静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法
【課題】シリコン基板とガラス基板との陽極接合強度を確保し、複数の振動板に対応した各絶縁膜の平坦度にもばらつきが生じにくい、静電アクチュエータを提案する。
【解決手段】シリコン基板２に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜８ａを成膜する工程と、第１絶縁膜８ａをパターニングして、シリコン基板２がガラス基板３と密着することとなる部分から、第１絶縁膜８ａを除去する工程と、シリコン基板２の第１絶縁膜８ａがパターニングされた面に、第１絶縁膜８ａよりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜８ｂを、第１絶縁膜８ａを覆う厚さとなるまで成膜する工程と、シリコン基板２の第２絶縁膜８ｂが成膜された面を、第１絶縁膜８ａが露出するまで平坦に研磨する工程と、第１絶縁膜８ａと個別電極５を対応させて、シリコン基板２の第２絶縁膜面８ｂとガラス基板３とを陽極接合する工程とを備える。
【解決手段】シリコン基板２に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜８ａを成膜する工程と、第１絶縁膜８ａをパターニングして、シリコン基板２がガラス基板３と密着することとなる部分から、第１絶縁膜８ａを除去する工程と、シリコン基板２の第１絶縁膜８ａがパターニングされた面に、第１絶縁膜８ａよりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜８ｂを、第１絶縁膜８ａを覆う厚さとなるまで成膜する工程と、シリコン基板２の第２絶縁膜８ｂが成膜された面を、第１絶縁膜８ａが露出するまで平坦に研磨する工程と、第１絶縁膜８ａと個別電極５を対応させて、シリコン基板２の第２絶縁膜面８ｂとガラス基板３とを陽極接合する工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電駆動方式の静電アクチュエータや液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載される静電駆動方式のインクジェットヘッドが知られている。静電駆動方式のインクジェットヘッドは、一般に、ガラス基板上に形成された個別電極（固定電極）と、この個別電極にギャップを介して対向配置されたシリコン製の振動板（可動電極）とから構成される静電アクチュエータ部を備えている。そして、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する圧力室（吐出室とも呼ばれる）、およびリザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、静電アクチュエータ部分に静電気力を発生させることにより、圧力室に圧力を加えて、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
【０００３】
静電アクチュエータにおいては、アクチュエータ部分の絶縁破壊や短絡を防止して駆動の安定性と駆動耐久性を確保するため、振動板や個別電極の対向面に絶縁膜が形成されている。この種の絶縁膜には、一般にシリコンの熱酸化膜が使用されている。しかし最近では、アクチュエータ部分の絶縁膜に、絶縁性と陽極接合時の耐熱性とに適した、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を使用したインクジェットヘッドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７７５０５号公報（段落００６９等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
酸化アルミニウムや酸化タンタルは、Ｈｉｇｈ−ｋ材とも称され、シリコン酸化膜より比誘電率が高く、シリコン酸化膜に比べて高い絶縁性を確保しつつ、同じ電圧で高い圧力を発生させることができる。しかし、Ｈｉｇｈ−ｋ材は、酸化シリコン等に比べてガラス材料との陽極接合性が悪い。そのため、シリコン基板への絶縁膜形成においては、Ｈｉｇｈ−ｋ材の成膜後にパターニングを行って、振動板に対応する部分にのみＨｉｇｈ−ｋ材を残し、ガラス基板との接合面からは、Ｈｉｇｈ−ｋ材の膜を取り除くようにしていた。その結果、複数の振動板の各絶縁膜の平坦度にばらつきが生じ、各振動板毎の静電アクチュエータの動作精度に相違が生じていた。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためのもので、振動板の絶縁膜にＨｉｇｈ−ｋ材を用いた場合においても、シリコン基板とガラス基板との陽極接合強度を確保でき、しかも複数の振動板に対応した各絶縁膜の平坦度にもばらつきが生じにくい、静電アクチュエータおよび液滴吐出ヘッドの製造方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の静電アクチュエータの製造方法は、
複数の振動板が形成されるシリコン基板と、
前記複数の振動板に対応する位置に設けられた凹部に、前記複数の振動板を吸引する個別電極が形成されたガラス基板の前記凹部の形成された面とを、
接合する静電アクチュエータの製造方法であって、
前記シリコン基板に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングして、前記シリコン基板が前記ガラス基板と密着することとなる部分から、前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記シリコン基板の前記第１絶縁膜がパターニングされた面に、前記第１絶縁膜よりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜を、前記第１絶縁膜を覆う厚さとなるまで成膜する工程と、
前記シリコン基板の前記第２絶縁膜が成膜された面を、前記第１絶縁膜が露出するまで平坦に研磨する工程と、
前記第１絶縁膜と前記個別電極を対応させて、前記シリコン基板の第２絶縁膜面と前記ガラス基板とを陽極接合する工程と、
を備えたものである。
【０００８】
これによれば、シリコン酸化膜の絶縁膜より高い絶縁性を確保しつつ、同じ電圧で高い圧力を発生させることができる静電アクチュエータが製造できる。また、シリコン基板とガラス基板との陽極接合に関して、必要な強度を確保することができる。さらに、複数の振動板に対応した各絶縁膜の平坦度のばらつきも低減され、静電アクチュエータの動作精度が向上する。
【０００９】
なお、第１絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）の中から選択されたものであることが好ましい。
【００１０】
また、第２絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることが好ましい。酸化シリコンは、ガラス（特にパイレックス（登録商標）ガラス）との陽極接合性が、上記Ｈｉｇｈ−ｋ材料より良く、シリコン基板とガラス基板との陽極接合強度が向上するからである。
また、ガラス基板に接合されたシリコン基板を、ガラス基板が接合されていない面からウェットエッチングして、振動板を形成する工程を有することが好ましい。これにより、歩留まりが良くかつ精度の高い振動板の形成が可能となるからである。
【００１１】
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の方法により静電アクチュエータを製造し、該静電アクチュエータを構成している振動板を、液体吐出用の圧力室の壁面に適用するものである。これにより、複数の振動板に対応した各圧力室の動作性能のばらつきが低減するため、吐出性能の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施形態１．
図１は実施形態１に係る液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は図１のインクジェットヘッドのＡ−Ａ方向からみた断面図、図３は図１のインクジェットヘッドのＢ−Ｂ方向からみた断面図（ノズル基板は省略）である。
【００１３】
本実施形態のインクジェットヘッド１０は、図１〜図３に示すように、複数のノズル孔１１が所定のピッチで設けられたノズル基板１と、各ノズル孔１１に対してそれぞれインク供給路が設けられたキャビティ基板２と、キャビティ基板２に設けられた振動板６に対峙して個別電極５が配設されたガラス基板３とが、積層されて構成されている。
【００１４】
ノズル基板１は、例えばシリコン基板から作製される。インク滴を吐出するためのノズル孔１１は、直進性を向上させるため、異なる２段の円筒状に形成されている。また、ノズル基板１には、キャビティ基板２の圧力室９とリザーバ１４とを連通させるオリフィス１２も形成されている。
【００１５】
キャビティ基板２は、例えば面方位が（１１０）のシリコン基板から作製されている。キャビティ基板２には、インク流路に設けられてインク吐出圧を発生させる圧力室９、およびインクを貯えるリザーバ１４が形成されている。圧力室９はノズル孔１１に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、図２に示すように、圧力室９はそれぞれノズル孔１１に連通し、またオリフィス１２ともそれぞれ連通している。そして、圧力室９の底部が振動板６となっている。振動板６はキャビティ基板２の表面にボロン（Ｂ）をドープさせたボロンドープ層から形成されている。そして、キャビティ基板２の振動板側表面には、絶縁膜８が形成されている。
【００１６】
リザーバ１４は、インクを貯留するためのものであり、オリフィス１２を介して各圧力室９に連通している。また、リザーバ１４の底部には後述するガラス基板３のインク供給孔３２に連通するインク供給孔１５が設けられ、図示しないインクカートリッジからインクが供給されるようになっている。なお、通常は、キャビティ基板２の流路形成面側に、インク等の吐出液に対する表面保護膜１６が形成されている。
【００１７】
ガラス基板３は、シリコンと熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラス、例えばパイレックス（登録商標）ガラスから作製される。これは、ガラス基板３とキャビティ基板２を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、ガラス基板３とキャビティ基板２との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく、ガラス基板３とキャビティ基板２を強固に接合することができるからである。
【００１８】
ガラス基板３には、キャビティ基板２の各振動板６に対向する位置にそれぞれ凹部３１が設けられている。各凹部３１内には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる個別電極５が、例えば１００ｎｍの厚さで形成されている。この凹部３１が振動板６と対峙しており、それによって個別電極５と振動板６がギャップ７を介して対向した状態となっている。
【００１９】
個別電極５は、振動板６に対峙している駆動部５ａと、フレキシブル配線基板（図示せず）に接続される端子部５ｃと、駆動部５ａと端子部５ｃとをつなぐリード部５ｂから成っている。端子部５ｃは、キャビティ基板２の末端部が開口された電極取出部２５に露出している。
また、振動板６と個別電極５との間に形成されるギャップ７の開放端部は、エポキシ等の樹脂による封止材３３で封止されている。これにより、湿気や塵埃等が電極間ギャップ７内へ侵入するのを防止し、インクジェットヘッド１０の信頼性を保持している。
【００２０】
ノズル基板１、キャビティ基板２、およびガラス基板３は、貼り合わせて積層されている。キャビティ基板２とガラス基板３は陽極接合により積層され、ノズル基板１はキャビティ基板２の上面に接着等により積層されている。積層されたガラス基板３とキャビティ基板２の個別電極５と振動板６から構成される部分が、静電アクチュエータを構成しており、振動板６がアクチュエータとして可動する。
【００２１】
インクジェットヘッド１０は、さらに、図示していない駆動制御回路が、各個別電極５の端子部５ｃとキャビティ基板２上面の共通電極（図示せず）とに、フレキシブル配線基板（図示せず）を介して接続されている。
【００２２】
シリコン基板１の振動板６の形成面に形成された絶縁膜８は、振動板６の部分では、酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率の高い誘電材料、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ材と呼ばれる高誘電材料の第１絶縁膜が成膜され、ガラス基板３との密着面（接合面）はＨｉｇｈ−ｋ材よりガラスとの陽極接合性の良い材料、例えば酸化シリコンからなる第２絶縁膜が成膜されている。なお、後述する成膜方法によって、第１絶縁膜８ａと第２絶縁膜８ｂとは一体的に一様な厚さで形成されている。
【００２３】
酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率の高い誘電材料、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ材と呼ばれる高誘電材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）、及びこれらの複合膜等を挙げることができる。その中でも膜の低温成膜性、膜の均質性、プロセス適応性等を考慮した場合、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）を使用することが望ましく、これらの中から少なくとも一つが選ばれる。
【００２４】
次に、以上のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。駆動制御回路から個別電極５とキャビティ基板２の共通電極の間にパルス電圧を印加すると、振動板６は個別電極５側に引き寄せられて吸着し、圧力室９内に負圧を発生させて、リザーバ１４内のインクを吸引し、インクの振動（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が略最大となった時点で、印加電圧を解除すると、振動板６は個別電極５から離脱して復元する。この振動板６の復元時の圧力変化を利用して、インクをノズル孔１１から押出し、インク液滴を吐出する。
【００２５】
実施形態１のインクジェットヘッド１０は、キャビティ基板２の絶縁膜８に関して、振動板６に対応した部分にはＨｉｇｈ−ｋ材からなる第１絶縁膜８ａが形成され、ガラス基板と密着することとなる部分には酸化シリコンからなる第２絶縁膜８ｂが形成されているため、以下のような効果を奏する。
（１）静電アクチュエータ部の発生圧力が向上する。
第１絶縁膜８ａにＨｉｇｈ−ｋ材を使用することで、静電アクチュエータによる発生圧力を向上させることができるとともに、十分な絶縁耐圧を確保することができる。
（２）接合強度を確保できる。
第２絶縁膜８ｂに酸化シリコンを使用することで、キャビティ基板２とガラス基板３との十分な陽極接合強度を確保することができる。
【００２６】
実施形態２．
次に、上記インクジェットヘッド１０の製造方法の一例を、図４、図５に基づいて説明する。図４は実施形態２に係るインクジェットヘッド１０の製造工程を示す流れ図、図５はここで使用するキャビティ基板２への絶縁膜の形成工程を示す工程図で、図４のステップＳ１〜Ｓ４に対応している。
【００２７】
まず、キャビティ基板２となるシリコン基板の片面に絶縁膜８を形成する。これは、片面にボロンがドープされたシリコン基板２（後にキャビティ基板となるためキャビティ基板と同じく符号２で表す）のボロンドープ側面に、Ｈｉｇｈ−ｋ材からなる第１絶縁膜８ａを、ＣＶＤ法またはスパッタ法等により成膜する（図４のＳ１、図５の（ａ））。なお、その成膜厚さは、数十〜数百ｎｍの範囲とする。
次に、第１絶縁膜８ａをパターニングし、静電アクチュエータの可動片を構成する各振動板６に対応する部分に第１絶縁膜８ａを残し、ガラス基板３と密着してそれと接合されることとなる部分では第１絶縁膜８ａを除去する（図４のＳ２、図５の（ｂ））。
続いて、シリコン基板２の上記パターニングが施された側の全面に、酸化シリコンの第２絶縁膜８ｂを成膜する（図４のＳ３、図５の（ｃ））。第２絶縁膜８ｂの成膜厚さは、シリコン基板２に残っている第１絶縁膜８ａを完全に覆うことができる厚さである。
次に、シリコン基板２の第２絶縁膜８ｂが成膜された面の全体を、第１絶縁膜１ａが露出するまで平坦に研磨する（図４のＳ４、図５の（ｄ））。この研磨には、例えばＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）等が利用できる。
【００２８】
一方で、個別電極５を備えたガラス基板３を形成しておく。例えば、パイレックス（登録商標）ガラスからなる板厚約１ｍｍのガラス基板３に、フッ酸によってエッチングすることにより所望の深さの凹部３１を形成する（図４のＳ５）。そして、凹部３１が形成された面に、スパッタ法等によりＩＴＯ膜を１００ｎｍの厚さで形成した後、個別電極５となる部分以外のＩＴＯ膜をエッチング除去して、凹部３１の内部に個別電極５を形成する（図４のＳ６）。また、インク供給孔３２も形成しておく。
【００２９】
次に、以上により作製されたシリコン基板２と、ガラス基板３とをアライメントして陽極接合する（図４のＳ７）。
次に、ガラス基板３と接合されたシリコン基板２の表面全面を研磨加工して、厚さを例えば５０μｍ程度に薄くし（図４のＳ８）、さらにこのシリコン基板２の表面全面をウエットエッチングによりライトエッチングして加工痕を除去する（図４のＳ９）。
【００３０】
次に、薄板に加工されたシリコン基板２の表面にフォトリソグラフィーによってレジストパターニングを行い（図４のＳ１０）、ウェットエッチング（またはドライエッチング）によってインク流路溝を形成する（図４のＳ１１）。これによって、圧力室９となる凹部、リザーバ１４となる凹部および電極取出部２５となる凹部が形成される。なお、水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチングを利用すれば、ボロンドープ層がエッチングストップ層として作用し、それにより振動板６を高精度の厚さで形成でき、その表面荒れも防止することができる。
【００３１】
次に、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）ドライエッチングにより、電極取出部２５に対応する凹部の底部を除去して、電極取出部２５を開口した後、ギャップ７の内部に付着している水分を除去する（図４のＳ１２）。水分除去は、シリコン基板２を例えば真空チャンバ内に入れ、加熱真空引きをすることにより行う。そして、所要時間経過後、窒素ガスを導入し、窒素雰囲気下でギャップ開放端部にエポキシ樹脂等の封止材３３を塗布して気密に封止する（図１８のＳ１３）。このように静電アクチュエータ部分のギャップ７内の付着水分を除去した後、気密封止することによって、静電アクチュエータの駆動耐久性を向上させることができる。
【００３２】
その後、マイクロブラスト加工等によりシリコン基板２にインク供給孔１５を形成する。また、インク流路溝の腐食を防止するため、このシリコン基板の表面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜からなる表面保護膜（図２の符号１６）を形成する。さらに、シリコン基板２上に、金属製の共通電極を形成する。これによって、シリコン基板２からキャビティ基板２が作製される。
【００３３】
その後、このキャビティ基板２の表面上に、ノズル孔１１が形成されたノズル基板１を接着により接合する（図４のＳ１４）。そして最後に、ダイシングにより個々のヘッドチップに切断すれば、上述したインクジェットヘッド１０の本体部が完成する（図４９のＳ１５）。
上記のインクジェットヘッド１０の製造方法によれば、キャビティ基板２の酸化シリコン膜部分とガラス基板３のガラス部分とが陽極接合されるため、キャビティ基板２とガラス基板３を、十分な陽極接合強度をもって積層させることができる。
また、振動板６の個別電極５との対向部分は、Ｈｉｇｈ−ｋ材の絶縁膜となっているため、振動板６と個別電極５とにより構成される静電アクチュエータの発生圧力が向上し、駆動耐久性および吐出性能に優れたインクジェットヘッド１０を得ることができる。
【００３４】
以上の実施形態では、インクジェットヘッドの製造方法を基に、静電アクチュエータの製造方法について述べた。このような静電アクチュエータは、インクジェットヘッドへの適用に限られるものではなく、光スイッチ、ミラーデバイス、マイクロポンプ、レーザプリンタのレーザ操作ミラーの駆動部等にも利用することができる。また、上記実施形態で説明した方法により製造されたインクジェットヘッドは、吐出液の種類を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造等様々な用途の液滴吐出装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１に係る静電駆動式インクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】図１のインクジェットヘッドをＡ−Ａ方向から見た断面図。
【図３】図１のインクジェットヘッドをノズル基板を省略してＢ−Ｂ方向から見た断面図。
【図４】実施形態２に係るインクジェットヘッドの製造工程を示す流れ図。
【図５】図４の中で使用するキャビティ基板への絶縁膜の形成工程を示す工程図。
【符号の説明】
【００３６】
１ ノズル基板、２ キャビティ基板（シリコン基板）、３ ガラス基板、５ 個別電極、５ａ 駆動部、５ｂ リード部、５ｃ 端子部、６ 振動板、７ ギャップ、８ 絶縁膜、８ａ 第１絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ材）、８ｂ 第２絶縁膜（酸化シリコン）、９ 圧力室、１０ インクジェットヘッド、１１ ノズル孔、１２ オリフィス、１４ リザーバ、１５ インク供給孔、１６ 吐出液保護膜、２５ 電極取出部、３１ 凹部、３２ インク供給孔、３３ 封止材。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電駆動方式の静電アクチュエータや液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載される静電駆動方式のインクジェットヘッドが知られている。静電駆動方式のインクジェットヘッドは、一般に、ガラス基板上に形成された個別電極（固定電極）と、この個別電極にギャップを介して対向配置されたシリコン製の振動板（可動電極）とから構成される静電アクチュエータ部を備えている。そして、インク滴を吐出するための複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、このノズル基板に接合されノズル基板との間で上記ノズル孔に連通する圧力室（吐出室とも呼ばれる）、およびリザーバ等のインク流路が形成されたキャビティ基板とを備え、静電アクチュエータ部分に静電気力を発生させることにより、圧力室に圧力を加えて、選択されたノズル孔よりインク滴を吐出するようになっている。
【０００３】
静電アクチュエータにおいては、アクチュエータ部分の絶縁破壊や短絡を防止して駆動の安定性と駆動耐久性を確保するため、振動板や個別電極の対向面に絶縁膜が形成されている。この種の絶縁膜には、一般にシリコンの熱酸化膜が使用されている。しかし最近では、アクチュエータ部分の絶縁膜に、絶縁性と陽極接合時の耐熱性とに適した、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を使用したインクジェットヘッドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７７５０５号公報（段落００６９等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
酸化アルミニウムや酸化タンタルは、Ｈｉｇｈ−ｋ材とも称され、シリコン酸化膜より比誘電率が高く、シリコン酸化膜に比べて高い絶縁性を確保しつつ、同じ電圧で高い圧力を発生させることができる。しかし、Ｈｉｇｈ−ｋ材は、酸化シリコン等に比べてガラス材料との陽極接合性が悪い。そのため、シリコン基板への絶縁膜形成においては、Ｈｉｇｈ−ｋ材の成膜後にパターニングを行って、振動板に対応する部分にのみＨｉｇｈ−ｋ材を残し、ガラス基板との接合面からは、Ｈｉｇｈ−ｋ材の膜を取り除くようにしていた。その結果、複数の振動板の各絶縁膜の平坦度にばらつきが生じ、各振動板毎の静電アクチュエータの動作精度に相違が生じていた。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためのもので、振動板の絶縁膜にＨｉｇｈ−ｋ材を用いた場合においても、シリコン基板とガラス基板との陽極接合強度を確保でき、しかも複数の振動板に対応した各絶縁膜の平坦度にもばらつきが生じにくい、静電アクチュエータおよび液滴吐出ヘッドの製造方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の静電アクチュエータの製造方法は、
複数の振動板が形成されるシリコン基板と、
前記複数の振動板に対応する位置に設けられた凹部に、前記複数の振動板を吸引する個別電極が形成されたガラス基板の前記凹部の形成された面とを、
接合する静電アクチュエータの製造方法であって、
前記シリコン基板に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングして、前記シリコン基板が前記ガラス基板と密着することとなる部分から、前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記シリコン基板の前記第１絶縁膜がパターニングされた面に、前記第１絶縁膜よりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜を、前記第１絶縁膜を覆う厚さとなるまで成膜する工程と、
前記シリコン基板の前記第２絶縁膜が成膜された面を、前記第１絶縁膜が露出するまで平坦に研磨する工程と、
前記第１絶縁膜と前記個別電極を対応させて、前記シリコン基板の第２絶縁膜面と前記ガラス基板とを陽極接合する工程と、
を備えたものである。
【０００８】
これによれば、シリコン酸化膜の絶縁膜より高い絶縁性を確保しつつ、同じ電圧で高い圧力を発生させることができる静電アクチュエータが製造できる。また、シリコン基板とガラス基板との陽極接合に関して、必要な強度を確保することができる。さらに、複数の振動板に対応した各絶縁膜の平坦度のばらつきも低減され、静電アクチュエータの動作精度が向上する。
【０００９】
なお、第１絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）の中から選択されたものであることが好ましい。
【００１０】
また、第２絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることが好ましい。酸化シリコンは、ガラス（特にパイレックス（登録商標）ガラス）との陽極接合性が、上記Ｈｉｇｈ−ｋ材料より良く、シリコン基板とガラス基板との陽極接合強度が向上するからである。
また、ガラス基板に接合されたシリコン基板を、ガラス基板が接合されていない面からウェットエッチングして、振動板を形成する工程を有することが好ましい。これにより、歩留まりが良くかつ精度の高い振動板の形成が可能となるからである。
【００１１】
本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の方法により静電アクチュエータを製造し、該静電アクチュエータを構成している振動板を、液体吐出用の圧力室の壁面に適用するものである。これにより、複数の振動板に対応した各圧力室の動作性能のばらつきが低減するため、吐出性能の高い液滴吐出ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施形態１．
図１は実施形態１に係る液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は図１のインクジェットヘッドのＡ−Ａ方向からみた断面図、図３は図１のインクジェットヘッドのＢ−Ｂ方向からみた断面図（ノズル基板は省略）である。
【００１３】
本実施形態のインクジェットヘッド１０は、図１〜図３に示すように、複数のノズル孔１１が所定のピッチで設けられたノズル基板１と、各ノズル孔１１に対してそれぞれインク供給路が設けられたキャビティ基板２と、キャビティ基板２に設けられた振動板６に対峙して個別電極５が配設されたガラス基板３とが、積層されて構成されている。
【００１４】
ノズル基板１は、例えばシリコン基板から作製される。インク滴を吐出するためのノズル孔１１は、直進性を向上させるため、異なる２段の円筒状に形成されている。また、ノズル基板１には、キャビティ基板２の圧力室９とリザーバ１４とを連通させるオリフィス１２も形成されている。
【００１５】
キャビティ基板２は、例えば面方位が（１１０）のシリコン基板から作製されている。キャビティ基板２には、インク流路に設けられてインク吐出圧を発生させる圧力室９、およびインクを貯えるリザーバ１４が形成されている。圧力室９はノズル孔１１に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、図２に示すように、圧力室９はそれぞれノズル孔１１に連通し、またオリフィス１２ともそれぞれ連通している。そして、圧力室９の底部が振動板６となっている。振動板６はキャビティ基板２の表面にボロン（Ｂ）をドープさせたボロンドープ層から形成されている。そして、キャビティ基板２の振動板側表面には、絶縁膜８が形成されている。
【００１６】
リザーバ１４は、インクを貯留するためのものであり、オリフィス１２を介して各圧力室９に連通している。また、リザーバ１４の底部には後述するガラス基板３のインク供給孔３２に連通するインク供給孔１５が設けられ、図示しないインクカートリッジからインクが供給されるようになっている。なお、通常は、キャビティ基板２の流路形成面側に、インク等の吐出液に対する表面保護膜１６が形成されている。
【００１７】
ガラス基板３は、シリコンと熱膨張係数の近い硼珪酸系の耐熱硬質ガラス、例えばパイレックス（登録商標）ガラスから作製される。これは、ガラス基板３とキャビティ基板２を陽極接合する際、両基板の熱膨張係数が近いため、ガラス基板３とキャビティ基板２との間に生じる応力を低減することができ、その結果剥離等の問題を生じることなく、ガラス基板３とキャビティ基板２を強固に接合することができるからである。
【００１８】
ガラス基板３には、キャビティ基板２の各振動板６に対向する位置にそれぞれ凹部３１が設けられている。各凹部３１内には、一般に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる個別電極５が、例えば１００ｎｍの厚さで形成されている。この凹部３１が振動板６と対峙しており、それによって個別電極５と振動板６がギャップ７を介して対向した状態となっている。
【００１９】
個別電極５は、振動板６に対峙している駆動部５ａと、フレキシブル配線基板（図示せず）に接続される端子部５ｃと、駆動部５ａと端子部５ｃとをつなぐリード部５ｂから成っている。端子部５ｃは、キャビティ基板２の末端部が開口された電極取出部２５に露出している。
また、振動板６と個別電極５との間に形成されるギャップ７の開放端部は、エポキシ等の樹脂による封止材３３で封止されている。これにより、湿気や塵埃等が電極間ギャップ７内へ侵入するのを防止し、インクジェットヘッド１０の信頼性を保持している。
【００２０】
ノズル基板１、キャビティ基板２、およびガラス基板３は、貼り合わせて積層されている。キャビティ基板２とガラス基板３は陽極接合により積層され、ノズル基板１はキャビティ基板２の上面に接着等により積層されている。積層されたガラス基板３とキャビティ基板２の個別電極５と振動板６から構成される部分が、静電アクチュエータを構成しており、振動板６がアクチュエータとして可動する。
【００２１】
インクジェットヘッド１０は、さらに、図示していない駆動制御回路が、各個別電極５の端子部５ｃとキャビティ基板２上面の共通電極（図示せず）とに、フレキシブル配線基板（図示せず）を介して接続されている。
【００２２】
シリコン基板１の振動板６の形成面に形成された絶縁膜８は、振動板６の部分では、酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率の高い誘電材料、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ材と呼ばれる高誘電材料の第１絶縁膜が成膜され、ガラス基板３との密着面（接合面）はＨｉｇｈ−ｋ材よりガラスとの陽極接合性の良い材料、例えば酸化シリコンからなる第２絶縁膜が成膜されている。なお、後述する成膜方法によって、第１絶縁膜８ａと第２絶縁膜８ｂとは一体的に一様な厚さで形成されている。
【００２３】
酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりも比誘電率の高い誘電材料、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ材と呼ばれる高誘電材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）、及びこれらの複合膜等を挙げることができる。その中でも膜の低温成膜性、膜の均質性、プロセス適応性等を考慮した場合、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、アルミナ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）を使用することが望ましく、これらの中から少なくとも一つが選ばれる。
【００２４】
次に、以上のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。駆動制御回路から個別電極５とキャビティ基板２の共通電極の間にパルス電圧を印加すると、振動板６は個別電極５側に引き寄せられて吸着し、圧力室９内に負圧を発生させて、リザーバ１４内のインクを吸引し、インクの振動（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が略最大となった時点で、印加電圧を解除すると、振動板６は個別電極５から離脱して復元する。この振動板６の復元時の圧力変化を利用して、インクをノズル孔１１から押出し、インク液滴を吐出する。
【００２５】
実施形態１のインクジェットヘッド１０は、キャビティ基板２の絶縁膜８に関して、振動板６に対応した部分にはＨｉｇｈ−ｋ材からなる第１絶縁膜８ａが形成され、ガラス基板と密着することとなる部分には酸化シリコンからなる第２絶縁膜８ｂが形成されているため、以下のような効果を奏する。
（１）静電アクチュエータ部の発生圧力が向上する。
第１絶縁膜８ａにＨｉｇｈ−ｋ材を使用することで、静電アクチュエータによる発生圧力を向上させることができるとともに、十分な絶縁耐圧を確保することができる。
（２）接合強度を確保できる。
第２絶縁膜８ｂに酸化シリコンを使用することで、キャビティ基板２とガラス基板３との十分な陽極接合強度を確保することができる。
【００２６】
実施形態２．
次に、上記インクジェットヘッド１０の製造方法の一例を、図４、図５に基づいて説明する。図４は実施形態２に係るインクジェットヘッド１０の製造工程を示す流れ図、図５はここで使用するキャビティ基板２への絶縁膜の形成工程を示す工程図で、図４のステップＳ１〜Ｓ４に対応している。
【００２７】
まず、キャビティ基板２となるシリコン基板の片面に絶縁膜８を形成する。これは、片面にボロンがドープされたシリコン基板２（後にキャビティ基板となるためキャビティ基板と同じく符号２で表す）のボロンドープ側面に、Ｈｉｇｈ−ｋ材からなる第１絶縁膜８ａを、ＣＶＤ法またはスパッタ法等により成膜する（図４のＳ１、図５の（ａ））。なお、その成膜厚さは、数十〜数百ｎｍの範囲とする。
次に、第１絶縁膜８ａをパターニングし、静電アクチュエータの可動片を構成する各振動板６に対応する部分に第１絶縁膜８ａを残し、ガラス基板３と密着してそれと接合されることとなる部分では第１絶縁膜８ａを除去する（図４のＳ２、図５の（ｂ））。
続いて、シリコン基板２の上記パターニングが施された側の全面に、酸化シリコンの第２絶縁膜８ｂを成膜する（図４のＳ３、図５の（ｃ））。第２絶縁膜８ｂの成膜厚さは、シリコン基板２に残っている第１絶縁膜８ａを完全に覆うことができる厚さである。
次に、シリコン基板２の第２絶縁膜８ｂが成膜された面の全体を、第１絶縁膜１ａが露出するまで平坦に研磨する（図４のＳ４、図５の（ｄ））。この研磨には、例えばＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）等が利用できる。
【００２８】
一方で、個別電極５を備えたガラス基板３を形成しておく。例えば、パイレックス（登録商標）ガラスからなる板厚約１ｍｍのガラス基板３に、フッ酸によってエッチングすることにより所望の深さの凹部３１を形成する（図４のＳ５）。そして、凹部３１が形成された面に、スパッタ法等によりＩＴＯ膜を１００ｎｍの厚さで形成した後、個別電極５となる部分以外のＩＴＯ膜をエッチング除去して、凹部３１の内部に個別電極５を形成する（図４のＳ６）。また、インク供給孔３２も形成しておく。
【００２９】
次に、以上により作製されたシリコン基板２と、ガラス基板３とをアライメントして陽極接合する（図４のＳ７）。
次に、ガラス基板３と接合されたシリコン基板２の表面全面を研磨加工して、厚さを例えば５０μｍ程度に薄くし（図４のＳ８）、さらにこのシリコン基板２の表面全面をウエットエッチングによりライトエッチングして加工痕を除去する（図４のＳ９）。
【００３０】
次に、薄板に加工されたシリコン基板２の表面にフォトリソグラフィーによってレジストパターニングを行い（図４のＳ１０）、ウェットエッチング（またはドライエッチング）によってインク流路溝を形成する（図４のＳ１１）。これによって、圧力室９となる凹部、リザーバ１４となる凹部および電極取出部２５となる凹部が形成される。なお、水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチングを利用すれば、ボロンドープ層がエッチングストップ層として作用し、それにより振動板６を高精度の厚さで形成でき、その表面荒れも防止することができる。
【００３１】
次に、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）ドライエッチングにより、電極取出部２５に対応する凹部の底部を除去して、電極取出部２５を開口した後、ギャップ７の内部に付着している水分を除去する（図４のＳ１２）。水分除去は、シリコン基板２を例えば真空チャンバ内に入れ、加熱真空引きをすることにより行う。そして、所要時間経過後、窒素ガスを導入し、窒素雰囲気下でギャップ開放端部にエポキシ樹脂等の封止材３３を塗布して気密に封止する（図１８のＳ１３）。このように静電アクチュエータ部分のギャップ７内の付着水分を除去した後、気密封止することによって、静電アクチュエータの駆動耐久性を向上させることができる。
【００３２】
その後、マイクロブラスト加工等によりシリコン基板２にインク供給孔１５を形成する。また、インク流路溝の腐食を防止するため、このシリコン基板の表面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜からなる表面保護膜（図２の符号１６）を形成する。さらに、シリコン基板２上に、金属製の共通電極を形成する。これによって、シリコン基板２からキャビティ基板２が作製される。
【００３３】
その後、このキャビティ基板２の表面上に、ノズル孔１１が形成されたノズル基板１を接着により接合する（図４のＳ１４）。そして最後に、ダイシングにより個々のヘッドチップに切断すれば、上述したインクジェットヘッド１０の本体部が完成する（図４９のＳ１５）。
上記のインクジェットヘッド１０の製造方法によれば、キャビティ基板２の酸化シリコン膜部分とガラス基板３のガラス部分とが陽極接合されるため、キャビティ基板２とガラス基板３を、十分な陽極接合強度をもって積層させることができる。
また、振動板６の個別電極５との対向部分は、Ｈｉｇｈ−ｋ材の絶縁膜となっているため、振動板６と個別電極５とにより構成される静電アクチュエータの発生圧力が向上し、駆動耐久性および吐出性能に優れたインクジェットヘッド１０を得ることができる。
【００３４】
以上の実施形態では、インクジェットヘッドの製造方法を基に、静電アクチュエータの製造方法について述べた。このような静電アクチュエータは、インクジェットヘッドへの適用に限られるものではなく、光スイッチ、ミラーデバイス、マイクロポンプ、レーザプリンタのレーザ操作ミラーの駆動部等にも利用することができる。また、上記実施形態で説明した方法により製造されたインクジェットヘッドは、吐出液の種類を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造等様々な用途の液滴吐出装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１に係る静電駆動式インクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】図１のインクジェットヘッドをＡ−Ａ方向から見た断面図。
【図３】図１のインクジェットヘッドをノズル基板を省略してＢ−Ｂ方向から見た断面図。
【図４】実施形態２に係るインクジェットヘッドの製造工程を示す流れ図。
【図５】図４の中で使用するキャビティ基板への絶縁膜の形成工程を示す工程図。
【符号の説明】
【００３６】
１ ノズル基板、２ キャビティ基板（シリコン基板）、３ ガラス基板、５ 個別電極、５ａ 駆動部、５ｂ リード部、５ｃ 端子部、６ 振動板、７ ギャップ、８ 絶縁膜、８ａ 第１絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ材）、８ｂ 第２絶縁膜（酸化シリコン）、９ 圧力室、１０ インクジェットヘッド、１１ ノズル孔、１２ オリフィス、１４ リザーバ、１５ インク供給孔、１６ 吐出液保護膜、２５ 電極取出部、３１ 凹部、３２ インク供給孔、３３ 封止材。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の振動板が形成されるシリコン基板と、
前記複数の振動板に対応する位置に設けられた凹部に、前記複数の振動板を吸引する個別電極が形成されたガラス基板の前記凹部の形成された面とを、
接合する静電アクチュエータの製造方法であって、
前記シリコン基板に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングして、前記シリコン基板が前記ガラス基板と密着することとなる部分から、前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記シリコン基板の前記第１絶縁膜がパターニングされた面に、前記第１絶縁膜よりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜を、前記第１絶縁膜を覆う厚さとなるまで成膜する工程と、
前記シリコン基板の前記第２絶縁膜が成膜された面を、前記第１絶縁膜が露出するまで平坦に研磨する工程と、
前記第１絶縁膜と前記個別電極を対応させて、前記シリコン基板の第２絶縁膜面と前記ガラス基板とを陽極接合する工程と、
を備えたことを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）の中から選択されたものであることを特徴とする請求項１記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする請求項１または２記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板に接合された前記シリコン基板を、前記ガラス基板が接合されていない面からウェットエッチングして、前記振動板を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の方法により静電アクチュエータを製造し、該静電アクチュエータを構成している前記振動板を液体吐出用の圧力室の壁面に適用することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１】
複数の振動板が形成されるシリコン基板と、
前記複数の振動板に対応する位置に設けられた凹部に、前記複数の振動板を吸引する個別電極が形成されたガラス基板の前記凹部の形成された面とを、
接合する静電アクチュエータの製造方法であって、
前記シリコン基板に酸化シリコンよりも比誘電率が高い誘電材料からなる第１絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングして、前記シリコン基板が前記ガラス基板と密着することとなる部分から、前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記シリコン基板の前記第１絶縁膜がパターニングされた面に、前記第１絶縁膜よりガラスとの陽極接合性の良い第２絶縁膜を、前記第１絶縁膜を覆う厚さとなるまで成膜する工程と、
前記シリコン基板の前記第２絶縁膜が成膜された面を、前記第１絶縁膜が露出するまで平坦に研磨する工程と、
前記第１絶縁膜と前記個別電極を対応させて、前記シリコン基板の第２絶縁膜面と前記ガラス基板とを陽極接合する工程と、
を備えたことを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ3）、窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＮ）、酸窒化ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉＯ）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）、ジルコニウムアルミネート（ＺｒＡｌＯ）、窒素添加ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯＮ）の中から選択されたものであることを特徴とする請求項１記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）であることを特徴とする請求項１または２記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板に接合された前記シリコン基板を、前記ガラス基板が接合されていない面からウェットエッチングして、前記振動板を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の静電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の方法により静電アクチュエータを製造し、該静電アクチュエータを構成している前記振動板を液体吐出用の圧力室の壁面に適用することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−２４８４６７（Ｐ２００９−２４８４６７Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９９９２３（Ｐ２００８−９９９２３）
【出願日】平成２０年４月８日（２００８．４．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月８日（２００８．４．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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