【課題】磁極位置の検出を非接触で行うことができ、しかも、コストを低減することができる電磁サスペンションを提供する。
【解決手段】可動子７の永久磁石９の磁極位置を検出する磁極位置検出装置１１を、固定子２に設ける。この磁極位置検出装置１１は、固定子２に取付けられる被検出板１２と、該被検出板１２の先端側に取付けられる磁極位置検出用磁石１３と、被検出板１２の基端側に取付けられる歪センサ１４とにより構成する。歪センサ１４は、磁極位置検出用磁石１３と可動子７の永久磁石９との吸引反発力により生じる被検出板１２の曲げ歪を検出する。これにより、磁極位置検出装置１１は、この曲げ歪に対応する永久磁石９の磁極位置を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】被測定対象に施される遮熱コーティングの膜厚を効率良く正確に測定することが可能な膜厚測定装置及び膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】膜厚測定装置１は、タービン翼１１に形成された遮熱コーティング膜の膜厚を測定するＥＣＴセンサ４と、遮熱コーティング膜の膜厚を測定する地点であるタービン翼１１上の測定地点を記憶している記憶手段９と、タービン翼１１の形状を測定するレーザ変位計５と、レーザ変位計５によって測定された測定されたタービン翼１１の形状と、記憶手段９に記憶されているタービン翼１１上の測定地点に基づいて、ＥＣＴセンサ４による実際の膜厚測定に適した実測定地点を算出する測定位置算出手段８と、測定位置算出手段８によって算出された実測定地点に基づいて、ＥＣＴセンサ４を駆動して、ＥＣＴセンサ４の測定位置を調整するアーム駆動手段６とを備える。 （もっと読む）

【課題】検出精度を向上することの可能な回転角センサを提供する。
【解決手段】第１、第２センシングＩＣ２０、３０は、スロットル弁の回転により変化する磁界に応じた信号を出力する磁気検出素子２１、３１、この磁気検出素子２１、３１を覆うモールド体２２、３２、並びに、一端が磁気検出素子２１、３１に接続され他端がモールド体２２、３２から突出して回路基板１２に電気的に接続される第１リード２３、３３及び第２リード２４、３４を有する。樹脂体６０は、磁気検出素子２１、３１が埋め込まれた位置に対応する正面２２１、３２１及び背面２２２、３２２を除くモールド体２２、３２、第１リード２３、３３、第２リード２４、３４、及び回路基板１２を封止する。これにより、第１、第２センシングＩＣ２０、３０と回路基板１２が設けられたハウジングカバー１０とが樹脂体６０により固定される。 （もっと読む）

【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子１１、１２、１３、１４と、温度補償素子１７、１８と、を一体に形成して成るひずみゲージ１０であって、前記温度補償素子１７、１８が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子１１と、副ひずみを受感する素子１２および１３と、で形成されるひずみゲージ１０であって、前記主ひずみを受感する素子１１と一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３とが各々直交する２方向から成り、前記主ひずみを受感する素子１１の左右に一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子１２および１３方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２軸に傾動可能な光偏向装置において、それぞれの軸の周りの傾動角度を正確に検出することが可能が技術を提供する。
【解決手段】本出願の光偏向装置は、基板に対して第１傾動軸および第２傾動軸周りに傾動可能な傾動部と、前記傾動部に固定されているミラーと、前記傾動部を前記基板に対して第１傾動軸および第２傾動軸周りに傾動させるアクチュエータを備えている。その光偏向装置は、前記傾動部に固定されている磁束源と、前記基板に固定されており、前記磁束源が発生させる磁束密度を検出する第１、第２、第３および第４磁気センサを備えている。その光偏向装置では、前記第１、第２、第３および第４磁気センサが、傾動部の第１傾動軸周りの傾動および第２傾動軸周りの傾動に対して、それぞれ異なる増減特性となる位置関係で配置されている。 （もっと読む）

【課題】ホール素子に発生するオフセット電圧値を周囲温度に従って除去し、微小角度の測定精度を向上させる。
【解決手段】ホール素子から成る角度検出用センサ１５は磁束密度検出面であるチップ面Ｔが、磁束方向と平行になる場合をθ＝０となるように配置されている。センサ１５の出力Ｖには、定電流Ｉを供給することで、角度変位θと無関係で内部抵抗に起因するオフセット電圧値Ｏ１が発生し、出力Ｖに重畳している。
オフセット電圧値Ｏ１を得るためには、オフラインにおいてセンサ１５に無磁界状態で定電流Ｉを供給しながら温度Δｔを変化させて、出力Ｖのデータを求める。データから温度Δｔに対するオフセット電圧値Ｏ１のテーブルを作成する。
角度測定中では、周囲温度を測定し、オフセット電圧値Ｏ１を記憶したテーブルから求め出力Ｖから差し引けば、オフセット電圧値Ｏ１が除去される。 （もっと読む）

【課題】温度特性のバラツキを解消し、縦方向のガタツキによる誤差をなくすようにした位置検出装置及び位置検出方法を提供すること。
【解決手段】ホール素子（２２ａ）のホール電圧Ｖｈｅ１は、Ａ・Ｋ・Ｂｈｅ１（Ａはプレアンプ（３２）の増幅率、Ｋは定数、Ｂｈｅ１はホール素子が受ける磁束密度）になったとすると、ＰＩレギュレータ（４１）はフィードバック制御によってＡ・Ｋ・Ｂｈｅ１＋Ｖｒｅｆ＝ＡＧＮＤ（＝０）になるように、ＰＩ出力のバイアス点を自動的に変化させる。増幅後のホール素子（２２ｂ）のホール電圧Ｖｈｅ２はＡ・Ｋ・Ｂｈｅ２となる。Ｋ＝−Ｖｒｅｆ／Ａ・Ｂｈｅ１であるから、ホール素子のホール電圧Ｖｈｅ２は、−Ｖｒｅｆ・Ｂｈｅ２／Ｂｈｅ１となる。ホール電圧は、磁束密度と比例するので、ホール素子（２２ａ）とホール素子（２２ｂ）の出力電圧を割り算していることと等価である。 （もっと読む）

【課題】高炉における炉底部の耐火物の残厚を、炉外から連続測定できるようにする。
【解決手段】前記耐火物による壁面２ａ，２ｂ内に複数の電極を埋設し、任意の一対の電極ｍ，ｎ間に形成される電気回路の電気抵抗Ｒｍｎを抵抗計５で測定してゆく。得られた電気抵抗値Ｒｍｎを演算処理装置６に入力し、耐火物残厚をＬｍ，Ｌｎとし、溶銑部距離をＬｍｎとするとき、既知の耐火物（カーボン煉瓦）および溶銑３の比電気抵抗ρｃ，ρｉから、ρｉ×Ｌｍｎ＋ρｃ×（Ｌｍ＋Ｌｎ）＝Ｒｍｎの関係式を作成し、マトリクス演算、すなわち総ての電極の組み合わせに対してＲｍｎを計測し、得られた関係式の連立方程式を解くことで、前記電気回路を形成した箇所の電極埋設部の耐火物残厚Ｌｍ，Ｌｎを換算する。これによって、操業中の高炉１の各部における耐火物残厚Ｌｍ，Ｌｎを、炉外から連続測定でき、操業の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、検出角度の誤差を低減できるようにする。
【解決手段】回転磁界センサ１は、検出回路１１，１２と、検出回路１１，１２の出力信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて角度検出値を算出する演算回路１３を備えている。検出回路１１，１２は、それぞれ、少なくとも１つのＭＲ素子列を含んでいる。各ＭＲ素子列は、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成されている。各ＭＲ素子は、磁化固定層と、自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。各ＭＲ素子列を構成する複数のＭＲ素子の数は、２以上の偶数である。各ＭＲ素子列を構成する複数のＭＲ素子は、ＭＲ素子の対を１つ以上含んでいる。対を構成する２つのＭＲ素子における磁化固定層の磁化方向は、０°および１８０°を除く所定の相対角度をなしている。 （もっと読む）

【課題】故障等に対応可能で、高い信頼性を示すバルブポジショナを提供する。
【解決手段】異常検出手段は、第２の信号に基づいて第２の変位センサの異常を検出する。算出手段は、異常検出手段により第２の変位センサの異常が検出されない場合には、第１の信号および第２の信号に基づいてバルブの位置を算出し、異常検出手段により第２の変位センサの異常が検出された場合には、第１の信号のみに基づいてバルブの位置を算出する。 （もっと読む）

【課題】自動車のステアリングの回転角度検出等に用いられる磁気検出素子及びこれを用いた回転角度検出装置に関し、温度変化等による誤差がなく、高精度で確実な回転角度の検出が可能なものを提供することを目的とする。
【解決手段】略矩形状に配列された四つの磁気抵抗２２Ａ〜２２Ｄの、対向する二つずつの磁気抵抗２２Ａと２２Ｂ、磁気抵抗２２Ｃと２２Ｄを接続すると共に、この磁気抵抗２２Ｃと２２Ｄの両端に切換手段２４Ａと２４Ｂを設けて磁気検出素子２１を形成すると共に、これを磁石３４や３５に対向して配置し、制御手段３７が磁気検出素子２１の切換手段２４Ａと２４Ｂを切換え、差動増幅手段２７Ａを介した磁気抵抗２２からの複数の磁気信号を減算して、回転体３１の回転角度を検出することによって、温度変化等による誤差がなく、高精度で確実な回転角度の検出が可能なものを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 温度変化によって発生する応力、半導体基板上の熱分布、不純物のドーズ量勾配によって、ひずみ検出に用いるホイートストンブリッジにオフセット出力が発生する。
【解決手段】 拡散抵抗をマトリックス状に配置し、ブリッジ抵抗Ｒ_ｖ１，Ｒ_ｖ２は奇数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続し、ブリッジ抵抗Ｒ_ｈ１，Ｒ_ｈ２は偶数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続する。 （もっと読む）

【課題】磁石の温度特性を補償し、検出精度を高めることの可能な回転角検出装置を提供する。
【解決手段】被検出物の回転に応じてロータ２０はステータ３０と相対回転する。ステータ３０の内部に形成されたギャップ部３３に配置されたホールＩＣ４０は、ギャップ部３３を通過する磁束密度に応じた信号を出力する。ロータ２０と共に回転するサブ磁石５１、５２は、メイン磁石２３、２４により発生したギャップ部３３を通過する磁束に対して逆方向に流れる磁束を発生する。このサブ磁石５１、５２がギャップ部３３に発生させる磁束密度は、メイン磁石２３、２４がギャップ部３３に発生させる磁束密度より小さい。また、サブ磁石５１、５２の温度係数は、メイン磁石２３、２４の温度係数より大きい。このため、サブ磁石５１、５２とメイン磁石２３、２４とが温度変化するとき、ギャップ部３３を通過する磁束密度の変化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】容量変化型変位計のベース接地型検波回路の検出値の温度依存により変化する成分を除去して計測精度を向上し安定させる。
【解決手段】トランジスタＱ１とトランジスタＱ３とは同等の温度変化特性を有し、変位検出用コンデンサを導電するキャリア信号を当該キャリア信号の相互逆位相で検出する。トランジスタＱ２とトランジスタＱ４とは同等の温度変化特性を有し、変位検出用コンデンサを導電するキャリア信号を当該キャリア信号の相互逆位相で検出する。トランジスタＱ１とトランジスタＱ２とで検出した信号の出力ＯＵＴ１と、トランジスタＱ３とトランジスタＱ４とで検出した信号の出力ＯＵＴ２とがオペアンプＵ１で減算されて出力ＯＵＴ３として出力される。オペアンプＵ１で相互に減算して出力することによりトランジスタの温度特性により変化する信号成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】 環境因子の影響を受けずに検出対象物の変位量を検出することができる変位量検出装置を提供する。
【解決手段】 発振回路２は、検出対象物４との相対距離の変化に応じてインダクタンスが変化するコイル５を備え、前記コイル５のインダクタンスに依存する周波数の信号を出力する。信号処理部３は、各コイル５と検出対象物４との相対距離をそれぞれ独立変数として、各発振回路２の発振周波数を予め定める次数の多項式でそれぞれ近似し、この近似した複数の多項式を用いて前記多項式の係数を消去することによって求められる各発振回路２の発振周波数と検出対象物４の変位量ｙとの関係に基づいて、検出対象物４の変位量ｙに相当する電気信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】温度等の周辺環境によらず、正確に一対の基板の対向する面の間隔を制御することのできるエタロン装置及びそれを備えた光学ユニットを提供する。
【解決手段】空間を隔てて対向するように配置された一対の基板２，３と、該一対の基板の対向する面の間隔を調整するために該一対の基板の少なくともいずれか一方を駆動させる駆動手段４とを備えたエタロン装置であって、前記一対の基板の対向する面の間隔を測定するための検出用面間隔測定手段５と、前記検出用面間隔測定手段の近傍に配置された参照用面間隔測定手段６と、周辺環境の変化により形状が変化しにくい材料を用いて形成されていて所定の間隔を測定するように前記参照用面間隔測定手段を保持する面間隔固定部材７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 煩雑なギャップ管理を要することなく、転動装置や転動装置部品の焼入れ深さを精度良く測定することができる焼入れ深さ測定方法、およびこの測定方法に用いられる焼入れ深さ測定装置を提供する。
【解決手段】 この焼入れ深さ測定方法では、転動装置または転動装置部品を測定対象物２０として励磁する励磁コイル３と、インピーダンス検出回路５と、信号処理回路６とを備えた焼入れ深さ測定装置１を用いる。励磁コイル２のインピーダンスの変化から、測定対象物２０の焼入れ深さを測定する。励磁コイル２は、測定対象物２０に接触させて測定を行う。励磁コイル３とは別に検出コイルを設け、検出コイルで検出した磁束から焼入れ深さを測定するようにしても良い。また、温度補正を行っても良い。 （もっと読む）

【課題】 小型かつシンプルな構造を持つシリンダ位置検出装置の提供。
【解決手段】 ピストンロッドの表面においてストローク変位方向に沿って面積が漸増又は漸減する区間を有する所定のパターンで配置された磁気応答部と、磁気応答部に対応してシリンダ本体の側に固定され、１相の交流信号で励磁されるコイルと、該交流信号が印加されるインピーダンス手段と、コイル及びインピーダンス手段の電圧をそれぞれ取り出し、ピストンロッドのストローク位置に対して異なる振幅特性をそれぞれ示す複数の交流出力信号を生成するアナログ演算回路とを具備する。ピストンロッドの直線的ストローク位置の変位に応じて該コイルに対する該磁気応答部の対応面積が変化し、この対応面積変化に応じて該コイルのインダクタンスが変化し、該コイルに対する前記磁気応答部の対応面積が漸増又は漸減する区間に対応して該コイルの両端間電圧が漸増又は漸減する。 （もっと読む）

【課題】静電容量の変化量に基づいて被測定面と静電容量センサとの間の距離を正確に測定することのできる静電容量型距離センサを提供すること。
【解決手段】静電容量センサ１により検出された静電容量の変化を検出電圧に変換する第１のＣＶ変換器３と、被測定面Ａからのオフセット距離に応じたオフセット容量を検出電圧に変換する第２のＣＶ変換器６と、第１のＣＶ変換器３と第２のＣＶ変換器６からの差分電圧を検出する差分増幅器５とを備えている。静電容量の変化量に基づいて被測定面Ａと静電容量センサ１との間の距離を正確に測定することができる。また、オフセット距離をメカニカルな機構によらずに非接触方式で直接的に測定が可能となる。 （もっと読む）