【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化（例えば、二次金属）、結晶学的変化（例えば、ぺロブスカイトの）、及び発光変化（強度又は減衰期間）であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属（208、210）を示す2つの二次金属（210a、210b）を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ナノ電子線回折パタンにおける各スポットの座標を適切に定義し、格子面距離を精度良く算出することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、回折スポット及び透過スポットを含む複数のスポットを表す電子線またはＸ線回折パタンを二階調化して二階調化データを生成するステップと、前記二階調化データを用いて、前記スポットの領域に相当する定義円を作成するステップと、前記スポットと前記定義円の各画素における差の二乗和が最小になるように前記定義円のサイズ又は座標の少なくとも１つを変化させて該スポットへフィッティングさせることによって、該スポットの近似円を取得するステップと、前記近似円の中心座標で前記スポットの座標を定義することによって、スポット間の距離を算出し格子面距離を取得するステップとをコンピュータが実行する半導体素子の評価方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】しきい光電子分光を効率的に行うことができる装置および方法を提供する。
【解決手段】しきい光電子分光装置１は、第１光源１０、第２光源２０、照射光学系３０、真空容器４０、分子線生成部５０、撮像部６０および検出部７０を備える。準備段階において、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第１光源による第１パルス光出力タイミングを各値に設定して、分子線生成部による分子線生成，第１光源による第１パルス光出力および撮像部による蛍光撮像を行う。続く測定段階において、準備段階で撮像部による蛍光撮像により得られた蛍光像に基づいて決定されるタイミングおよび照射位置となるように、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第２光源による第２パルス光出力タイミングを設定するとともに、分子線への第２パルス光の照射位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】
性質が異なる画像を取得する複数種類の観察装置を用いた欠陥分類システムにおいて、分類性能及びシステムの操作性を向上させる。
【解決手段】
被検査対象を撮像する複数の画像撮像手段と、上記画像撮像手段から得られた画像を分類する欠陥分類装置と、上記複数の画像撮像手段と、上記欠陥分類との間のデータ伝送を行う為の伝送手段からなる欠陥分類システムにおいて、上記欠陥分類装置に、画像撮像手段から得られた画像データを記憶する画像記憶手段と入力画像データに関する付随情報を記憶する情報記憶手段と、上記、付随情報に応じて画像の処理方式あるいは表示方式を変更する手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、一組の結晶粒（Ｇ_１，．．．Ｇ_ｉ，．．．，Ｇ_ｎ）を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法であって、一系列のラウエパターンを記録する工程と、前記ラウエパターンをインターレース解除する演算であって、結晶粒の空間的広がりをさらに特定するようにトモグラフィ演算と組み合わせられると有利であるインターレース解除演算と、を含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオン液体の表面を浮遊する微細試料を、イオン液体に覆われることなく走査電子顕微鏡で観察する。
【解決手段】浮遊性あるいは疎水性の試料を親水性のイオン液体水溶液の表面に浮かべることで、微細試料がイオン液体に覆われることを防止する。親水性の試料の場合には、疎水性のイオン液体を使用する。粘性が低く、流動性が大きいイオン液体水溶液を用いることで、微細試料がイオン液体の表面で自由に凝集，分散，整列できるようにし、さらにはイオン液体中に沈降した微細試料の再浮上を可能にする。微細試料の形態が安定した後、走査電子顕微鏡下での観察を容易にするために、電子顕微鏡観察前にイオン液体水溶液を乾燥させることで、イオン液体水溶液の流動性を低下させる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線分析方法及び装置に関し、ステージ走査でも良好なドリフト補正を行うことができるＸ線分析方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料上の面分析領域の内部を複数のブロックに分けて、ブロック内での各ラインのステージ走査に基づく特性Ｘ線の測定が第１ブロックから各ブロック毎に順次行うようにされており、各ブロックにおいて最初に走査が行われるラインについてのステージ走査の開始前に、試料の電子線走査画像を取得し、第２ブロック以降における特性Ｘ線の測定開始時においては、当該ブロックにおいて取得された電子線走査画像と、その直前のブロックにおいて取得された電子線走査画像との照合を行って、ステージのドリフト量を求め、該ドリフト量に基づいて電子線のビームシフトを行うことにより、試料上での電子線の照射位置を補正してから当該ブロック内での特性Ｘ線測定を開始するように構成する。 （もっと読む）

【課題】金属材料のき裂進展速度を高精度に評価し、ひいては余寿命を評価する。
【解決手段】本発明に係る金属材料のき裂進展速度評価方法は、金属材料の試料におけるき裂の先端を含む領域内の複数の測定点の結晶方位をＥＢＳＰ法により測定する測定ステップ（Ｓ２）と、各測定点の結晶方位のずれを示す方位差関数値を解析して試料の評価パラメータを得る解析ステップ（Ｓ３）と、上記試料と同種の金属材料から形成され予めき裂進展試験を実施することによりき裂進展速度が既知の他の試料を用いて取得しておいた、き裂進展速度および評価パラメータの相関関係を参照することによって、上記解析ステップにおける解析の結果得られた試料の評価パラメータから、当該試料のき裂進展速度を評価する評価ステップ（Ｓ４、Ｓ５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】複数の信号を用いた高精度な寸法測定を実現することを可能にする。
【解決手段】本実施形態は、走査顕微鏡を用いて対象物の寸法測定を行う寸法測定方法であって、前記対象物の測定に関する始点および終点となる測長点を定義する工程と、前記対象物にビームを入射して走査することにより、同時刻における前記対象物からの複数の信号を検出する工程と、前記対象物の測長点の定義に基づいて、前記複数の信号から測長点を決定する工程と、前記対象物において決定された測長点の間の距離を算出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターン断面を撮像した画像から、パターン断面の側壁角度を精度良く計測することができるパターン画像測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン画像測定方法は、パターン断面画像を画像処理して断面の輪郭線座標データを抽出し、前記輪郭線座標データからパターン上部と下部に相当する座標値を抽出し、パターンの高さ、計測範囲２点の座標値及び計測範囲の高さを算出する。前記２点の座標値に相当するｘ方向の輝度分布信号を取得し、信号から断面ＳＥＭ画像特有の白い影部分に相当する範囲の信号成分を除去する。前記信号に対して、相互相関法を適用し、２つの信号間距離を算出し、側壁角度を算出する。 （もっと読む）

【課題】板状試料の大きさ、形状に関わらず、試料底面を試料台に接触させずに簡便に安定した状態で保持できる保持具を提供する。
【解決手段】板状上部保持部材２と板状下部保持部材３と両保持部材の間に試料を挟んだ状態で両保持部材を固定する固定手段（４、５、５a、５ｂ）とを備え、前記固定手段を、前記両保持部材の板中心から離れる位置に設ける構造とする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ＴＥＭ画像形成の質を改善することである。
【解決手段】
透過型電子顕微鏡の検出器システムにおいて、画像取得期間の間に、画像データがピクセルから読み出され、分析される。画像取得プロセスは、分析結果に基づいて修正される。例えば、分析は、チャージングやバブル形成の画像アーチファクトのデータへの混入を示す。そして、アーチファクトを含むデータは、最終画像から取り除かれる。ＣＭＯＳ検出器は、高速なデータレートで選択的にピクセルを読み出し、リアルタイムの適応画像処理を提供する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）研究に適した材料試料（ＴＥＭ「薄片」）、特にＨＲＴＥＭ薄片（ＨＲ＝高分解能）、その製造プロセス、及び当該プロセスを実行する装置。
【解決手段】ＴＥＭ薄片を製造するプロセスは、厚さを有する板状基板を支持体に取り付けるステップ（Ｓ１）と、第１ストリップ状凹部を基板の第１面に、支持体に対して第１角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ３）と、第２ストリップ状凹部を基板の第２面に、支持体に対して第２角度で、粒子ビームを用いて製造するステップ（Ｓ５）であって、第１ストリップ状凹部第２ストリップ状凹部が、薄肉の重なり領域を形成するようにする。薄片は、厚肉のリム領域及び薄肉の中央領域を有し、第１ストリップ状凹部を薄片の第１の平坦面に、第２ストリップ状凹部を薄片の第２平坦面に有し、第１凹部及び第２凹部は、相互に鋭角又は直角を形成する。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）