【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔１５に通じて、犠牲層１６をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体１１として形成するとともに、シリコン基板１における第１絶縁膜２の第１開口２ａ下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間１３と、当該空間１３中に配置され、ダイヤフラム体１１の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー１２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】スペーサとして従来のビーズを用いた場合と比較して、センサチップの温度特性を改善する。
【解決手段】弾性変形によって熱応力を緩和する高分子接着剤２を介して、センサチップ３が被着体４に接着された力学量センサの製造方法において、被着体４のセンサチップ３との接着予定領域の一部に、接着剤２と同じ材料を硬化させることにより、センサチップ３と被着体４との間隔を保つためのスペーサ１２を形成する。このとき、接着剤２と同じ材料の液滴の状態での塗布と硬化とを複数回繰り返す。そして、スペーサ１２によってセンサチップ３を保持しながら、センサチップ３と被着体４との間の接着剤２を硬化させる。これによると、接着剤２の硬化後においては、スペーサ１２は接着剤２と同じヤング率となるので、温度変化による接着剤の収縮時にセンサチップ３がスペーサから受ける応力を低減でき、センサチップ３の温度特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。架設された構造は、封鎖物５００によって封入される。 （もっと読む）

【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１３のダイヤフラム部１２に形成された複数のｎ型半導体領域２１と、各ｎ型半導体領域２１のそれぞれに対応してｎ型半導体領域２１内に形成されたピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、絶縁体薄膜層２２を介して各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成された導電性のシールド薄膜層２３とを有し、複数のピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ１１において、ｎ型半導体領域２１とピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成されたシールド薄膜層２３とは、ダイヤフラム部１２に形成されたコンタクト部２４によって電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】衝撃検出手段の性能を評価する際に、衝撃検出手段の検出部に付与する衝撃力の周波数特性を変更可能なセンサ評価装置を提供する。
【解決手段】内部に絶縁性を有する液体が充填された評価室２１が形成され、絶縁体２２ｂを介して評価室２１に放電電極２２ａおよび衝撃センサ１０の検出部１０ａが配置されたハウジング２０と、放電電極２２ａに放電することによって、評価室２１に火花放電を発生させる火花放電回路部３と、火花放電後に放電電極２２ａに対してプラズマ電流を流すことによって、評価室２１にプラズマ放電を発生させて衝撃波を発生させるプラズマ放電回路部４と、火花放電回路部３およびプラズマ放電回路部４における放電を制御する放電制御装置１００と、を備える。さらに、プラズマ放電回路部４は、放電制御装置１００からの制御信号に応じてプラズマ電流の周波数特性を可変させるフィルタ回路４３を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】オフセットドリフトが少ない圧力センサを提供する。
【解決手段】ｐ型半導体からなり、下面をエッチングされることにより形成された矩形のダイヤフラム３１を有する半導体基板３と、ｎ型半導体からなり、半導体基板３の上面の、ダイヤフラム３１の４辺のそれぞれの中点近傍に形成された４つの拡散領域１０ａ〜１０ｄと、ｐ型半導体からなり、４つの拡散領域１０ａ〜１０ｄの上部にそれぞれ形成され、半導体基板３の上面にホイートストンブリッジを構成する４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄとを備え、４つの拡散領域１０ａ〜１０ｄが、４つの拡散領域１０ａ〜１０ｄと４つのゲージ抵抗４ａ〜４ｄとのそれぞれの間の逆バイアス電圧が、互いに等しくなるような電位にそれぞれ接続する。 （もっと読む）

【課題】独立した２つの圧力センサを備える差圧センサにおける故障判別が可能な差圧センサの故障判定方法及び故障判定装置を提供する。
【解決手段】差圧センサの故障判定装置は、流体が流れる流路の第１の測定点に配置される第１の圧力センサ(31,34)と、流路の第２の測定点に配置される第２の圧力センサ(32,35)と、第１の圧力センサの出力(P1)と上記第２の圧力センサの出力(P2)とから差圧出力(ΔP)を計算する差圧計算手段(50)と、少なくとも第１及び第２の圧力センサの各出力と差圧出力の正常又は異常を判別する第１の判別データを予め保持するデータ記憶手段(44)と、第１の圧力センサの出力、第２の圧力センサの出力及び差圧出力と第１の判別データとを比較して各圧力センサの正常又は異常判別を行う判別手段(41)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感度が高く特性の向上した圧力センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】中空孔２２を内側に設けた筒部２３とこの筒部における中空孔の上部を閉塞する平板部２４とからなる容器２１と、この容器における平板部の上面に設けるとともに駆動電極および検出電極を設けた振動子と、前記容器に設けられ、前記振動子における駆動電極に駆動信号を入力し、かつ前記振動子における検出電極からの出力信号を処理する処理回路３５とを備え、前記処理回路により、振動子の固有振動数の変化を検出することにより、中空孔に充填された被検出液体３６の圧力を検出する構成としたものである。 （もっと読む）

【課題】導管の本体への位置決めを安定化するとともに固定作業を容易にすることができ、更に絞り手段の構造に工夫を凝らすことで小形化された圧力検出器を提供する。
【解決手段】加圧空間（圧力導入空間）１２に配設される脈動圧保護部材を脈動防止板８０として、構造を簡素化し、受け部材２に形成された開口２ｂを通して挿入された導管１１の先端が脈動防止板８０に当接した状態で、導管１１を受け部材２にロウ付け８５によって固着する。導管１１は受け部材２に当接した状態で位置決めされるために、導管１１に切削やリブ形成をする必要がなくなり、導管１１を受け部材２に取り付ける構成が単純化される。また、脈動防止板８０は、導管１１を通じて加圧空間１２との間での流体の流れを小孔で絞る簡単構造であり、脈動防止機能を持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、定常・非定常流の速度分布に加え、圧力または温度分布を同時に供する計測法を提示し、速度分布と圧力または温度分布の相関関係を得ることも可能とすることにある。
【解決手段】本発明の圧力または温度分布を速度分布と同時に計測する方法は、リファレンスとなる発光と圧力または温度に反応するシグナルとなる２色発光を備えた発光物質を表面に塗布した多孔質粒子を流体に混合し、該流体の流れの場に励起光を照射し、リファレンスとシグナルの発光を波長分離して同時に画像計測し、その比により圧力または温度分布を速度分布と同時に計測するものとした。 （もっと読む）

【課題】 検出対象の初期圧力にかかわりなく、微小な差圧を正確に検出できること。
【解決手段】 高圧変動対象に接続した高圧検出室３６と、低圧変動対象に接続した低圧検出室３７と、これら高圧検出室３６及び低圧検出室３７に隣接し、フラッパー２とノズル１０とを備えた圧力増幅機構とを備え、圧力増幅機構には、ノズル１０に流体を供給する流体供給経路１２と、ノズル１０を通過した流体を排出する排出経路１５とを設け、上記圧力増幅機構で増幅された圧力に基づいて上記高圧検出室３６と低圧検出室３７との差圧を検出する差圧検出装置において、上記圧力増幅機構と区画された基準圧力室２０と、この基準圧力室２０と上記低圧検出室３７とを連通する連通路２４と、上記増幅機構によって増幅された圧力と上記基準圧力室の圧力との差圧を検出する差圧検出手段４、１３、１４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】作業効率よく零点調整が行える差圧伝送器を提供すること。
【解決手段】切換可能な内蔵指示計が表示する変数を確認しながらパルス列を生成する外部零点調整機構を回転操作して所望の零点調整対象変数の零点調整を行うように構成された差圧伝送器において、前記外部零点調整機構の回転操作を検出する零点調整検出部と、この零点調整検出部の回転操作検出出力に基づき前記内蔵指示計が表示する変数を零点調整対象の変数に切り換える表示選択制御部、を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】温度特性が安定で、ローコスト化が可能な、圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第１の半導体基板の一方の面に形成された測定ダイアフラムと、この測定ダイアフラムの外表面に形成された歪センサと、前記第１の半導体基板の一方の面に前記測定ダイアフラムに対向して設けられた第１の測定室と、前記第１の半導体基板の一方の面に一方の面が接して設けられた第２の半導体基板と、この第２の半導体基板の前記一方の面に前記測定ダイアフラムに対向して前記測定ダイアフラムを挟んで前記第１の測定室と対象形状をなして設けられた第２の測定室と、を具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】封止する際に流体に含まれる気泡を低減する部品組立方法、ならびに減圧槽の大型化および減圧に要する時間の延長を招くことなく、減圧槽の内部で流体の注入および部材の封止を行う流体注入封止装置を提供する。
【解決手段】クランプレバー（５４）は、上下方向への移動と支点ローラ（５５）を支点としたハウジング（１２）側への旋回とが組み合わされた軌跡を描く。クランプレバー（５４）は、支点ローラ（５５）を支点に旋回した後、ガイドローラ（５６）の支持溝（６３）に沿って下降する。これにより、クランプレバー（５４）の回転半径は小さくなる。支点ローラ（５５）はクランプレバー（５４）の下端側に設けられているので、クランプレバー（５４）は回転するときハウジング（１２）側への突出量が低減される。その結果、クランプレバー（５４）の旋回に必要な空間が減少し、減圧槽（３１）の内部に確保すべき空間の容積が減少する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】モールドＩＣの外側に２次成形によりケースを形成するセンサ装置において、被測定物がセンサ装置内部を通過して漏れることを防止する。
【解決手段】センサチップ１１および信号処理回路用ＩＣ１２が実装されたリードフレーム１３を成形型内にセットし、熱硬化性樹脂を注入して第１樹脂層１４を形成する。続いて、第１樹脂層１４の熱硬化性樹脂が半硬化状態のときに、成形型内に熱可塑性樹脂を注入して、第１樹脂層１４の外側を覆う第２樹脂層１５を形成する。これにより、半硬化状態の熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂が一部混ざり、両樹脂層の界面が通常よりも強固に密着する。モールド成形後、熱可塑性樹脂にてケースを２次成形により形成する。２次成形工程では、第２樹脂層１５の熱可塑性樹脂とケース形成用の熱可塑性樹脂とが溶け合って、第２樹脂層１５とケースとの界面が無くなる。 （もっと読む）

【課題】ケース同士を単に突き合わせるだけで、ケース相互間のシール性を高めつつ結合できるようにする。
【解決手段】センサモジュール７を収容固定するベース１とカバー３とを嵌合してハウジング５を構成する。ベース１には外周縁部に沿って嵌合凸部１５を設ける一方、カバー３には、嵌合凸部１５が嵌合する嵌合溝２３を形成する。嵌合凸部１５の先端面には、断面三角形状の突起２１をあらかじめ形成しておき、ベース１とカバー３とを互いに嵌合して結合するときに、嵌合凸部１５の先端面の突起２１が嵌合溝２３の底部に当接して塑性変形し、潰れることでシール部Ｓとなる。 （もっと読む）

【課題】感圧素子の素子面に対し交差する方向から作用する振動・衝撃を抑制する圧力センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の圧力センサー１０は、容器と、前記容器の開口部２２を封止し、受圧部の外側に周縁部を有すると共に力を受けて前記容器の内側または外側に変位する受圧手段と、前記周縁部２４ｃに一端３２ａを固定し、他端３２ｂを前記一端３２ａから前記受圧手段の変位方向と平行に延出した複数の支持手段３２と、前記受圧部に固定される第１の基部４０ａを有し、第２の基部４０ｂを前記第１の基部４０ａから前記受圧手段の変位方向と平行に配置した感圧素子４０と、前記感圧素子４０の前記第２の基部４０ｂを固定する第１の接続片３６と、前記第１の接続片３６の両端を前記第１の接続片３６のいずれか一方の主面側に延出させて前記支持手段３２の他端３２ｂと接続する第２の接続片３８を備えた固定板３４と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部３００は、センサ部１００に設けられた第１固定部と第２固定部とを電気的に接続したクロス配線部３２３を備え、クロス配線部３２３はキャップ部３００の一面３０１に配置されたクロス配線３２２を備えている。また、キャップ部３００は、キャップ部３００を貫通し、一端がクロス配線３２２に電気的に接続され、他端がキャップ部３００の他面３０２に配置された貫通電極３４４を備えている。これにより、貫通電極３４４を介してクロス配線３２２の電位、すなわち、センサ部１００の第１固定部および第２固定部の電位をキャップ部３００の他面３０２に取り出すことができる。 （もっと読む）