【課題】測定環境由来のコンタミネーションを低減して安定的に圧力を測定可能な物理量検出モジュールを提供する。
【解決手段】変位部（ダイアフラム５６）を有するダイアフラム基板４８と、ベース基板１４と、を有し、前記ダイアフラム基板４８と前記ベース基板１４とで設けられた気密空間１３を有する物理量検出素子１０と、前記物理量検出素子１０を収容するための容器（実装基板１１２、蓋体１２２）と、を備え、前記容器（蓋体１２２）の前記ベース基板１４と対向する部位に圧力導入口１２４が配置され、前記ダイアフラム基板４８は、前記変位部の外側に、前記変位部と前記容器との間に隙間を設けるようにスペーサ５７を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短絡、および断線を防止して生産の歩留を高め、かつ低背化を実現した物理量検出モジュールを提供する。
【解決手段】物理量を検出する感圧部３４Ａ、３４Ｂと、前記感圧部を支持する枠部２８と、を有する圧電振動基板２６と、力を前記感圧部に伝達するダイアフラム５６と、前記圧電振動基板を覆う基板４８、１４とを備え、前記圧電振動基板には、スリット３０により一対の接続部３２Ａ、３２Ｂが分離して配置され、一部が前記何れかの基板よりも外側へ露出しており、前記圧電振動基板は、前記一対の接続部の一方の主面側にそれぞれ設けられた互いに信号の異なるパッド電極４２Ａ、４２Ｂと、何れか一方の接続部の前記スリット３０側の側面に配置され、他方の主面に設けられた引出電極４４Ｂと信号が同じ前記パッド電極４２Ｂとを電気的に接続する導電膜４４Ｂａとを有し、前記パッド電極を前記実装基板に配置された接続電極９４に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】導圧管の詰まり診断の感度を向上させ、より早い時点で導圧管の詰まりを検知する。
【解決手段】プロセス配管２と圧力発信器１との接続点付近の導圧管３に容器１０を接続する。これにより、流体７を圧縮性流体とした場合、流体７の圧力変化に対する変形率が大きくなり、圧力揺動の変化が検知し易くなり、導圧管の詰まり診断の感度が向上する。流体７が非圧縮性流体の場合は容器１０に替えてダイアフラム（圧力によって大きく変形する受圧面）を有する部品を接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく、各基板同士を正確に位置合せすることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサー１の製造方法は、感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層３０の接合面における対向する位置に、アライメントマークとして凸部２０８、１０２ａ，１０２ｂ、３０６を形成する外形形成工程と、前記アライメントマークにより位置合せを行いながら、感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層３０の接合面を接合剤４０で接合する接合工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム型の物理量検出素子における支持部と、センサー素子としての振動片基部とを接合する接合形態において、接合面に所望する接合面積を確保することを可能とした物理量検出素子を提供する。
【解決手段】主面に一対の支持部３４を備えたダイアフラム３２と、振動部２２と振動部２２の両端に一対の基部２４とを備え、一対の基部２４が一対の支持部３４に接合された振動片２０と、を有する物理量検出素子であって、一対の基部２４の並ぶ方向を第１の長さ寸法とし、前記長さに直交する方向を第１の幅寸法とし、一対の支持部３４の並ぶ方向を第２の長さ寸法とし、前記長さに直交する方向を第２の幅寸法としたとき、第１の長さ寸法と、第１の幅寸法のいずれもが、それぞれ第２の長さ寸法と、第２の幅寸法よりも大きく、又は、小さくなるように定めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フルブリッジ回路を構成する２つのハーフブリッジ回路の内、１つのハーフブリッジ回路が故障している場合においても、故障に依存せずに圧力を検出できる圧力センサを提供する。
【解決手段】第１ハーフブリッジ回路（２０）及び第２ハーフブリッジ回路（３０）を有するフルブリッジ回路（１０）と、第１ハーフブリッジ回路（２０）の第１中点、及び、第２ハーフブリッジ回路（３０）の第２中点が入力端子に接続される主オペアンプ（４１）と、第１中点及びグランドが入力端子に接続される第１オペアンプ（４２）と、第２中点及びグランドが入力端子に接続される第２オペアンプ（４３）と、オペアンプ（４２，４３）それぞれの出力信号に基づいて、第１ハーフブリッジ回路（２０）、及び、第２ハーフブリッジ回路（３０）それぞれの故障を判定する判定部（５０）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】検知可能な詰まりの程度を自動的に推定させる。
【解決手段】詰まり特性演算部１１と、変形特性演算部１２と、圧力伝播モデル演算部１３と、評価判定部１４と、演算制御部１５と、表示部１６とを設ける。詰まり特性演算部１１は、演算制御部１５から指定された詰まりの程度から、その詰まりの流量特性を求める。変形特性演算部１２は、管路系を構成する要素の圧力変化に対する変形率を求める。圧力伝播モデル演算部１３は、求められた詰まりの流量特性と変形特性とを用いて、圧力伝播モデルを求める。評価判定部１４は、求められた圧力伝播モデルの圧力伝播特性を評価し、適用される導圧管の詰まり診断手法によって指定された詰まりの程度を検知可能か否かを、基準値と比較して判定する。演算制御部１５は、評価判定部１４での評価判定結果に基づいて、詰まり特性演算部１１へ指定する詰まりの程度を変え、検知可・不可の境界を絞り込む。 （もっと読む）

【課題】指定した詰まりの程度を検知可能か否かを自動的に判定させる。
【解決手段】詰まり程度指定部１０と、詰まり特性演算部１１と、変形特性演算部１２と、圧力伝播モデル演算部１３と、評価判定部１４とを設ける。詰まり程度指定部１０から、判定対象として、所望の詰まりの程度を指定する。詰まり特性演算部１１は、指定された詰まりの程度から、その詰まりの流量特性を求める。変形特性演算部１２は、管路系を構成する要素の圧力変化に対する変形率を求める。圧力伝播モデル演算部１３は、求められた詰まりの流量特性と変形特性とを用いて、圧力伝播モデルを求める。評価判定部１４は、求められた圧力伝播モデルの圧力伝播特性を評価し、適用される導圧管の詰まり診断手法によって指定された詰まりの程度を検知可能か否かを、基準値と比較して判定する。 （もっと読む）

【課題】測定環境由来のコンタミネーションを低減して安定的に物理量を測定可能な物理量検出モジュールを提供する。
【解決手段】物理量を検出する圧電振動基板２６と、前記圧電振動基板２６が接続され、外部からの力を受けて変位し、前記力を前記感圧部に伝達するダイアフラム５６を有し、前記圧電振動基板２６の一方の主面を支持する第２基板４８と、前記圧電振動基板２６の他方の主面を覆う第１基板１４と、を有する物理量検出素子１０と、実装基板１１２と、を備え、前記実装基板１１２と、ダイアフラム基板の外側主面とが対向するように前記物理量検出素子１０を配置し、前記実装基板１１２と前記ダイアフラム基板との間に隙間１２６を設け、前記物理量検出素子１０の外縁に設けられた接続部３２Ａ、３２Ｂを前記実装基板１１２に固定部材１２０を用いて固定したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数個のワークの温度特性の校正を行うにあたり、高い精度での校正を実現させる。
【解決手段】固有の温度特性を有する複数個のワーク（ＷＧ₁〜ＷＧ_n）を同一の恒温槽Ｈ内に収容し、温度調整手段Ａによって各ワークの温度を所定温度に安定させた状態で、順次各ワークの温度特性の校正を行う温度特性校正システムである。予め校正作業の順番が定められたワークの中で直近の校正作業の対象となるワークの温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段で検出した温度がワークの温度特性の校正作業のために予め設定された所定温度に安定するように温度調整手段Ａの温度調整能力を制御する制御手段Ｃｏｎｔと、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数個のワークの温度特性の校正作業全体に要する時間を短縮する。
【解決手段】固有の温度特性を有する複数個のワーク（ＷＧ_１〜ＷＧ_ｎ）を同一の恒温槽Ｈ内に収容し、温度調整手段Ａによってワーク温度を所定温度に安定させた状態で温度特性の校正を行う温度特性校正方法である。ワーク温度が所定温度に安定した状態になるまでの時間である安定化時間がワーク毎に異なるように各ワークを恒温槽Ｈ内に設置するワーク設置工程と、各ワークの安定化時間が経過した時点で温度特性の校正を順次行う校正工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差圧／圧力伝送器のダイアフラムが反応する過大圧の設定値を任意に設定する。
【解決手段】高圧側受圧部及び低圧側受圧部を有する本体１と、本体１に設置された圧力センサ２と、高圧側受圧部に設けられた高圧側センターダイアフラム１９と、凸形状の面を有する高圧側固定金具７と、低圧側受圧部に設けられた低圧側センターダイアフラム２０と、凸形状の面を有する低圧側固定金具８とを含む差圧／圧力伝送器において、高圧側固定金具７の凸形状の面を高圧側センターダイアフラム１９に押し当てて螺合機構により押し当て量を変化させることを可能とし、低圧側固定金具８の凸形状の面を低圧側センターダイアフラム２０に押し当てて螺合機構により押し当て量を変化させることを可能とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】感度温度特性調整回路において、センサの感度温度特性を調整した後にゲインを再調整する必要をなくす。
【解決手段】並列に接続された、複数の異なる温度特性を有する同値抵抗５、６のうち、オペアンプ２の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチＳａ、Ｓｂで選択的に切り換えることにより、感度温度特性調整回路１のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整するようにした。これにより、センサの感度温度特性を調整した場合でも、この調整回路１内のオペアンプ２の基準温度における入力抵抗値Ｒ０と帰還抵抗値Ｒが変化しないので、基準温度における感度温度特性調整回路１のゲインの値が変化しない。従って、センサの感度温度特性の調整後に、感度温度特性調整回路１のゲインを調整する必要性を減じることができる。 （もっと読む）

【課題】複数個のワークの温度特性の校正を行うにあたり、高い精度での校正を実現させる。
【解決手段】固有の温度特性を有する複数個のワーク（ＷＧ_１〜ＷＧ_ｎ）を同一の恒温槽Ｈ内に収容し、温度調整手段Ａによって各ワークの温度を所定温度に安定させた状態で、順次各ワークの温度特性の校正を行う温度特性校正システムであって、予め校正作業の順番が定められたワークの中で直近の校正作業の対象となるワークが他のワークに比して温度調整手段Ａに最も近付くように各ワークと温度調整手段Ａとの位置関係を変更する位置変更手段（制御手段Ｃｏｎｔ等）を備える。 （もっと読む）

【課題】内部空間に水等の異物が浸入することを抑制することができ、組付工程を簡略化することができると共に信頼性を向上させることができる圧力センサを提供する。
【解決手段】コネクタケース２０を、樹脂部２１と、樹脂部２１の外周面を覆う金属部２３とを備えて構成する。そして、樹脂部２１と金属部２３との界面を開口部２４内に位置させると共に内部空間３０内に位置させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部３０と枠部３０の内周側に配置された圧電振動片２２とを有する圧電振動基板２０と、圧電振動基板２０の一方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第１基板１２と、圧電振動基板２０の他方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第２基板４０と、を備え、圧電振動基板２０には、枠部３０の外周の圧電振動片２２を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部３２，３６の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】圧力を正確に測定可能な圧力測定器を提供する。
【解決手段】ガラス台座２０１と、ガラス台座１上に配置された半導体台座２と、半導体台座２上に配置された半導体圧力センサ３と、を備え、ガラス台座２０１の高さｈ₁及び半導体台座２の高さｈ₂の和に対する、ガラス台座２０１の高さｈ₁の比が、０．５乃至０．９である、圧力測定器。 （もっと読む）