【課題】スロットル開度を検出するための構成を簡素化して組立性の向上等を図ることのできる内燃機関のスロットル装置を提供する。
【解決手段】内燃機関のスロットル装置１は、吸気通路３を開閉するスロットルバルブ８が固定されたスロットルシャフト６と、スロットルシャフト６を回転駆動するモータ４と、を備える。スロットルバルブ８は、モータ４の非通電時にスロットルスプリング１５によって所定の開度に保持される。半導体ひずみセンサは、スロットルスプリング１５又はスロットルスプリング１５のフック部１５ａが取り付けられるボス部１６に設置される。スロットル装置１は、前記半導体ひずみセンサの出力信号に基づいてスロットル開度を検出する。 （もっと読む）

【課題】 燃焼効率を十分に改善可能な内燃機関の冷却装置を提供すること。
【解決手段】 エンジンブロックを備えた内燃機関と、前記エンジンブロックの歪みを検出する歪みセンサと、前記歪みセンサにより検出された歪み量が所定値以下となるように、前記エンジンブロック内の冷却通路内に冷却水を循環制御する冷却手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より簡易で部品点数の少ない態様で、歪センサを歪計測対象部材に押圧することができる歪センサの取り付け構造の提供を目的とする。
【解決手段】 射出成形機の構成要素である歪計測対象部材に取り付けられる歪センサの取り付け構造において、歪計測対象部材に磁力により吸着されて設けられる磁石を備え、歪センサは、歪計測対象部材の表面と磁石との間に挟まるように設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁極位置の検出を非接触で行うことができ、しかも、コストを低減することができる電磁サスペンションを提供する。
【解決手段】可動子７の永久磁石９の磁極位置を検出する磁極位置検出装置１１を、固定子２に設ける。この磁極位置検出装置１１は、固定子２に取付けられる被検出板１２と、該被検出板１２の先端側に取付けられる磁極位置検出用磁石１３と、被検出板１２の基端側に取付けられる歪センサ１４とにより構成する。歪センサ１４は、磁極位置検出用磁石１３と可動子７の永久磁石９との吸引反発力により生じる被検出板１２の曲げ歪を検出する。これにより、磁極位置検出装置１１は、この曲げ歪に対応する永久磁石９の磁極位置を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】空間分解能が高く、高精度な計測を可能にする曲げセンサーを提供する事。
【解決手段】曲げセンサーは、可撓性を有する基板に第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとを備え、基板は可撓領域と非可撓領域とを含み、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとは差動トランジスター対をなし、第一薄膜トランジスターは可撓領域に形成され、第二薄膜トランジスターは非可撓領域に形成されている。薄膜トランジスターはマイクロメーター単位で形成できるため、空間分解能が数マイクロメーターと極めて高い曲げセンサーを実現できる。 （もっと読む）

【課題】 温度変化によって発生する応力、半導体基板上の熱分布、不純物のドーズ量勾配によって、ひずみ検出に用いるホイートストンブリッジにオフセット出力が発生する。
【解決手段】 拡散抵抗をマトリックス状に配置し、ブリッジ抵抗Ｒ_ｖ１，Ｒ_ｖ２は奇数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続し、ブリッジ抵抗Ｒ_ｈ１，Ｒ_ｈ２は偶数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、（ａ）上記ゲート電極の長さが２μｍより大きいこと、（ｂ）上記ゲート電極の幅が１ｍｍより小さいこと、（ｃ）上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が１３μｍより大きいこと、の３条件のうち少なくともいずれか１つの条件が成立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲージ率が大きく微小な歪みの検出が可能であるとともに、ゲージ率の調整が容易であり、高精度の測定回路を必要としない歪み検出装置及び歪み検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を有する歪み検出素子と、前記歪み検出素子の前記ゲート電極と前記ソース電極との間にゲートソース間電圧を印加する電圧印加手段と、前記歪み検出素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間に流れるドレインソース間電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段の検出結果に基いて歪み量を検出する歪み量検出手段と、を有する歪み検出装置であって、前記ゲートソース間電圧は、前記歪み検出素子に歪みを印加していないときの前記ドレインソース間電流と、前記歪み検出素子に所定の歪みを印加したときの前記ドレインソース間電流との差である電流変化量が所定の値以上になるように印加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、歪
センサーチップと熱膨張率が異なる測定対象物に取り付けた場合でも、熱膨張差に起因す
る熱歪の影響を小さくして、高精度の歪測定を可能にする。
【解決手段】 歪センサーチップをベース板に接合し、ベース板の歪センサーチップを挟
んだ両側２箇所の接続エリアでベース板を測定対象物に接続する。歪センサーチップの歪
検出部はｐ型シリコンの＜１１０＞方向、およびそれに垂直な方向を電流方向とするピエ
ゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成し、＜１１０＞方向を、前記２箇所の接続エリアを結ぶ
方向（Ｘ方向）と一致させる。歪センサーチップとベース板の熱膨張差による熱歪をブリ
ッジ回路でキャンセルでき、ベース板に選択的に伝えられるＸ方向の歪に対して高い感度
で検出できる。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で、可動テーブルの変位量の検出精度を高めることができる可動テーブル装置を提供することである。
【解決手段】 環状の固定ベース１と、この固定ベースの内側に設けた可動テーブル２と、この可動テーブ２と上記固定ベース１との間に介在させたバネ部３ａ〜３ｄと、上記固定ベース１または可動テーブル２のいずれか一方に固定し、上記可動テーブルまたは固定ベースのいずれか他方に対して伸長力または収縮力を作用させて可動テーブルを固定ベースに対して移動させるための軸方向に伸縮可能なピエゾ素子４とを備えた可動テーブル装置を前提とする。そして、上記可動テーブル２の移動に伴って歪みが発生する歪発生部位７に歪ゲージ８を取り付け、この歪ゲージ８の検出値に基づいて上記可動テーブルの移動量を検出する構成にした。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）の機械的強度を向上させ、歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可動部を有する微小電気機械式装置（ＭＥＭＳ）において、従来では中空部であった部分に充填用材料を充填する。充填用材料としては、弾性を有する絶縁性材料を用いる。弾性を有する絶縁性材料は、例えばエラストマーが挙げられる。中空部が充填されることで、機械的強度が向上する。更には、作製工程中における構造体上部の反りを防止し、歩留まりが向上する。このようにして作製された微小電気機械式装置は、信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、特性が長期間安定し、測
定対象物の歪に応じて歪センサーチップに生じる歪の変換係数が、歪測定レンジにおいて
安定にする。
【解決手段】 歪センサーチップ裏面とベース板表面を接合し、ベース板の裏面に歪セン
サーチップの側辺部に側辺長以上の長さで、歪センサーチップ接続部と接続エリアを分断
する溝を形成する。歪センサーチップの裏面に溝に挟まれた突出部が形成されることで、
表裏の剛性バランスが改善し、歪センサーチップの曲げ変形が起こり難くなり、歪の変換
係数を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体歪ゲージを用いた半導体歪センサーにおいて、センサーチップからの放
熱を良くし、温度上昇や熱変形によるセンサー特性の変化を抑制する。
【解決手段】 半導体にピエゾ抵抗素子を形成した歪センサーチップと金属性のベース板
、センサーチップの電極から外部に配線を引き出す配線を有し、歪センサーチップはベー
ス板に金属材料により接合され、ベース板にはセンサーチップの接合部を挟む少なくとも
２箇所に、測定対象物に接続するための接続エリアを有する半導体歪センサーを構成する
。センサーチップが金属性のベース板に金属材料で接合されていることから、センサーチ
ップで発生した熱が、センサーチップ裏面からベース板に逃げやすく、センサーチップの
温度上昇、およびセンサーチップとベース板の温度不均一による熱変形を防げる。 （もっと読む）

本発明は、テストサンプルの表面のあるエリアの電気的特性を決定するためのプローブに関するもので、プローブは、テストサンプルに対して所定の向きになるようにしている。プローブは、第１表面を規定する支持本体を備えてもよい。複数のカンチレバーアーム（１２）が、第１表面と同一平面の関係で支持本体から延びてもよい。複数のカンチレバーアーム（１２）は、互いにほぼ平行に延びてもよく、各カンチレバーアーム（１２）は、テストサンプルの表面に対して所定の向きのプローブ運動によって、テストサンプルの該エリアと接触するための導電性チップを含んでもよい。プローブは、運動を行う際、複数のカンチレバーアーム（１２）の何れか１つがテストサンプルの表面と接触する前に、テストサンプルの表面と接触するように配置された、支持本体から延びる接触検出器（１４）をさらに備えてもよい。
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【課題】
ｐ型不純物層とｎ型不純物層との組み合わせより構成される多軸ひずみ計測が可能な半導体チップにおいて、製造時における感度ばらつきが大きいため、計測精度が低下する。
【解決手段】
ｐ型不純物層４ｂ，４ｄのシート抵抗値を１２０Ω以上、ｎ型不純物層４ａ，４ｃのシート抵抗値を１００Ω以下とする。さらにｐ型不純物層４ｂ，４ｄから構成されるひずみ検知部の折り返し回数を、ｎ型不純物層４ａ，４ｃより少なくする
【効果】
ｐ型不純物層の感度ばらつきを減少できるとともに、ｐ型不純物層とｎ型不純物層のひずみ感度の温度依存性を揃えることができ、多軸ひずみ計測精度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からなるひずみ測定装置によりひずみを測定する場合、シリコン基板の剛性が大きいため、ひずみ感度のばらつきが大きい。
【解決手段】シリコン基板の主面に少なくともひずみ検出部が設けられており、前記ひずみ検出部の上面に絶縁膜、さらにその上面に保護層が設けられており、前記保護層には、ひずみ検出部と電気的に接続された電気配線が設けられ、かつ、前記保護層の表面に実装面が設けられることにより達成される。
【効果】剛性が大きいシリコン基板を介すことなくひずみ検出部を被測定物に近づけられるため、ひずみ追従性が安定する領域が拡大され、ひずみ感度のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の導電型の半導体基板の表面に形成され、該半導体基板とは反対導電型の拡散抵抗領域を備え、その拡散抵抗領域の両端に電極を備えた半導体歪みゲージにおいて、拡散抵抗領域の周囲にその半導体基板よりも高濃度に不純物がドープされた半導体基板と同一導電型の高濃度不純物拡散層を備え、上記電極の一方がその高濃度不純物拡散層まで伸びて形成されてその拡散抵抗領域と該高濃度不純物拡散層とが接続される。 （もっと読む）

変位、歪、および／または、力センサアセンブリ（１０、１１０）は、Ｘ軸に沿った変位、歪、および／または、力の測定を促進する異方性剛性を有する一方で、望まれないＹおよびＺ軸に沿った変位、歪、および／または、力およびＸ、ＹおよびＺ軸の回りの回転に起因するエラーが抑制する搭載構造（１２）を有する。Ｘ軸に沿った軸方向の変位に応答するように構成されている台座（３０、１３０）は、搭載構造（１２）のＸ軸上の中央に配置されており、変位または歪センサ（３８）は変位、歪および／または力の測定を提供するために台座（３０）へ連結されている。コンタクトパッド（１４、１１４）は、上記変位および／または歪センサアセンブリが適用構造へ固定されることが可能なように、上記搭載構造のＸ軸の両端に形成されている。
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