OLEDパネル及びそれを駆動する電流ミラー
【課題】
OLEDパネルに均一性の高い電流を供給することが可能で、それによりOLEDパネルの性能を向上することが可能な、OLEDパネルを駆動するための電流ミラーを提供する。
【解決手段】
電流ミラーは、OLEDパネルに均一性の高い電流を供給するように、電流ミラーの主要部に低圧MOSトランジスタを採用する。また、電流ミラーは、OLEDパネルのために使用される高電圧が当該電流ミラーに利用されるように、当該電流ミラーをバイアスする高電圧デバイスを用いる。
OLEDパネルに均一性の高い電流を供給することが可能で、それによりOLEDパネルの性能を向上することが可能な、OLEDパネルを駆動するための電流ミラーを提供する。
【解決手段】
電流ミラーは、OLEDパネルに均一性の高い電流を供給するように、電流ミラーの主要部に低圧MOSトランジスタを採用する。また、電流ミラーは、OLEDパネルのために使用される高電圧が当該電流ミラーに利用されるように、当該電流ミラーをバイアスする高電圧デバイスを用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光ダイオード(OLED)パネル及びそれを駆動する電流ミラーに関し、より具体的には、OLEDパネル及び該OLEDパネルを駆動するための安定した駆動電流を供給可能な電流ミラーに関する。
【背景技術】
【0002】
技術の急速な進展に伴って、軽くて持ち運び可能で、低消費電力性を備えた電子デバイスが日常生活において広く用いられるようになっている。例えば移動電話、携帯情報端末(PDA)又はノート型コンピュータ等のこれら電子デバイスにおいては、ユーザと機械との間の交流インターフェースとしてディスプレーが必要である。近年、高解像度イメージ、大型スクリーン、及び低コスト化のため、平面パネルディスプレー(FPD)デバイスの開発が進められている。様々なFPDデバイスの中でも、有機発光ダイオード(OLED)パネルが、中/小型応用において、ますます大きな注目を得るに至っている。それは、例えば、自発光源、広視野角、高速応答時間、低消費電力、高コントラスト、高輝度、フルカラー、簡易な構造、及び広い動作温度範囲といった利点のためである。例えば、低歩留まり、不都合なマスク適用、又は不安定なキャップ封止プロセスといった製造上の課題も近年解決されつつあり、OLEDパネルは将来動向となってきている。
【0003】
OLEDパネルは電流駆動デバイスであり、その輝度は通過電流によって決定される。故に、駆動電流の安定化が非常に重要である。高解像度のパッシブマトリックス型OLED(PMOLED)、又は電流モードのアクティブマトリックス型OLED(AMOLED)を用いるパネルでは、OLEDの各画素に供給される電流間の均一性が、高品質イメージを提供するために極めて重要である。
【0004】
PMOLEDパネルはパルス幅変調(PWM)によって駆動可能である。PWMでは、PMOLEDの発光を制御するために、パルス電圧のデューティサイクルが変化させられる。従来から、OLEDパネルを駆動するために電流ミラーが用いられてきた。高圧電源が必要であるため、電流ミラーは高電圧の金属酸化膜半導体(高圧MOS)トランジスタを有している。図1は、PWMによってOLEDパネルを駆動するための従来の電流ミラー100を示している。電流ミラー100はn+1個の高圧p型MOS(高圧PMOS)トランジスタP0乃至Pn(図1にはP0、P1、P2及びPnのみが示されている)を有している。電流ミラー100は高電圧であるVcc_HVを受けている。図1に示されるように、各高圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高圧電源Vcc_HVに結合されている。電流ミラー100は、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnのドレイン端子側のOLEDパネルに、電流I1乃至Inを出力する。しかし、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧が公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー100は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0005】
図2は、PWMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー200を示している。従来の電流ミラー100に対して、従来の電流ミラー200はカスコード構造をしており、対応する高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnに直列接続されたn+1個の高圧PMOSトランジスタPC0乃至PCn(図2にはPC0、PC1、PC2及びPCnのみが示されている)をさらに有している。トランジスタP0乃至Pnは高圧PMOSトランジスタであるため、ドレイン端子(図2のノードA0乃至An)に定められる電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー200に用いられる全てのデバイスが高圧PMOSトランジスタでなければならない。故に、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pn、及びPC0乃至PCnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー200は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0006】
PMOLEDパネルはまた、パルス振幅変調(PAM)によっても駆動可能である。図3は、MビットPAMモジュール30を示している。PAMモジュール30はスイッチSW1乃至SWm、及びNMOSトランジスタN1乃至Nmを有している。IDC1乃至IDCmは、それぞれ、NMOSトランジスタN1乃至Nmを通る電流を示している。PAMモジュール30は、電流IDC1乃至IDCmの経路をスイッチSW1乃至SWmを用いて制御し、それによって全体電流IDCの量を制御する。
【0007】
図4は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための従来の電流ミラー400を示している。電流ミラー400は電流源IDC、n型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタN0、2n個の高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’、並びにPAMモジュールPAM1乃至PAMnを有している。電流ミラー400は高電圧Vcc_HVを受け取っている。図4に示されるように、各高圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧Vcc_HVに結合され、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子は、それぞれ、PAMモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。PAMモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図3に示されるMビットPAMモジュール30を含むことができる。ドレイン電流I1’乃至In’がOLEDパネルに出力される。PAMモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnを通るドレイン電流I1乃至Inの量を制御し、それによって、高圧PMOSトランジスタP1’乃至Pn’を通るドレイン電流I1’乃至In’の量を制御する。高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は公称値から別々に外れ、電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー400は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0008】
図5は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー500を示している。従来の電流ミラー400に対して、従来の電流ミラー500はカスコード構造をしており、対応する高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’にそれぞれ直列接続された2n個の高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’をさらに有している。トランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’は高圧PMOSトランジスタであるため、ドレイン端子(図5のノードA1乃至An)に設立される電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー500に用いられる全てのデバイスが高圧PMOSトランジスタでなければならない。故に、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、OLEDパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0009】
図6は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー600を示している。従来の電流ミラー500に対して、従来の電流ミラー600もまたカスコード構造をしているが、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子がそれぞれ高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCnのゲート端子に結合され、高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’のゲート端子が基準電圧に結合されている。電流ミラー600では、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は、公称値から別々に外れ、OLEDパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0010】
AMOLEDパネルにおいては、各OLED画素は薄膜トランジスタ(TFT)スイッチで制御される。AMOLEDパネルを駆動するデータドライバーは、イメージデータに対応する駆動電流を生成可能なデジタル・アナログ変換器(DAC)を有する。電流方向に応じて、データドライバーは2つの型式に分類される。シンクモードのデータドライバー及びソースモードのデータドライバーである。図7は、AMOLEDパネルを駆動するための従来のシンクモード電流ミラー700を示している。電流ミラー700は電流源IDC、n+1個の高圧NMOSトランジスタN0乃至Nn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧NMOSトランジスタN0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧NMOSトランジスタN1乃至Nnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。故に、電流ミラー700はスイッチSW1乃至SWnをオン/オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧NMOSトランジスタN1乃至Nnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧NMOSトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー700は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をAMOLEDパネルに供給することができなかった。
【0011】
図8は、AMOLEDパネルを駆動するための従来のソースモード電流ミラー800を示している。電流ミラー800は電流源IDC、n+1個の高圧PMOSトランジスタP0乃至Pn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧PMOSトランジスタP0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。故に、電流ミラー800はスイッチSW1乃至SWnをオン/オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧PMOSトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー800は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をAMOLEDパネルに供給することができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明の目的は、OLEDパネルに均一性の高い電流を供給することが可能な、OLEDパネルを駆動するための電流ミラー、及びそれを用いたOLEDディスプレーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明によって提供される有機発光ダイオード(OLED)パネルを駆動する電流ミラーは、第1の低電圧P型MOS(低圧PMOS)トランジスタであり、第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイスを有する。
【0014】
本発明によって提供されるOLEDディスプレーは、OLEDパネル及び該OLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイスを有する。
【0015】
本発明によってさらに提供されるパッシブマトリックス型(PM)OLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子及び前記PMOLEDパネルに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するパルス振幅変調(PAM)モジュール;並びにN型MOS(NMOS)トランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するNMOSトランジスタを有する。
【0016】
本発明によってさらに提供されるPMOLEDディスプレーは、PMOLEDパネル及び該PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記PMOLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;並びにNMOSトランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するNMOSトランジスタを有する。
【0017】
本発明によってさらに提供されるアクティブマトリックス型(AM)OLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧NMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;第2の低圧NMOSトランジスタであり、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0018】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDディスプレーは、AMOLEDパネル及び該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧NMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;第2の低圧NMOSトランジスタであり、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0019】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0020】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDディスプレーは、AMOLEDパネル及び該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0021】
本発明のこれら及び他の目的は、様々な図に例示される好ましい実施形態についての以下の詳細な記載により、当業者にとって明白となるところである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
図9は本発明に従った、PWMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー900を示している。従来の電流ミラーと異なり、電流ミラー900はn+1個の低圧p型金属酸化膜半導体(低圧PMOS)トランジスタPL0乃至PLn(図9にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている)、及び、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnにそれぞれ直列接続された高圧デバイス90乃至9nを有している。高圧デバイス90乃至9nは低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnにバイアス電圧を供給する。図9に示されるように、電流ミラー900はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1乃至IhnをPMOLEDパネルに供給することができる。低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnの大きさ(W/L比)はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス90乃至9nを用いて低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー900は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1乃至IhnをPMOLEDパネルに供給することができる。
【0023】
図10は、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第1実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1000を示している。図10に示されるように、電流ミラー1000はカスコード構造をしており、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスするためのn+1個の高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHn(図10にはPH0、PH1、PH2及びPHnのみが示されている)を有している。高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのソース端子はそれぞれ低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に結合されている。
【0024】
図11、12及び13はそれぞれ、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第2、3及び4の実施形態に従った電流ミラー1100、1200及び1300を示している。電流ミラー1000と同様に、電流ミラー1100乃至1300では、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイス90乃至9nに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー1100乃至1300で異なるように結合されている。電流ミラー1100では図11に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は高圧PMOSトランジスタPH0のドレイン端子に結合されている。電流ミラー1200では図12に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1300では図13に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0025】
図14は本発明に従った、PAMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1400を示している。従来の電流ミラー400と異なり、電流ミラー1400は、2n個の低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’、並びに、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にそれぞれ直列接続された高圧デバイス140乃至14nを有している。高圧デバイス140乃至14nは低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にバイアス電圧を供給する。図14に示されるように、電流ミラー1400はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。そして、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子、それぞれ、高圧デバイス140乃至14nを介してPAMモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。PAMモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図3に示されるMビットPAMモジュール30を含むことができる。低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnに結合された高圧デバイス140乃至14nは電流Ih1乃至Ihnを出力する。一方、低圧PMOSトランジスタPL1’乃至PLn’に結合された高圧デバイス140乃至14nは、電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに出力する。PAMモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnを通るドレイン電流Ih1乃至Ihnの量を制御し、それによって、高圧PMOSトランジスタPL1’乃至PLn’を通るドレイン電流Ih1’乃至Ihn’の量を制御する。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1400は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。各低圧PMOSトランジスタの大きさ(W/L比)はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス140乃至14nを用いて低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー1400は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。
【0026】
図15は、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第5実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1500を示している。図15に示されるように、電流ミラー1500は、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’をそれぞれバイアスするための2n個の高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’を有している。高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のソース端子は、それぞれ、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に結合されている。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1500は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。
【0027】
図16、17及び18はそれぞれ、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第6、7及び8の実施形態に従った電流ミラー1600、1700及び1800を示している。電流ミラー1500と同様に、電流ミラー1600乃至1800では高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’が高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は、電流ミラー1600乃至1800で異なるように結合されている。電流ミラー1600では図16に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー1700では図17に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1800では図18に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0028】
図19は本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラー1900を示している。電流ミラー1900は電流源IDC、n+1個の低圧NMOSトランジスタNL0乃至NLn(図19にはNL0、NL1、NL2及びNLnのみが示されている)、高圧デバイス190乃至19n(図19には190、191、192及び19nのみが示されている)、及びスイッチSW1乃至SWn(図19にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている)を有している。従来の電流ミラー700と異なり、本発明に係る電流ミラー1900は低圧NMOSトランジスタNL0乃至NLn、及び、低圧NMOSトランジスタをそれぞれバイアスする高圧デバイス190乃至19nを有している。高圧デバイス190乃至19nは高圧NMOSトランジスタを含み得る。低圧NMOSトランジスタNL0のドレイン端子は高圧デバイス190を介して電流源IDCに結合され、低圧NMOSトランジスタNL1乃至NLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス191乃至19n及びスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。電流ミラー1900はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧NMOSトランジスタの閾値電圧は高圧NMOSトランジスタのそれより安定しているので、低圧NMOSトランジスタNL1乃至NLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー1900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をAMOLEDパネルに供給することができる。
【0029】
図20は本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラー2000を示している。電流ミラー2000は電流源IDC、n+1個の低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLn(図20にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている)、高圧デバイス200乃至20n(図20には200、201、202及び20nのみが示されている)、及びスイッチSW1乃至SWn(図20にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている)を有している。従来の電流ミラー800と異なり、本発明に係る電流ミラー2000は低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLn、及び、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスする高圧デバイス200乃至20nを有している。高圧デバイス200乃至20nは高圧PMOSトランジスタを含み得る。低圧PMOSトランジスタPL0のドレイン端子は高圧デバイス200を介して電流源IDCに結合され、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス201乃至20n及びスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。電流ミラー2000はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー2000は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をAMOLEDパネルに供給することができる。
【0030】
図21、22、23及び24はそれぞれ、シンクモード電流ミラー1900の構成を基礎とする本発明の第9、10、11及び12の実施形態に従った電流ミラー2100、2200、2300及び2400を示している。シンクモード電流ミラー1900と同様に、電流ミラー2100乃至2400では、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は、電流ミラー2100乃至2400で異なるように結合されている。電流ミラー2100では図21に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2200では図22に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2300では図23に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧NMOSトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2400では図24に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧NMOSトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0031】
図25、26、27及び28はそれぞれ、ソースモード電流ミラー2000の構成を基礎とする本発明の第13、14、15及び16の実施形態に従った電流ミラー2500、2600、2700及び2800を示している。ソースモード電流ミラー2000と同様に、電流ミラー2500乃至2800では、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー2500乃至2800で異なるように結合されている。電流ミラー2500では図25に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2600では図26に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2700では図27に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2800では図28に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0032】
要するに、本発明は電圧バイアスをもたらす高圧デバイスに接続されたLVトランジスタを用いる電流ミラーを提供する。本発明に従った電流ミラーは、OLEDパネルに用いられる高電圧を受けることができると同時に、安定した閾値電圧を有するLVトランジスタを用いて安定した駆動電流を供給することができるので、OLEDパネルは高解像度イメージを提供することが可能である。図9乃至28に例示された図は単に本発明の実施形態であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【0033】
本発明の教示の範囲内で、デバイス及び方法に多数の変更及び代替が為され得ることは当業者が容易に気付くところである。従って、上述の開示は添付の請求項の境界及び範囲によってのみ限定されるものとして解釈されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】従来技術に係る、PWMによってOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図2】従来技術に係る、PWMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図3】MビットPAMモジュールを示す回路図である。
【図4】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図5】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図6】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図7】従来技術に係る、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図8】従来技術に係る、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図9】本発明に従った、PWMによってPMOLEDパネルを駆動するため電流ミラーを示す回路図である。
【図10】本発明の第1実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図11】本発明の第2実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図12】本発明の第3実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図13】本発明の第4実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図14】本発明に従った、PAMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図15】本発明の第5実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図16】本発明の第6実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図17】本発明の第7実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図18】本発明の第8実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図19】本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図20】本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図21】本発明の第9実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図22】本発明の第10実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図23】本発明の第11実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図24】本発明の第12実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図25】本発明の第13実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図26】本発明の第14実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図27】本発明の第15実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図28】本発明の第16実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【符号の説明】
【0035】
100、200、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300、2400、2500、2600、2700、2800 … 電流ミラー
30 … PAMモジュール
90、91、92、9n、140、141、14n、190、191、192、19n、200、201、202、20n … 高圧デバイス
PL0、PL1、PL2、PLn、PL1’、PL2’、PLn’ … 低圧PMOSトランジスタ
PH0、PH1、PH2、PHn、PCH1、PCH2、PCHn、PCH1’、PCH2’、PCHn’ … 高圧PMOSトランジスタ
N0、N1、N2、Nm … NMOSトランジスタ
NL0、NL1、NL2、NLn … 低圧NMOSトランジスタ
NH0、NH1、NH2、NHn … 高圧NMOSトランジスタ
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光ダイオード(OLED)パネル及びそれを駆動する電流ミラーに関し、より具体的には、OLEDパネル及び該OLEDパネルを駆動するための安定した駆動電流を供給可能な電流ミラーに関する。
【背景技術】
【0002】
技術の急速な進展に伴って、軽くて持ち運び可能で、低消費電力性を備えた電子デバイスが日常生活において広く用いられるようになっている。例えば移動電話、携帯情報端末(PDA)又はノート型コンピュータ等のこれら電子デバイスにおいては、ユーザと機械との間の交流インターフェースとしてディスプレーが必要である。近年、高解像度イメージ、大型スクリーン、及び低コスト化のため、平面パネルディスプレー(FPD)デバイスの開発が進められている。様々なFPDデバイスの中でも、有機発光ダイオード(OLED)パネルが、中/小型応用において、ますます大きな注目を得るに至っている。それは、例えば、自発光源、広視野角、高速応答時間、低消費電力、高コントラスト、高輝度、フルカラー、簡易な構造、及び広い動作温度範囲といった利点のためである。例えば、低歩留まり、不都合なマスク適用、又は不安定なキャップ封止プロセスといった製造上の課題も近年解決されつつあり、OLEDパネルは将来動向となってきている。
【0003】
OLEDパネルは電流駆動デバイスであり、その輝度は通過電流によって決定される。故に、駆動電流の安定化が非常に重要である。高解像度のパッシブマトリックス型OLED(PMOLED)、又は電流モードのアクティブマトリックス型OLED(AMOLED)を用いるパネルでは、OLEDの各画素に供給される電流間の均一性が、高品質イメージを提供するために極めて重要である。
【0004】
PMOLEDパネルはパルス幅変調(PWM)によって駆動可能である。PWMでは、PMOLEDの発光を制御するために、パルス電圧のデューティサイクルが変化させられる。従来から、OLEDパネルを駆動するために電流ミラーが用いられてきた。高圧電源が必要であるため、電流ミラーは高電圧の金属酸化膜半導体(高圧MOS)トランジスタを有している。図1は、PWMによってOLEDパネルを駆動するための従来の電流ミラー100を示している。電流ミラー100はn+1個の高圧p型MOS(高圧PMOS)トランジスタP0乃至Pn(図1にはP0、P1、P2及びPnのみが示されている)を有している。電流ミラー100は高電圧であるVcc_HVを受けている。図1に示されるように、各高圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高圧電源Vcc_HVに結合されている。電流ミラー100は、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnのドレイン端子側のOLEDパネルに、電流I1乃至Inを出力する。しかし、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧が公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー100は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0005】
図2は、PWMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー200を示している。従来の電流ミラー100に対して、従来の電流ミラー200はカスコード構造をしており、対応する高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnに直列接続されたn+1個の高圧PMOSトランジスタPC0乃至PCn(図2にはPC0、PC1、PC2及びPCnのみが示されている)をさらに有している。トランジスタP0乃至Pnは高圧PMOSトランジスタであるため、ドレイン端子(図2のノードA0乃至An)に定められる電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー200に用いられる全てのデバイスが高圧PMOSトランジスタでなければならない。故に、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pn、及びPC0乃至PCnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー200は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0006】
PMOLEDパネルはまた、パルス振幅変調(PAM)によっても駆動可能である。図3は、MビットPAMモジュール30を示している。PAMモジュール30はスイッチSW1乃至SWm、及びNMOSトランジスタN1乃至Nmを有している。IDC1乃至IDCmは、それぞれ、NMOSトランジスタN1乃至Nmを通る電流を示している。PAMモジュール30は、電流IDC1乃至IDCmの経路をスイッチSW1乃至SWmを用いて制御し、それによって全体電流IDCの量を制御する。
【0007】
図4は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための従来の電流ミラー400を示している。電流ミラー400は電流源IDC、n型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタN0、2n個の高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’、並びにPAMモジュールPAM1乃至PAMnを有している。電流ミラー400は高電圧Vcc_HVを受け取っている。図4に示されるように、各高圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧Vcc_HVに結合され、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子は、それぞれ、PAMモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。PAMモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図3に示されるMビットPAMモジュール30を含むことができる。ドレイン電流I1’乃至In’がOLEDパネルに出力される。PAMモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnを通るドレイン電流I1乃至Inの量を制御し、それによって、高圧PMOSトランジスタP1’乃至Pn’を通るドレイン電流I1’乃至In’の量を制御する。高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は公称値から別々に外れ、電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー400は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0008】
図5は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー500を示している。従来の電流ミラー400に対して、従来の電流ミラー500はカスコード構造をしており、対応する高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’にそれぞれ直列接続された2n個の高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’をさらに有している。トランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’は高圧PMOSトランジスタであるため、ドレイン端子(図5のノードA1乃至An)に設立される電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー500に用いられる全てのデバイスが高圧PMOSトランジスタでなければならない。故に、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、OLEDパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0009】
図6は、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー600を示している。従来の電流ミラー500に対して、従来の電流ミラー600もまたカスコード構造をしているが、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子がそれぞれ高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCnのゲート端子に結合され、高圧PMOSトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’のゲート端子が基準電圧に結合されている。電流ミラー600では、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は、公称値から別々に外れ、OLEDパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をOLEDパネルに供給することができなかった。
【0010】
AMOLEDパネルにおいては、各OLED画素は薄膜トランジスタ(TFT)スイッチで制御される。AMOLEDパネルを駆動するデータドライバーは、イメージデータに対応する駆動電流を生成可能なデジタル・アナログ変換器(DAC)を有する。電流方向に応じて、データドライバーは2つの型式に分類される。シンクモードのデータドライバー及びソースモードのデータドライバーである。図7は、AMOLEDパネルを駆動するための従来のシンクモード電流ミラー700を示している。電流ミラー700は電流源IDC、n+1個の高圧NMOSトランジスタN0乃至Nn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧NMOSトランジスタN0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧NMOSトランジスタN1乃至Nnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。故に、電流ミラー700はスイッチSW1乃至SWnをオン/オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧NMOSトランジスタN1乃至Nnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧NMOSトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー700は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をAMOLEDパネルに供給することができなかった。
【0011】
図8は、AMOLEDパネルを駆動するための従来のソースモード電流ミラー800を示している。電流ミラー800は電流源IDC、n+1個の高圧PMOSトランジスタP0乃至Pn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧PMOSトランジスタP0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧PMOSトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。故に、電流ミラー800はスイッチSW1乃至SWnをオン/オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧PMOSトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧PMOSトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー800は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をAMOLEDパネルに供給することができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明の目的は、OLEDパネルに均一性の高い電流を供給することが可能な、OLEDパネルを駆動するための電流ミラー、及びそれを用いたOLEDディスプレーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明によって提供される有機発光ダイオード(OLED)パネルを駆動する電流ミラーは、第1の低電圧P型MOS(低圧PMOS)トランジスタであり、第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイスを有する。
【0014】
本発明によって提供されるOLEDディスプレーは、OLEDパネル及び該OLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイスを有する。
【0015】
本発明によってさらに提供されるパッシブマトリックス型(PM)OLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子及び前記PMOLEDパネルに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するパルス振幅変調(PAM)モジュール;並びにN型MOS(NMOS)トランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するNMOSトランジスタを有する。
【0016】
本発明によってさらに提供されるPMOLEDディスプレーは、PMOLEDパネル及び該PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記PMOLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;並びにNMOSトランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するNMOSトランジスタを有する。
【0017】
本発明によってさらに提供されるアクティブマトリックス型(AM)OLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧NMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;第2の低圧NMOSトランジスタであり、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0018】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDディスプレーは、AMOLEDパネル及び該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧NMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;第2の低圧NMOSトランジスタであり、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0019】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDパネルを駆動する電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0020】
本発明によってさらに提供されるAMOLEDディスプレーは、AMOLEDパネル及び該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源;第1の低圧PMOSトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;第2の低圧PMOSトランジスタであり、前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【0021】
本発明のこれら及び他の目的は、様々な図に例示される好ましい実施形態についての以下の詳細な記載により、当業者にとって明白となるところである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
図9は本発明に従った、PWMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー900を示している。従来の電流ミラーと異なり、電流ミラー900はn+1個の低圧p型金属酸化膜半導体(低圧PMOS)トランジスタPL0乃至PLn(図9にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている)、及び、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnにそれぞれ直列接続された高圧デバイス90乃至9nを有している。高圧デバイス90乃至9nは低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnにバイアス電圧を供給する。図9に示されるように、電流ミラー900はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1乃至IhnをPMOLEDパネルに供給することができる。低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnの大きさ(W/L比)はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス90乃至9nを用いて低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー900は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1乃至IhnをPMOLEDパネルに供給することができる。
【0023】
図10は、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第1実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1000を示している。図10に示されるように、電流ミラー1000はカスコード構造をしており、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスするためのn+1個の高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHn(図10にはPH0、PH1、PH2及びPHnのみが示されている)を有している。高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのソース端子はそれぞれ低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に結合されている。
【0024】
図11、12及び13はそれぞれ、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第2、3及び4の実施形態に従った電流ミラー1100、1200及び1300を示している。電流ミラー1000と同様に、電流ミラー1100乃至1300では、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイス90乃至9nに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー1100乃至1300で異なるように結合されている。電流ミラー1100では図11に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は高圧PMOSトランジスタPH0のドレイン端子に結合されている。電流ミラー1200では図12に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1300では図13に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0025】
図14は本発明に従った、PAMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1400を示している。従来の電流ミラー400と異なり、電流ミラー1400は、2n個の低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’、並びに、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にそれぞれ直列接続された高圧デバイス140乃至14nを有している。高圧デバイス140乃至14nは低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にバイアス電圧を供給する。図14に示されるように、電流ミラー1400はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧PMOSトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。そして、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子、それぞれ、高圧デバイス140乃至14nを介してPAMモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。PAMモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図3に示されるMビットPAMモジュール30を含むことができる。低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnに結合された高圧デバイス140乃至14nは電流Ih1乃至Ihnを出力する。一方、低圧PMOSトランジスタPL1’乃至PLn’に結合された高圧デバイス140乃至14nは、電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに出力する。PAMモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnを通るドレイン電流Ih1乃至Ihnの量を制御し、それによって、高圧PMOSトランジスタPL1’乃至PLn’を通るドレイン電流Ih1’乃至Ihn’の量を制御する。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1400は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。各低圧PMOSトランジスタの大きさ(W/L比)はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス140乃至14nを用いて低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー1400は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。
【0026】
図15は、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第5実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー1500を示している。図15に示されるように、電流ミラー1500は、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’をそれぞれバイアスするための2n個の高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’を有している。高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のソース端子は、それぞれ、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に結合されている。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1500は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をPMOLEDパネルに供給することができる。
【0027】
図16、17及び18はそれぞれ、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第6、7及び8の実施形態に従った電流ミラー1600、1700及び1800を示している。電流ミラー1500と同様に、電流ミラー1600乃至1800では高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’が高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は、電流ミラー1600乃至1800で異なるように結合されている。電流ミラー1600では図16に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー1700では図17に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1800では図18に示されるように、高圧PMOSトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0028】
図19は本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラー1900を示している。電流ミラー1900は電流源IDC、n+1個の低圧NMOSトランジスタNL0乃至NLn(図19にはNL0、NL1、NL2及びNLnのみが示されている)、高圧デバイス190乃至19n(図19には190、191、192及び19nのみが示されている)、及びスイッチSW1乃至SWn(図19にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている)を有している。従来の電流ミラー700と異なり、本発明に係る電流ミラー1900は低圧NMOSトランジスタNL0乃至NLn、及び、低圧NMOSトランジスタをそれぞれバイアスする高圧デバイス190乃至19nを有している。高圧デバイス190乃至19nは高圧NMOSトランジスタを含み得る。低圧NMOSトランジスタNL0のドレイン端子は高圧デバイス190を介して電流源IDCに結合され、低圧NMOSトランジスタNL1乃至NLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス191乃至19n及びスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。電流ミラー1900はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧NMOSトランジスタの閾値電圧は高圧NMOSトランジスタのそれより安定しているので、低圧NMOSトランジスタNL1乃至NLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー1900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をAMOLEDパネルに供給することができる。
【0029】
図20は本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラー2000を示している。電流ミラー2000は電流源IDC、n+1個の低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLn(図20にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている)、高圧デバイス200乃至20n(図20には200、201、202及び20nのみが示されている)、及びスイッチSW1乃至SWn(図20にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている)を有している。従来の電流ミラー800と異なり、本発明に係る電流ミラー2000は低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLn、及び、低圧PMOSトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスする高圧デバイス200乃至20nを有している。高圧デバイス200乃至20nは高圧PMOSトランジスタを含み得る。低圧PMOSトランジスタPL0のドレイン端子は高圧デバイス200を介して電流源IDCに結合され、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス201乃至20n及びスイッチSW1乃至SWnを介してAMOLEDパネルに結合されている。電流ミラー2000はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧PMOSトランジスタの閾値電圧は高圧PMOSトランジスタのそれより安定しているので、低圧PMOSトランジスタPL1乃至PLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー2000は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をAMOLEDパネルに供給することができる。
【0030】
図21、22、23及び24はそれぞれ、シンクモード電流ミラー1900の構成を基礎とする本発明の第9、10、11及び12の実施形態に従った電流ミラー2100、2200、2300及び2400を示している。シンクモード電流ミラー1900と同様に、電流ミラー2100乃至2400では、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は、電流ミラー2100乃至2400で異なるように結合されている。電流ミラー2100では図21に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2200では図22に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2300では図23に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧NMOSトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2400では図24に示されるように、高圧NMOSトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧NMOSトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0031】
図25、26、27及び28はそれぞれ、ソースモード電流ミラー2000の構成を基礎とする本発明の第13、14、15及び16の実施形態に従った電流ミラー2500、2600、2700及び2800を示している。ソースモード電流ミラー2000と同様に、電流ミラー2500乃至2800では、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー2500乃至2800で異なるように結合されている。電流ミラー2500では図25に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2600では図26に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2700では図27に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子は第1基準電圧Vref1に結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第2基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2800では図28に示されるように、高圧PMOSトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧PMOSトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【0032】
要するに、本発明は電圧バイアスをもたらす高圧デバイスに接続されたLVトランジスタを用いる電流ミラーを提供する。本発明に従った電流ミラーは、OLEDパネルに用いられる高電圧を受けることができると同時に、安定した閾値電圧を有するLVトランジスタを用いて安定した駆動電流を供給することができるので、OLEDパネルは高解像度イメージを提供することが可能である。図9乃至28に例示された図は単に本発明の実施形態であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【0033】
本発明の教示の範囲内で、デバイス及び方法に多数の変更及び代替が為され得ることは当業者が容易に気付くところである。従って、上述の開示は添付の請求項の境界及び範囲によってのみ限定されるものとして解釈されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】従来技術に係る、PWMによってOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図2】従来技術に係る、PWMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図3】MビットPAMモジュールを示す回路図である。
【図4】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図5】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図6】従来技術に係る、PAMによってOLEDパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図7】従来技術に係る、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図8】従来技術に係る、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図9】本発明に従った、PWMによってPMOLEDパネルを駆動するため電流ミラーを示す回路図である。
【図10】本発明の第1実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図11】本発明の第2実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図12】本発明の第3実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図13】本発明の第4実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図14】本発明に従った、PAMによってPMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図15】本発明の第5実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図16】本発明の第6実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図17】本発明の第7実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図18】本発明の第8実施形態に従った、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図19】本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図20】本発明に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図21】本発明の第9実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図22】本発明の第10実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図23】本発明の第11実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図24】本発明の第12実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図25】本発明の第13実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図26】本発明の第14実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図27】本発明の第15実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図28】本発明の第16実施形態に従った、AMOLEDパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【符号の説明】
【0035】
100、200、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300、2400、2500、2600、2700、2800 … 電流ミラー
30 … PAMモジュール
90、91、92、9n、140、141、14n、190、191、192、19n、200、201、202、20n … 高圧デバイス
PL0、PL1、PL2、PLn、PL1’、PL2’、PLn’ … 低圧PMOSトランジスタ
PH0、PH1、PH2、PHn、PCH1、PCH2、PCHn、PCH1’、PCH2’、PCHn’ … 高圧PMOSトランジスタ
N0、N1、N2、Nm … NMOSトランジスタ
NL0、NL1、NL2、NLn … 低圧NMOSトランジスタ
NH0、NH1、NH2、NHn … 高圧NMOSトランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
OLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
を有する電流ミラー。
【請求項2】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
前記第1の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し;かつ
前記第2の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する;
ところの電流ミラー。
【請求項3】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されるドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項4】
請求項3に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項5】
請求項3に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項6】
請求項5に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第2の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項7】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
第1個数の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の低圧PMOSトランジスタ;並びに
該第1個数の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の高圧デバイスであり、各々が前記OLEDパネルと前記第1個数の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第1個数の高圧デバイス;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項8】
請求項7に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する、ところの電流ミラー。
【請求項9】
請求項7に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されるドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の高圧デバイスの各々が:
対応する低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項10】
請求項9に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項11】
請求項10に記載の電流ミラーであって、各々の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項12】
請求項9に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項13】
請求項1に記載の電流ミラーであって、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項14】
請求項1に記載の電流ミラーであって、電流モードのAMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項15】
OLEDパネル;並びに
該OLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;及び
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
を有する電流ミラー;
を有するOLEDディスプレー。
【請求項16】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し;かつ
前記第2の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項17】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項18】
請求項17に記載のOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのOLEDディスプレー。
【請求項19】
請求項18に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第2の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項20】
請求項17に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項21】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記電流ミラーが:
第1個数の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第1個数の低圧PMOSトランジスタ;並びに
該第1個数の低圧PMOSトランジスタをバイアスする第1個数の高圧デバイスであり、各々が前記OLEDパネルと前記第1個数の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第1個数の高圧デバイス;
をさらに有する、ところのOLEDディスプレー。
【請求項22】
請求項21に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1個数の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する、ところのOLEDディスプレー。
【請求項23】
請求項21に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の高圧デバイスの各々が:
対応する低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項24】
請求項23に記載のOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのOLEDディスプレー。
【請求項25】
請求項24に記載のOLEDディスプレーであって、各々の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項26】
請求項23に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項27】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記OLEDパネルがPMOLEDパネルである、ところのOLEDディスプレー。
【請求項28】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記OLEDパネルが電流モードAMOLEDパネルである、ところのOLEDディスプレー。
【請求項29】
PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子及び前記PMOLEDパネルに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;並びに
NMOSトランジスタであり:
前記電流源に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子;
を有するNMOSトランジスタ;
を有する電流ミラー。
【請求項30】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
前記第1及び第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する、ところの電流ミラー。
【請求項31】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項32】
請求項31に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項33】
請求項31に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項34】
請求項33に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項35】
請求項29に記載の電流ミラーであって、前記NMOSトランジスタが高圧NMOSトランジスタである、ところの電流ミラー。
【請求項36】
請求項29に記載の電流ミラーであって、前記PAMモジュールが:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を有する、ところの電流ミラー。
【請求項37】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ;
第1個数の前記第2の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第1の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第1の高圧デバイス;
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第2の高圧デバイスであり、各々が前記PMOLEDパネルと前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第2の高圧デバイス;並びに
第1個数のPAMモジュールであり、各々が、前記第1個数の第1の高圧デバイス内の対応する1つの第1の高圧デバイスと前記NMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合され、前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御する、ところの第1個数のPAMモジュール;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項38】
請求項37に記載の電流ミラーであって:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し;かつ
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する;
ところの電流ミラー。
【請求項39】
請求項37に記載の電流ミラーであって:
前記第1個数の第1の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のPAMモジュール内の対応する1つのPAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の第2の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項40】
請求項39に記載の電流ミラーであって、各々の前記第1個数の第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項41】
請求項37に記載の電流ミラーであって、前記第1個数のPAMモジュールの各々が:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を含む、ところの電流ミラー。
【請求項42】
PMOLEDパネル;並びに
該PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記PMOLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;及び
NMOSトランジスタであり:
前記電流源に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子;
を有するNMOSトランジスタ;
を有する電流ミラー;
を有するPMOLEDディスプレー。
【請求項43】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1及び第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項44】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項45】
請求項44に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項46】
請求項44に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項47】
請求項46に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項48】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記PAMモジュールが:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を有する、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項49】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ;
第1個数の前記第2の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第1の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第1の高圧デバイス;
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第2の高圧デバイスであり、各々が前記PMOLEDパネルと前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第2の高圧デバイス;並びに
第1個数のPAMモジュールであり、各々が前記第1個数の第1の高圧デバイス内の対応する1つの第1の高圧デバイスと前記NMOSトランジスタの前記ドレイン端子とに結合されている、ところの第1個数のPAMモジュール;
をさらに有するPMOLEDディスプレー。
【請求項50】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し;かつ
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項51】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1個数の第1の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のPAMモジュール内の対応する1つのPAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の第2の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項52】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって、各々の前記第1個数の第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項53】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1個数のPAMモジュールの各々が:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を含む、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項54】
AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧NMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;
第2の低圧NMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
【請求項55】
請求項54に記載の電流ミラーであって、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項56】
請求項54に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧NMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧NMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項57】
請求項56に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項58】
請求項56に記載の電流ミラーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項59】
請求項58に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項60】
請求項54に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧NMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項61】
請求項60に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧NMOSトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項62】
AMOLEDパネル;並びに
該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧NMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;
第2の低圧NMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;及び
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
を有するAMOLEDディスプレー。
【請求項63】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項64】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧NMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧NMOSトランジスタを含む;
ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項65】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項66】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項67】
請求項66に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項68】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧NMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が前記第1個数の第3の高圧デバイス内の対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有するAMOLEDディスプレー。
【請求項69】
請求項68に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧NMOSトランジスタを含む、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項70】
AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
【請求項71】
請求項70に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項72】
請求項71に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項73】
請求項71に記載の電流ミラーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項74】
請求項73に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項75】
請求項71に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧PMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項76】
請求項75に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
前記第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧PMOSトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項77】
AMOLEDパネル;並びに
該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;及び
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
を有するAMOLEDディスプレー。
【請求項78】
請求項77に記載のAMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項79】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項80】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項81】
請求項80に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項82】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧PMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有するAMOLEDディスプレー。
【請求項83】
請求項82に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
前記第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧PMOSトランジスタを含む、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項1】
OLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;並びに
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
を有する電流ミラー。
【請求項2】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
前記第1の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し;かつ
前記第2の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する;
ところの電流ミラー。
【請求項3】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されるドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項4】
請求項3に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項5】
請求項3に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項6】
請求項5に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第2の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項7】
請求項1に記載の電流ミラーであって:
第1個数の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の低圧PMOSトランジスタ;並びに
該第1個数の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の高圧デバイスであり、各々が前記OLEDパネルと前記第1個数の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第1個数の高圧デバイス;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項8】
請求項7に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する、ところの電流ミラー。
【請求項9】
請求項7に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されるドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の高圧デバイスの各々が:
対応する低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項10】
請求項9に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項11】
請求項10に記載の電流ミラーであって、各々の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項12】
請求項9に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項13】
請求項1に記載の電流ミラーであって、PMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項14】
請求項1に記載の電流ミラーであって、電流モードのAMOLEDパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項15】
OLEDパネル;並びに
該OLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と第1電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;及び
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記OLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
を有する電流ミラー;
を有するOLEDディスプレー。
【請求項16】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し;かつ
前記第2の低圧PMOSトランジスタが、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項17】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項18】
請求項17に記載のOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのOLEDディスプレー。
【請求項19】
請求項18に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第2の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項20】
請求項17に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項21】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記電流ミラーが:
第1個数の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第1個数の低圧PMOSトランジスタ;並びに
該第1個数の低圧PMOSトランジスタをバイアスする第1個数の高圧デバイスであり、各々が前記OLEDパネルと前記第1個数の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第1個数の高圧デバイス;
をさらに有する、ところのOLEDディスプレー。
【請求項22】
請求項21に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1個数の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する、ところのOLEDディスプレー。
【請求項23】
請求項21に記載のOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1電流源に結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の高圧デバイスの各々が:
対応する低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記OLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのOLEDディスプレー。
【請求項24】
請求項23に記載のOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのOLEDディスプレー。
【請求項25】
請求項24に記載のOLEDディスプレーであって、各々の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項26】
請求項23に記載のOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのOLEDディスプレー。
【請求項27】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記OLEDパネルがPMOLEDパネルである、ところのOLEDディスプレー。
【請求項28】
請求項15に記載のOLEDディスプレーであって、前記OLEDパネルが電流モードAMOLEDパネルである、ところのOLEDディスプレー。
【請求項29】
PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子及び前記PMOLEDパネルに結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;並びに
NMOSトランジスタであり:
前記電流源に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子;
を有するNMOSトランジスタ;
を有する電流ミラー。
【請求項30】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
前記第1及び第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する、ところの電流ミラー。
【請求項31】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項32】
請求項31に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項33】
請求項31に記載の電流ミラーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項34】
請求項33に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項35】
請求項29に記載の電流ミラーであって、前記NMOSトランジスタが高圧NMOSトランジスタである、ところの電流ミラー。
【請求項36】
請求項29に記載の電流ミラーであって、前記PAMモジュールが:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を有する、ところの電流ミラー。
【請求項37】
請求項29に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ;
第1個数の前記第2の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されるソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第1の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第1の高圧デバイス;
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第2の高圧デバイスであり、各々が前記PMOLEDパネルと前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第2の高圧デバイス;並びに
第1個数のPAMモジュールであり、各々が、前記第1個数の第1の高圧デバイス内の対応する1つの第1の高圧デバイスと前記NMOSトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合され、前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御する、ところの第1個数のPAMモジュール;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項38】
請求項37に記載の電流ミラーであって:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し;かつ
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されるベース端子をさらに有する;
ところの電流ミラー。
【請求項39】
請求項37に記載の電流ミラーであって:
前記第1個数の第1の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のPAMモジュール内の対応する1つのPAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の第2の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されるドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項40】
請求項39に記載の電流ミラーであって、各々の前記第1個数の第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項41】
請求項37に記載の電流ミラーであって、前記第1個数のPAMモジュールの各々が:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を含む、ところの電流ミラー。
【請求項42】
PMOLEDパネル;並びに
該PMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記PMOLEDパネルとの間に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;
前記第1の高圧デバイスに結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを通る電流を制御するPAMモジュール;及び
NMOSトランジスタであり:
前記電流源に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記PAMモジュールに結合され、該PAMモジュールの機能を有効にするゲート端子;
を有するNMOSトランジスタ;
を有する電流ミラー;
を有するPMOLEDディスプレー。
【請求項43】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1及び第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項44】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項45】
請求項44に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項46】
請求項44に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第2基準電圧が前記第3基準電圧に等しい、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項47】
請求項46に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項48】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記PAMモジュールが:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を有する、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項49】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ;
第1個数の前記第2の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1基準電圧に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第1の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第1の高圧デバイス;
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第2の高圧デバイスであり、各々が前記PMOLEDパネルと前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第2の高圧デバイス;並びに
第1個数のPAMモジュールであり、各々が前記第1個数の第1の高圧デバイス内の対応する1つの第1の高圧デバイスと前記NMOSトランジスタの前記ドレイン端子とに結合されている、ところの第1個数のPAMモジュール;
をさらに有するPMOLEDディスプレー。
【請求項50】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し;かつ
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタの各々が、前記第1基準電圧に結合されたベース端子をさらに有する;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項51】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって:
前記第1個数の第1の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第1の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のPAMモジュール内の対応する1つのPAMモジュールに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第1個数の第2の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第2の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記PMOLEDパネルに結合されたドレイン端子;及び
第3基準電圧に結合されたゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項52】
請求項49に記載のPMOLEDディスプレーであって、各々の前記第1個数の第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項53】
請求項42に記載のPMOLEDディスプレーであって、前記第1個数のPAMモジュールの各々が:
並列に結合された複数のNMOSトランジスタ;及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のNMOSトランジスタ内の対応する1つのNMOSトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ;
を含む、ところのPMOLEDディスプレー。
【請求項54】
AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧NMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;
第2の低圧NMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
【請求項55】
請求項54に記載の電流ミラーであって、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項56】
請求項54に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧NMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧NMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項57】
請求項56に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項58】
請求項56に記載の電流ミラーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項59】
請求項58に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項60】
請求項54に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧NMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項61】
請求項60に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧NMOSトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項62】
AMOLEDパネル;並びに
該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧NMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧NMOSトランジスタ;
第2の低圧NMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;及び
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
を有するAMOLEDディスプレー。
【請求項63】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項64】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧NMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧NMOSトランジスタを含む;
ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項65】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項66】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項67】
請求項66に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項68】
請求項62に記載のAMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧NMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧NMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が前記第1個数の第3の高圧デバイス内の対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有するAMOLEDディスプレー。
【請求項69】
請求項68に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧NMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧NMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧NMOSトランジスタを含む、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項70】
AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;並びに
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
【請求項71】
請求項70に記載の電流ミラーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところの電流ミラー。
【請求項72】
請求項71に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項73】
請求項71に記載の電流ミラーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところの電流ミラー。
【請求項74】
請求項73に記載の電流ミラーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項75】
請求項71に記載の電流ミラーであって:
第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧PMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有する電流ミラー。
【請求項76】
請求項75に記載の電流ミラーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
前記第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧PMOSトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項77】
AMOLEDパネル;並びに
該AMOLEDパネルを駆動する電流ミラーであって:
電流源;
第1の低圧PMOSトランジスタであり:
ソース端子;
ドレイン端子;及び
当該第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子;
を有する第1の低圧PMOSトランジスタ;
第2の低圧PMOSトランジスタであり:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する第2の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第1の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1の高圧デバイス;
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第2の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第2の高圧デバイス;及び
前記第2の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合されるスイッチ;
を有する電流ミラー。
を有するAMOLEDディスプレー。
【請求項78】
請求項77に記載のAMOLEDディスプレーであって:
前記第1の高圧デバイスが:
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記電流源に結合されたドレイン端子;及び
第1基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第1の高圧PMOSトランジスタを含み;かつ
前記第2の高圧デバイスが:
前記第2の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記スイッチに結合されたドレイン端子;及び
第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第2の高圧PMOSトランジスタを含む;
ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項79】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項80】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1基準電圧が前記第2基準電圧に等しい、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項81】
請求項80に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1の高圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子が該第1の高圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのAMOLEDディスプレー。
【請求項82】
請求項78に記載のAMOLEDディスプレーであって:
第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタであり、各々が:
前記第1の低圧PMOSトランジスタのソース端子に結合されたソース端子;
ドレイン端子;及び
前記第1の低圧PMOSトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子;
を有する、ところの第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ;
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第1個数の第3の高圧デバイスであり、各々が前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第1個数の第3の高圧デバイス;並びに
第1個数のスイッチであり、各々が、対応する1つの第3の高圧デバイスと前記AMOLEDパネルとの間に結合される、ところの第1個数のスイッチ;
をさらに有するAMOLEDディスプレー。
【請求項83】
請求項82に記載のAMOLEDディスプレーであって、前記第1個数の第3の高圧デバイスの各々が:
前記第1個数の第3の低圧PMOSトランジスタ内の対応する1つの第3の低圧PMOSトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子;
前記第1個数のスイッチ内の対応する1つのスイッチに結合されたドレイン端子;及び
前記第2基準電圧源に結合されるゲート端子;
を有する第3の高圧PMOSトランジスタを含む、ところのAMOLEDディスプレー。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図2】
【図3】
【図4】
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【図6】
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【図8】
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【図10】
【図11】
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【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【公開番号】特開2007−219480(P2007−219480A)
【公開日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−246721(P2006−246721)
【出願日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【出願人】(504376935)奇景光電股▲ふん▼有限公司 (4)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年9月12日(2006.9.12)
【出願人】(504376935)奇景光電股▲ふん▼有限公司 (4)
【Fターム(参考)】
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