【課題】複層膜厚の測定のために2つの線源を用いなくても、1つの線源と異なるシンチレータの組み合わせにより高精度にエネルギー弁別が行える安価でコンパクトな装置を用いて複層膜厚の同時独立算出を可能にした放射線測定方法を提供する。
【解決手段】同一線源から照射された放射線を複数の材質からなる被測定物に照射して透過させ、透過した透過線量から被測定物の物理量を測定する放射線測定方法において、透過した放射線を少なくとも２種類の検出器により検出し、それぞれの検出器からの出力を検量線を用いて弁別演算を行う工程と、弁別演算した値を用いて各層の坪量を演算する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。
【解決手段】集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】冷却フィンなどの異物による影響を受けずに、実装状態（はんだ付けの状態）を確実に検査することができる透視検査装置を提供する。
【解決手段】放射線Ｘを被検体１０１に向けて放出する放射線源１と、検体を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器４と、被検体１０１への放射線Ｘの入射角度を変化させる入射角度変更手段９と、放射線検出器４により検出された放射線量の二次元分布を画像化する信号処理手段６と、入射角度変更手段９及び信号処理手段６を制御する制御手段１０とを備え、制御手段１０は、被検体１０１に放射線Ｘが第１の角度で入射したときの透過放射線量に基づく画像と、被検体１０１に放射線Ｘが第２の角度で入射したときの透過放射線量に基づく画像とを合成して、被検体１０１に重なっている異物１０２によるノイズ画像を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な操作により高い精度で、セメントモルタルの圧縮強さを推定する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、試料作成工程と、水和率算出工程と、圧縮強さ推定工程からなるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法であり、前記の水和率算出工程が、セメントペースト硬化体の反射電子像から求めた未水和の水硬性粒子の面積率を下記式に代入して、水硬性粒子の水和率を算出するセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。
Ｒ_ｔ＝{１−（Ｓ_ｉ−Ｓ_ｔ）／Ｓ_ｉ}×１００
但し、Ｒ_ｔ；材齢ｔ日の水硬性粒子の水和率（％）
Ｓ_ｉ；水和率ゼロの未水和の水硬性粒子の面積率（％）
Ｓ_ｔ；材齢ｔ日の未水和の水硬性粒子の面積率（％）
また、前記のセメントが高炉セメントであるセメントモルタルの圧縮強さの推定方法をも含む。 （もっと読む）

【課題】試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程における位置誤差を解消して、位置精度を高め、検査精度を高め、基板上の検査対象領域の正確な位置を取得する。
【解決手段】基板検査装置１は、荷電粒子ビームを基板上で二次元的に走査させて得られる走査画像に基づいて基板検査を行う基板検査装置において、走査画像から基板上の検査対象領域の特定部位の座標データを取得する座標データ取得手段７を備える。基板検査において、座標データ取得手段で取得した座標データに基づいて走査画像上の検査位置を特定することで、誤差によるずれに影響されることなく基板検査を行う。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】生物試料のＸ線顕微鏡観察に好適なＸ線顕微鏡像観察用試料支持部材を提供すること。
【解決手段】試料支持部材（１０）は、窒化シリコン膜、カーボン膜、ポリイミド膜などの試料支持膜（１１）と、この試料支持膜の一方主面に設けられ荷電粒子の照射を受けて軟Ｘ線領域の特性Ｘ線を放射するＸ線放射膜（１３）と、試料支持膜（１１）の他方主面に設けられた金属膜であって吸着により観察対象試料（１）を固定する試料吸着膜（１２）とを備えている。生物試料の構成物質であるタンパク質は金属イオンに吸着し易い性質があるため、試料吸着膜（１２）を試料支持部膜（１１）の主面の一方に形成してこれに観察試料を吸着させるようにする。このような試料支持部材（１０）を用いれば、生物試料を含む溶液を試料吸着膜（１２）の上に滴下したり試料支持部材（１０）を収容したセル内に注入したりするだけで、観察試料を固定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料３の幅方向位置の測定精度を向上させ、試料測定範囲（厚さの範囲や材質など）の広範囲化を図った放射線測定装置を提供する。
【解決手段】被測定物（試料）を搬送させながら放射線を用いて前記試料の物理量の測定を行う放射線測定装置において、前記試料の搬送方向に略直角に配置されたラインセンサと、前記試料の上方に配置され前記試料を介して前記放射線を前記ラインセンサに照射する複数の放射線源からなり、前記複数の放射線源からの放射線は前記試料の搬送方向に略直角方向に扇状に出射されると共に前記ラインセンサの同一線上を照射するように構成した。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを放出中であっても高真空を維持可能な小型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の電子光学系の差動排気の上流に非蒸発ゲッター
ポンプを配し，下流に必要最小限のイオンポンプ配して，両者を併用することにより達成
される。さらに，取り外し可能なコイルを電子銃部に実装することにより，別の課題を解
決する。
【効果】カラム内の真空度を１０^−８Ｐａ台の高真空で維持できる小型荷電粒子線装置，例えば，小型の走査型電子顕微鏡，複数のカラムを有する荷電粒子ビーム装置を得ることができる。さらに，半導体の電気特性を直接計測するプローバ装置の探針の位置をモニタする小型ＳＥＭカラムを容易に内蔵できる。その他にも，半導体素子検査用のミラープロジェクション方式の電子線検査装置の電子線照射カラムの小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】所望の部分のみの画像データを高速に取得し、検査することにより短時間で効率良い検査を実施可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】ＲＯＩ検査機能を備えた外観検査装置において、設定された領域指定条件に基づき、半導体ウェーハ上に配置する走査ストライプの画像から参照画像形成用の画像データを位置合わせ用のマージンを含んで切り出す。切り出された複数枚の画像データを加算平均してＲＯＩ検査用の参照画像を合成する。更に、参照画像用の画像データの切出しの際に所定の禁則条件を設けて、誤判定を防止する。 （もっと読む）

【課題】実際のゴム材料の変形挙動が大きい場合でも、変形挙動を精密に解析することを可能とする。
【解決手段】ゴムにゴムとは異なる材料を配合した所定形状のゴム材料について、ノードにより構成される３次元モデルを生成するステップと、各ノードに歪と応力との関係を定めた構成条件を付与するステップと、構成条件が付与された３次元モデルを用いて変形挙動を解析するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜状元素の種類と厚さに対して、輝度コントラストが最大となり且つ再現性よく計測することができるSEM反射電子計測の観測条件を決定する方法および、SEM反射電子計測により識別することが可能な元素種類組み合わせを予測する方法を用いて異種元素が付加された微粒子セットを識別する観察方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持体表面の異なる領域を３種類以上の元素で薄膜状に被覆してなる微粒子標識であって、各元素の全反射係数ηの値に基づいて昇順または降順で並べたときに隣接する元素間での全反射係数ηの差が、0.02以上となるような３種類以上の元素の組合せを用いて、前記支持体表面の異なる領域が薄膜状に被覆されている、微粒子標識を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より理想的な荷電粒子線装置の分解能評価用の標準試料を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板にコロイド金属又はイオン液体に分散した金属微粒子を滴下するステップと、前記基板に滴下した溶液を除去するステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。また、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板表面にスパッタにより金属微粒子を付着させるステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。 （もっと読む）