【課題】サンプリング不良により生じる欠陥の誤検出を解消する。
【解決手段】ピクセルに対して異なる電圧の検査信号を二次元で互いに交互に印加する際に得られるピクセルの信号強度パターンの特徴を利用し、検査対象のピクセルに対してｙ方向で隣接するピクセルの信号強度と比較対照することによって、サンプリング不良によるｘ方向のサンプリング点の行が欠如した場合であっても、サンプリング行に含まれるピクセルについて欠陥検出を行う。検査対象のピクセルに対してｙ方向に隣接するピクセルの信号強度との比較対照において、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と異なる信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定し、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と同じ信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定する。 （もっと読む）

【課題】結晶性ドメインを自動的に分析すること。
【解決手段】電子顕微鏡像の複数の領域それぞれについてフーリエ変換を行なうことによりフーリエ像を生成し（Ｓ１６）、前記フーリエ像の角度に対する強度を演算し（Ｓ１８）、前記強度に基づいて、前記電子顕微鏡像内の結晶性ドメインを分析する（Ｓ２６）結晶粒方位の分析方法。 （もっと読む）

【課題】微細パターンのマスクを高感度で検査できるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、減圧容器１０と、保持部１５と、光照射部２０と、検出部５０と、電極３０と、制御部６０と、を備えマスク検査装置１１０が提供される。前記保持部１５は、前記減圧容器１０の中に設けられ、マスク７０を保持する。前記光照射部２０は、前記保持部１５に保持された前記マスク７０の主面に光を照射する。前記検出部５０は、前記減圧容器１０の中に設けられ、前記マスク７０の前記主面に前記光が照射されて発生した電子を検出する。前記電極３０は、前記保持部１５と前記検出部５０との間に設けられ、前記保持部１５から前記検出部５０に向かう方向に前記電子を導く。前記制御部６０は、前記検出部５０で検出された前記電子の検出結果を基準となる値と比較する。 （もっと読む）

【課題】蛍光マーカーを付着させた標的タンパク質の位置の特定を、同時に多数行う事のできる顕微鏡システムを実現する。
【解決手段】試料３０６中の標的タンパク質に付与した蛍光マーカーを光３２４により励起し、蛍光マーカーからの光３２８を放物面鏡３１４により集光して光検出器３６０で検出すると共に、荷電粒子ビーム３０４を走査する事により蛍光マーカーを不活性にすることによって励起位置を特定する。同時に、放出される二次電子３３２を放物面鏡３１４の表面に印加された電界により二次電子検出器３２０へ向けて偏向させる事により検出して試料像を形成する。 （もっと読む）

【課題】第1の測定と第2の測定との間で測定サンプルが大気に触れないようにすることができ、またこれらの複数の測定にかかる時間を短縮化すること。
【解決手段】一つの気密（減圧）容器内に、第１の測定を行う第１の測定部と、第１とは異なる第２の測定を行う第２の測定部とを設ける。試料を取り付けたサンプルホルダの、第１の測定部から第２の測定部への移動は、サンプルホルダ移動手段により行う。 （もっと読む）

【課題】多孔質材料の構造を容易かつ詳細に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。特に、小角電子線散乱像１５の画像データに構造解析処理を施すことができる。また、小角電子線散乱部分の構造解析処理を併用することができる。さらに、透過像を併用することもできる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用する微細加工により、微細粒子の凝集体からなる膜の断面を、透過電子顕微鏡観察する目的の薄片化試料を作製する際、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止でき、また、薄片化された部位の大気暴露を防止可能な、薄片化試料の作製方法を提供する。
【解決手段】微細粒子の凝集体からなる膜から抽出した試料片に対し、その二つの断面に集束イオンビームを利用する微細加工を施し、薄片化を行う工程中、各断面に微細加工を施した後、微細加工端面を被覆する、均質な材料からなる薄膜をそれぞれ形成する。形成される均質な材料からなる薄膜は、微細加工端面に露呈する微細粒子の剥落を防止し、また、微細加工端面の大気暴露を防止する、被覆膜として利用される。 （もっと読む）

【課題】 非導電性の物体の微細形状を、物体の形態を変化させることなく観察可能とすること
【解決手段】 観察する物体の表面に液晶を被覆した観察試料を電子顕微鏡内に配置し、前記観察試料を加熱することにより前記液晶の膜厚を変更するとともに、前記走査型電子顕微鏡により前記観察試料を観察する。これにより最適な液晶の膜厚における観察が可能となる。 （もっと読む）

【課題】等価膜校正時に測定セルの上下ブロック間に校正用具を手作業で配置するときに、校正用具が濾紙に接触することがなく、濾紙の位置が変化して等価膜校正の再現性が悪くなることを防止することができるダスト計を提供する。
【解決手段】開閉可能な上ブロック１０２、下ブロック１０４を有するとともに、内部にガス流路１０６及びβ線照射路が形成され、ガス流路を流れる気相中のダストを上下ブロックで挟持した濾紙１０８上に吸引捕集する測定セル１００を備えたダスト計において、上記測定セル１００の下ブロックの上面の濾紙が配置される部分を含む領域に、深さが濾紙の厚さより大きい凹部１１８を形成し、濾紙が上記凹部１１８の底面に接触するようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数層を含むパターン画像のように、異種の特徴を持つ複数の領域が含まれる画像に対するパターンマッチングを高精度に行うパターンマッチング装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、設計データ、或いは撮像画像に基づいて形成されたテンプレートを用いて、対象画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング装置であって、異なる複数の対象パターンを含む第１のテンプレートを用いて、第１の対象画像に対するパターンマッチングを実行し、第１の対象画像から、特定パターンを含む領域の情報を除外して第２の対象画像を作成し、当該第２の対象画像と、前記特定パターン以外のパターン情報を含む第２のテンプレートとの間の類似度判定を行うパターンマッチング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴアレイ基板の欠陥検出において、ゲート方向の線欠陥でも明確に検出することができる線欠陥検出方法及び線欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 電子ビームをＴＦＴアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からＴＦＴアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、ＴＦＴアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるＴＦＴアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からＴＦＴアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第１の閾値を設定し、前記第１の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第２の閾値を設定し、前記第２の閾値に基づいて線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる光電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】光源からの光を試料に照射することにより前記試料から放出される光電子を対物レンズを介して結像し、拡大像を得る光電子顕微鏡において、前記対物レンズに、２以上の電極を備えさせ、２以上の前記電極を、前記光が２つの電極間を通るように設置する。このような構成をした光電子顕微鏡は、試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム５０１にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム５０２にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム５０３にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム５０４にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム５０６にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】検査データと組み合わせて設計データを使用するためのさまざまな方法及びシステムが実現される。
【解決手段】設計データ空間における検査データの位置を決定するための一コンピュータ実施方法は、ウェハ上のアライメント部位に対する検査システムにより取り込まれたデータを所定のアライメント部位に対するデータにアラインさせることを含む。この方法は、さらに、設計データ空間における所定のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置を決定することを含む。それに加えて、この方法は、設計データ空間におけるウェハ上のアライメント部位の位置に基づいて設計データ空間における検査システムによりそのウェハについて取り込まれた検査データの位置を決定することを含む。一実施形態では、検査データの位置は、サブピクセル精度で決定される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）