電気光学装置
【課題】従来の電気光学装置では、電気光学装置に付された情報を確認することが困難である。
【解決手段】画像を形成する光を射出する複数の画素５と、前記画像が視認され得る表示面と、を有し、前記表示面には、平面視で複数の画素５を包含する領域である表示領域７が設定されており、複数の画素５は、表示領域７内に前記画像を表示する画像表示画素５Ｐと、表示領域７内に情報を表示する情報表示画素５Ｊと、を有することを特徴とする電気光学装置。
【解決手段】画像を形成する光を射出する複数の画素５と、前記画像が視認され得る表示面と、を有し、前記表示面には、平面視で複数の画素５を包含する領域である表示領域７が設定されており、複数の画素５は、表示領域７内に前記画像を表示する画像表示画素５Ｐと、表示領域７内に情報を表示する情報表示画素５Ｊと、を有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つとして、液晶パネルや有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルなどを有する表示装置が知られている。
液晶パネルは、一対の基板間に液晶が介在した構成を有している（例えば、特許文献１参照）。
また、有機ＥＬパネルは、発光層を含む有機層が一対の電極間に介在した有機ＥＬ素子を有している（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５６１１号公報
【特許文献２】特開２００７−２４８７０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示パネルでは、製造履歴などの情報を管理するために、個々の表示パネルを識別することが必要になる場合がある。このため、各表示パネルに固有のＩＤ（Identification）情報を付与して、個々の表示パネルをＩＤ情報で識別することが考えられる。
ＩＤ情報としては、文字や数字などを組み合わせた情報や、バーコード化された情報などの種々の形態が採用され得る。そして、各表示パネルにＩＤ情報を付記することにより、個々の表示パネルがＩＤ情報によって識別され得る。
【０００５】
各表示パネルにＩＤ情報などの情報を付記する場合には、付記した情報によって画像などの表示が妨げられないように、表示装置として画像などが表示され得る表示領域外に情報を付記することが好ましい。
しかしながら、表示領域外に情報が付記された表示パネルを種々の電子機器に組み込んだ場合、表示パネルに付記された情報が隠れてしまうことがある。この場合、表示パネルに付記された情報を確認するためには、この電子機器を分解しなければならない。
【０００６】
つまり、従来の電気光学装置では、電気光学装置に付された情報を確認することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］画像を形成する光を射出する複数の画素と、前記画像が視認され得る表示面と、を有し、前記表示面には、平面視で前記複数の画素を包含する領域である表示領域が設定されており、前記複数の画素は、前記表示領域内に前記画像を表示する画像表示画素と、前記表示領域内に情報を表示する情報表示画素と、を有することを特徴とする電気光学装置。
【０００９】
適用例１の電気光学装置は、複数の画素と、表示面とを有している。複数の画素は、画像を形成する光を射出する。表示面には、表示領域が設定されている。表示領域は、平面視で複数の画素を包含する領域である。この電気光学装置では、複数の画素が画像表示画素と情報表示画素とを有している。画像表示画素は、表示領域内に画像を表示する。これにより、この電気光学装置では、画像は、表示領域に表示される。また、情報表示画素は、表示領域内に情報を表示する。この電気光学装置では、情報が表示領域内に表示され得るので、この電気光学装置が種々の電子機器に組み込まれた後でも、情報を確認しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の電気光学装置であって、前記情報表示画素は、前記表示領域の外縁に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【００１１】
適用例２では、情報表示画素が表示領域の外縁に位置しているので、情報表示画素を目立たなくしやすい。
【００１２】
［適用例３］上記の電気光学装置であって、複数の前記情報表示画素を有しており、前記複数の情報表示画素には、前記光を射出する明画素と、前記明画素よりも暗い暗画素とが含まれており、前記情報は、前記複数の情報表示画素における前記明画素と前記暗画素との並びによって識別されることを特徴とする電気光学装置。
【００１３】
適用例３の電気光学装置は、複数の情報表示画素を有している。複数の情報表示画素には、光を射出する明画素と、明画素よりも暗い暗画素とが含まれている。そして、この電気光学装置では、情報は、複数の情報表示画素における明画素と暗画素との並びによって識別される。これにより、例えば明画素と暗画素とを２進数の数字などにあてはめることによって、複数の情報表示画素が示す情報を識別することができる。
【００１４】
［適用例４］上記の電気光学装置であって、前記暗画素は、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１５】
適用例４では、暗画素が光を射出不能に構成されているので、複数の情報表示画素における明画素と暗画素とを区別しやすくすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、各前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれており、前記暗画素は、前記第１電極につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１７】
適用例５の電気光学装置は、第１電極と、第２電極と、有機層とを有している。第１電極は、複数の画素の画素ごとに設けられている。第２電極は、各第１電極に対向している。有機層は、第１電極及び第２電極間に介在している。有機層には、発光層が含まれている。発光層は、第１電極及び第２電極の一方から有機層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流によって発光する。これにより、各画素から光を射出させることができる。そして、この電気光学装置では、暗画素は、第１電極につながる配線部が切断されていることによって、光を射出不能に構成されている。この結果、暗画素の有機層には電流が流れないため、発光層が発光しない。これにより、暗画素を構成することができる。
【００１８】
［適用例６］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有し、前記暗画素は、前記一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１９】
適用例６の電気光学装置は、一対の電極と、液晶とを有している。一対の電極は、複数の画素の画素ごとに電界を形成する。液晶は、電界の発生によって駆動される。この電気光学装置では、電界の発生を制御することにより、液晶に入射された光の変調状態を画素ごとに制御することができる。これにより、各画素から光を射出させることができる。そして、この電気光学装置では、暗画素は、一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、光を射出不能に構成されている。この結果、暗画素の液晶を駆動することができないため、暗画素を構成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記の電気光学装置であって、前記情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【００２１】
適用例７では、情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれている。このため、製造もとに保管されているデータを照合しなくても、過程情報を取得しやすくすることができる。
【００２２】
［適用例８］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、各前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【００２３】
適用例８の電気光学装置は、第１電極と、第２電極と、有機層とを有している。第１電極は、複数の画素の画素ごとに設けられている。第２電極は、各第１電極に対向している。有機層は、第１電極及び第２電極間に介在している。有機層には、発光層が含まれている。発光層は、第１電極及び第２電極の一方から有機層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流によって発光する。これにより、各画素から光を射出させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有していることを特徴とする電気光学装置。
【００２５】
適用例９の電気光学装置は、一対の電極と、液晶とを有している。一対の電極は、複数の画素の画素ごとに電界を形成する。液晶は、電界の発生によって駆動される。この電気光学装置では、電界の発生を制御することにより、液晶に入射された光の変調状態を画素ごとに制御することができる。これにより、各画素から光を射出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施形態について、電気光学装置の１つである有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００２７】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１では、複数の画素５が、ｍ（ｍは、１以上の整数）行、且つｎ（ｎは、１以上の整数）列のマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００２８】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００２９】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００３０】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３２】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
複数の画素５がｍ行且つｎ列のマトリクスＭを構成する表示装置１では、マトリクスＭは、ｍ行の画素行１９及びｎ列の画素列１８を有している。
以下において、ｍ行の画素行１９のそれぞれが識別される場合には、画素行１９（ｈ）という表記が用いられる（ｈは、１〜ｍの整数）。ｎ列の画素列１８のそれぞれが識別される場合には、画素列１８（ｉ）という表記が用いられる（ｉは、１〜ｎの整数）。
【００３３】
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３４】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１と、ＴＦＴ素子２３と、保持容量２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。各有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。
【００３５】
また、表示装置１は、ｍ本の走査線ＧＴと、ｎ本のデータ線ＳＩと、ｎ本の電源線ＰＷとを有している。
なお、以下においてｍ本の走査線ＧＴのそれぞれが識別される場合に、走査線ＧＴ（ｈ）という表記が用いられる。
また、ｎ本のデータ線ＳＩのそれぞれが識別される場合には、データ線ＳＩ（ｉ）という表記が用いられる。同様に、ｎ本の電源線ＰＷのそれぞれが識別される場合には、電源線ＰＷ（ｉ）という表記が用いられる。
【００３６】
ｍ本の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｎ本のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
ｎ本の電源線ＰＷは、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各データ線ＳＩとがＸ方向に間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
【００３７】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴは、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各ＴＦＴ素子２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。ＴＦＴ素子２１のドレイン電極は、ＴＦＴ素子２３のゲート電極及び保持容量２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００３８】
保持容量２５の他方の電極と、ＴＦＴ素子２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各ＴＦＴ素子２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００３９】
ＴＦＴ素子２１は、このＴＦＴ素子２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、このＴＦＴ素子２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、ＴＦＴ素子２３がＯＮ状態になる。ＴＦＴ素子２３のゲート電位は、データ信号の電位が保持容量２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、ＴＦＴ素子２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４０】
ＴＦＴ素子２３のＯＮ状態が保持されているときに、ＴＦＴ素子２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００４１】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、ＴＦＴ素子２１及び保持容量２５並びにデータ線ＳＩが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００４２】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５のＴＦＴ素子２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００４３】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００４４】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００４５】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００４６】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００４７】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されており、平面視で格子状に設けられている。絶縁膜６１は、表示領域７にわたって設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。
【００４８】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む遮光膜６３が設けられている。遮光膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミドなどの樹脂で構成されており、平面視で格子状に設けられている。
画素電極２９の表示面３側には、遮光膜６３に囲まれた領域内に、有機層３１が設けられている。
【００４９】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１によって囲まれた領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５０】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で遮光膜６３によって囲まれた領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００５１】
【化１】
【００５２】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で遮光膜６３によって囲まれた領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００５３】
【化２】
【００５４】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００５５】
【化３】
【００５６】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００５７】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、遮光膜６３に囲まれた領域内に、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えばカルシウムなどが採用され得る。
電子注入層７１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、例えば、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物等の光透過性を有する材料や、マグネシウム銀等を薄膜化して光透過性を付与したものなどで構成され、電子注入層７１及び遮光膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
【００５８】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【００５９】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００６０】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６１】
ここで、表示装置１では、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、画像表示に寄与する画素５である画像表示画素と、画像表示には寄与せずに、画像とは異なる情報を表示する画素５である情報表示画素とを含んでいる。
表示装置１では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を構成するｎ個の画素５のそれぞれが、図６に示すように、情報表示画素５Ｊとして設定されている。１行目の画素行１９（１）からｍ−１行目の画素行１９（ｍ−１）までに属する複数（ｎ×（ｍ−１）個）の画素５が、それぞれ画像表示画素５Ｐとして設定されている。
【００６２】
複数の情報表示画素５Ｊが表示する情報には、個々の表示装置１に付与されたＩＤ情報や、この表示装置１の製造過程に関する過程情報が含まれている。
複数の画像表示画素５Ｐで画像表示を行うとき、各走査線ＧＴに供給される選択信号は、走査線ＧＴ（ｍ）を除く走査線ＧＴ（１）〜走査線ＧＴ（ｍ−１）までのｍ−１本に順次供給される。
他方で、ｎ個の情報表示画素５Ｊに情報を表示させるときには、走査線ＧＴ（ｍ）に選択信号を供給しつつｎ本のデータ線ＳＩにデータ信号を供給することによって、情報表示が行われる。
【００６３】
ｎ個の情報表示画素５Ｊには、複数の情報表示画素５Ｊを示す平面図である図７に示すように、情報表示が行われているときに光を表示面３から射出する画素５である明画素５Ｌと、明画素５Ｌよりも暗い暗画素５Ｄとが含まれている。なお、図７では、構成をわかりやすく示すため、暗画素５Ｄにハッチングが施されている。
なお、表示装置１では、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。これは、図５中のＤ部の拡大図である図８に示すように、半導体層５１から画素電極２９につながる配線部２９ａが切断されていることによって達成されている。つまり、暗画素５Ｄは、有機層３１への通電が遮断されている。これにより、暗画素５Ｄの発光層６９は、発光不能に構成されている。
【００６４】
ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの並びによって識別される。ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”０”とし、暗画素５Ｄを”１”とする二進法のデータとして識別され得る。表示装置１では、情報表示画素５Ｊがｎ個あるので、ｎビットのデータ長の情報が表示され得る。
なお、ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”１”とし、暗画素５Ｄを”０”とするデータも採用され得る。
【００６５】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図９（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述したＴＦＴ素子２１、ＴＦＴ素子２３、保持容量２５、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７などが含まれている。
【００６６】
次いで、図９（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。
次いで、図９（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に遮光膜６３を形成する。
次いで、画素電極２９をＯ2プラズマ処理などで活性化させてから、遮光膜６３の表面にＣＦ4プラズマ処理などで撥液性を付与する。
【００６７】
次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域内に後述する液滴吐出ヘッド８３から、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれた液状体６５ａを液滴６５ｂとして吐出することで、各画素５の領域内に液状体６５ａを配置する。
なお、液滴吐出ヘッド８３から液状体６５ａなどを液滴として吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００６８】
ここで、液滴吐出ヘッド８３の構成について説明する。
液滴吐出ヘッド８３は、斜視図である図１１に示すように、ノズルプレート８５と、振動板８７と、複数の圧電素子８９と、複数の隔壁部９１とを有している。ノズルプレート８５には、液状体を液滴９３として吐出する複数個のノズル９５が、図中Ｘ'方向に沿って所定間隔で形成されている。また、振動板８７には、図示しない外部タンクから供給される液状体の受け口となる孔９７が形成されている。
【００６９】
複数の隔壁部９１は、Ｘ'方向に沿って所定間隔で並び、ノズルプレート８５と振動板８７とに挟まれている。また、ノズルプレート８５と振動板８７との間には、孔９７に連通し、孔９７を介して液状体が充填される液たまり９９が形成されている。そして、Ｘ'方向に隣り合う隔壁部９１同士間には、供給路１０１を介して液たまり９９に連通するキャビティ１０３が形成されている。なお、各ノズル９５は、各キャビティ１０３に連通している。
上記の構成を有する液滴吐出ヘッド８３は、圧電素子８９が駆動されると、キャビティ１０３内の液状体を、各ノズル９５から液滴９３として吐出する。
【００７０】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれた液状体６５ａは、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【００７１】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、遮光膜６３によって囲まれた領域内に液滴吐出ヘッド８３から、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれた液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、遮光膜６３によって囲まれた領域内に液状体６７ａを配置する。このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａは、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７２】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｃ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７３】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、遮光膜６３によって囲まれた各領域内に、発光層６９を構成する有機材料が含まれた液状体６９ａを配置する。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド８３から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａは、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７４】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図５に示す発光層６９が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７５】
次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、遮光膜６３に囲まれた領域内に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。このとき、電子注入層７１は、遮光膜６３をマスクで表示面３側から覆った状態で形成され得る。
次いで、スパッタリング技術などを活用してＩＴＯ等の膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用してパターニングすることにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【００７６】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００７７】
上述した素子基板１１を製造する工程では、複数の素子基板１１が、平面図である図１２（ａ）に示すように、マザー基板４１Ｍの状態で形成される。
また、複数の封止基板１３が、平面図である図１２（ｂ）に示すように、マザー基板１３Ｍの状態で形成されている。
表示装置１を組み立てる工程では、複数の素子基板１１が形成されたマザー基板４１Ｍと、複数の封止基板１３が形成されているマザー基板１３Ｍとを、１組の素子基板１１及び封止基板１３ごとに、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。そして、接合されたマザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍを、表示装置１ごとに分割する。
【００７８】
ここで、マザー基板４１Ｍには、駆動素子層８１（図９）が形成される前の段階で、各マザー基板４１Ｍに固有の基板ＩＤが付与されている。同様に、マザー基板１３Ｍにも、図１２（ｂ）に示すように、各マザー基板１３Ｍに固有の基板ＩＤが付与されている。
各マザー基板４１Ｍに付与された基板ＩＤは、図１２（ａ）に示すように、ロット表示部１０７に表示されている。同様に、各マザー基板１３Ｍに付与された基板ＩＤは、図１２（ｂ）に示すように、ロット表示部１０９に表示されている。
【００７９】
各マザー基板４１Ｍは、駆動素子層８１の形成から表示装置１の組み立てまでの製造過程に関する過程情報が、種々の工程ごとに基板ＩＤとともに記録されていく。
同様に、各マザー基板１３Ｍも、表示装置１の組み立てまでの製造過程に関する過程情報が、種々の工程ごとに基板ＩＤとともに記録されていく。
各マザー基板４１Ｍの過程情報や、各マザー基板１３Ｍの過程情報は、種々の工程ごとに工程管理表などに記録されていく。
【００８０】
また、各素子基板１１には、駆動素子層８１（図９）が形成される前の段階で、各素子基板１１に固有の基板ＩＤが付与される。各素子基板１１に付与された基板ＩＤは、マザー基板４１Ｍの段階では表示されていない。
各素子基板１１に付与された基板ＩＤは、マザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍが接合された段階で、表示装置１ごとに複数の情報表示画素５Ｊに記録され得る。
複数の情報表示画素５Ｊに記録される情報としては、各表示装置１に固有のＩＤ情報、素子基板１１の基板ＩＤ、マザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍの基板ＩＤ、マザー基板４１Ｍの過程情報、マザー基板１３Ｍの過程情報、表示装置１の検査結果などが挙げられる。
【００８１】
また、マザー基板４１Ｍやマザー基板１３Ｍの過程情報としては、各素子基板１１の各構成を形成するために流動されたラインの番号や、使用された装置の種類、装置番号、レシピ番号などが挙げられる。
なお、表示装置１の検査結果などの情報は、接合されたマザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍを表示装置１ごとに分割した後に、各表示装置１を検査してから追加され得る。
【００８２】
ｎ個の情報表示画素５Ｊに情報を記録する方法としては、図１３に示すように、例えばレーザ光１１１を利用することができる。
レーザ光１１１を第１基板４１の底面１５側から画素電極２９に向けて照射することにより、図８に示す配線部２９ａを切断することができる。なお、レーザ光１１１としては、例えば、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザなどの赤外レーザや、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＣｌエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザなどの紫外レーザを採用することができる。
【００８３】
ｎ個の情報表示画素５Ｊに記録する情報としては、ＥＣＣ（エラー訂正符号）を付加した冗長な形式とすることが好ましい。これは、ｎ個の情報表示画素５Ｊのなかに表示欠陥が存在している場合でも、確実に情報を識別しやすくすることができるためである。
【００８４】
なお、表示装置１において、画素電極２９が第１電極に対応し、共通電極３３が第２電極に対応している。
表示装置１では、種々の情報を表示する複数の情報表示画素５Ｊが表示領域７内に設けられている。このため、種々の情報を表示領域７内に表示することができる。従って、表示装置１が種々の電子機器に組み込まれた後でも、これらの電子機器を分解せずに情報を確認しやすくすることができる。
【００８５】
複数の情報表示画素５Ｊが表示する情報には、個々の表示装置１に付与されたＩＤ情報や、この表示装置１の製造過程に関する過程情報が含まれている。従って、表示装置１が種々の電子機器に組み込まれた後でも、これらの電子機器を分解せずに表示装置１の過程情報を追跡しやすくすることができる。
【００８６】
また、表示装置１では、複数の情報表示画素５Ｊが、表示領域７の外縁に位置するｍ行目の画素行１９（ｍ）に設定されている。このため、複数の情報表示画素５Ｊを目立たなくすることができる。
【００８７】
また、表示装置１では、暗画素５Ｄが表示面３から光を射出不能に構成されているので、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの明暗を区別しやすくすることができる。
【００８８】
また、表示装置１では、半導体層５１から画素電極２９につながる配線部２９ａをレーザ光１１１で切断することによって暗画素５Ｄが光を射出不能に構成されている。表示装置１が組み立てられた後であっても、配線部２９ａをレーザ光１１１で切断することで暗画素５Ｄを追加することができる。つまり、表示装置１が組み立てられた後であっても、容易に情報を追記することができる。
【００８９】
なお、表示装置１では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【００９０】
ここで、第２実施形態について、電気光学装置の１つである液晶装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第２実施形態における表示装置１０は、図１４に示すように、表示パネル２０と、照明装置１２１とを有している。なお、以下において、表示装置１０の構成のうちで第１実施形態の表示装置１と同様の構成については、表示装置１の構成と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００９１】
表示パネル２０には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１０においても、複数の画素５が、ｍ行、且つｎ列のマトリクスＭを構成している。
表示装置１０は、照明装置１２１から表示パネル２０に入射された光を、表示パネル２０に設定されている複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示パネル２０の外に射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、図１４では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００９２】
表示パネル２０は、図１４中のＥ−Ｅ線における断面図である図１５に示すように、液晶パネル３０と、偏光板１２３ａ及び１２３ｂとを有している。
液晶パネル３０は、駆動素子基板１２５と、対向基板１２７と、液晶１２９とを有している。
駆動素子基板１２５には、表示面３側すなわち液晶１２９側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００９３】
対向基板１２７は、駆動素子基板１２５よりも表示面３側で駆動素子基板１２５に対向し、且つ駆動素子基板１２５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１２７には、表示パネル２０における表示面３の裏面に相当する面である底面１５側すなわち液晶１２９側に、後述する対向電極などが設けられている。
【００９４】
液晶１２９は、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に介在しており、表示パネル２０の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に封止されている。本実施形態では、液晶１２９として、ＴＮ（Twisted Nematic）型が採用されている。
【００９５】
偏光板１２３ａは、駆動素子基板１２５よりも底面１５側に設けられている。偏光板１２３ｂは、対向基板１２７よりも表示面３側に設けられている。表示装置１０では、偏光板１２３ａ及び１２３ｂは、偏光板１２３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１２３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに沿う方向に設定されている。偏光板１２３ａ及び１２３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００９６】
なお、偏光板１２３ａと駆動素子基板１２５との間や、偏光板１２３ｂと対向基板１２７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１２９を表示面３の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１２９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００９７】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００９８】
照明装置１２１は、表示パネル２０の底面１５側に設けられており、導光板１３１と、光源１３３とを有している。導光板１３１は、図１５で見て表示パネル２０の下側に設けられており、表示パネル２０の底面１５に対向する光射出面１３５ｂを有している。
光源１３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図１５で見て導光板１３１の側面１３５ａの右方に設けられている。
【００９９】
光源１３３からの光は、導光板１３１の側面１３５ａに入射される。導光板１３１に入射された光は、導光板１３１の中で反射を繰り返しながら光射出面１３５ｂから射出される。光射出面１３５ｂから射出された光は、表示パネル２０の底面１５から、偏光板１２３ａを介して表示パネル２０に入射される。なお、導光板１３１には、必要に応じて、光射出面１３５ｂに拡散板が設けられ、底面１３５ｃに反射板が設けられる。
表示パネル２０に設定されている複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図１６に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。
【０１００】
表示装置１０は、駆動素子基板１２５の回路構成を示す図である図１７に示すように、画素５ごとに、ＴＦＴ素子１４１と、保持容量１４３と、画素電極１４５とを有している。
また、表示装置１０は、ｍ本の走査線ＧＴと、ｍ本の容量線ＣＡと、ｎ本のデータ線ＳＩとを有している。
なお、以下においてｍ本の走査線ＧＴ及びｍ本の容量線ＣＡのそれぞれが識別される場合に、走査線ＧＴ（ｈ）という表記と、容量線ＣＡ（ｈ）という表記とが用いられる。
また、ｎ本のデータ線ＳＩのそれぞれが識別される場合には、データ線ＳＩ（ｉ）という表記が用いられる。
【０１０１】
ｍ本の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｍ本の容量線ＣＡは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各走査線ＧＴと各容量線ＣＡとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｎ本のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
【０１０２】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各容量線ＣＡは、それぞれ、図１６に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図１６に示す各画素列１８に対応している。
図１７に示す各ＴＦＴ素子１４１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子１４１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子１４１のドレイン電極は、画素電極１４５及び保持容量１４３の一方の電極に電気的につながっている。
保持容量１４３の他方の電極は、対応する各容量線ＣＡに電気的につながっている。
【０１０３】
ＴＦＴ素子１４１は、このＴＦＴ素子１４１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、このＴＦＴ素子１４１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、画素電極１４５がデータ信号の電位になる。画素電極１４５の電位は、データ信号の電位が保持容量１４３に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。
ここで、表示装置１０は、各画素電極１４５と対をなす後述する対向電極を有している。各画素電極１４５と対向電極との間に液晶１２９が介在している。画素電極１４５がデータ信号の電位に保たれると、画素電極１４５と対向電極との間に電界が形成される。この電界によって液晶１２９を駆動することができる。
【０１０４】
ここで、液晶パネル３０の駆動素子基板１２５及び対向基板１２７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板１２５は、図１６中のＦ−Ｆ線における断面図である図１８に示すように、第１基板１５１を有している。第１基板１５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面１５３ａと、底面１５側に向けられた第２面１５３ｂとを有している。
【０１０５】
第１基板１５１の第１面１５３ａには、ゲート絶縁膜１５５が設けられている。ゲート絶縁膜１５５の表示面３側には、絶縁膜１５７が設けられている。絶縁膜１５７の表示面３側には、配向膜１５９が設けられている。
【０１０６】
第１基板１５１の第１面１５３ａと、各画素電極１４５との間には、容量線ＣＡが設けられている。容量線ＣＡは、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。容量線ＣＡの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
ＴＦＴ素子１４１は、ゲート電極１７１と、半導体層１７３と、ソース電極１７５と、ドレイン電極１７７とを有している。
【０１０７】
ゲート電極１７１は、第１基板１５１の第１面１５３ａに設けられており、ゲート絶縁膜１５５によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート電極１７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜１５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層１７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜１５５を挟んでゲート電極１７１に対向する位置に設けられている。
【０１０８】
ソース電極１７５は、ゲート絶縁膜１５５の表示面３側に設けられており、一部が半導体層１７３に重なっている。ドレイン電極１７７は、ゲート絶縁膜１５５の表示面３側に設けられており、一部が半導体層１７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子１４１は、半導体層１７３がゲート電極１７１と、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、ＴＦＴ素子１４１は、絶縁膜１５７によって表示面３側から覆われている。なお、絶縁膜１５７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【０１０９】
画素電極１４５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜１５７の表示面３側に設けられている。画素電極１４５は、絶縁膜１５７に設けられたコンタクトホール１７９を介してドレイン電極１７７につながっている。
配向膜１５９は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜１５７及び画素電極１４５を表示面３から覆っている。なお、配向膜１５９には、配向処理が施されている。
【０１１０】
対向基板１２７は、第２基板１８１を有している。第２基板１８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１８２ａと、底面１５側に向けられた対向面１８２ｂとを有している。
第２基板１８１の対向面１８２ｂには、各画素５を区画する遮光膜１８３が領域１８４にわたって設けられている。表示装置１０では、各画素５は、遮光膜１８３によって囲まれた領域であると定義され得る。遮光膜１８３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
【０１１１】
また、第２基板１８１の対向面１８２ｂには、遮光膜１８３によって囲まれた各領域、すなわち各画素５の領域を底面１５側から覆うカラーフィルタ１８５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ１８５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１８５は、画素５ｒ、画素５ｇ及び画素５ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１８５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１８５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１８５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１８５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１８５ｒ、１８５ｇ及び１８５ｂという表記が用いられる。
【０１１２】
遮光膜１８３及びカラーフィルタ１８５の底面１５側には、オーバーコート層１８７が設けられている。オーバーコート層１８７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光膜１８３及びカラーフィルタ１８５を底面１５側から覆っている。
オーバーコート層１８７の底面１５側には、対向電極１８９が設けられている。対向電極１８９は、例えばＩＴＯ等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
【０１１３】
対向電極１８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極１８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素５に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。なお、対向電極１８９は、図示しない共通線につながっている。
対向電極１８９の底面１５側には、配向膜１９１が設けられている。配向膜１９１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極１８９を底面１５側から覆っている。配向膜１９１には、配向処理が施されている。
【０１１４】
駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に介在する液晶１２９は、配向膜１５９と配向膜１９１との間に介在している。表示装置１０では、図１５に示すシール材１７は、図１８に示す第１基板１５１の第１面１５３ａと、第２基板１８１の対向面１８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１０では、液晶１２９は、第１基板１５１及び第２基板１８１によって保持されている。なお、シール材１７は、配向膜１５９及び配向膜１９１の間に設けられていてもよい。この場合、液晶１２９は、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７に保持されているとみなされ得る。
【０１１５】
ＴＦＴ素子１４１は、図１８で見て左側の領域１８４内に設けられており、ドレイン電極１７７が領域１８４内から画素５の領域内に延長されている。Ｘ方向に隣り合う画素５間において、ゲート電極１７１同士は、走査線ＧＴによって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素５間において、ソース電極１７５同士は、データ線ＳＩによって接続されている。
【０１１６】
上記の構成を有する表示装置１０では、照明装置１２１から表示パネル２０に光を照射した状態で液晶１２９の配向状態を画素５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１２９の配向状態は、ＴＦＴ素子１４１のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【０１１７】
図１９（ａ）は、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図１９（ｂ）は、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１０では、偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１は、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に平面視で沿っている。配向膜１５９の配向方向２０５は、平面視で透過軸の方向２０１に沿っている。配向膜１９１の配向方向２０７は、平面視で透過軸の方向２０１に直交している。
なお、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が平面視で偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１に直交する方向を示し、Ｙ'方向がＸＹ平面内でＸ'方向に直交する方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【０１１８】
照明装置１２１から偏光板１２３ａに入射された入射光は、偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１すなわちＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光２０９として液晶１２９に入射される。
液晶１２９に入射された直線偏光２０９は、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときに、図１９（ａ）に示すように、液晶１２９の旋光性によってＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光２１１として偏光板１２３ｂに向けて射出される。偏光板１２３ｂに向けて射出された直線偏光２１１は、偏光軸の方向が偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に直交しているため、偏光板１２３ｂに吸収される。
【０１１９】
他方で、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときに、直線偏光２０９は、図１９（ｂ）に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光２０９として偏光板１２３ｂに向けて射出される。偏光板１２３ｂに向けて射出された直線偏光２０９は、偏光軸の方向が偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に沿っているため、偏光板１２３ｂを透過する。
【０１２０】
表示装置１０では、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときに表示面３からの光の射出が遮断され、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときに表示面３から光が射出される所謂ノーマリブラックの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、ノーマリホワイトも採用され得る。
【０１２１】
ここで、表示装置１０においても、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、図２０に示すように、画像表示画素５Ｐと、情報表示画素５Ｊとを含んでいる。
表示装置１０においても、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を構成するｎ個の画素５のそれぞれが、情報表示画素５Ｊとして設定されている。１行目の画素行１９（１）からｍ−１行目の画素行１９（ｍ−１）までに属する複数（ｎ×（ｍ−１）個）の画素５が、それぞれ画像表示画素５Ｐとして設定されている。
【０１２２】
ｎ個の情報表示画素５Ｊには、図２１に示すように、情報表示が行われているときに光を表示面３から射出する画素５である明画素５Ｌと、明画素５Ｌよりも暗い暗画素５Ｄとが含まれている。なお、図２１では、構成をわかりやすく示すため、暗画素５Ｄにハッチングが施されている。
【０１２３】
表示装置１０では、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。これは、図１８中のＫ部の拡大図である図２２に示すように、ドレイン電極１７７から画素電極１４５につながる配線部１４５ａが切断されていることによって達成されている。つまり、暗画素５Ｄは、画素電極１４５及び対向電極１８９間の電界の形成が遮断されている。このため、暗画素５Ｄにおける液晶１２９の駆動が不能とされている。これにより、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。
なお、配線部１４５ａの切断には、前述したレーザ光１１１が利用され得る。
【０１２４】
ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの並びによって識別される。ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”０”とし、暗画素５Ｄを”１”とする二進法のデータとして識別され得る。表示装置１０では、情報表示画素５Ｊがｎ個あるので、ｎビットのデータ長の情報が表示され得る。
なお、ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”１”とし、暗画素５Ｄを”０”とするデータも採用され得る。
【０１２５】
なお、表示装置１０において、画素電極１４５及び対向電極１８９が一対の電極に対応している。
表示装置１０においても、表示装置１と同様の効果が得られる。
【０１２６】
なお、表示装置１や表示装置１０では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を情報表示画素５Ｊとしたが、複数の情報表示画素５Ｊの位置はこれに限定されない。複数の情報表示画素５Ｊの位置としては、表示領域７の外縁に位置する１行目の画素行１９（１）でも、１列目の画素列１８（１）でも、ｎ列目の画素列１８（ｎ）でもよい。
【０１２７】
また、表示装置１や表示装置１０では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を情報表示画素５Ｊとしたが、複数の情報表示画素５Ｊはこれに限定されない。複数の情報表示画素５Ｊとしては、画素行１９（ｍ）の画素５に、画素行１９（１）や、画素列１８（１）や、画素列１８（ｎ）の画素５を加えた構成も採用され得る。これにより、情報表示画素５Ｊの個数を増やすことができるので、複数の情報表示画素５Ｊが表示し得る情報量を増やすことができる。
【０１２８】
また、表示装置１０では、ＴＮ型の液晶１２９を例に説明したが、液晶１２９はこれに限定されず、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の型が採用され得る。
【０１２９】
上述した表示装置１及び表示装置１０は、それぞれ例えば、図２３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１又は表示装置１０が適用されているので、電子機器５００を分解せずに表示装置１や表示装置１０に関する情報を確認しやすくすることができる。
【０１３０】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
また、表示パネル２０や液晶パネル３０は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】第１実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】第１実施形態における複数の情報表示画素を示す平面図。
【図８】図５中のＤ部の拡大図。
【図９】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１０】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】第１実施形態での素子基板の製造工程に適用され得る液滴吐出ヘッドの主要構成を示す斜視図。
【図１２】第１実施形態での素子基板及び封止基板のそれぞれの形成に適用され得るマザー基板を示す平面図。
【図１３】第１実施形態における情報表示画素に情報を記録する方法を説明する断面図。
【図１４】第２実施形態における表示装置を示す分解斜視図。
【図１５】図１４中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図１６】第２実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図１７】第２実施形態における表示装置の駆動素子基板の回路構成を示す図。
【図１８】図１６中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図１９】第２実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。
【図２０】第２実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図２１】第２実施形態における複数の情報表示画素を示す平面図。
【図２２】図１８中のＫ部の拡大図。
【図２３】第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれにおける表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１３２】
１，１０…表示装置、３…表示面、５…画素、５Ｐ…画像表示画素、５Ｊ…情報表示画素、５Ｌ…明画素、５Ｄ…暗画素、７…表示領域、１１…素子基板、１３…封止基板、１３Ｍ…マザー基板、１５…底面、１８…画素列、１９…画素行、２０…表示パネル、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、２９ａ…配線部、３０…液晶パネル、３１…有機層、３３…共通電極、４１Ｍ…マザー基板、６５…正孔注入層、６７…正孔輸送層、６９…発光層、１０７…ロット表示部、１０９…ロット表示部、１１１…レーザ光、１２５…駆動素子基板、１２７…対向基板、１２９…液晶、１４５…画素電極、１４５ａ…配線部、５００…電子機器、５１０…表示部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つとして、液晶パネルや有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルなどを有する表示装置が知られている。
液晶パネルは、一対の基板間に液晶が介在した構成を有している（例えば、特許文献１参照）。
また、有機ＥＬパネルは、発光層を含む有機層が一対の電極間に介在した有機ＥＬ素子を有している（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５６１１号公報
【特許文献２】特開２００７−２４８７０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの表示パネルでは、製造履歴などの情報を管理するために、個々の表示パネルを識別することが必要になる場合がある。このため、各表示パネルに固有のＩＤ（Identification）情報を付与して、個々の表示パネルをＩＤ情報で識別することが考えられる。
ＩＤ情報としては、文字や数字などを組み合わせた情報や、バーコード化された情報などの種々の形態が採用され得る。そして、各表示パネルにＩＤ情報を付記することにより、個々の表示パネルがＩＤ情報によって識別され得る。
【０００５】
各表示パネルにＩＤ情報などの情報を付記する場合には、付記した情報によって画像などの表示が妨げられないように、表示装置として画像などが表示され得る表示領域外に情報を付記することが好ましい。
しかしながら、表示領域外に情報が付記された表示パネルを種々の電子機器に組み込んだ場合、表示パネルに付記された情報が隠れてしまうことがある。この場合、表示パネルに付記された情報を確認するためには、この電子機器を分解しなければならない。
【０００６】
つまり、従来の電気光学装置では、電気光学装置に付された情報を確認することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００８】
［適用例１］画像を形成する光を射出する複数の画素と、前記画像が視認され得る表示面と、を有し、前記表示面には、平面視で前記複数の画素を包含する領域である表示領域が設定されており、前記複数の画素は、前記表示領域内に前記画像を表示する画像表示画素と、前記表示領域内に情報を表示する情報表示画素と、を有することを特徴とする電気光学装置。
【０００９】
適用例１の電気光学装置は、複数の画素と、表示面とを有している。複数の画素は、画像を形成する光を射出する。表示面には、表示領域が設定されている。表示領域は、平面視で複数の画素を包含する領域である。この電気光学装置では、複数の画素が画像表示画素と情報表示画素とを有している。画像表示画素は、表示領域内に画像を表示する。これにより、この電気光学装置では、画像は、表示領域に表示される。また、情報表示画素は、表示領域内に情報を表示する。この電気光学装置では、情報が表示領域内に表示され得るので、この電気光学装置が種々の電子機器に組み込まれた後でも、情報を確認しやすくすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記の電気光学装置であって、前記情報表示画素は、前記表示領域の外縁に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【００１１】
適用例２では、情報表示画素が表示領域の外縁に位置しているので、情報表示画素を目立たなくしやすい。
【００１２】
［適用例３］上記の電気光学装置であって、複数の前記情報表示画素を有しており、前記複数の情報表示画素には、前記光を射出する明画素と、前記明画素よりも暗い暗画素とが含まれており、前記情報は、前記複数の情報表示画素における前記明画素と前記暗画素との並びによって識別されることを特徴とする電気光学装置。
【００１３】
適用例３の電気光学装置は、複数の情報表示画素を有している。複数の情報表示画素には、光を射出する明画素と、明画素よりも暗い暗画素とが含まれている。そして、この電気光学装置では、情報は、複数の情報表示画素における明画素と暗画素との並びによって識別される。これにより、例えば明画素と暗画素とを２進数の数字などにあてはめることによって、複数の情報表示画素が示す情報を識別することができる。
【００１４】
［適用例４］上記の電気光学装置であって、前記暗画素は、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１５】
適用例４では、暗画素が光を射出不能に構成されているので、複数の情報表示画素における明画素と暗画素とを区別しやすくすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、各前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれており、前記暗画素は、前記第１電極につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１７】
適用例５の電気光学装置は、第１電極と、第２電極と、有機層とを有している。第１電極は、複数の画素の画素ごとに設けられている。第２電極は、各第１電極に対向している。有機層は、第１電極及び第２電極間に介在している。有機層には、発光層が含まれている。発光層は、第１電極及び第２電極の一方から有機層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流によって発光する。これにより、各画素から光を射出させることができる。そして、この電気光学装置では、暗画素は、第１電極につながる配線部が切断されていることによって、光を射出不能に構成されている。この結果、暗画素の有機層には電流が流れないため、発光層が発光しない。これにより、暗画素を構成することができる。
【００１８】
［適用例６］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有し、前記暗画素は、前記一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【００１９】
適用例６の電気光学装置は、一対の電極と、液晶とを有している。一対の電極は、複数の画素の画素ごとに電界を形成する。液晶は、電界の発生によって駆動される。この電気光学装置では、電界の発生を制御することにより、液晶に入射された光の変調状態を画素ごとに制御することができる。これにより、各画素から光を射出させることができる。そして、この電気光学装置では、暗画素は、一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、光を射出不能に構成されている。この結果、暗画素の液晶を駆動することができないため、暗画素を構成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記の電気光学装置であって、前記情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【００２１】
適用例７では、情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれている。このため、製造もとに保管されているデータを照合しなくても、過程情報を取得しやすくすることができる。
【００２２】
［適用例８］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、各前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【００２３】
適用例８の電気光学装置は、第１電極と、第２電極と、有機層とを有している。第１電極は、複数の画素の画素ごとに設けられている。第２電極は、各第１電極に対向している。有機層は、第１電極及び第２電極間に介在している。有機層には、発光層が含まれている。発光層は、第１電極及び第２電極の一方から有機層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流によって発光する。これにより、各画素から光を射出させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有していることを特徴とする電気光学装置。
【００２５】
適用例９の電気光学装置は、一対の電極と、液晶とを有している。一対の電極は、複数の画素の画素ごとに電界を形成する。液晶は、電界の発生によって駆動される。この電気光学装置では、電界の発生を制御することにより、液晶に入射された光の変調状態を画素ごとに制御することができる。これにより、各画素から光を射出させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施形態について、電気光学装置の１つである有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００２７】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１では、複数の画素５が、ｍ（ｍは、１以上の整数）行、且つｎ（ｎは、１以上の整数）列のマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００２８】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述する有機ＥＬ素子などが設けられている。なお、素子基板１１の表示面３側とは反対側の面１５は、表示装置１の底面として設定されている。以下において、面１５は、底面１５と表記される。
【００２９】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。素子基板１１と封止基板１３とは、接着剤１６を介して接合されている。表示装置１では、有機ＥＬ素子は、接着剤１６によって表示面３側から覆われている。
また、素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子と接着剤１６とが、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。
【００３０】
ここで、表示装置１における複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３１】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００３２】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列１８を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行１９を構成している。
複数の画素５がｍ行且つｎ列のマトリクスＭを構成する表示装置１では、マトリクスＭは、ｍ行の画素行１９及びｎ列の画素列１８を有している。
以下において、ｍ行の画素行１９のそれぞれが識別される場合には、画素行１９（ｈ）という表記が用いられる（ｈは、１〜ｍの整数）。ｎ列の画素列１８のそれぞれが識別される場合には、画素列１８（ｉ）という表記が用いられる（ｉは、１〜ｎの整数）。
【００３３】
１つの画素列１８内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列１８ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列１８ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列１８ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１８という表記と、画素列１８ｒ、画素列１８ｇ及び画素列１８ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００３４】
表示装置１は、回路構成を示す図である図４に示すように、画素５ごとに、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１と、ＴＦＴ素子２３と、保持容量２５と、有機ＥＬ素子２７とを有している。各有機ＥＬ素子２７は、画素電極２９と、有機層３１と、共通電極３３とを有している。
【００３５】
また、表示装置１は、ｍ本の走査線ＧＴと、ｎ本のデータ線ＳＩと、ｎ本の電源線ＰＷとを有している。
なお、以下においてｍ本の走査線ＧＴのそれぞれが識別される場合に、走査線ＧＴ（ｈ）という表記が用いられる。
また、ｎ本のデータ線ＳＩのそれぞれが識別される場合には、データ線ＳＩ（ｉ）という表記が用いられる。同様に、ｎ本の電源線ＰＷのそれぞれが識別される場合には、電源線ＰＷ（ｉ）という表記が用いられる。
【００３６】
ｍ本の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｎ本のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
ｎ本の電源線ＰＷは、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線ＰＷと各データ線ＳＩとがＸ方向に間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
【００３７】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴは、図３に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩ及び各電源線ＰＷは、それぞれ、図３に示す各画素列１８に対応している。
図４に示す各ＴＦＴ素子２１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子２１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。ＴＦＴ素子２１のドレイン電極は、ＴＦＴ素子２３のゲート電極及び保持容量２５の一方の電極に電気的につながっている。
【００３８】
保持容量２５の他方の電極と、ＴＦＴ素子２３のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各ＴＦＴ素子２３のドレイン電極は、各画素電極２９に電気的につながっている。各画素電極２９と共通電極３３とは、画素電極２９を陽極とし、共通電極３３を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極２９と共通電極３３との間に介在する有機層３１は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
【００３９】
ＴＦＴ素子２１は、このＴＦＴ素子２１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、このＴＦＴ素子２１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、ＴＦＴ素子２３がＯＮ状態になる。ＴＦＴ素子２３のゲート電位は、データ信号の電位が保持容量２５に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、ＴＦＴ素子２３のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。
【００４０】
ＴＦＴ素子２３のＯＮ状態が保持されているときに、ＴＦＴ素子２３のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極２９と有機層３１を経て共通電極３３に流れる。そして、有機層３１に含まれる発光層が、有機層３１を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
表示装置１は、有機層３１に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。なお、表示装置１では、表示面３側という表現が上側とも表現され、底面１５側という表現が下側とも表現される。
【００４１】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図５に示すように、第１基板４１を有している。なお、図５では、構成をわかりやすく示すため、ＴＦＴ素子２１及び保持容量２５並びにデータ線ＳＩが省略されている。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００４２】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５のＴＦＴ素子２３に対応して、半導体層５１が設けられている。半導体層５１は、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００４３】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面視で半導体層５１に重なる領域にゲート電極５３が設けられている。ゲート電極５３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極５３は、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００４４】
絶縁膜４５の表示面３側には、平面視で半導体層５１のソース領域（図示せず）に重なる領域にソース電極５５が設けられている。ソース電極５５は、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５７を介して半導体層５１のソース領域（図示せず）につながっている。ソース電極５５の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極５５は、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
【００４５】
絶縁膜４７の表示面３側には、画素電極２９が設けられている。画素電極２９は、絶縁膜４７、絶縁膜４５及びゲート絶縁膜４３に設けられたコンタクトホール５９を介して半導体層５１のドレイン領域（図示せず）につながっている。画素電極２９の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
【００４６】
画素電極２９を陽極として機能させる場合には、画素電極２９の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極２９の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極２９と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。
また、絶縁膜４５及び４７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００４７】
隣り合う画素電極２９同士の間には、各画素５を区画する絶縁膜６１が領域６２にわたって設けられている。絶縁膜６１は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されており、平面視で格子状に設けられている。絶縁膜６１は、表示領域７にわたって設けられている。このため、表示領域７は、絶縁膜６１によって複数の画素５の領域に区画されている。なお、各画素電極２９は、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域に平面視で重なっている。
【００４８】
絶縁膜６１の表示面３側には、各画素５の領域を囲む遮光膜６３が設けられている。遮光膜６３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミドなどの樹脂で構成されており、平面視で格子状に設けられている。
画素電極２９の表示面３側には、遮光膜６３に囲まれた領域内に、有機層３１が設けられている。
【００４９】
有機層３１は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層６５と、正孔輸送層６７と、発光層６９とを有している。
正孔注入層６５は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜６１によって囲まれた領域内で、画素電極２９の表示面３側に設けられている。
正孔注入層６５の有機材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層６５の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００５０】
正孔輸送層６７は、有機材料で構成されており、平面視で遮光膜６３によって囲まれた領域内で、正孔注入層６５の表示面３側に設けられている。
正孔輸送層６７の有機材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【００５１】
【化１】
【００５２】
発光層６９は、有機材料で構成されており、平面視で遮光膜６３によって囲まれた領域内で、正孔輸送層６７の表示面３側に設けられている。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
【００５３】
【化２】
【００５４】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢと、上記化合物２として示されるＦ８とを混合したものが採用され得る。
【００５５】
【化３】
【００５６】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層６９の有機材料としては、例えば、上記化合物２として示されるＦ８が採用され得る。
【００５７】
有機層３１の表示面３側には、図５に示すように、遮光膜６３に囲まれた領域内に、電子注入層７１が設けられている。電子注入層７１の材料としては、例えばカルシウムなどが採用され得る。
電子注入層７１の表示面３側には、共通電極３３が設けられている。共通電極３３は、例えば、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物等の光透過性を有する材料や、マグネシウム銀等を薄膜化して光透過性を付与したものなどで構成され、電子注入層７１及び遮光膜６３を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
【００５８】
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で画素電極２９と有機層３１と共通電極３３とが重なる領域であると定義され得る。また、画素５ごとに発光する領域を構成する要素の一群が１つの有機ＥＬ素子２７であると定義され得る。表示装置１では、１つの有機ＥＬ素子２７は、１つの画素電極２９と、１つの有機層３１と、１つの電子注入層７１と、１つの画素５に対応する共通電極３３とを含んだ構成を有している。
【００５９】
封止基板１３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１３ａと、底面１５側に向けられた対向面１３ｂとを有している。
上記の構成を有する素子基板１１及び封止基板１３は、素子基板１１の共通電極３３と封止基板１３の対向面１３ｂとの間が、接着剤１６を介して接合されている。
【００６０】
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図５に示す第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６が、第１基板４１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、対向面１３ｂ及び共通電極３３の間に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子２７及び接着剤１６は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【００６１】
ここで、表示装置１では、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、画像表示に寄与する画素５である画像表示画素と、画像表示には寄与せずに、画像とは異なる情報を表示する画素５である情報表示画素とを含んでいる。
表示装置１では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を構成するｎ個の画素５のそれぞれが、図６に示すように、情報表示画素５Ｊとして設定されている。１行目の画素行１９（１）からｍ−１行目の画素行１９（ｍ−１）までに属する複数（ｎ×（ｍ−１）個）の画素５が、それぞれ画像表示画素５Ｐとして設定されている。
【００６２】
複数の情報表示画素５Ｊが表示する情報には、個々の表示装置１に付与されたＩＤ情報や、この表示装置１の製造過程に関する過程情報が含まれている。
複数の画像表示画素５Ｐで画像表示を行うとき、各走査線ＧＴに供給される選択信号は、走査線ＧＴ（ｍ）を除く走査線ＧＴ（１）〜走査線ＧＴ（ｍ−１）までのｍ−１本に順次供給される。
他方で、ｎ個の情報表示画素５Ｊに情報を表示させるときには、走査線ＧＴ（ｍ）に選択信号を供給しつつｎ本のデータ線ＳＩにデータ信号を供給することによって、情報表示が行われる。
【００６３】
ｎ個の情報表示画素５Ｊには、複数の情報表示画素５Ｊを示す平面図である図７に示すように、情報表示が行われているときに光を表示面３から射出する画素５である明画素５Ｌと、明画素５Ｌよりも暗い暗画素５Ｄとが含まれている。なお、図７では、構成をわかりやすく示すため、暗画素５Ｄにハッチングが施されている。
なお、表示装置１では、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。これは、図５中のＤ部の拡大図である図８に示すように、半導体層５１から画素電極２９につながる配線部２９ａが切断されていることによって達成されている。つまり、暗画素５Ｄは、有機層３１への通電が遮断されている。これにより、暗画素５Ｄの発光層６９は、発光不能に構成されている。
【００６４】
ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの並びによって識別される。ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”０”とし、暗画素５Ｄを”１”とする二進法のデータとして識別され得る。表示装置１では、情報表示画素５Ｊがｎ個あるので、ｎビットのデータ長の情報が表示され得る。
なお、ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”１”とし、暗画素５Ｄを”０”とするデータも採用され得る。
【００６５】
ここで、表示装置１の製造方法について説明する。
表示装置１の製造方法は、素子基板１１を製造する工程と、表示装置１を組み立てる工程とに大別される。
素子基板１１を製造する工程では、図９（ａ）に示すように、まず、第１基板４１の第１面４２ａに駆動素子層８１を形成する。この駆動素子層８１には、前述したＴＦＴ素子２１、ＴＦＴ素子２３、保持容量２５、画素電極２９、ゲート絶縁膜４３、絶縁膜４５、絶縁膜４７などが含まれている。
【００６６】
次いで、図９（ｂ）に示すように、平面視で画素電極２９の周縁及び絶縁膜４７に重なる領域（図５に示す領域６２）に絶縁膜６１を形成する。
次いで、図９（ｃ）に示すように、平面視で絶縁膜６１に重なる領域に遮光膜６３を形成する。
次いで、画素電極２９をＯ2プラズマ処理などで活性化させてから、遮光膜６３の表面にＣＦ4プラズマ処理などで撥液性を付与する。
【００６７】
次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁膜６１によって囲まれた各画素５の領域内に後述する液滴吐出ヘッド８３から、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれた液状体６５ａを液滴６５ｂとして吐出することで、各画素５の領域内に液状体６５ａを配置する。
なお、液滴吐出ヘッド８３から液状体６５ａなどを液滴として吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体６５ａなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の１つである。
【００６８】
ここで、液滴吐出ヘッド８３の構成について説明する。
液滴吐出ヘッド８３は、斜視図である図１１に示すように、ノズルプレート８５と、振動板８７と、複数の圧電素子８９と、複数の隔壁部９１とを有している。ノズルプレート８５には、液状体を液滴９３として吐出する複数個のノズル９５が、図中Ｘ'方向に沿って所定間隔で形成されている。また、振動板８７には、図示しない外部タンクから供給される液状体の受け口となる孔９７が形成されている。
【００６９】
複数の隔壁部９１は、Ｘ'方向に沿って所定間隔で並び、ノズルプレート８５と振動板８７とに挟まれている。また、ノズルプレート８５と振動板８７との間には、孔９７に連通し、孔９７を介して液状体が充填される液たまり９９が形成されている。そして、Ｘ'方向に隣り合う隔壁部９１同士間には、供給路１０１を介して液たまり９９に連通するキャビティ１０３が形成されている。なお、各ノズル９５は、各キャビティ１０３に連通している。
上記の構成を有する液滴吐出ヘッド８３は、圧電素子８９が駆動されると、キャビティ１０３内の液状体を、各ノズル９５から液滴９３として吐出する。
【００７０】
各画素５の領域内に配置された液状体６５ａを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図１０（ｂ）に示す正孔注入層６５が形成され得る。なお、正孔注入層６５を構成する有機材料が含まれた液状体６５ａは、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体６５ａの焼成条件は、環境温度が約２００℃で、保持時間が約１０分間である。
【００７１】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、遮光膜６３によって囲まれた領域内に液滴吐出ヘッド８３から、正孔輸送層６７を構成する有機材料が含まれた液状体６７ａを液滴６７ｂとして吐出することで、遮光膜６３によって囲まれた領域内に液状体６７ａを配置する。このとき、正孔注入層６５は、液状体６７ａによって覆われる。なお、液状体６７ａは、ＴＦＢを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７２】
次いで、液状体６７ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図１０（ｃ）に示す正孔輸送層６７が形成され得る。なお、液状体６７ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７３】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、遮光膜６３によって囲まれた各領域内に、発光層６９を構成する有機材料が含まれた液状体６９ａを配置する。液状体６９ａは、液滴吐出ヘッド８３から液状体６９ａを液滴６９ｂとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層６７は、液状体６９ａによって覆われる。なお、液状体６９ａは、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
【００７４】
次いで、液状体６９ａを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図５に示す発光層６９が形成され得る。液状体６９ａの焼成条件は、環境温度が約１３０℃で、保持時間が約１時間である。
【００７５】
次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、遮光膜６３に囲まれた領域内に形成することにより、図５に示す電子注入層７１が形成され得る。このとき、電子注入層７１は、遮光膜６３をマスクで表示面３側から覆った状態で形成され得る。
次いで、スパッタリング技術などを活用してＩＴＯ等の膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用してパターニングすることにより、図５に示す共通電極３３が形成され得る。これにより、素子基板１１が製造され得る。
【００７６】
表示装置１を組み立てる工程では、図２に示すように、素子基板１１及び封止基板１３を、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。
このとき、素子基板１１及び封止基板１３は、図５に示すように、第１基板４１の第１面４２ａと、封止基板１３の対向面１３ｂとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置１が製造され得る。
【００７７】
上述した素子基板１１を製造する工程では、複数の素子基板１１が、平面図である図１２（ａ）に示すように、マザー基板４１Ｍの状態で形成される。
また、複数の封止基板１３が、平面図である図１２（ｂ）に示すように、マザー基板１３Ｍの状態で形成されている。
表示装置１を組み立てる工程では、複数の素子基板１１が形成されたマザー基板４１Ｍと、複数の封止基板１３が形成されているマザー基板１３Ｍとを、１組の素子基板１１及び封止基板１３ごとに、接着剤１６及びシール材１７を介して接合する。そして、接合されたマザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍを、表示装置１ごとに分割する。
【００７８】
ここで、マザー基板４１Ｍには、駆動素子層８１（図９）が形成される前の段階で、各マザー基板４１Ｍに固有の基板ＩＤが付与されている。同様に、マザー基板１３Ｍにも、図１２（ｂ）に示すように、各マザー基板１３Ｍに固有の基板ＩＤが付与されている。
各マザー基板４１Ｍに付与された基板ＩＤは、図１２（ａ）に示すように、ロット表示部１０７に表示されている。同様に、各マザー基板１３Ｍに付与された基板ＩＤは、図１２（ｂ）に示すように、ロット表示部１０９に表示されている。
【００７９】
各マザー基板４１Ｍは、駆動素子層８１の形成から表示装置１の組み立てまでの製造過程に関する過程情報が、種々の工程ごとに基板ＩＤとともに記録されていく。
同様に、各マザー基板１３Ｍも、表示装置１の組み立てまでの製造過程に関する過程情報が、種々の工程ごとに基板ＩＤとともに記録されていく。
各マザー基板４１Ｍの過程情報や、各マザー基板１３Ｍの過程情報は、種々の工程ごとに工程管理表などに記録されていく。
【００８０】
また、各素子基板１１には、駆動素子層８１（図９）が形成される前の段階で、各素子基板１１に固有の基板ＩＤが付与される。各素子基板１１に付与された基板ＩＤは、マザー基板４１Ｍの段階では表示されていない。
各素子基板１１に付与された基板ＩＤは、マザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍが接合された段階で、表示装置１ごとに複数の情報表示画素５Ｊに記録され得る。
複数の情報表示画素５Ｊに記録される情報としては、各表示装置１に固有のＩＤ情報、素子基板１１の基板ＩＤ、マザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍの基板ＩＤ、マザー基板４１Ｍの過程情報、マザー基板１３Ｍの過程情報、表示装置１の検査結果などが挙げられる。
【００８１】
また、マザー基板４１Ｍやマザー基板１３Ｍの過程情報としては、各素子基板１１の各構成を形成するために流動されたラインの番号や、使用された装置の種類、装置番号、レシピ番号などが挙げられる。
なお、表示装置１の検査結果などの情報は、接合されたマザー基板４１Ｍ及びマザー基板１３Ｍを表示装置１ごとに分割した後に、各表示装置１を検査してから追加され得る。
【００８２】
ｎ個の情報表示画素５Ｊに情報を記録する方法としては、図１３に示すように、例えばレーザ光１１１を利用することができる。
レーザ光１１１を第１基板４１の底面１５側から画素電極２９に向けて照射することにより、図８に示す配線部２９ａを切断することができる。なお、レーザ光１１１としては、例えば、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザなどの赤外レーザや、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＣｌエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザなどの紫外レーザを採用することができる。
【００８３】
ｎ個の情報表示画素５Ｊに記録する情報としては、ＥＣＣ（エラー訂正符号）を付加した冗長な形式とすることが好ましい。これは、ｎ個の情報表示画素５Ｊのなかに表示欠陥が存在している場合でも、確実に情報を識別しやすくすることができるためである。
【００８４】
なお、表示装置１において、画素電極２９が第１電極に対応し、共通電極３３が第２電極に対応している。
表示装置１では、種々の情報を表示する複数の情報表示画素５Ｊが表示領域７内に設けられている。このため、種々の情報を表示領域７内に表示することができる。従って、表示装置１が種々の電子機器に組み込まれた後でも、これらの電子機器を分解せずに情報を確認しやすくすることができる。
【００８５】
複数の情報表示画素５Ｊが表示する情報には、個々の表示装置１に付与されたＩＤ情報や、この表示装置１の製造過程に関する過程情報が含まれている。従って、表示装置１が種々の電子機器に組み込まれた後でも、これらの電子機器を分解せずに表示装置１の過程情報を追跡しやすくすることができる。
【００８６】
また、表示装置１では、複数の情報表示画素５Ｊが、表示領域７の外縁に位置するｍ行目の画素行１９（ｍ）に設定されている。このため、複数の情報表示画素５Ｊを目立たなくすることができる。
【００８７】
また、表示装置１では、暗画素５Ｄが表示面３から光を射出不能に構成されているので、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの明暗を区別しやすくすることができる。
【００８８】
また、表示装置１では、半導体層５１から画素電極２９につながる配線部２９ａをレーザ光１１１で切断することによって暗画素５Ｄが光を射出不能に構成されている。表示装置１が組み立てられた後であっても、配線部２９ａをレーザ光１１１で切断することで暗画素５Ｄを追加することができる。つまり、表示装置１が組み立てられた後であっても、容易に情報を追記することができる。
【００８９】
なお、表示装置１では、有機層３１からの光を封止基板１３を介して表示面３から射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に説明したが、有機ＥＬ装置はこれに限定されない。有機ＥＬ装置は、有機層３１からの光を素子基板１１を介して底面１５から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層３１からの光が底面１５から射出されるので、底面１５側に表示面３が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置１の底面１５と表示面３とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面１５側が上側に対応し、表示面３側が下側に対応する。
【００９０】
ここで、第２実施形態について、電気光学装置の１つである液晶装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第２実施形態における表示装置１０は、図１４に示すように、表示パネル２０と、照明装置１２１とを有している。なお、以下において、表示装置１０の構成のうちで第１実施形態の表示装置１と同様の構成については、表示装置１の構成と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００９１】
表示パネル２０には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１０においても、複数の画素５が、ｍ行、且つｎ列のマトリクスＭを構成している。
表示装置１０は、照明装置１２１から表示パネル２０に入射された光を、表示パネル２０に設定されている複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示パネル２０の外に射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、図１４では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張され、且つ画素５の個数が減じられている。
【００９２】
表示パネル２０は、図１４中のＥ−Ｅ線における断面図である図１５に示すように、液晶パネル３０と、偏光板１２３ａ及び１２３ｂとを有している。
液晶パネル３０は、駆動素子基板１２５と、対向基板１２７と、液晶１２９とを有している。
駆動素子基板１２５には、表示面３側すなわち液晶１２９側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００９３】
対向基板１２７は、駆動素子基板１２５よりも表示面３側で駆動素子基板１２５に対向し、且つ駆動素子基板１２５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１２７には、表示パネル２０における表示面３の裏面に相当する面である底面１５側すなわち液晶１２９側に、後述する対向電極などが設けられている。
【００９４】
液晶１２９は、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に介在しており、表示パネル２０の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に封止されている。本実施形態では、液晶１２９として、ＴＮ（Twisted Nematic）型が採用されている。
【００９５】
偏光板１２３ａは、駆動素子基板１２５よりも底面１５側に設けられている。偏光板１２３ｂは、対向基板１２７よりも表示面３側に設けられている。表示装置１０では、偏光板１２３ａ及び１２３ｂは、偏光板１２３ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板１２３ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに沿う方向に設定されている。偏光板１２３ａ及び１２３ｂは、それぞれ、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００９６】
なお、偏光板１２３ａと駆動素子基板１２５との間や、偏光板１２３ｂと対向基板１２７との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１２９を表示面３の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１２９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００９７】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００９８】
照明装置１２１は、表示パネル２０の底面１５側に設けられており、導光板１３１と、光源１３３とを有している。導光板１３１は、図１５で見て表示パネル２０の下側に設けられており、表示パネル２０の底面１５に対向する光射出面１３５ｂを有している。
光源１３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図１５で見て導光板１３１の側面１３５ａの右方に設けられている。
【００９９】
光源１３３からの光は、導光板１３１の側面１３５ａに入射される。導光板１３１に入射された光は、導光板１３１の中で反射を繰り返しながら光射出面１３５ｂから射出される。光射出面１３５ｂから射出された光は、表示パネル２０の底面１５から、偏光板１２３ａを介して表示パネル２０に入射される。なお、導光板１３１には、必要に応じて、光射出面１３５ｂに拡散板が設けられ、底面１３５ｃに反射板が設けられる。
表示パネル２０に設定されている複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図１６に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。
【０１００】
表示装置１０は、駆動素子基板１２５の回路構成を示す図である図１７に示すように、画素５ごとに、ＴＦＴ素子１４１と、保持容量１４３と、画素電極１４５とを有している。
また、表示装置１０は、ｍ本の走査線ＧＴと、ｍ本の容量線ＣＡと、ｎ本のデータ線ＳＩとを有している。
なお、以下においてｍ本の走査線ＧＴ及びｍ本の容量線ＣＡのそれぞれが識別される場合に、走査線ＧＴ（ｈ）という表記と、容量線ＣＡ（ｈ）という表記とが用いられる。
また、ｎ本のデータ線ＳＩのそれぞれが識別される場合には、データ線ＳＩ（ｉ）という表記が用いられる。
【０１０１】
ｍ本の走査線ＧＴは、それぞれ走査線駆動回路３４につながっており、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｍ本の容量線ＣＡは、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各走査線ＧＴと各容量線ＣＡとがＹ方向に間隔をあけた状態でＸ方向に延びている。
ｎ本のデータ線ＳＩは、それぞれデータ線駆動回路３５につながっており、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態でＹ方向に延びている。
【０１０２】
各画素５は、各走査線ＧＴと各データ線ＳＩとの交差に対応して設定されている。各走査線ＧＴ及び各容量線ＣＡは、それぞれ、図１６に示す各画素行１９に対応している。各データ線ＳＩは、図１６に示す各画素列１８に対応している。
図１７に示す各ＴＦＴ素子１４１のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子１４１のソース電極は、対応する各データ線ＳＩに電気的につながっている。各ＴＦＴ素子１４１のドレイン電極は、画素電極１４５及び保持容量１４３の一方の電極に電気的につながっている。
保持容量１４３の他方の電極は、対応する各容量線ＣＡに電気的につながっている。
【０１０３】
ＴＦＴ素子１４１は、このＴＦＴ素子１４１につながる走査線ＧＴに選択信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、このＴＦＴ素子１４１につながるデータ線ＳＩからデータ信号が供給され、画素電極１４５がデータ信号の電位になる。画素電極１４５の電位は、データ信号の電位が保持容量１４３に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。
ここで、表示装置１０は、各画素電極１４５と対をなす後述する対向電極を有している。各画素電極１４５と対向電極との間に液晶１２９が介在している。画素電極１４５がデータ信号の電位に保たれると、画素電極１４５と対向電極との間に電界が形成される。この電界によって液晶１２９を駆動することができる。
【０１０４】
ここで、液晶パネル３０の駆動素子基板１２５及び対向基板１２７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
駆動素子基板１２５は、図１６中のＦ−Ｆ線における断面図である図１８に示すように、第１基板１５１を有している。第１基板１５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面１５３ａと、底面１５側に向けられた第２面１５３ｂとを有している。
【０１０５】
第１基板１５１の第１面１５３ａには、ゲート絶縁膜１５５が設けられている。ゲート絶縁膜１５５の表示面３側には、絶縁膜１５７が設けられている。絶縁膜１５７の表示面３側には、配向膜１５９が設けられている。
【０１０６】
第１基板１５１の第１面１５３ａと、各画素電極１４５との間には、容量線ＣＡが設けられている。容量線ＣＡは、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。容量線ＣＡの材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
ＴＦＴ素子１４１は、ゲート電極１７１と、半導体層１７３と、ソース電極１７５と、ドレイン電極１７７とを有している。
【０１０７】
ゲート電極１７１は、第１基板１５１の第１面１５３ａに設けられており、ゲート絶縁膜１５５によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート電極１７１の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜１５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層１７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜１５５を挟んでゲート電極１７１に対向する位置に設けられている。
【０１０８】
ソース電極１７５は、ゲート絶縁膜１５５の表示面３側に設けられており、一部が半導体層１７３に重なっている。ドレイン電極１７７は、ゲート絶縁膜１５５の表示面３側に設けられており、一部が半導体層１７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子１４１は、半導体層１７３がゲート電極１７１と、ソース電極１７５及びドレイン電極１７７との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
そして、ＴＦＴ素子１４１は、絶縁膜１５７によって表示面３側から覆われている。なお、絶縁膜１５７の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【０１０９】
画素電極１４５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成され、絶縁膜１５７の表示面３側に設けられている。画素電極１４５は、絶縁膜１５７に設けられたコンタクトホール１７９を介してドレイン電極１７７につながっている。
配向膜１５９は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜１５７及び画素電極１４５を表示面３から覆っている。なお、配向膜１５９には、配向処理が施されている。
【０１１０】
対向基板１２７は、第２基板１８１を有している。第２基板１８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面１８２ａと、底面１５側に向けられた対向面１８２ｂとを有している。
第２基板１８１の対向面１８２ｂには、各画素５を区画する遮光膜１８３が領域１８４にわたって設けられている。表示装置１０では、各画素５は、遮光膜１８３によって囲まれた領域であると定義され得る。遮光膜１８３は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で格子状に設けられている。
【０１１１】
また、第２基板１８１の対向面１８２ｂには、遮光膜１８３によって囲まれた各領域、すなわち各画素５の領域を底面１５側から覆うカラーフィルタ１８５が設けられている。
ここで、カラーフィルタ１８５は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１８５は、画素５ｒ、画素５ｇ及び画素５ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素５ｒに対応するカラーフィルタ１８５は、Ｒの光を透過させることができる。画素５ｇに対応するカラーフィルタ１８５はＧの光を透過させ、画素５ｂに対応するカラーフィルタ１８５はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１８５に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１８５ｒ、１８５ｇ及び１８５ｂという表記が用いられる。
【０１１２】
遮光膜１８３及びカラーフィルタ１８５の底面１５側には、オーバーコート層１８７が設けられている。オーバーコート層１８７は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光膜１８３及びカラーフィルタ１８５を底面１５側から覆っている。
オーバーコート層１８７の底面１５側には、対向電極１８９が設けられている。対向電極１８９は、例えばＩＴＯ等の酸化導電膜や、Ｍｇ及びＡｇ等の金属が光透過性を有するように薄膜化したものなどの光透過性を有する材料で構成されている。
【０１１３】
対向電極１８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている。つまり、対向電極１８９は、マトリクスＭを構成する複数の画素５に平面視で重なる領域に設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。なお、対向電極１８９は、図示しない共通線につながっている。
対向電極１８９の底面１５側には、配向膜１９１が設けられている。配向膜１９１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、対向電極１８９を底面１５側から覆っている。配向膜１９１には、配向処理が施されている。
【０１１４】
駆動素子基板１２５及び対向基板１２７の間に介在する液晶１２９は、配向膜１５９と配向膜１９１との間に介在している。表示装置１０では、図１５に示すシール材１７は、図１８に示す第１基板１５１の第１面１５３ａと、第２基板１８１の対向面１８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１０では、液晶１２９は、第１基板１５１及び第２基板１８１によって保持されている。なお、シール材１７は、配向膜１５９及び配向膜１９１の間に設けられていてもよい。この場合、液晶１２９は、駆動素子基板１２５及び対向基板１２７に保持されているとみなされ得る。
【０１１５】
ＴＦＴ素子１４１は、図１８で見て左側の領域１８４内に設けられており、ドレイン電極１７７が領域１８４内から画素５の領域内に延長されている。Ｘ方向に隣り合う画素５間において、ゲート電極１７１同士は、走査線ＧＴによって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素５間において、ソース電極１７５同士は、データ線ＳＩによって接続されている。
【０１１６】
上記の構成を有する表示装置１０では、照明装置１２１から表示パネル２０に光を照射した状態で液晶１２９の配向状態を画素５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１２９の配向状態は、ＴＦＴ素子１４１のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【０１１７】
図１９（ａ）は、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図１９（ｂ）は、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１０では、偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１は、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示すように、偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に平面視で沿っている。配向膜１５９の配向方向２０５は、平面視で透過軸の方向２０１に沿っている。配向膜１９１の配向方向２０７は、平面視で透過軸の方向２０１に直交している。
なお、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が平面視で偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１に直交する方向を示し、Ｙ'方向がＸＹ平面内でＸ'方向に直交する方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【０１１８】
照明装置１２１から偏光板１２３ａに入射された入射光は、偏光板１２３ａの透過軸の方向２０１すなわちＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光２０９として液晶１２９に入射される。
液晶１２９に入射された直線偏光２０９は、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときに、図１９（ａ）に示すように、液晶１２９の旋光性によってＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光２１１として偏光板１２３ｂに向けて射出される。偏光板１２３ｂに向けて射出された直線偏光２１１は、偏光軸の方向が偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に直交しているため、偏光板１２３ｂに吸収される。
【０１１９】
他方で、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときに、直線偏光２０９は、図１９（ｂ）に示すように、偏光状態が維持されたまま直線偏光２０９として偏光板１２３ｂに向けて射出される。偏光板１２３ｂに向けて射出された直線偏光２０９は、偏光軸の方向が偏光板１２３ｂの透過軸の方向２０３に沿っているため、偏光板１２３ｂを透過する。
【０１２０】
表示装置１０では、ＴＦＴ素子１４１がＯＦＦ状態のときに表示面３からの光の射出が遮断され、ＴＦＴ素子１４１がＯＮ状態のときに表示面３から光が射出される所謂ノーマリブラックの表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、ノーマリホワイトも採用され得る。
【０１２１】
ここで、表示装置１０においても、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、図２０に示すように、画像表示画素５Ｐと、情報表示画素５Ｊとを含んでいる。
表示装置１０においても、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を構成するｎ個の画素５のそれぞれが、情報表示画素５Ｊとして設定されている。１行目の画素行１９（１）からｍ−１行目の画素行１９（ｍ−１）までに属する複数（ｎ×（ｍ−１）個）の画素５が、それぞれ画像表示画素５Ｐとして設定されている。
【０１２２】
ｎ個の情報表示画素５Ｊには、図２１に示すように、情報表示が行われているときに光を表示面３から射出する画素５である明画素５Ｌと、明画素５Ｌよりも暗い暗画素５Ｄとが含まれている。なお、図２１では、構成をわかりやすく示すため、暗画素５Ｄにハッチングが施されている。
【０１２３】
表示装置１０では、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。これは、図１８中のＫ部の拡大図である図２２に示すように、ドレイン電極１７７から画素電極１４５につながる配線部１４５ａが切断されていることによって達成されている。つまり、暗画素５Ｄは、画素電極１４５及び対向電極１８９間の電界の形成が遮断されている。このため、暗画素５Ｄにおける液晶１２９の駆動が不能とされている。これにより、暗画素５Ｄは、光を表示面３から射出不能に構成されている。
なお、配線部１４５ａの切断には、前述したレーザ光１１１が利用され得る。
【０１２４】
ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌと暗画素５Ｄとの並びによって識別される。ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”０”とし、暗画素５Ｄを”１”とする二進法のデータとして識別され得る。表示装置１０では、情報表示画素５Ｊがｎ個あるので、ｎビットのデータ長の情報が表示され得る。
なお、ｎ個の情報表示画素５Ｊが表示する情報は、明画素５Ｌを”１”とし、暗画素５Ｄを”０”とするデータも採用され得る。
【０１２５】
なお、表示装置１０において、画素電極１４５及び対向電極１８９が一対の電極に対応している。
表示装置１０においても、表示装置１と同様の効果が得られる。
【０１２６】
なお、表示装置１や表示装置１０では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を情報表示画素５Ｊとしたが、複数の情報表示画素５Ｊの位置はこれに限定されない。複数の情報表示画素５Ｊの位置としては、表示領域７の外縁に位置する１行目の画素行１９（１）でも、１列目の画素列１８（１）でも、ｎ列目の画素列１８（ｎ）でもよい。
【０１２７】
また、表示装置１や表示装置１０では、ｍ行目の画素行１９（ｍ）を情報表示画素５Ｊとしたが、複数の情報表示画素５Ｊはこれに限定されない。複数の情報表示画素５Ｊとしては、画素行１９（ｍ）の画素５に、画素行１９（１）や、画素列１８（１）や、画素列１８（ｎ）の画素５を加えた構成も採用され得る。これにより、情報表示画素５Ｊの個数を増やすことができるので、複数の情報表示画素５Ｊが表示し得る情報量を増やすことができる。
【０１２８】
また、表示装置１０では、ＴＮ型の液晶１２９を例に説明したが、液晶１２９はこれに限定されず、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の型が採用され得る。
【０１２９】
上述した表示装置１及び表示装置１０は、それぞれ例えば、図２３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１又は表示装置１０が適用されているので、電子機器５００を分解せずに表示装置１や表示装置１０に関する情報を確認しやすくすることができる。
【０１３０】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
また、表示パネル２０や液晶パネル３０は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】第１実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】第１実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図５】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図６】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】第１実施形態における複数の情報表示画素を示す平面図。
【図８】図５中のＤ部の拡大図。
【図９】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１０】第１実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。
【図１１】第１実施形態での素子基板の製造工程に適用され得る液滴吐出ヘッドの主要構成を示す斜視図。
【図１２】第１実施形態での素子基板及び封止基板のそれぞれの形成に適用され得るマザー基板を示す平面図。
【図１３】第１実施形態における情報表示画素に情報を記録する方法を説明する断面図。
【図１４】第２実施形態における表示装置を示す分解斜視図。
【図１５】図１４中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図１６】第２実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図１７】第２実施形態における表示装置の駆動素子基板の回路構成を示す図。
【図１８】図１６中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図１９】第２実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。
【図２０】第２実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図２１】第２実施形態における複数の情報表示画素を示す平面図。
【図２２】図１８中のＫ部の拡大図。
【図２３】第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれにおける表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【０１３２】
１，１０…表示装置、３…表示面、５…画素、５Ｐ…画像表示画素、５Ｊ…情報表示画素、５Ｌ…明画素、５Ｄ…暗画素、７…表示領域、１１…素子基板、１３…封止基板、１３Ｍ…マザー基板、１５…底面、１８…画素列、１９…画素行、２０…表示パネル、２７…有機ＥＬ素子、２９…画素電極、２９ａ…配線部、３０…液晶パネル、３１…有機層、３３…共通電極、４１Ｍ…マザー基板、６５…正孔注入層、６７…正孔輸送層、６９…発光層、１０７…ロット表示部、１０９…ロット表示部、１１１…レーザ光、１２５…駆動素子基板、１２７…対向基板、１２９…液晶、１４５…画素電極、１４５ａ…配線部、５００…電子機器、５１０…表示部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を形成する光を射出する複数の画素と、
前記画像が視認され得る表示面と、を有し、
前記表示面には、平面視で前記複数の画素を包含する領域である表示領域が設定されており、
前記複数の画素は、
前記表示領域内に前記画像を表示する画像表示画素と、
前記表示領域内に情報を表示する情報表示画素と、を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記情報表示画素は、前記表示領域の外縁に位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
複数の前記情報表示画素を有しており、
前記複数の情報表示画素には、前記光を射出する明画素と、前記明画素よりも暗い暗画素とが含まれており、
前記情報は、前記複数の情報表示画素における前記明画素と前記暗画素との並びによって識別されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記暗画素は、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、
各前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、
前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれており、
前記暗画素は、前記第１電極につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、
前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有し、
前記暗画素は、前記一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、
各前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、
前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、
前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１】
画像を形成する光を射出する複数の画素と、
前記画像が視認され得る表示面と、を有し、
前記表示面には、平面視で前記複数の画素を包含する領域である表示領域が設定されており、
前記複数の画素は、
前記表示領域内に前記画像を表示する画像表示画素と、
前記表示領域内に情報を表示する情報表示画素と、を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記情報表示画素は、前記表示領域の外縁に位置していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
複数の前記情報表示画素を有しており、
前記複数の情報表示画素には、前記光を射出する明画素と、前記明画素よりも暗い暗画素とが含まれており、
前記情報は、前記複数の情報表示画素における前記明画素と前記暗画素との並びによって識別されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記暗画素は、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、
各前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、
前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれており、
前記暗画素は、前記第１電極につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、
前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有し、
前記暗画素は、前記一対の電極の少なくとも一方につながる配線部が切断されていることによって、前記光を射出不能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記情報には、少なくとも製造過程に関する過程情報が含まれていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の画素の前記画素ごとに設けられた第１電極と、
各前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極間に介在する有機層と、を有し、
前記有機層には、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記有機層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流によって発光する発光層が含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の画素の前記画素ごとに電界を形成する一対の電極と、
前記電界の発生によって駆動される液晶と、を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００９−２５１３３２（Ｐ２００９−２５１３３２Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０００５１（Ｐ２００８−１０００５１）
【出願日】平成２０年４月８日（２００８．４．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月８日（２００８．４．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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