【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリマ材料内での無機充填剤の分散状態の解釈が容易な無機充填剤を含むポリマ材料の観察方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類以上の高分子材料と、１種類以上の無機充填剤を原料として混合しているポリマ材料の相分散構造解析に際し、高分子材料の内、少なくとも１種類以上と化学反応して重金属化合物を形成し、かつ無機充填剤とも化学反応する電子染色溶液に、ポリマ材料の試料片を浸漬させた後、水洗し、その試料片を走査型電子顕微鏡で観察して、化学反応した高分子材料と化学反応しない高分子材料と無機充填剤とが分散した反射電子像を収得し、その反射電子像中の無機充填剤が溶出した跡の孔の部位と溶出しない無機充填剤の部位との輝度を一致させた反射電子像を得るようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】試料の先端部分が破損し難く、且つ、（メッシュが搭載される試料ホルダの窪み（凹部）形状を専用形にすることが不要な）汎用性の高い、試料保持用のメッシュ、及び元素分析方法を提供する。
【解決手段】透過型電子顕微鏡に用いられるリング状平板形状を有する試料保持用メッシュ１４において、前記リング状平板の上面に設けられた溝２２により、前記リング状平板を第１および第２の半リング状平板形状に２分して形成された第１および第２のメッシュと、を有し、前記第１および前記第２のメッシュからなる前記リング状平板形状の前記第１のメッシュ上に試料を搭載した状態で、前記第２のメッシュを前記溝から前記リング状平板の下面方向に折り曲げて、前記第１のメッシュの下面側に折りたたむことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性層と有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法に関する。本発明は、導電性層と有機層のいずれも１５ｎｍ程度以上の厚さである場合においても、導電性層と有機層との界面の、化学状態または電子状態の評価が可能となる方法を提供する。
【解決手段】評価対象の試料が導電性層と有機層を有し、該導電性層と該有機層の界面に硬Ｘ線を照射することにより発生する光電子のエネルギーを測定することによる該導電性層と該有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法。 （もっと読む）

【課題】再構成画像の偽像や像の欠落を大きく低減し、再構成の精度を向上するとともに、複数成分で構成されている観察対象物に対しても、構造物の組成数が未知である試料に対しても適用できる画像処理を提供すること。
【解決手段】観察対象物を傾斜する傾斜装置と撮像装置を有した電子顕微鏡において、該観察対象物をある角度ステップで傾斜し、得られた傾斜画像を格納する手段、該傾斜画像の位置を合わせる手段、該傾斜画像を元に初期再構成画像を生成する手段、該初期再構成画像を任意の角度に投影し複数枚の投影画像を生成する手段、上記傾斜画像と上記投影画像との対応するピクセルの誤差を演算する手段、該誤差から処理の優先度を決定する手段、階調レベル毎に密度を演算する手段、該密度から処理の優先度を決定する手段、更に上記それぞれの優先度で上記初期再構成画像の各ピクセルの濃度値を変化させる手段を備えた画像処理装置。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 速やかにかつ簡便に絶縁性無機材料の焼結体の組織観察を行うことができる組織観察方法を提供する。
【解決手段】 本発明の組織観察方法は、鏡面研磨された焼結体である試料の表面に導電性コーティング層を形成する第一ステップ（ステップＳ４）と、集束イオンビームによって、前記表面に形成された前記導電性コーティング層の一部を除去することで前記試料の表面の一部が露出した観察面を形成する第二ステップ（ステップＳ５）と、走査型イオン顕微鏡による二次電子像で、前記観察面を観察する第三ステップ（ステップＳ６）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】所定パターンがＸ方向，Ｙ方向ないしＸＹ両方向に所定のピッチで繰返し形成された回路パターンの形成領域を備えるダイの画像を取得して欠陥を判定する回路パターン検査装置において、前記取得された回路パターンの画像を記憶する画像メモリと、該画像メモリに記憶された画像を、当該画像データを前記Ｘ方向，前記Ｙ方向ないし前記ＸＹ両方向のいずれかの方向に加算平均して得られる加算平均画像と比較して差分画像を生成し、該差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定するプロセッサエレメントと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗体の帯電特性評価をミクロンスケールで行うことのできる高抵抗体の帯電特性評価装置、帯電特性評価方法および帯電特性評価プログラムを得る。
【解決手段】 真空内に載置された高抵抗体の帯電特性の均一性を評価する帯電特性評価装置。高抵抗体を帯電させる電子銃２と、２次電子検出器７０と、検出された２次電子を潜像画像データに変換する画像データ変換部８２と、変換された潜像画像データを２値化する２値化部８３と、２値化された潜像画像データのうち明部の画素数を計測する明部画素カウント部８４と、計測手段による計測結果に基づいて高抵抗体の帯電特性の均一性を評価するコンピュータと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッジの変形、或いはコントラストの変動等に依らず、高精度にパターンマッチングを行うパターンマッチング方法，画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、以下に設計データに基づいて形成されたテンプレートを用いて、画像上でパターンマッチングを実行するパターンマッチング方法、或いは装置であって、パターンの輪郭を定義する線分によって、区分けされる内側領域、及び／又は外側領域について、画像の特徴量を求め、当該特徴量が所定の条件を満たした位置をマッチング位置，マッチング位置候補、或いは誤ったマッチング位置と決定するパターンマッチング方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
既製のInfiniBand（Ｒ）制御を用いる画像分配制御部は、単一ＣＰＵ上のＯＳでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 （もっと読む）

【課題】厚みが大きく、表面の凹凸の大きい薄膜の堆積量を、β線を用いて真空中で測定可能な装置を提供する。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバーを排気するための真空ポンプと、基板上に堆積した薄膜にβ線を照射するβ線源と、照射したβ線の後方散乱を検出する放射線検出器と、前記チャンバー内に配置され、前記検出器の出力信号を増幅する回路と、前記チャンバー内に配置され、前記回路を収容し、前記回路周囲を大気圧に保持する容器と、前記容器内に前記チャンバーの外から冷却ガスを供給する配管とを備える薄膜堆積量計測装置とする。 （もっと読む）

【課題】眼鏡レンズ基材上に形成される機能性膜の性能を高い信頼性をもって評価するための新たな手段を提供すること。
【解決手段】眼鏡レンズ基材上に機能性膜を形成するための成膜材料または該成膜材料を用いて形成された機能性膜の性能評価方法。前記評価される性能は、上記機能性膜表面の滑り感および上記機能性膜の密着性からなる群から選ばれ、上記成膜材料または上記機能性膜にＸ線を照射することにより発生する光電子量の経時変化に基づき、前記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】核燃料棒上のクラッドの分析を遂行する方法の提供。
【解決手段】核燃料棒上のクラッドフレークの断面の分析方法であって、該フレークの結晶のモルホロジーを決定し、該フレークの結晶のサイズを決定し、該フレークの様々な場所における該フレークの元素分布を相関させ、しかもこれらの分布はエネルギー分散型分光器が取り付けられた走査電子顕微鏡でもって得られ、該元素分布により該結晶中の化学元素を決定し、そして鉄濃縮の減損並びに亜鉛及びケイ素の濃縮を該結晶のサイズ及びモルホロジーと相関させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はオージェ像収集方法及び装置に関し、Ｓ／Ｎ比のよいオージェ像を得ることを目的としている。
【解決手段】試料３に電子ビームを照射し、該試料３の表面から放出される二次的電子を分光器４によりエネルギー分光し、該分光した各エネルギーの二次的電子を検出器４ｂによりカウントするようにしたオージェ電子分光装置であって、前記検出器４ｂを複数用意し、前記異なるエネルギーの電子を同時にカウントするようにしたオージェ電子分光装置において、前記複数の検出器４ｂによりカウントされたデータに基づいて、エネルギー値毎に各検出器（チャネル）のカウント数のテーブルを作成し、該テーブルを用いてピークのチャネルとバックグラウンドのチャネルの組み合わせと、各組み合わせのＳ／Ｎ比を求め、最もＳ／Ｎ比が高い組み合わせを選択してピーク強度を算出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】金属材料の高精度な損傷評価、ひいては余寿命評価を可能にする。
【解決手段】本発明に係る金属材料の損傷評価方法は、金属材料の試料における複数の測定点の結晶方位をＥＢＳＰ法により測定する測定ステップ（Ｓ２）と、複数の測定点のうちの基準の測定点に対する各測定点の結晶方位差で定義される方位差関数値を解析して試料の損傷パラメータを得る解析ステップ（Ｓ３）と、上記試料と同種の金属材料から形成され損傷率が既知の他の試料を用いて予め取得しておいた損傷率および損傷パラメータの相関関係を参照することによって、上記解析ステップにおける解析の結果得られた試料の損傷パラメータから、当該試料の損傷率を評価する評価ステップ（Ｓ４、Ｓ５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンのサイズエラーの検出を可能とするパターン検査装置を提供する。
【解決手段】設計データに基づきパターンが形成された試料を撮像する画像取得部１０と、設計データから展開画像を生成する展開画像生成部２２と、展開画像を参照画像生成モデルに入力して参照画像を生成する参照画像生成部２４であって、モデルパラメータを被検査画像と参照画像との間で画素の階調値の差が最小化されるよう最適化する参照画像生成部と、参照画像の基準パターンの測定値と、被検査画像の基準パターンの測定値から求められた基準パターンの変換差を用いて、参照画像と被検査画像のいずれか一方の被検査パターンの測定値を補正し、補正された参照画像の被検査パターンの測定値と、被検査画像の被検査パターンの測定値とを比較し欠陥の有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】 主成分の数を間違って設定して多変量カーブ分解を行うと、評価対象物の情報を反映した妥当な解析データを得ることができない。
【解決手段】 複数の標本の原初スペクトルデータを主成分分析することにより、複数の暫定主成分スペクトルを求める。暫定主成分数を変えて、暫定主成分スペクトルの中から、寄与率の大きなものから順番に暫定主成分数の暫定主成分スペクトルを抽出する。抽出された暫定主成分スペクトルに基づいて計算された標本のスペクトルデータと、原初スペクトルデータとの差分スペクトルを、暫定主成分数ごとに求める。差分スペクトルに関連する情報エントロピーと、暫定主成分数との関係に基づいて、原初スペクトルデータの主成分数を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）