本発明は、文書を形成する媒質に吸収させたまたは埋め込んだナノ粒子の利用に基づいた文書の同定および照合システムならびに同定および照合する方法に関する。それによって、各々独自の特性を有する、異なるナノ粒子を組み合わせることによって、ナノ粒子の異なる光反射率特性を使用して、高性能の偽造特定を提供する。
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【課題】性能指標が向上したスピン検出器、及び当該スピン検出器を用いた表面分析装置を提供する。
【解決手段】スピン検出器５は、電子線が照射される面に、面の法線方向に対して傾斜した傾斜面を有する突起部５２が形成されたターゲット５１と、突起部５２の傾斜面で電子線が電子線のスピン偏極度に応じて散乱する方向側に配置された電子検出器ＤＲｙ，ＤＬｙと、を有する。また、表面分析装置１は、試料Ｓ表面に１次電子線を照射する電子線鏡筒３と、上記スピン検出器５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
観察座標を算出するのに不適当な，観察装置で検出するのが困難な欠陥(例えば，膜下欠陥など)が多発する品種・工程のウェーハにおいて，安定かつ高スループットに検査装置と観察装置の座標系のずれを補正する。
【解決手段】
観察装置を，座標変換情報を記憶する記憶手段と、検査装置で検出した複数の欠陥の座標情報を記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を用いてそれぞれの欠陥に対応する観察装置上の座標情報に変換する座標情報変換手段と、座標情報変換手段で変換した観察装置上の座標情報に基づいてそれぞれの欠陥を撮像する撮像手段と、撮像手段で取得した画像から抽出した欠陥の座標情報と座標変換手段で変換したそれぞれの欠陥の座標情報とから記憶手段に記憶しておいた座標変換情報を修正する座標情報修正手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】微小試料を加工する際のユーザの負担を効果的に低減できる微小試料の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る微小試料の加工方法は、微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の一部の領域を指定するステップと、指定した領域の濃淡度を指定するステップと、集束イオンビームを照射して、微小試料を加工するステップと、加工した微小試料の断面のＳＥＭ画像を取得するステップと、取得したＳＥＭ画像の指定した領域の濃淡度を算出するステップと、算出した濃淡度が、指定した濃淡度を満たすかどうかを判定するステップとを具備し、算出した濃淡度が指定した濃淡度を満たすまで、微小試料を加工するステップから濃淡度を算出するステップまでを繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定値からノイズの影響を除去する。
【解決手段】測定対象物上に複数の測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nを設定し、測定点Ｐ₁〜Ｐ_Nの並ぶ方向に沿って振動させながら測定ビームを照射する。測定ビームの振幅Ｗの範囲にＭ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈が含まれているとすると、Ｍ個の測定点Ｐ₄〜Ｐ₈から得られる２Ｍ個の測定値ｆ₁〜ｆ_2Mから、下記(７ａ）（７ｂ)式、


に従って、フーリエ係数ｂ₁(振幅が測定ビーム径の１／２の場合)、又はｂ₂(振幅が測定ビーム径と等しい場合)を求め各測定点のフーリエ係数ｂ₁又はｂ₂の推移を求め、微小領域の分析を行なう。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層パターンやホールパターンの穴底などの鮮明度の低い領域に対して高画質化が行える，高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】
設計データの高さ情報または画像から求めた試料の高さ情報の推定値を用いて鮮明化強度を計算し，該鮮明化強度を用いて撮像画像の画質改善処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料の上下方向の搬送振れを減少させることで、放射線源とシート状試料の間隔を一定に保ちながら厚さ測定、欠陥検査をし、一定の透過線量を試料に透過する検査装置を提供する。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるシート状試料と、該シート状試料を挟んで対向して配置され、前記シート状試料の物理的特性を測定する放射線源およびラインセンサと、該ラインセンサの少なくとも一方の側面に近接して配置され、前記シート状試料の張力によって発生する上下方向の搬送振れを軽減し、エアーベアリングとして機能するための気体噴出手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズモンロス像を、計算で簡単に算出することが可能な試料解析装置を提供する。
【解決手段】入力部１１がＳＴＥＭ−ＥＥＬＳ法における実験条件と試料情報を取得し、損失関数演算部１２が試料情報をもとに損失関数を算出し、吸収ポテンシャル演算部１３が損失関数と、実験条件の１つでありプラズモン吸収領域に設定されるエネルギースリットをもとに、エネルギースリットを考慮するか否かで２種類の吸収ポテンシャルを算出し、全散乱電子強度演算部１４が２種類の吸収ポテンシャルをもとに、第１及び第２の全散乱電子強度を算出し、プラズモンロス像生成部１５が第１の全散乱電子強度と第２の全散乱電子強度との差分からプラズモンロス像を生成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な波形分離を用いることなく、固体材料の表面に存在する官能基をより幅広く且つより正確に測定できるようにする。
【解決手段】官能基の測定する方法は、炭素質膜からなる複数の評価用試料を準備する工程（ａ）と、各官能基に対する反応率をあらかじめ測定した複数の標識試薬を準備する工程（ｂ）と、評価用試料と標識試薬とをそれぞれ反応させる工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、評価用試料のそれぞれについてその表面に導入された標識試薬の導入量をＸ線光電子分光測定法により測定する工程（ｃ）と、炭素質膜の表面に存在する各官能基の量を、Ｇ＝Ｒ^-1Ｑに基づいて算出する工程（ｄ）とを備えている。但し、Ｇは各官能基の量を示す行列であり、Ｒは各標識試薬の各官能基に対する反応率を示す行列であり、Ｑは各標識試薬の導入量を示す行列である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】電子顕微鏡において温度制御デバイスを用いる方法。デバイス構造の温度を制御して、以前は取得することができなかった反応及びプロセスに関する情報を抽出することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】試料表面のスピン状態分布を高精度に分析するための電子スピン分析器を提供する。
【解決手段】試料Ｗから放出される二次電子を入射方向に対して横方向に走査する走査偏向器５ａ、５ｂを通してパルス化された二次電子を放出するパルスゲートユニット４と、パルスゲートユニット４から出る二次電子を加速させる加速ユニット７と、加速ユニット７から出た二次電子を照射するターゲット８と、ターゲット８の周囲に配置される電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄと、電子スピン検出器１５ａ〜１５ｄから出る二次電子を受けるコレクタ１０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査するときに、記録した参照画像の再利用率があがるように欠陥検出の処理手順などを改良することで、検出率を下げずに短時間に効率よく欠陥を観察することができるようにする。
【解決手段】欠陥画像と記録した参照画像を比較して欠陥を抽出できなかった場合に、新たに参照画像を撮像すること、複数の記録した参照画像やこれらを組み合わせて生成した参照画像と比較したり、異なる倍率の画像の倍率が同じになるように画像処理をしたり、機差による画像の視野を補正すること、記録した参照画像に対して、優先順やスクリーニングによる評価を行うことなどを特徴とする試料の観察方法とした。 （もっと読む）

【課題】光学的検査と電気的検査とを行う基板アレイ検査装置において、装置構成を小型化し、検査のスループットを向上させる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線走査によって得られる二次電子を検出するメインチャンバー２０と、メインチャンバーとの間で基板２を搬出入するロードロックチャンバー１０と、基板の搬送方向と直交する方向の幅のライン状画像を撮像するライン撮像手段４０と、電気的検査画像を形成する検査画像形成手段５２と、光学画像を形成する光学画像形成手段４１と、検査画像および光学画像を用いて基板検出を行う基板検査手段６０とを備え、ライン撮像手段を、基板の搬送路上で、ロードロックチャンバーとメインチャンバーの境界近傍に配置する。メインチャンバーへの基板の搬入時に基板の光学画像を取得することで、光学画像を取得するスペースを不要として小型化し、検査のスループットを向上させる。 （もっと読む）

本発明は、α相およびβ相を有する２相タイプのチタニウム合金を検査する方法に関する。方法は、
ａ）合金から作られた部分の試料を切断するステップと、
ｂ）試料のエッジ（５０）の近傍に位置する試料の切断面の領域（４）を調製するステップであって、領域（４）が観察されることができるようにするために、エッジ（５０）が部分の外面（１）と共通であるステップと、
ｃ）５０００倍よりも大きな倍率で領域（４）のα相を観察するステップと、
ｄ）試料のエッジ（５０）に隣接する第１のゾーン（１１）のα相に粒状性があるかないかを決定するステップと、
ｅ）隣接するゾーン（１１）のα相に粒状性がないことが認められるが、隣接するゾーン（１１）の外側のα相に粒状性（２２）がある場合、合金が気体で汚染されたと結論付けるステップと
を含む。
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【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し，領域毎に参照画像と位置合せを行い，検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをＧＵＩ上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間に且つ簡単に試料分析を行う。
【解決手段】 電子ビーム照射により試料４表面から発生し、Ｘ線分光器７のＸ線検出器に検出された特性Ｘ線信号に基づくスペクトルを表示装置１７の表示画面上に表示させる様に成してあり、過去の分析に使用した分析条件に関するデータとその分析条件下で検出された信号に基づいて作成された分析データとを関連付けて記憶する記憶手段１６、分析データに関係するパラメータの数値範囲を選択可能に表示手段１７に表示させるパラメータ表示指令部９Ｐ、表示されたパラメータから分析データに関係するパラメータの数値範囲を指定する指定手段１８、及び、指定されたパラメータの数値範囲が含まれる分析データに関係づけられた分析条件データを記憶手段１６に記憶されたデータから抽出し、表示手段１７に表示させる分析条件抽出手段２１を備えている。 （もっと読む）