【課題】塑性ひずみ量推定装置において、鋳造材の塑性ひずみ量をより精度よく推定することである。
【解決手段】鋳造材の塑性ひずみ量を推定する塑性ひずみ量推定装置１０は、塑性変形した被測定物の金属組織を構成する結晶粒のうち、同一結晶粒内の結晶粒界から１０μｍ以内の領域を同一面積の複数の区画に分割して、各区画ごとに結晶方位を測定する結晶方位測定手段１２と、複数の区画の１つを基準区画としたときの、基準区画と、基準区画を囲む複数の区画との間の結晶方位差を各々求めた後に平均して、ＫＡＭ値を算出するＫＡＭ値算出手段１４と、被測定物のＫＡＭ値と、予め求めておいた被測定物と同一組成で既知の塑性変形を受けた鋳造材のＫＡＭ値とを比較して、被測定物の塑性ひずみ量を推定する塑性ひずみ量評価手段１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の欠陥を撮像した画像を，ユーザが定義したクラスごとに自動で分類する装置において，異なる複数の観察装置で撮像した画像が混在して入力された場合，観察装置の違いによる画像の性質の差により，欠陥画像の分類正解率が低下することを防止する。
【解決手段】複数の観察装置で撮像した欠陥画像が入力となる画像自動分類装置において，レシピを作成する際に観察装置ごとに画像処理パラメータの調整と分類識別面の作成を行い，画像の分類時には，欠陥画像を撮像した観察装置を画像の付帯情報などをもとに特定し，画像を撮像した観察装置に応じた画像処理パラメータと分類識別面を用いて，画像処理と分類処理を行うようにした。また，観察装置ごとの画像処理パラメータ調整を効率的に行うために，教示された欠陥領域をもとに適切な画像処理パラメータを自動調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は水中の重金属イオンを検出する方法及び装置について開示したものである。
【解決手段】当該方法は、以下のステップを含むものである。（ａ）検出用材料を提供するステップ、上記検出用材料は親水層を備え、上記親水層の少なくとも一部は疎水層によって覆われ、上記疎水層は長鎖チオール、長鎖脂肪酸及びそれらの組み合わせから選択される長鎖化合物によって形成され、上記疎水層によって覆われた領域を検出区域とし、上記検出区域の表面と水との初期接触角は約１２０°以上であり、（ｂ）上記検出用材料の検出区域と検出対象水溶液とを接触させるステップ、（ｃ）検出対象水溶液と接触した後の上記検出用材料の検出区域の表面に疎水性―親水性変化が起きているかを判断するステップ、及び（ｄ）上記判断に基づき検出対象水溶液中において重金属イオンが存在するかを判断するステップ。 （もっと読む）

【課題】厚さ２００ｎｍ以上のゴム材料でも充填剤の分散状態を詳細に観察できるゴム材料の観察方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料の観察方法であって、走査透過電子顕微鏡を用いて取得した該ゴム材料の各回転角度における画像からトモグラフィー法により３次元構造を再構築し、ゴム材料中の充填剤の分散状態を観察することを特徴とするゴム材料の観察方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、X線等による回折測定時の含水結晶の乾燥を防ぎ、適切な試料凍結を行う方法及びそのための装置の提供を目的とする。
【解決手段】
結晶を水溶性ポリマーで包み込む工程を含む含水結晶のＸ線回折測定方法。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】対象の外郭を示す形状情報だけでなく内部構造に関する情報をも含む立体画像を再構成する。
【解決手段】対象の立体画像を再構成する立体画像再構成装置であって、濃淡で示された複数の透過型画像を撮像する撮像部と、透過型画像において複数の特徴領域を選択する特徴領域選択部と、複数の特徴領域のそれぞれの、透過型画像上の位置に基づいて、複数の特徴領域の空間的な分布を算出する特徴領域分布算出部と、複数の透過型画像を重ね合わせて対象の立体構造を示す立体画像を再構成する場合に、複数の特徴領域の空間的な分布に基づいて、複数の透過型画像により示される濃淡を、複数の特徴領域のそれぞれの位置に割り付けて、複数の特徴領域のそれぞれにおける立体構造を示す立体画像を再構成することにより、対象全体に濃淡を割り付けた立体画像を再構成する立体画像再構成部とを備える立体画像再構成装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数種類のパネルレイアウトについて、メンテナンス後において、各パネルの特定部位の座標情報の取得に要する時間を短縮し、オペラータの操作を軽減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査において、複数種類のパネルレイアウトのＴＦＴアレイを検査対象とし、これら複数種類のパネルレイアウトの各パネルの位置を特定する座標情報について、複数種類のパネルレイアウトの内の一種類のパネルレイアウトについては走査画像から取得して登録し、他の残りのパネルレイアウトについては走査画像を取得することなく、登録した座標情報を用いて旧座標情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢによる切り出しの際の欠陥箇所の特定をより容易に行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１１に荷電粒子線６を照射して走査し、荷電粒子線６の照射により半導体ウエハ１１から得られる二次荷電粒子９を検出して、走査情報と二次荷電粒子９の検出信号に基づいて得られた検査エリアの検出画像と参照エリアの検出画像とを比較し、両者の差分を閾値と比較して欠陥候補を検出する。欠陥候補の位置情報を含む欠陥情報は、半導体ウエハ１１上に形成された繰り返しパターンのそれぞれに設定された座標領域の原点に対する、繰り返しパターン内に予め定められた特徴点の相対位置と、特徴点に対する欠陥候補の相対位置とを含むように生成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】迅速に欠陥レビューを行うことができる欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム３１を試料８の表面に照射し、試料８の表面の観察領域内で電子ビーム３１を走査させる電子鏡筒１と、電子ビーム３１の光軸周りに相互に９０°の角度を開けて配置された４つの電子検出器９ａ〜９ｄと、電子検出器９ａ〜９ｄの検出信号に基づいて、観察領域をそれぞれ異なる方向から写した複数の画像データを生成する信号処理部１１とを備えた欠陥レビュー装置１００において、観察領域のパターンがラインアンドスペースパターンである場合には、欠陥検査部１２によってラインパターンに平行であって電子ビーム３１を挟んで対抗する２方向からの画像データの差分をとった差分画像に基づいて、欠陥の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】パターン中の信号の小さい欠陥の視認性を向上する一方で、レビュー領域全体の情報を可能な限り失わない欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態の欠陥検査方法は、被検査パターンが形成された試料に荷電粒子線を照射し、前記試料から生成される荷電粒子を検出し、得られる信号の時間に対するプロファイルを生成する工程と、前記被検査パターンの頂面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度がさらに高まることを抑制しつつ前記被検査パターンの底面に対応する試料の箇所からの荷電粒子により得られた信号の強度を高めることにより、信号強度の高低差が縮められた荷電粒子像の撮像方法を、前記プロファイルを用いて決定する工程と、決定した撮像方法で前記被検査パターンの荷電粒子像を取得する工程と、取得した荷電粒子像から前記被検査パターンの欠陥を検査する工程と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化（例えば、二次金属）、結晶学的変化（例えば、ぺロブスカイトの）、及び発光変化（強度又は減衰期間）であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属（208、210）を示す2つの二次金属（210a、210b）を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 （もっと読む）

【課題】対象物をミリング加工及び検査する。
【解決手段】対象物の第一の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第一の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第一の表面ミリング加工期間の大部分において、第一及び第二の表面の間に置かれた関心要素（ＥＯＩ）から構成されうる対象物を、電子検出器により対象物の第二の表面の画像を取得する工程と、対象物の第二の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第二の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第二の表面ミリング加工期間の大部分において、電子検出器により対象物の第一の表面の画像を取得する工程とからなるシーケンスを、少なくとも一回反復する。 （もっと読む）