前記２基板に向けて突出する第１突起と、該第１突起からずれた位置で前記第２基板から前記１基板に向けて突出する第２突起とが形成され、
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部を横切る仮想の線上には前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部の一部では、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記画素領域を囲む方向で分割されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部の全体で、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起はいずれも、前記画素領域を囲む方向で連続していることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１突起の前記第１基板からの突出寸法と前記第２突起の前記第２基板からの突出寸法との和は、前記第１基板と前記第２基板との隙間寸法より大きいことを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記仮想の線上で多重に形成され、当該仮想の線上では前記第１突起と前記第２突起とが交互に並んでいることを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方の突起は、当該突起が形成されている基板において前記画素領域内に形成されている１乃至複数の膜と同一の膜からなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板と前記第２基板は、前記シール部で囲まれた領域内に液晶層を保持していることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１基板において、前記画素電極上には有機エレクトロルミネッセンス素子用の機能層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１】
画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域が形成された第１基板と、該第１基板に対向配置された第２基板と、前記画素領域を外側で囲む位置で前記第１基板と前記第２基板とをシール材で貼り合わせたシール部とを有する電気光学装置において、
前記シール部には、前記第１基板から前記２基板に向けて突出する第１突起と、該第１突起からずれた位置で前記第２基板から前記１基板に向けて突出する第２突起とが形成され、
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部を横切る仮想の線上には前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方が位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部の一部では、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記画素領域を囲む方向で分割されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記シール部を平面視したとき、
前記シール部の全体で、当該シール部を横切る仮想の線上に前記第１突起および前記第２突起の双方が位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起はいずれも、前記画素領域を囲む方向で連続していることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１突起の前記第１基板からの突出寸法と前記第２突起の前記第２基板からの突出寸法との和は、前記第１基板と前記第２基板との隙間寸法より大きいことを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記シール部を平面視したとき、
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方は、前記仮想の線上で多重に形成され、当該仮想の線上では前記第１突起と前記第２突起とが交互に並んでいることを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１突起および前記第２突起のうちの少なくとも一方の突起は、当該突起が形成されている基板において前記画素領域内に形成されている１乃至複数の膜と同一の膜からなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板と前記第２基板は、前記シール部で囲まれた領域内に液晶層を保持していることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１基板において、前記画素電極上には有機エレクトロルミネッセンス素子用の機能層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−１２２４１０（Ｐ２００９−１２２４１０Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２９６３６０（Ｐ２００７−２９６３６０）
【出願日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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