電解めっきを利用した配線基板の製造方法
【課題】 電解めっきにより基板に配線パターンを形成する際に、配線パターンの不要部分による信号の反射やノイズを防止して電気的特性を改善し、配線パターンの配置の高密度化を図る。
【解決手段】 金属箔付き絶縁基板に第１無電解めっき層とその上の第１めっきレジストを形成；第１無電解めっき層に給電してレジスト開口内の第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成；第１めっきレジストを除去；露出した第１無電解めっき層と金属箔を除去して絶縁基板を露出；基板露出部と配線パターン上に第２無電解めっき層を形成；その上に第２めっきレジストを形成；レジスト開口部の第２無電解めっき層を除去；第２めっきレジスト下の第２無電解めっき層に給電してレジスト開口部の配線パターン上に第２電解めっき層を形成；第２めっきレジストを除去；露出した第２無電解めっき層を除去。
【解決手段】 金属箔付き絶縁基板に第１無電解めっき層とその上の第１めっきレジストを形成；第１無電解めっき層に給電してレジスト開口内の第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成；第１めっきレジストを除去；露出した第１無電解めっき層と金属箔を除去して絶縁基板を露出；基板露出部と配線パターン上に第２無電解めっき層を形成；その上に第２めっきレジストを形成；レジスト開口部の第２無電解めっき層を除去；第２めっきレジスト下の第２無電解めっき層に給電してレジスト開口部の配線パターン上に第２電解めっき層を形成；第２めっきレジストを除去；露出した第２無電解めっき層を除去。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置等に用いる配線基板の製造方法、特に電解めっきを利用して配線基板を製造する場合において、給電用のめっき配線を不要とした配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置に使用される配線基板を製造する場合、例えば、図１Ａに示すようなガラスプリプレグ等の樹脂からなる大判の基板１を用意し、この大判の基板１上にマトリッス状に複数の配線基板３に対応する配線パターン５を一括して形成した後、所定の切断線７に沿って切断することにより個々の配線基板３を得ている。
【０００３】
特に、サブトラクティブ法（テンティング法）により、大判の基板１上に配線パターン５を形成する場合、ボンディングパッド等の配線パターン５の主要部に、電解めっきによりニッケルめっきや金めっきを施すための、配線パターン間を短絡させる給電用のめっき配線９が切断して得られる配線基板３の外側に設けられる。なお、図１Ｂは図１Ａで示した配線パターン５およびめっき配線９の部分を拡大して示すもので、１１はボンディングパッド、１３はスルーホールである。
【０００４】
電解めっきを施す際は、大判の基板１をめっき液（図示せず）中に浸漬し、大判の基板１の外周部のめっき配線９をめっき用の電極（図示せず）に接続することにより、配線パターン５に給電し、この配線パターン５の必要個所にニッケルや金の電解めっきを施す。
【０００５】
電解めっきを施した後、めっき配線９の内側部分（破線で示す切断線７に沿った部分）で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得ている。このため、配線基板３の配線パターン５には、めっき配線９に接続させるためにのみ必要で、電気信号の伝達等には不要な部分１５がスルーホール１３から配線基板３の外縁にかけて存在することとなる。
【０００６】
上記のような配線基板３として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれる半導体装置に使用されるものがある。図２Ａ〜Ｇおよび図３Ａ〜Ｄにおいて、従来のサブトラクティブ法による配線基板、特にＢＧＡに使用される配線基板３の製造方法について工程順に説明する。またこのようにして製造された配線基板３を用いたＢＧＡを図４Ａに示す。なお、図２および図３の各図では、図４ＡのＸで示した断面部分の配線パターンについての製造方法（配線パターン形成方法）を示す。
【０００７】
図２Ａにおいて、まず、樹脂基板（ガラスプリプレグ）１の両面に銅箔１７、１７を積層した大判の両面銅張り積層板１０を用意する。この両面銅張り積層板１０上に、図１Ａに示すような複数の配線基板３を形成するのである。
【０００８】
図２Ｂにおいて、ドリル（図示せず）で所要個所にスルーホール１３を開口する。
【０００９】
図２Ｃにおいて、スルーホール１３の内壁を含む全表面に、銅などの無電解めっき１９を施す。
【００１０】
図２Ｄにおいて、無電解めっき層１９から給電して、無電解めっき層１９上に、銅などの電解めっき２１を施す。これにより配線パターン形成に必要なめっき厚さとする。
【００１１】
図２Ｅにおいて、電解めっき層２１上に、ドライフィルムレジストと呼ばれるフィルム状のエッチングレジストを積層し、その上から露光・現像して、所定の配線パターンに対応するレジストパターン２３を形成する。
【００１２】
図２Ｆにおいて、レジストパターン２３をマスクとしてエッチングを施し、レジストパターン２３から露出している配線パターン形成に不要な部分の電解銅めっき層２１、無電解銅めっき層１９、銅箔１７を除去し、配線パターン５を形成する。
【００１３】
図２Ｇにおいて、レジストパターン２３を除去する。これにより、配線パターン５が露出される。この配線パターン５は、その接続部分５ｃを介して、配線パターン５と同時に形成されるめっき配線９に接続され、図１に示すように相互に短絡されている。なお、このめっき配線９は、図１に示すように、大判の樹脂基板１上に、複数の配線基板３を得るための切断線７の外側に枠状に形成されていて、切断前においては、すべての配線基板３の配線パターン５に接続されている。
【００１４】
次に、図３Ａにおいて、ソルダレジストを印刷塗布し、露光・現像により、ソルダレジストパターン２５を形成する。この際、配線パターン５のボンディングパッド１１や、外部接続用パッド（はんだボールの接合部）３１などの所要個所が露出するように、ソルダレジストパターン２５を形成する。
【００１５】
図３Ｂにおいて、めっき配線９（図１）から給電し、ワイヤボンディングパッド１１と、外部接続用パッド３１に、電解ニッケルめっき２７を施し、次いで電解金めっき２９を施す。なお、図３Ｃは、図３Ｂを上から見た図を示している（ただし、ソルダレジスト２５を除いて示している）。図示のように、ニッケル・金（Ｎｉ／Ａｕ）電解めっきの際、配線パターン５はめっき配線９で短絡されている。
【００１６】
図３Ｄにおいて、図３Ｂ、Ｃで示した切断線７で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得る。
【００１７】
この後、配線基板３に半導体素子３３を搭載し、ボンディングワイヤ３５により半導体素子３３とワイヤボンディングパッド１１間を接続し、樹脂３７により封止し、更にはんだボール３９を接合することにより、図４Ａに示すような半導体装置（ＢＧＡ）を得る。
図４Ｂは、図４ＡのＸで示した配線基板の部分を上面から見た図（封止樹脂３７やソルダレジスト２５を除去した状態）である。
【００１８】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した図４Ａに示す配線基板３を使用すると、図４Ｂに示すように、配線パターン５に、スルーホール１３の部分から切断した配線基板３の外周縁７ａまで延びた不要部分（めっき配線への接続部５ｃ）が生じ、この不要部分５ｃにより信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化する。また、このようなめっき配線９と接続部５ｃを設けると、めっき配線９と接続部５ｃの分だけ、配線パターン５の配置に制限が生ずるため、配線パターン５の高密度化の妨げとなる。
【００１９】
なお、本発明に関連する先行技術として、特許文献１があるが、配線パターンと基板との密着性を向上させ、配線パターンの微細化を可能とし、また、ソルダレジストと導体部との密着性をも向上させるため、基板面に形成された銅層を給電層して電解めっきを施すこと、銅層をレジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより配線パターンを形成すること、が開示されている。
【００２０】
【特許文献１】特開２０００−１１４４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した配線基板によると、電解めっきを施すための給電用の必要性から配線パターンに不要部分が生じ、この不要部分により信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化したり、配線パターンの配置に制限が生ずることにより配線パターンの高密度化の妨げとなる。
【００２２】
そこで、本発明では、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズの発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することのできる、電解めっきを利用した配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成する工程、
上記金属箔上および上記貫通孔内壁に第１無電解めっき層を形成する工程、
上記第１無電解めっき層上に、第１所定箇所のみが露出するように、第１めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第１無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第１所定箇所に露出している第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成して配線パターンとする工程、
上記第１めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第１無電解めっき層を露出させる工程、
上記露出された第１無電解めっき層およびその下の上記金属箔を除去して、上記絶縁基板の表面を露出させる工程、
上記露出した絶縁基板の表面および上記貫通孔内を含む上記配線パターン上に第２無電解めっき層を形成する工程、
上記第２無電解めっき層および上記配線パターンの第２所定箇所のみが露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第２所定箇所に露出している上記第２無電解めっき層を除去する工程、
上記第２めっきレジストパターン下の上記第２無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第２所定箇所に露出している上記配線パターン上に第２電解めっき層を形成する工程、
上記第２めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第２無電解めっき層を露出させる工程、および
上記露出した第２無電解めっき層を除去する工程、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法が提供される。
【００２４】
典型的には、前記金属箔、前記第１無電解めっき層および前記第１電解めっき層は銅である。
【００２５】
典型的には、上記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第１無電解めっき層上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含み、上記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第２無電解めっき層および上記配線パターンを含む基板上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含む。
【００２６】
典型的には、上記配線パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、該ソルダレジスト層を露光・現像することにより上記配線パターンの第２電解めっき層を露出させる工程とから成る、ソルダレジストパターンの形成工程を含む。
【００２７】
典型的には、上記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ上記前記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である上記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の電解めっきを利用した配線基板の製造方法によると、従来の製造方法により製造した配線基板のように、めっき配線が不要となるばかりでなく、配線パターンをめっき配線へ接続するための接続部のような、「不要部分」が存在しないため、これらの「不要部分」による信号の反射やノイズが発生により半導体装置の電気的特性の悪化させることはなく、また、このような「不要部分」が存在しないために、配線パターンの配置の自由度が増し配線基板の高密度化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明によれば、電解めっきを施すためのめっき配線が不要となるため、前述した従来のような問題は生じない。なお、下記の実施形態の説明において、樹脂基板１としては、内部に複数層の配線層が形成された、多層配線基板を用いても良い。また、配線パターンは、樹脂基板１の両面に形成しても良く、また片面にのみ形成しても良い。
【００３０】
〔実施形態１〕
以下に、図５および図６を参照して本発明の望ましい実施形態を説明する。以下の説明中で各部の寸法は一つの代表例であり、これに限定する必要はない。
【００３１】
まず、図５Ａに示すように、両面に銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）を貼り付けたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板１（厚さ０．０３ｍｍ以上）を用意する。
【００３２】
次に、図５Ｂに示すように、ドリル加工により基板１にスルーホール１３（開口径３５〜３５０μｍ）を開口する。
【００３３】
次に、図５Ｃに示すように、銅箔１７上およびスルーホール１３内壁に第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。第１無電解銅めっき層５１は後に電解銅めっきを施す際の給電層となるものであり、０．０１μｍ程度の厚さがあれば給電層として十分に機能する。
【００３４】
次に、図５Ｄに示すように、第１無電解銅めっき層５１上に、第１所定箇所として配線パターン形成予定箇所５７’のみが露出するように、第１めっきレジストパターン５５を形成する。
【００３５】
次に、図５Ｅに示すように、第１無電解銅めっき層５１を給電層として電解銅めっきを行い、第１所定箇所５７’に露出している第１無電解銅めっき層５１上に、配線パターンの厚さの大部分を成す第１電解銅めっき層５７を形成する。この例では、スルーホール１３によって基板両面の配線パターン同士が接続されている。
【００３６】
次に、図５Ｆに示すように、第１めっきレジストパターン５５を剥離して、その下の第１無電解銅めっき層５１を露出させる。
【００３７】
次に、図５Ｇに示すように、フラッシュエッチングを行い、第１無電解銅めっき層５１の上記露出部分とその下の銅箔１７を除去する。
第１電解銅めっき層５７（厚さ５μｍ以上）は、第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）および銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）に比較して厚いため、フラッシュエッチングの際に多少表面が溶解しても、配線パターンとして十分な厚さを維持しており、使用上何ら問題はない。
これにより、銅箔１７、第１無電解銅めっき層５１、第１電解銅めっき層５７の３層が積層して成る配線パターン（厚さ５μｍ以上）が完成する（以下「配線パターン５７」とも表示する）。配線パターン以外の領域は樹脂基板１の表面が露出している。
【００３８】
次に、図６Ａに示すように、露出した樹脂基板１の表面および貫通孔１３内を含む配線パターン５７上に第２無電解銅めっき層６３（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。第２無電解銅めっき層６３は後にパッド形成用の電解ニッケルめっきおよび電解金メッキを施す際の給電層となるものであり、０．０１μｍ程度の厚さがあれば給電層として十分に機能する。
【００３９】
次に、図６Ｂに示すように、第２所定箇所（配線パターン５７のパッド形成予定箇所等の第２無電解銅めっき層６３および樹脂基板１の表面上の除去予定箇所の第２無電解銅めっき層６３）のみが露出するように第２めっきレジストパターン６５を形成する。図の右端は基板端部であり、この部分の上面側では第２めっきレジストパターン６５が第２無電解銅めっき層６３を覆っている。
【００４０】
次に、図６Ｃに示すように、フラッシュエッチングを行い、第２無電解銅めっき層６３の上記露出部分を除去して、その下の配線パターン５７および樹脂基板１の表面を露出させる。第２無電解めっき層６３は、複数の配線パターン５７間を電気的に短絡させ、電解めっきの給電層となる。配線パターン５７の端部には、その下の第１無電解銅めっき層５１および銅箔１７の端部も露出している。
【００４１】
次に、図６Ｄに示すように、第２無電解銅めっき層６３を給電層とし、第２めっきレジストパターン６５をマスクとして電解ニッケルめっきおよび電解金メッキを順次行ない、上記露出した配線パターン５７上に電解ニッケルめっき層６７（厚さ１μｍ以上）とその上の電解金メッキ層６９（厚さ０．１μｍ以上）とから成る第２電解めっき層を形成する。電解ニッケルめっき層６７および電解金メッキ層６９は配線パターン端部（５７＋５１＋１７の端部）も覆っている。
【００４２】
次に、図６Ｅに示すように、第２めっきレジストパターン６５を剥離して、その下の第２無電解銅めっき層６３を露出させる。
【００４３】
次に、図６Ｆに示すように、フラッシュエッチングを行い、上記露出した第２無電解銅めっき層６３を除去する。
【００４４】
最後に、図６Ｇに示すように、ソルダレジストを印刷塗布し、露光・現像により、ソルダレジストパターン７１を形成する。配線パターン５７のパッド部を構成する電解ニッケル／金めっき部６７／６９（第２電解めっき層）は露出させるようにソルダレジストパターン７１を形成する。
【００４５】
以上により、樹脂基板１の両面の配線パターン５７はパッド部６９，６７以外がソルダレジストパターン７１で覆われ、両配線パターン５７同士がスルーホール１３を介して接続されている配線基板１００が完成する。
【００４６】
なお、図５Ｆの工程で銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１を露出させた部分を、図５Ｇの工程でフラッシュエッチングにより一旦除去してから、図６Ａの工程で改めて第２無電解銅めっき層６３を形成するのは、以下の理由による。
【００４７】
銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１を除去せずに、後の電解ニッケルめっきおよび電解金メッキの際に給電層として用いることも考えられる。
【００４８】
しかし、銅箔１７（１〜３μｍ）は無電解銅めっき層５１あるいは６３（厚さ０．０１μｍ以上）に比べてかなり厚い。そのため、銅箔１７を給電層として利用して電解ニッケルめっきと電解金メッキを行なうと、その後に給電層〔１７＋５１〕を除去するためのフラッシュエッチングは長時間を要する。ニッケルも金も銅のエッチング液には溶解しないため、ニッケル／金めっき層の縁部で配線パターン本体である電解銅めっき層の下層に選択的にアンダーエッチング（食い込み）が発生して、図７に示すように配線パターンに括れ部分Ｑが形成される。
この括れ部分Ｑからニッケル／金めっき層６７／６９の剥離が生じ易く、また配線パターン５７／５１／１７も基板１への密着力が弱くなり、配線パターン５７／５１／１７自体の剥離も生じ易くなる。
【００４９】
このような括れの発生を防止するために本発明では、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを行なうための給電層を薄くして、短時間のフラッシュエッチングにより容易に除去できるようにした。
【００５０】
そのために、図５Ｆの工程で露出させた銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１の部分を、図５Ｇの工程でフラッシュエッチングにより一旦除去する。これにより、無電解層に比べて遥かに厚い銅箔１７の給電層用の部分はこの段階で除去される。
【００５１】
そして、図６Ａの工程で改めて薄い第２無電解銅めっき層６３を形成し、これを電解ニッケルめっきおよび電解金めっきの給電層として用いる。この第２無電解同めっき層６３は０．０１μｍ程度に薄く形成すれば十分であり、１〜３μｍの厚さがある銅箔１７に比べて極めて短時間のフラッシュエッチングで容易に除去できる。そのため、厚い銅箔１７を含む厚い給電層を除去する長時間のフラッシュエッチングでは括れ部分Ｑが発生するが、本発明の方法ではこのような括れ部分Ｑが発生することはない。
【００５２】
〔実施形態２〕
本発明の方法は、両面銅箔付き多層基板を用いることもできる。
まず、図８Ａに示すように、両面に銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）を貼り付けたガラスクロス入りエポキシ樹脂から成り内部に配線パターン２０３が形成された両面銅箔付き多層基板２０１（厚さ８０〜５００μｍ程度）を用意する。
【００５３】
次に、図８Ｂに示すように、この基板２０１に、実施形態１と同様にしてスルーホール１３（開口径３５〜３５０μｍ程度）を開口する。
【００５４】
次に、図８Ｃに示すように、実施形態１と同様にして第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。
【００５５】
以下、図５Ｄ〜図６Ｇに示した実施形態１の工程と同様に処理を行なって、図８Ｄに示すような多層回路基板２００が完成する。その構造は、基板内部に配線パターン２０３を備えている以外は、図６Ｇに示した実施形態１の構造と同様に本発明の特徴を備えており、本発明による作用効果が得られる。
【００５６】
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上説明したように、本発明によれば、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズが発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することができる。
更に、付加的な効果として、先にパターニングまで行なうため、導通チェックをめっき前に行なうことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、従来の製造方法により複数の配線基板を形成した大判の基板を示す（Ａ）平面図および（Ｂ）一部拡大平面図である。
【図２】図２は、サブトラクティブ法による従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】図３は、図２に続く従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】図４は、従来の製造方法による半導体装置を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）部分拡大平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態による配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は、図５に続く本発明の一実施形態による配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の方法を逸脱した際にニッケル／金パッド下の配線パターンに発生する括れを示す（１）配線パターン長手方向および（２）配線パターン幅方向の各断面図である。
【図８】図８は、本発明の方法を両面銅箔付き多層基板に適用した配線基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ ガラスプリプレグ樹脂基板
３ 配線基板
５ 配線パターン
７ 切断線
９ めっき配線
１１ ボンディングパッド
１３ スルーホール
１７ 銅箔
１９ 無電解めっき層
２１ 電解めっき層
２３ レジストパターン
２５ ソルダレジストパターン
２７ 電解ニッケルめっき層
２９ 電解金めっき層
３３ 半導体素子
３５ ボンディングワイヤ
３７ 封止樹脂
５１ 第１無電解銅めっき層
５５ 第１めっきレジストパターン
５７’ 第１所定箇所（配線パターン形成予定箇所）
５７ 第１電解銅めっき層（配線パターンの実質部分）
６３ 第２無電解銅めっき層
６５ 第２めっきレジストパターン
６７ 電解ニッケルめっき層
６９ 電解金めっき層
７１ ソルダレジストパターン
１００、２００ 本発明の配線基板
２０１ 両面銅箔付き多層基板
２０３ 内部配線パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置等に用いる配線基板の製造方法、特に電解めっきを利用して配線基板を製造する場合において、給電用のめっき配線を不要とした配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置に使用される配線基板を製造する場合、例えば、図１Ａに示すようなガラスプリプレグ等の樹脂からなる大判の基板１を用意し、この大判の基板１上にマトリッス状に複数の配線基板３に対応する配線パターン５を一括して形成した後、所定の切断線７に沿って切断することにより個々の配線基板３を得ている。
【０００３】
特に、サブトラクティブ法（テンティング法）により、大判の基板１上に配線パターン５を形成する場合、ボンディングパッド等の配線パターン５の主要部に、電解めっきによりニッケルめっきや金めっきを施すための、配線パターン間を短絡させる給電用のめっき配線９が切断して得られる配線基板３の外側に設けられる。なお、図１Ｂは図１Ａで示した配線パターン５およびめっき配線９の部分を拡大して示すもので、１１はボンディングパッド、１３はスルーホールである。
【０００４】
電解めっきを施す際は、大判の基板１をめっき液（図示せず）中に浸漬し、大判の基板１の外周部のめっき配線９をめっき用の電極（図示せず）に接続することにより、配線パターン５に給電し、この配線パターン５の必要個所にニッケルや金の電解めっきを施す。
【０００５】
電解めっきを施した後、めっき配線９の内側部分（破線で示す切断線７に沿った部分）で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得ている。このため、配線基板３の配線パターン５には、めっき配線９に接続させるためにのみ必要で、電気信号の伝達等には不要な部分１５がスルーホール１３から配線基板３の外縁にかけて存在することとなる。
【０００６】
上記のような配線基板３として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれる半導体装置に使用されるものがある。図２Ａ〜Ｇおよび図３Ａ〜Ｄにおいて、従来のサブトラクティブ法による配線基板、特にＢＧＡに使用される配線基板３の製造方法について工程順に説明する。またこのようにして製造された配線基板３を用いたＢＧＡを図４Ａに示す。なお、図２および図３の各図では、図４ＡのＸで示した断面部分の配線パターンについての製造方法（配線パターン形成方法）を示す。
【０００７】
図２Ａにおいて、まず、樹脂基板（ガラスプリプレグ）１の両面に銅箔１７、１７を積層した大判の両面銅張り積層板１０を用意する。この両面銅張り積層板１０上に、図１Ａに示すような複数の配線基板３を形成するのである。
【０００８】
図２Ｂにおいて、ドリル（図示せず）で所要個所にスルーホール１３を開口する。
【０００９】
図２Ｃにおいて、スルーホール１３の内壁を含む全表面に、銅などの無電解めっき１９を施す。
【００１０】
図２Ｄにおいて、無電解めっき層１９から給電して、無電解めっき層１９上に、銅などの電解めっき２１を施す。これにより配線パターン形成に必要なめっき厚さとする。
【００１１】
図２Ｅにおいて、電解めっき層２１上に、ドライフィルムレジストと呼ばれるフィルム状のエッチングレジストを積層し、その上から露光・現像して、所定の配線パターンに対応するレジストパターン２３を形成する。
【００１２】
図２Ｆにおいて、レジストパターン２３をマスクとしてエッチングを施し、レジストパターン２３から露出している配線パターン形成に不要な部分の電解銅めっき層２１、無電解銅めっき層１９、銅箔１７を除去し、配線パターン５を形成する。
【００１３】
図２Ｇにおいて、レジストパターン２３を除去する。これにより、配線パターン５が露出される。この配線パターン５は、その接続部分５ｃを介して、配線パターン５と同時に形成されるめっき配線９に接続され、図１に示すように相互に短絡されている。なお、このめっき配線９は、図１に示すように、大判の樹脂基板１上に、複数の配線基板３を得るための切断線７の外側に枠状に形成されていて、切断前においては、すべての配線基板３の配線パターン５に接続されている。
【００１４】
次に、図３Ａにおいて、ソルダレジストを印刷塗布し、露光・現像により、ソルダレジストパターン２５を形成する。この際、配線パターン５のボンディングパッド１１や、外部接続用パッド（はんだボールの接合部）３１などの所要個所が露出するように、ソルダレジストパターン２５を形成する。
【００１５】
図３Ｂにおいて、めっき配線９（図１）から給電し、ワイヤボンディングパッド１１と、外部接続用パッド３１に、電解ニッケルめっき２７を施し、次いで電解金めっき２９を施す。なお、図３Ｃは、図３Ｂを上から見た図を示している（ただし、ソルダレジスト２５を除いて示している）。図示のように、ニッケル・金（Ｎｉ／Ａｕ）電解めっきの際、配線パターン５はめっき配線９で短絡されている。
【００１６】
図３Ｄにおいて、図３Ｂ、Ｃで示した切断線７で大判の基板１を切断し、個々の配線基板３を得る。
【００１７】
この後、配線基板３に半導体素子３３を搭載し、ボンディングワイヤ３５により半導体素子３３とワイヤボンディングパッド１１間を接続し、樹脂３７により封止し、更にはんだボール３９を接合することにより、図４Ａに示すような半導体装置（ＢＧＡ）を得る。
図４Ｂは、図４ＡのＸで示した配線基板の部分を上面から見た図（封止樹脂３７やソルダレジスト２５を除去した状態）である。
【００１８】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した図４Ａに示す配線基板３を使用すると、図４Ｂに示すように、配線パターン５に、スルーホール１３の部分から切断した配線基板３の外周縁７ａまで延びた不要部分（めっき配線への接続部５ｃ）が生じ、この不要部分５ｃにより信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化する。また、このようなめっき配線９と接続部５ｃを設けると、めっき配線９と接続部５ｃの分だけ、配線パターン５の配置に制限が生ずるため、配線パターン５の高密度化の妨げとなる。
【００１９】
なお、本発明に関連する先行技術として、特許文献１があるが、配線パターンと基板との密着性を向上させ、配線パターンの微細化を可能とし、また、ソルダレジストと導体部との密着性をも向上させるため、基板面に形成された銅層を給電層して電解めっきを施すこと、銅層をレジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより配線パターンを形成すること、が開示されている。
【００２０】
【特許文献１】特開２０００−１１４４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上述のような従来のサブトラクティブ法で製造した配線基板によると、電解めっきを施すための給電用の必要性から配線パターンに不要部分が生じ、この不要部分により信号の反射やノイズが発生し、半導体装置の電気的特性が悪化したり、配線パターンの配置に制限が生ずることにより配線パターンの高密度化の妨げとなる。
【００２２】
そこで、本発明では、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズの発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することのできる、電解めっきを利用した配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記の課題を達成するために、本発明によれば、電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成する工程、
上記金属箔上および上記貫通孔内壁に第１無電解めっき層を形成する工程、
上記第１無電解めっき層上に、第１所定箇所のみが露出するように、第１めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第１無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第１所定箇所に露出している第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成して配線パターンとする工程、
上記第１めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第１無電解めっき層を露出させる工程、
上記露出された第１無電解めっき層およびその下の上記金属箔を除去して、上記絶縁基板の表面を露出させる工程、
上記露出した絶縁基板の表面および上記貫通孔内を含む上記配線パターン上に第２無電解めっき層を形成する工程、
上記第２無電解めっき層および上記配線パターンの第２所定箇所のみが露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第２所定箇所に露出している上記第２無電解めっき層を除去する工程、
上記第２めっきレジストパターン下の上記第２無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第２所定箇所に露出している上記配線パターン上に第２電解めっき層を形成する工程、
上記第２めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第２無電解めっき層を露出させる工程、および
上記露出した第２無電解めっき層を除去する工程、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法が提供される。
【００２４】
典型的には、前記金属箔、前記第１無電解めっき層および前記第１電解めっき層は銅である。
【００２５】
典型的には、上記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第１無電解めっき層上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含み、上記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第２無電解めっき層および上記配線パターンを含む基板上にめっきレジストを塗布する工程と、露光・現像する工程とを含む。
【００２６】
典型的には、上記配線パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、該ソルダレジスト層を露光・現像することにより上記配線パターンの第２電解めっき層を露出させる工程とから成る、ソルダレジストパターンの形成工程を含む。
【００２７】
典型的には、上記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ上記前記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である上記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の電解めっきを利用した配線基板の製造方法によると、従来の製造方法により製造した配線基板のように、めっき配線が不要となるばかりでなく、配線パターンをめっき配線へ接続するための接続部のような、「不要部分」が存在しないため、これらの「不要部分」による信号の反射やノイズが発生により半導体装置の電気的特性の悪化させることはなく、また、このような「不要部分」が存在しないために、配線パターンの配置の自由度が増し配線基板の高密度化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明によれば、電解めっきを施すためのめっき配線が不要となるため、前述した従来のような問題は生じない。なお、下記の実施形態の説明において、樹脂基板１としては、内部に複数層の配線層が形成された、多層配線基板を用いても良い。また、配線パターンは、樹脂基板１の両面に形成しても良く、また片面にのみ形成しても良い。
【００３０】
〔実施形態１〕
以下に、図５および図６を参照して本発明の望ましい実施形態を説明する。以下の説明中で各部の寸法は一つの代表例であり、これに限定する必要はない。
【００３１】
まず、図５Ａに示すように、両面に銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）を貼り付けたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板１（厚さ０．０３ｍｍ以上）を用意する。
【００３２】
次に、図５Ｂに示すように、ドリル加工により基板１にスルーホール１３（開口径３５〜３５０μｍ）を開口する。
【００３３】
次に、図５Ｃに示すように、銅箔１７上およびスルーホール１３内壁に第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。第１無電解銅めっき層５１は後に電解銅めっきを施す際の給電層となるものであり、０．０１μｍ程度の厚さがあれば給電層として十分に機能する。
【００３４】
次に、図５Ｄに示すように、第１無電解銅めっき層５１上に、第１所定箇所として配線パターン形成予定箇所５７’のみが露出するように、第１めっきレジストパターン５５を形成する。
【００３５】
次に、図５Ｅに示すように、第１無電解銅めっき層５１を給電層として電解銅めっきを行い、第１所定箇所５７’に露出している第１無電解銅めっき層５１上に、配線パターンの厚さの大部分を成す第１電解銅めっき層５７を形成する。この例では、スルーホール１３によって基板両面の配線パターン同士が接続されている。
【００３６】
次に、図５Ｆに示すように、第１めっきレジストパターン５５を剥離して、その下の第１無電解銅めっき層５１を露出させる。
【００３７】
次に、図５Ｇに示すように、フラッシュエッチングを行い、第１無電解銅めっき層５１の上記露出部分とその下の銅箔１７を除去する。
第１電解銅めっき層５７（厚さ５μｍ以上）は、第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）および銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）に比較して厚いため、フラッシュエッチングの際に多少表面が溶解しても、配線パターンとして十分な厚さを維持しており、使用上何ら問題はない。
これにより、銅箔１７、第１無電解銅めっき層５１、第１電解銅めっき層５７の３層が積層して成る配線パターン（厚さ５μｍ以上）が完成する（以下「配線パターン５７」とも表示する）。配線パターン以外の領域は樹脂基板１の表面が露出している。
【００３８】
次に、図６Ａに示すように、露出した樹脂基板１の表面および貫通孔１３内を含む配線パターン５７上に第２無電解銅めっき層６３（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。第２無電解銅めっき層６３は後にパッド形成用の電解ニッケルめっきおよび電解金メッキを施す際の給電層となるものであり、０．０１μｍ程度の厚さがあれば給電層として十分に機能する。
【００３９】
次に、図６Ｂに示すように、第２所定箇所（配線パターン５７のパッド形成予定箇所等の第２無電解銅めっき層６３および樹脂基板１の表面上の除去予定箇所の第２無電解銅めっき層６３）のみが露出するように第２めっきレジストパターン６５を形成する。図の右端は基板端部であり、この部分の上面側では第２めっきレジストパターン６５が第２無電解銅めっき層６３を覆っている。
【００４０】
次に、図６Ｃに示すように、フラッシュエッチングを行い、第２無電解銅めっき層６３の上記露出部分を除去して、その下の配線パターン５７および樹脂基板１の表面を露出させる。第２無電解めっき層６３は、複数の配線パターン５７間を電気的に短絡させ、電解めっきの給電層となる。配線パターン５７の端部には、その下の第１無電解銅めっき層５１および銅箔１７の端部も露出している。
【００４１】
次に、図６Ｄに示すように、第２無電解銅めっき層６３を給電層とし、第２めっきレジストパターン６５をマスクとして電解ニッケルめっきおよび電解金メッキを順次行ない、上記露出した配線パターン５７上に電解ニッケルめっき層６７（厚さ１μｍ以上）とその上の電解金メッキ層６９（厚さ０．１μｍ以上）とから成る第２電解めっき層を形成する。電解ニッケルめっき層６７および電解金メッキ層６９は配線パターン端部（５７＋５１＋１７の端部）も覆っている。
【００４２】
次に、図６Ｅに示すように、第２めっきレジストパターン６５を剥離して、その下の第２無電解銅めっき層６３を露出させる。
【００４３】
次に、図６Ｆに示すように、フラッシュエッチングを行い、上記露出した第２無電解銅めっき層６３を除去する。
【００４４】
最後に、図６Ｇに示すように、ソルダレジストを印刷塗布し、露光・現像により、ソルダレジストパターン７１を形成する。配線パターン５７のパッド部を構成する電解ニッケル／金めっき部６７／６９（第２電解めっき層）は露出させるようにソルダレジストパターン７１を形成する。
【００４５】
以上により、樹脂基板１の両面の配線パターン５７はパッド部６９，６７以外がソルダレジストパターン７１で覆われ、両配線パターン５７同士がスルーホール１３を介して接続されている配線基板１００が完成する。
【００４６】
なお、図５Ｆの工程で銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１を露出させた部分を、図５Ｇの工程でフラッシュエッチングにより一旦除去してから、図６Ａの工程で改めて第２無電解銅めっき層６３を形成するのは、以下の理由による。
【００４７】
銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１を除去せずに、後の電解ニッケルめっきおよび電解金メッキの際に給電層として用いることも考えられる。
【００４８】
しかし、銅箔１７（１〜３μｍ）は無電解銅めっき層５１あるいは６３（厚さ０．０１μｍ以上）に比べてかなり厚い。そのため、銅箔１７を給電層として利用して電解ニッケルめっきと電解金メッキを行なうと、その後に給電層〔１７＋５１〕を除去するためのフラッシュエッチングは長時間を要する。ニッケルも金も銅のエッチング液には溶解しないため、ニッケル／金めっき層の縁部で配線パターン本体である電解銅めっき層の下層に選択的にアンダーエッチング（食い込み）が発生して、図７に示すように配線パターンに括れ部分Ｑが形成される。
この括れ部分Ｑからニッケル／金めっき層６７／６９の剥離が生じ易く、また配線パターン５７／５１／１７も基板１への密着力が弱くなり、配線パターン５７／５１／１７自体の剥離も生じ易くなる。
【００４９】
このような括れの発生を防止するために本発明では、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを行なうための給電層を薄くして、短時間のフラッシュエッチングにより容易に除去できるようにした。
【００５０】
そのために、図５Ｆの工程で露出させた銅箔１７および第１無電解銅めっき層５１の部分を、図５Ｇの工程でフラッシュエッチングにより一旦除去する。これにより、無電解層に比べて遥かに厚い銅箔１７の給電層用の部分はこの段階で除去される。
【００５１】
そして、図６Ａの工程で改めて薄い第２無電解銅めっき層６３を形成し、これを電解ニッケルめっきおよび電解金めっきの給電層として用いる。この第２無電解同めっき層６３は０．０１μｍ程度に薄く形成すれば十分であり、１〜３μｍの厚さがある銅箔１７に比べて極めて短時間のフラッシュエッチングで容易に除去できる。そのため、厚い銅箔１７を含む厚い給電層を除去する長時間のフラッシュエッチングでは括れ部分Ｑが発生するが、本発明の方法ではこのような括れ部分Ｑが発生することはない。
【００５２】
〔実施形態２〕
本発明の方法は、両面銅箔付き多層基板を用いることもできる。
まず、図８Ａに示すように、両面に銅箔１７（厚さ１〜３μｍ）を貼り付けたガラスクロス入りエポキシ樹脂から成り内部に配線パターン２０３が形成された両面銅箔付き多層基板２０１（厚さ８０〜５００μｍ程度）を用意する。
【００５３】
次に、図８Ｂに示すように、この基板２０１に、実施形態１と同様にしてスルーホール１３（開口径３５〜３５０μｍ程度）を開口する。
【００５４】
次に、図８Ｃに示すように、実施形態１と同様にして第１無電解銅めっき層５１（厚さ０．０１μｍ以上）を形成する。
【００５５】
以下、図５Ｄ〜図６Ｇに示した実施形態１の工程と同様に処理を行なって、図８Ｄに示すような多層回路基板２００が完成する。その構造は、基板内部に配線パターン２０３を備えている以外は、図６Ｇに示した実施形態１の構造と同様に本発明の特徴を備えており、本発明による作用効果が得られる。
【００５６】
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上説明したように、本発明によれば、電解めっきを利用して基板に配線パターンを形成する場合においても、配線パターンに不要部分が生ずることはなく、これによる信号の反射やノイズが発生による半導体装置の電気的特性の悪化を生ずることなく、配線パターンの配置を高密度化することができる。
更に、付加的な効果として、先にパターニングまで行なうため、導通チェックをめっき前に行なうことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、従来の製造方法により複数の配線基板を形成した大判の基板を示す（Ａ）平面図および（Ｂ）一部拡大平面図である。
【図２】図２は、サブトラクティブ法による従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】図３は、図２に続く従来の配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】図４は、従来の製造方法による半導体装置を示す（Ａ）断面図および（Ｂ）部分拡大平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態による配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は、図５に続く本発明の一実施形態による配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の方法を逸脱した際にニッケル／金パッド下の配線パターンに発生する括れを示す（１）配線パターン長手方向および（２）配線パターン幅方向の各断面図である。
【図８】図８は、本発明の方法を両面銅箔付き多層基板に適用した配線基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ ガラスプリプレグ樹脂基板
３ 配線基板
５ 配線パターン
７ 切断線
９ めっき配線
１１ ボンディングパッド
１３ スルーホール
１７ 銅箔
１９ 無電解めっき層
２１ 電解めっき層
２３ レジストパターン
２５ ソルダレジストパターン
２７ 電解ニッケルめっき層
２９ 電解金めっき層
３３ 半導体素子
３５ ボンディングワイヤ
３７ 封止樹脂
５１ 第１無電解銅めっき層
５５ 第１めっきレジストパターン
５７’ 第１所定箇所（配線パターン形成予定箇所）
５７ 第１電解銅めっき層（配線パターンの実質部分）
６３ 第２無電解銅めっき層
６５ 第２めっきレジストパターン
６７ 電解ニッケルめっき層
６９ 電解金めっき層
７１ ソルダレジストパターン
１００、２００ 本発明の配線基板
２０１ 両面銅箔付き多層基板
２０３ 内部配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成する工程、
上記金属箔上および上記貫通孔内壁に第１無電解めっき層を形成する工程、
上記第１無電解めっき層上に、第１所定箇所のみが露出するように、第１めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第１無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第１所定箇所に露出している第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成して配線パターンとする工程、
上記第１めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第１無電解めっき層を露出させる工程、
上記露出された第１無電解めっき層およびその下の上記金属箔を除去して、上記絶縁基板の表面を露出させる工程、
上記露出した絶縁基板の表面および上記貫通孔内を含む上記配線パターン上に第２無電解めっき層を形成する工程、
上記第２無電解めっき層および上記配線パターンの第２所定箇所のみが露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第２所定箇所に露出している上記第２無電解めっき層を除去する工程、
上記第２めっきレジストパターン下の上記第２無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第２所定箇所に露出している上記配線パターン上に第２電解めっき層を形成する工程、
上記第２めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第２無電解めっき層を露出させる工程、および
上記露出した第２無電解めっき層を除去する工程、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法。
【請求項２】
上記金属箔、上記第１無電解めっき層および上記第１電解めっき層は銅であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記第２電解めっき層は、上記露出している配線パターン上の電解ニッケルめっき層とその上の電解金めっき層とから成ることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第１無電解めっき層上にめっきレジスト層を形成する工程と、露光・現像する工程とを含み、上記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第２無電解めっき層および上記配線パターンを含む基板上にめっきレジスト層を形成する工程と、露光・現像する工程とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記配線パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、該ソルダレジスト層を露光・現像することにより上記配線パターンの第２電解めっき層を露出させる工程とから成る、ソルダレジストパターンの形成工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ上記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である上記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
電解めっきを利用して配線基板を製造する方法であって、
表面に金属箔が張り付けられた絶縁基板に貫通孔を形成する工程、
上記金属箔上および上記貫通孔内壁に第１無電解めっき層を形成する工程、
上記第１無電解めっき層上に、第１所定箇所のみが露出するように、第１めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第１無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第１所定箇所に露出している第１無電解めっき層上に第１電解めっき層を形成して配線パターンとする工程、
上記第１めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第１無電解めっき層を露出させる工程、
上記露出された第１無電解めっき層およびその下の上記金属箔を除去して、上記絶縁基板の表面を露出させる工程、
上記露出した絶縁基板の表面および上記貫通孔内を含む上記配線パターン上に第２無電解めっき層を形成する工程、
上記第２無電解めっき層および上記配線パターンの第２所定箇所のみが露出するように、第２めっきレジストパターンを形成する工程、
上記第２所定箇所に露出している上記第２無電解めっき層を除去する工程、
上記第２めっきレジストパターン下の上記第２無電解めっき層を給電層として電解めっきを行い、上記第２所定箇所に露出している上記配線パターン上に第２電解めっき層を形成する工程、
上記第２めっきレジストパターンを除去して、その下の上記第２無電解めっき層を露出させる工程、および
上記露出した第２無電解めっき層を除去する工程、
を含むことを特徴とする、電解めっきを利用した配線基板の製造方法。
【請求項２】
上記金属箔、上記第１無電解めっき層および上記第１電解めっき層は銅であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
上記第２電解めっき層は、上記露出している配線パターン上の電解ニッケルめっき層とその上の電解金めっき層とから成ることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
上記第１めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第１無電解めっき層上にめっきレジスト層を形成する工程と、露光・現像する工程とを含み、上記第２めっきレジストパターンを形成する工程は、上記第２無電解めっき層および上記配線パターンを含む基板上にめっきレジスト層を形成する工程と、露光・現像する工程とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記配線パターン上にソルダレジスト層を形成する工程と、該ソルダレジスト層を露光・現像することにより上記配線パターンの第２電解めっき層を露出させる工程とから成る、ソルダレジストパターンの形成工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記配線基板は、大判型基板を所定の切断線に沿って切断することにより個々に得られるものであって、電解めっきを施す工程での、無電解めっき層よりの給電は、大判型基板の周縁部における無電解めっき層にて給電が行われ、且つ上記配線パターンを形成する工程では、個々配線基板の端縁である上記切断線にまで延在しないように、大判型基板上に配線パターンが形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−２８７０３４（Ｐ２００６−２８７０３４Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１０６２５２（Ｐ２００５−１０６２５２）
【出願日】平成１７年４月１日（２００５．４．１）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１日（２００５．４．１）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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