【課題】透過型電子顕微鏡を用いて角層細胞間の微細構造の全体の詳細を簡便かつ明瞭に観察することができる角層細胞間の微細構造の観察方法を提供する。
【解決手段】透過型電子顕微鏡を用いた角層細胞間の微細構造の観察方法であって、皮膚面に対して垂直方向に切断面を有するように切り出した皮膚試料４に対して、角層細胞間脂質の層構造１４の面内方向に電子線１０が照射されるように、透過型電子顕微鏡用試料ホルダー上の、該皮膚試料を載せたグリッド１の向きを調整し皮膚試料の向きを調整する、角層細胞間の微細構造の観察方法。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物から放出された光電子のエネルギースペクトルを短時間に正確に取得することができるＸ線光電子分光装置およびＸ線光電子分光方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１０から出力されたＸ線３の照射により測定対象物２で発生した電子４が電子レンズ２０およびエネルギー分析器３０を経て検出器４０に到達したときに検出器４０により得られたエネルギースペクトルを、電子レンズ２０による電子４の減速が調整されて測定対象物２のフェルミ準位よりも低束縛エネルギー側にある禁止帯に相当する帯域のものとして検出器４０により得られたエネルギースペクトルに基づいて補正する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 製造ラインに新たな製品種別が追加された場合であっても、比較的容易にしきい値を決定することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥が計数される。まず、（ａ）第１の工程の処理が終了した第１の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第１の製品種別の該第１の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する。（ｂ）工程ａで、判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、第１の製品種別の第１の工程に関連付けて登録する。 （もっと読む）

【課題】
X線マイクロビーム分析装置において、より簡便な方法でX線マイクロビームの試料上での照射位置を目視観察しながらX線マイクロビーム分析を行えるＸ線分析装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
Ｘ線源とＸ線が照射される試料台との間にＸ線透過部を有する反射ミラーを有し、前記Ｘ線源と反射ミラーの間に、Ｘ線集光用光学素子を有するＸ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】疲労亀裂に作用した応力を高精度に推定することができるオーストナイト系スレンレス鋼の応力状態推定方法を提案する。
【解決手段】オーストナイト系スレンレス鋼からなる試験片に対して亀裂進展試験を行う第一工程と、試験済み試験片の亀裂破面に発生したマルテンサイトの厚みをＥＢＳＰ法を用いて測定する第二工程と、亀裂における応力拡大係数とマルテンサイトの厚みとの関係曲線を求める第三工程と、疲労亀裂を有する評価対象物に発生したマルテンサイトの厚みをＥＢＳＰ法を用いて測定する第四工程と、関係曲線に基づいて評価対象物におけるマルテンサイトの厚みから疲労亀裂における応力拡大係数を求める第五工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 （もっと読む）

【課題】装置自身により良品か不良品かの自動判定が可能で、かつ、検査のスピードが十分に早く、さらに、判定機能を持たない透視検査装置を用いて構成することができる透視検査システムを提供する。
【解決手段】透過検査装置１ａ，１ｂと、透過検査装置１ａ，１ｂを制御するとともに被検体１０１の識別子データを取得する制御手段２ａ，２ｂと、制御手段２ａ，２ｂに通信回線３を介して接続された判別手段４とを備え、透過検査装置１ａ，１ｂは、被検体１０１を透過した放射線量の二次元分布、または、三次元分布を画像データ化して記憶し、制御手段２ａ，２ｂは、透過検査装置１ａ，１ｂに記憶された画像データに被検体１０１の識別子データを対応付けて判別手段４に送り、判別手段４は、画像データに基づいて被検体１０１について良否を判別する。 （もっと読む）

【課題】
従来のパターン検査では、検査画像と参照画像とを比較し差分値に対して欠陥判定しきい値を用いて欠陥を検出する。欠陥は特定の回路パターン部にのみ発生するが、従来方法では位置によらない検査のため虚報が発生し、高感度検査が困難であった。
【解決手段】
予めＧＰ画像を取得し、ＧＰ画像に対して検査箇所及び閾値マップをＧＵＩ上で指定し、欠陥の識別基準を設定し、次に検査画像を取得し、検査画像に識別基準を適用し欠陥を識別することでパターン検査を行い高感度検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】試料の高さ方向のばらつきを検査する。
【解決手段】試料２９を保持するホルダ２１１と、ホルダ２１１に保持された試料２９帯電処理する帯電制御部２３と、ホルダ２１１に保持された試料２９に電圧を印加するリターディング電源２４と、リターディング電源２４により電圧が印加された試料２９に向けて電子線を照射して、試料２９の表面近傍で引き戻されたミラー電子を結像させる電子光学系２０と、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像を画像処理する画像処理部２７と、を有する。画像処理部２７は、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像と、予め用意された標準品のミラー画像との差に応じた情報を、試料２９の高さ方向のばらつきとして出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板を検査するためにアレイに印加する検査信号と同期させて、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射することによって電極の電圧変化を強調させることで、半導体や絶縁物の残渣物質による欠陥の検出を容易とする。ＴＦＴアレイ基板のパネルに所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、このパネル上に電子線を照射して走査し、電子線走査で検出される検出信号に基づいてＴＦＴアレイ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、パネル上に電子線を照射する電子線源と、電子線走査による二次電子を検出して検出信号を出力する二次電子検出器と、二次電子検出器の検出信号を用いて欠陥を検出する欠陥検出部と、パネルに検査信号を印加する検査信号駆動部と、ＴＦＴアレイ基板の表面に光を照射すると光照射部と、検査信号駆動部と光照射部とを同期制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法は、少なくとも一つの第一スルーホールを有するキャリヤー、カーボンナノチューブ構造体及び少なくとも一つの第二スルーホールを有する固定体を提供する第一ステップと、前記キャリヤーと前記固定体とを積層して、前記カーボンナノチューブ構造体を前記キャリヤーと前記固定体との間に設置する第二ステップと、前記キャリヤーと前記固定体とを溶接して固定する第三ステップと、を含む。また、本発明は、複数の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】多段のパターンで形成されている測定対象に対して、ＳＥＭ像から測定対象領域の凹凸を的確に特定し、その構造を正確に判定することのできるマスク検査装置及びマスク検査方法を提供すること。
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、電子ビームの照射によって、パターンが形成された試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、電子量を基にパターンの画像データを生成する画像処理手段と、電子検出手段で検出された電子の電子量を基に試料上に形成されたパターンのラインプロファイル及び微分プロファイルを作成する制御手段と、を有する。制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。
【解決手段】
被検査対象を検査する方法において，被検査対象の指定箇所について画像撮像手段を用いて撮像し，撮像した画像から欠陥を検出し，撮像した画像から回路パターンを認識し，検出した欠陥から画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，認識した回路パターンから画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，検出した欠陥と認識した回路パターンの中から特定の欠陥又は回路パターンをフィルタリングして抽出し、フィルタリングして抽出された特定の欠陥又は回路パターンの特徴量の中からマッピングする特徴量を決定し、決定した特徴量の分布状況を画面上にマップ形式で表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】より高分解能で、かつ、正確に、原子の内部構造の観測ができるようにする。
【解決手段】標的としての物質Ｍにパルスレーザを照射することにより発生する光電子が電子検出器３３で検出され、演算装置２７に供給される。また、発生した光電子の運動量の大きさｐと直線偏光方位角θが演算装置２７に供給される。演算装置２７は、光電子が発生する直前（再散乱直前）の光電子の運動量（ｐ_ｒ，θ_ｒ）を動径方向成分と円周方向成分で離散化した離散化運動量（ｐ_ｉ，θ_ｊ）のうちの所定の離散化運動量の円周方向成分θ_０で規格化した弾性散乱断面積の比Ｅ_ｉｊと、所定の離散化運動量の円周方向成分θ_０で規格化した理論値の弾性散乱断面積の比Ｔ_ｉｊの誤差が最小となるパラメータΞを探索して検出する。本発明は、例えば、原子を観測する超高精度・実時間顕微鏡に適用できる。 （もっと読む）

【課題】、マスク上の欠陥とそれがウェハに及ぼす影響、修正による改善の程度まで推定可能な欠陥推定装置と欠陥推定方法を提供する。欠陥判定処理を容易にし、マスク上の欠陥とウェハ像への波及を推定可能な検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】マスク検査結果２０５のうち、欠陥箇所のマスク採取データは、模擬修正回路３００に送られて模擬修正が行われる。模擬修正されたマスク採取データは、マスク検査結果２０５に戻された後、対応する箇所の参照画像とともにウェハ転写シミュレータ４００に送られる。ウェハ転写シミュレータ４００で推定されたウェハ転写像は比較回路３０１に送られ、比較回路３０１で欠陥と判定されると、その座標と、欠陥判定の根拠となったウェハ転写像とが、転写像検査結果２０６として保存される。マスク検査結果２０５と転写像検査結果２０６はレビュー装置５００に送られる。 （もっと読む）

【課題】焼結鍛造体の粒界空孔部と粒界酸化部とからなる未焼結部の全体に対する比率、すなわち未焼結部面積率を正確に演算・測定すること。
【解決手段】測定ワーク（Ｓ１）の焼結鍛造体から走査型電子顕微鏡で撮像・取得される（Ｓ２）焼結鍛造面の画像を、二次電子像及び反射電子組成像によって表示する。そして、二次電子像及び反射電子組成像のそれぞれから、粒界空孔部と粒界酸化部とを判別する。これらは未焼結部である。このようにして判別された未焼結部を黒色に、その他の部分、即ち焼結部を白色にする（Ｓ３）。さらに、画像処理（Ｓ４）によって、黒色部分の面積が取得画像の面積を占める割合を演算する（Ｓ５）。この演算結果が、当該焼結鍛造体の未焼結部の面積率を指す。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出精度を下げることなく、欠陥検出に用いる信号を取得されるまでの時間を短縮する。
【解決手段】一ピクセル当たりに照射する荷電ビームの点数を減少させることによってサンプリングに要する時間を短縮すると共にサンプリング点を補間し、サンプリング点と補間点から検出強度を算出する。荷電ビーム照射によりパネル上のサンプリング点の信号強度を検出する検出工程と、検出したサンプリング点の信号強度を用いて、サンプリング点の近傍の補間点の信号強度を補間する補間工程と、パネルのピクセルに対してサンプリング点および補間点を対応付け、各ピクセルに対応付けられたサンプリング点および補間点の中から欠陥検出に用いる信号点を抽出する抽出工程と、抽出工程で抽出したサンプリング点の信号強度および補間点の信号強度を用いて各ピクセルについて一つの信号強度を算出する信号強度算出工程を備える。 （もっと読む）