【課題】ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。
【解決手段】基板２に形成した下部電極３上に、Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ族化合物からなるカルコパイライト膜１０を、下部電極３上にあらかじめＩｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属を含むプリカーサ膜７を形成し、プリカーサ膜７上にＶＩｂ族元素９を堆積させ、ＶＩｂ族元素９が堆積したプリカーサ膜７上に蓋体８を載置して、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属、およびＶＩｂ族元素を、下部電極３と蓋体８との間に挟み込んだ状態で、不活性雰囲気中で加熱処理をおこない、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ族金属とＶＩｂ族元素とを化合させる。 （もっと読む）

【課題】チャネル層半導体として用いるInN系半導体において、高濃度の残留背景電子が存在していても、ピンチオフ特性が得られ、InN系半導体の優れた電子輸送特性（高い電子移動度および高い飽和電子速度）が活用可能となる、窒化物半導体を用いた導体装置およびその作製法を提供すること。
【解決手段】ソース電極１にオーミック接触する障壁層半導体とオーミック領域チャネル層半導体とから形成されるソース側へテロ接合構造、および、ドレイン電極３にオーミック接触する障壁層半導体とオーミック領域チャネル層半導体とから形成されるドレイン側へテロ接合構造が形成され、それぞれのへテロ接合構造が、InN系チャネル層半導体(#)と接し、それぞれのへテロ接合構造において、ヘテロ接合界面近傍のみに伝導電子が局在し、ヘテロ接合界面の垂直方向位置が、InN系チャネル層半導体(#)の層内位置に存在することを特徴とする半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極２からチャネルまでの抵抗（アクセス抵抗）を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化（低消費電力化）が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。
【解決手段】ソース電極２とドレイン電極４とに、それぞれオーミック接触し、チャネル層窒化物半導体よりも小さいバンドギャップを有する再成長窒化物半導体(2)と、前記チャネル層窒化物半導体との間を、再成長組成傾斜窒化物半導体(1)を介して接続することによって、ソース電極２とチャネルとの間、および、ドレイン電極４とチャネルとの間を、それぞれ結ぶ電路中の半導体バンドギャップの不連続が解消されていることを特徴とするヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層をドライプロセスを用いて成膜できると共に、効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、裏面電極３、光吸収層４、バッファ層５、透明電極６が順次積層された薄膜太陽電池１であって、バッファ層５が、ＺｎＯ_１−ＸＳ_Ｘ（ここで、０≦Ｘ≦１）により構成されていることを特徴とする。また、バッファ層５は、光吸収層４との間の電気的マッチングが取れるようにＸの値を決定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複合現実感技術による画像生成方法において、データベースの構築を高速にする。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、データベースＤＢ１を構築する第１ステップと、現実空間１０の入力画像から抽出された自然特徴点Ｐと、データベースＤＢ１に登録された自然特徴点とを対応付けてカメラ１１の位置・姿勢を推定する第２ステップとを含む。第１ステップは、所定の経路で移動するカメラによって撮影され、かつ現実空間に設置されたマーカを含む画像を取得するステップと、当該画像中のマーカに基づいて当該画像の撮影時点におけるカメラの位置・姿勢に関する情報を取得するステップと、当該画像から自然特徴点を抽出するステップと、カメラの位置・姿勢に関する情報からデータベースに登録する自然特徴点の位置に関する情報を取得するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】付加価値性に優れた高精度な画像又はサービスを提供する。
【解決手段】取得した画像の所定の位置に非可視化情報を埋め込む非可視化情報埋込装置において、前記画像に含まれる物体情報及び位置情報を取得する画像解析手段と、前記画像解析手段により得られた物体情報から前記画像が埋め込み対象の画像であるかを判定する埋込対象画像判定手段と、前記埋込対象画像判定手段により得られる判定結果に基づいて、前記画像に前記非可視化情報を合成する画像合成手段とを有することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】干渉光とそうでない波長帯の光とを検出することのできる赤外線センサ等の光センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２と、干渉光を吸収する吸収膜９と、吸収膜９と第一の絶縁層８を介して対向する金属反射膜７とを備え、光線の吸収を感知するセンサ１において、第一の絶縁層８が、それ自体吸収波長帯を有し、吸収膜９の共振吸収状態及び第一の絶縁層８の固有振動励起に伴う光吸収状態の少なくともいずれか一方を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。
【解決手段】基板１の第一の主面に電子素子２を搭載するとともに、電子素子２が覆われるように部分的にマスク材で保護する工程と、基板１の第二の主面全体を露出させた状態で基板１の第一の主面と第二の主面とを同時に結晶異方性エッチングし、第一の主面からエッチングされた領域と第二の主面からエッチングされた領域とが重なることにより貫通孔が形成された後、エッチングを終了する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炎と人体のように異なる性質の対象物を検出することのできる小型の赤外線センサなどの光センサを低コストで提供する。
【解決手段】赤外線受光部４及び温度検知部５を備えるセンサ画素２であって、フィルタもしくは吸収膜の相違に基づいて互いに異なる波長帯の光を吸収する多数のセンサ画素２を熱的及び電気的に分離して面方向に規則的に配列し、同一波長帯の光を吸収する全てのセンサ画素２の温度検知部５を直列に接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高発光効率であり製造が容易な深紫外発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】深紫外発光素子（１）は、上部基板（６）と、下部基板（２）と、前記下部基板の一方の面に形成された複数の電極（３）、誘電体層（４）、及び保護層（５）と、前記上部基板の一方の面に形成された発光層（７）と、前記上部基板及び前記下部基板が、前記電極と前記発光層とを対向させて配置させて形成された密閉空間（８）に充填されたガス（Ｘｅ及びＮｅ）とを備え、前記電極の間にＲＦ電圧が印加された場合に前記ガスによって発生するプラズマ（Ｐ）によって、前記発光層が深紫外光（Ｌ）を発する。 （もっと読む）