【課題】信頼性を向上させることのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力検出室１９に、温度が高くなるにつれて体積が減少する、または、温度が高くなるにつれてヤング率が減少するスペーサ２０を固定する。これによれば、外部温度が高温に変化した際に、オイルが熱膨張してもスペーサ２０の体積が減少する、またはスペーサ２０のヤング率が減少するため、オイルの体積変化をスペーサ２０にて吸収することができる。したがって、圧力検出室１９内の全体の体積増加を小さくすることができ、圧力検出室１９に内圧変動が発生することを抑制することができる。また、スペーサ２０は、圧力検出室１９内に固定されているため、スペーサ２０がセンサ部４と衝突することもなく、センサ部４が正常に作動しなくなることもない。 （もっと読む）

【課題】信号ラインとフレームグランド間の寄生容量とそのバラツキを抑えてノイズの減衰を図る共に、高圧・高耐圧特性を備えるセンサユニットを実現する。
【解決手段】所定の厚さをもって対向する第１面および第２面を有するセラミック部材と、
前記第１面側に実装されたセンサ部と、
前記第２面側に固定配置された複数の金属ピンと、
前記セラミック部材を貫通して前記センサ部と前記金属ピンとを接続する複数の内部配線と、
前記第２面側の周端部に形成され、溶接により筐体と結合する金属部材と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電板に加わる外力を簡易な構造で高精度に検出することができる外力検出装置を提供すること。
【解決手段】水晶板２を容器１内に片持ちで支持する。水晶板２の例えば中央部にて上面及び下面に夫々励振電極３１、４１を形成する。水晶板２の下面側の先端部に、下面側の励振電極４１に引き出し電極４２を介して接続される可動電極５を形成し、この可動電極５に対向して容器１の底部に固定電極６を設ける。上面側の励振電極３１と固定電極６とを発振回路１４に接続する。水晶板２に外力が加わって撓むと、可動電極５と固定電極６との間の容量が変わり、この容量変化を水晶板の発振周波数の変化として捉える。また水晶板２の先端部の破損を抑えるために、水晶板２が過度に撓んだ際に水晶板２の先端部が容器１の内壁に衝突する前に水晶板２の胴体部にて接触するように突起部７を設ける。 （もっと読む）

【課題】圧力変換器内の、改良された電極と、電極のための取り付け具とを提供する。
【解決手段】圧力変換器アッセンブリは、第１の本体と、第２の本体と、ダイアフラムと、電極とを有する。第１の本体とダイアフラムとは、第１のチャンバを、また、第２の本体とダイアフラムとは、第２のチャンバを形成している。電極は、第１のチャンバ内に配置されている。電極とダイアフラムとの間のキャパシタンスは、チャンバの間の圧力差を表す。電極は、ハブから吊り下げられ、スポーク取り付けされている。幾つかの実施形態では、電極は、完全に金属である。電極は、導電性フィルムが形成されたセラミック製ディスクを有しても良い。このディスクは、セラミック製のロッドを備えたハウジングに結合されている。変換器はまた、温度の変化に応じたねじりを減少するために、ハウジングに接続された、熱係数の低い膨張部材を有する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】水衝撃のような急激な圧力変動に対して信頼性が高く、温度特性が安定で、ローコスト化が可能な、圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第１の絶縁基板の一方の面に形成された凹状の第１の測定室と、前記第１の絶縁基板に設けられ前記第１の測定室に連通する第１の導圧孔と、前記第１の絶縁基板の一方の面に一方の面が接合され前記測定ダイアフラムを形成する半導体基板と、この半導体基板の他方の面に前記第１の測定室に対応した位置に設けられた半導体歪ゲージと、前記半導体基板の他方の面に一方の面が接合された第２の絶縁基板と、この第２の絶縁基板の前記一方の面に前記第１の測定室に対向して対称形状をなして設けられた凹状の第２の測定室と、前記第２の絶縁基板に設けられ前記第２の測定室に連通する第２の導圧孔と、を具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材との機械的な接続強度が向上された構造体を提供する。
【解決手段】第１部材（１０）と第２部材（３０）とが接着固定された構造体。第２部材（３０）には、第１凹部（３２）、第１凹部（３２）の底面から突出した凸部（３３）、第２凹部（３４）が形成され、凸部（３３）と第１凹部（３２）によって構成された環状の溝部（３５）と第２凹部（３４）が連通され、第１部材（１０）が凸部（３３）に搭載され、第１部材（１０）の底面（１２ｄ）が溝部（３５）に貯留された液状の接着剤（５１）に接触した際、表面張力によって第２凹部（３４）に貯留された液状の接着剤（５１）が溝部（３５）に流入し、第１部材（１０）の側面（１２ａ）と第１凹部（３２）の側面（３２ａ）との間に濡れ広がることで、接着剤（５０）が側面（１２ａ）と側面（３２ａ）との間に介在されている。 （もっと読む）

【課題】特性が安定で、ローコスト化が可能な圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第１の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、第１の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第２の半導体基板と、半導体歪ゲージを挟んで第１の半導体基板と第２の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第１，第２の測定室と、第１の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が第１の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第１の導圧孔と、一端が第２の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第２の導圧孔とを具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】圧力を高精度に検出可能にする。
【解決手段】第１のケース１の凹部２内に圧力検出用の検出素子４を配設し、圧力導入孔１４を有する第２のケース１１を凹部２を覆うように第１のケース１に組み付け、周辺部が第２のケース１１に固定されたメタルダイヤフラム１６と凹部２とで囲まれた圧力検出室１９を備え、圧力検出室１９内に圧力伝達媒体２０を充填した。メタルダイヤフラム１６の周辺部上に配設されメタルダイヤフラム１６を第２のケース１１に固定する押さえ部材１７を備え、第１のケース１の一面に凹部２を囲むように設けられた溝２１内に収容され押さえ部材１７により押圧支持されたシール部材２２を備えた。更に、シール部材２２は、溝２１内に収容されて押さえ部材１７により押圧された状態で、溝２１の内周面２１ａ及び外周面２１ｂに接触するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面から形成することができる圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１の製造方法においては、図４Ａ〜Ｃに示すように、ｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃを４方向に等分且つ外側又は内側にずらして配置し、そのｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃの上部に重なるように環状のｎ型半導体拡散層５を形成し、その環状のｎ型半導体拡散層５及びｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃのｎ型半導体拡散層５との重複部分をエッチングして、環状溝４で囲まれたメサ部３及び４個のブロック状のｐ型半導体部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄを半導体基板２の表面側に形成した。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 部品を増やすことなく、ウォームアップ時間を短くして、測定開始までの時間を早める、使い勝手のよいセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】 センサーモジュール１０であって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサー２０と、使用されることで発熱する発熱部品３０と、を含み、発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部４６を含み、切り替え制御部は、物理量センサーに所定の物理量を検出させ、検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、ウォームアップモードが通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、通常動作モード時における飽和温度をターゲット温度とする。 （もっと読む）

【課題】１回の成形のみで、ターミナルと電子部品との電気的接続部への水分等の浸入を防止可能なセンサを得る。
【解決手段】ターミナル１と電子部品２とを電気的に接続した後に、電子部品２を樹脂製の保護材４にて覆って第１部品を形成する。次に、第１部品をインサート部品として、ハウジング５をインサート成形する。このとき、電子部品２および保護材４がハウジング５にて封止されるようにハウジング５を成形することにより、ターミナル１と電子部品２との電気的接続部への水分等の浸入を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルポート圧力センサを提供する。
【解決手段】デュアルポート圧力センサは、フラグと、リードと、フィンガとを有するリードフレームを備える。第１、第２の開口部はフラグを通じて延びている。フラグと、リードと、フィンガとの一部分の周りには封止材がある。センサは、封止材の底側においてフラグの底面を露出する底部キャビティと、封止材の上側における第１、第２の上部キャビティとを備える。第１の上部キャビティ内の第１の開口部は、フラグの第１の開口部に整合されており、フラグにおける第１の開口部より大きい。第２の上部キャビティ内の第２の開口部は、フラグの第２の開口部に整合されており、フラグにおける第２の開口部より大きい。デュアルポート圧力センサの上側におけるデュアルポートは、第１のキャビティおよび第２のキャビティに取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 動作中の温度を安定させることで、転送レートを低下させることなく、所定の物理量を正確に測定するセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】 センサーモジュール１０であって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサー２０と、使用されることで発熱する発熱部品３０と、を含み、発熱部品は、検出信号に基づいて演算処理を行う演算処理部３４と、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部４６と、を含み、切り替え制御部は、物理量センサーに所定の物理量を検出させる第１の動作モードと、第１の動作モードに続く動作モードであって、演算処理部に演算処理を行わせる第２の動作モードと、を切り替え、第２の動作モード時において、物理量センサーおよび発熱部品に基づく発熱量が、第１の動作モード時における発熱量と同じになるように制御する。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、一方の主面側であってスリット１２６により隔離された位置に夫々設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、前記一対の接続部の一方に設けられ厚さ方向に貫通する貫通孔１３４と、貫通孔１３４の内部に設けられた導通手段１３５とを備え、前記一対の接続部の他方の主面に設けられた引出し電極１０９は、導通手段１３５により引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を重ね合わせて接合してなる積層構造において、接合材の接合面からのはみ出しを防止す積層体、これを備えた電子デバイス、圧電デバイス、これを備えた圧電モジュール、電子機器及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１は、積層して接合材４０で接合される感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層３０を備え、感圧素子層１０の枠部１０８には溝部１０２ａ，１０２ｂが形成され、ダイアフラム層２０の他方の主面側の枠部２０６には溝部２０８が形成され、ベース層３０の一方の主面側の枠部３０４には溝部３０６が形成されている。溝部２０８は溝部１０２ａと互いに対向しないように位置をずらして配置され、溝部３０６は溝部１０２ｂと互いに対向しないように位置をずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】センサ上での、接続部およびワイヤボンドパッド等のメタライゼーション層の腐食を防止するためのデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスは、メタライゼーション層３００の上に配置される絶縁層４００と、絶縁層４００の上に配置される接着層２００を備え、接着層２００の上に金から構成される耐食性層１００を配置する。これにより、耐食性層１００として金を使用することに対応しながら、従来のシリコン−ガラス接着技術を使用することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＣ耐量を高めたセンサ装置を提供する。
【解決手段】増幅回路５全体の増幅率を必要な高い値に保ちつつ、増幅回路５の２段目（最終段）の増幅回路５２の増幅率Ｇ２を１段目（最終段より１段前）の増幅回路５１の増幅率Ｇ１よりも相対的に低く設定する。これにより、出力電圧Ｖｐを適正な信号レベル範囲にまで高めながら、出力用のパッド１ｃから侵入した誘導ノイズが最終段の増幅回路５２の入力側に回り込む量を低減でき、圧力センサ１のＥＭＣ耐量を高めることができる。 （もっと読む）