【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するＳｎ系めっき材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき材１０は、金属基材１１、金属基材１１上に形成された下地めっき１２、下地めっき１２上に形成されたＡｇを含むＳｎ系めっき１３を備える。Ｓｎ系めっき材１０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ｓｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Sn）及びＡｇの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Ag）がＳｎ系めっき１３表面からＤ_Sn、Ｄ_Agの順で存在し、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＡｇが１〜２００μｇ／ｃｍ²であり、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＳｎが２〜２２０μｇ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】鉄鋼材料の粒界偏析や粒界析出物をオージェ分析するための粒界破面露出技術に関して、真空中で高温引張破断する際に、破断後のSの表面偏析を抑制して正確な粒界偏析解析を可能とする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】オージェ分析法による鉄鋼材料の粒界偏析、及び、粒界析出物を分析する際の粒界破断試料の作製方法であって、前記鉄鋼材料を真空中で 500〜1000℃ に加熱して引張破断し、破断後の試料を冷却速度１００〜５００℃/sで冷却することを特徴とする粒界破断試料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】走査透過型電子顕微鏡を用いて簡易に歪の分布解析を行う結晶材料の格子歪評価方法、評価システムを提供する。
【解決手段】結晶材料の格子歪評価方法は、結晶構造を有する試料に対して晶帯軸方向に電子線を照射し、試料により回折される複数の回折波の内、特定方向に回折される特定の回折波を選択して検出する工程と、上記電子線を照射し特定の回折波を選択して検出する工程を、試料上を走査しつつ繰り返し、試料について各点での回折強度から特定の回折波に対応する方向の歪分布像を得る工程と、を含む。格子歪が生じると励起誤差が変化し回折強度は変化するので歪分布像が得られる。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させ、５〜３０ｎｍのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する１次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第１検出器を有する２次光学系と、前記第１検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第１検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第２検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査装置における伝送プロトコルは画像データの送信側と受信側が使用する伝送プロトコルに応じて最適化されている。このため、使用する伝送プロトコルが変更されると、データの分配を実行する部分の再開発が必要とされる。
【解決手段】画像データに付加情報を付して出力する撮像部と画像データを処理する画像処理部との間に画像分配部を配置する。さらに、画像分配部を、第１の伝送プロトコルにより撮像部から入力される画像データを所定のデータ形式に変換する画像入力部と、所定のデータ形式に変換されたデータの分配を制御する分配制御部と、所定のデータ形式のデータを第２の伝送プロトコルの画像データに変換して画像処理部に出力する画像出力部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】迅速に、かつ正確な方法で使用する石炭灰のアルカリシリカ反応の抑制効果を評価することのできる方法、およびそれを用いたセメントおよびコンクリートの製造方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡を用いた粒子解析により、使用する石炭灰中に含まれる特定の種類の粒子の比表面積を算出し、予め収集した産地の異なる石炭灰を混合したモルタルによるアルカリシリカ反応性試験の膨張率のデータとを比較し、使用する石炭灰のアルカリシリカ反応の抑制効果を評価する。さらに、使用する石炭灰中に含まれる特定の種類の粒子の比表面積と石炭灰のセメント置換率を乗じた積の値をアルカリシリカ反応抑制の指標として用い、使用する石炭灰のセメントおよびコンクリートへの必要な配合量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）の収縮、膨張等のフレーム間の幅に不均等な部分が生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出する。
【解決手段】表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。ラインの良・不良を検出し、不良ラインの収縮・膨張の判定することによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出する。 （もっと読む）

【課題】
ディスクブレーキやドラムブレーキに使用される摩擦材において、摩擦材内部の気孔の状態や亀裂による空隙の有無を迅速、正確、且つ容易に観察することができる摩擦材の分析方法を提供すること。
【解決手段】
摩擦材の成分に含まれず、且つＸ線に対する感度の高い元素である塩素を含む物質を含浸させ、Ｘ線分析装置を用いて摩擦材内部に侵入した塩素を検出し、検出した塩素の分布状態を分析する。
前記塩素を含む物質は、４,４’-メチレンビス（２-クロロアニリン）が好ましい。
摩擦材の内部構造を分析することにより、要求される摩擦特性や振動特性を得るための好適な製造条件を求めることができ、所望の特性の摩擦材を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】自動欠陥分類機能では、装置毎に適切な処理パラメータが異なるが同一の工程において複数の装置が運用される場合でも、それぞれの分類レシピにおける分類クラスに差が発生しないようにする。
【解決手段】同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像から同種の欠陥画像を特定する対応欠陥特定部２０９、同一の工程で異なる画像撮像装置から得られた画像を変換し、比較可能な類似した画像に変換する画像変換部２１２、同一の工程の分類レシピについて、同一の分類クラスを定義し、特定された同種の欠陥画像をそれぞれの対応する分類レシピ内の分類クラスに登録するレシピ更新部２１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線のエネルギーに依らず、微小領域における高効率・高感度分析が可能な荷電粒子線分析装置を提供する。
【解決手段】 真空容器（５、６）内で荷電粒子線１７を試料１４に照射し、試料１４から発生するＸ線３をＸ線検出器２８で検出して試料１４を分析する荷電粒子線分析装置４において、構成の異なるＸ線レンズ１（１ａ、１ｂ）を真空容器（５、６）内に２個以上備える。Ｘ線レンズ交換に伴う真空容器の大気開放や真空引きが不要になり、高効率・高感度分析が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 正確で明るい偏光像を取得できる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 電子線源２０と、落射光用光源部６０と、透過光用光源部８０と、可視光又は偏光光が検出面に入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像又は偏光像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導くハーフミラー９２とを備える電子線分析装置１であって、ハーフミラー９２は、落射光用光源部６０から可視光が出射された際には、落射光用光源部６０からの可視光を所定方向に反射するとともに、所定方向と逆方向からの光を透過して画像取得部７１の検出面に導く第一位置に配置され、一方、透過光用光源部８０から偏光光が出射された際には、所定方向と逆方向からの光が通過しない第二位置に配置されるように移動可能とする。 （もっと読む）

【課題】 反射電子像と光学像とを同時に取得することができる電子線分析装置の提供。
【解決手段】 試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源２０と、試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する反射電子検出器４０と、試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部６０と、試料表面上の分析位置を含む領域から前記所定方向と逆方向に反射した可視光が入射して、試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部５１ｂ、７１と、試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０で信号を収集し、信号の強度に基づいて試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部５１とを備える電子線分析装置１であって、落射光用光源部６０は、赤色領域の光を出射しないものとする。 （もっと読む）

【課題】正確な検査を短時間で行うことができる欠陥検出装置、欠陥検出方法、及び欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】配線を有する試料３０に対して電荷を与えることで、与えられた電荷に応じて輝度が変化する画像を、試料３０の配線の方向における異なる箇所で取得する画像取得装置１０と、試料の画像から、欠陥箇所に対応する輝度の不連続点の位置を求める不連続点特定部２３と、複数枚の試料の画像中における輝度の不連続点の位置を比較して、複数枚の画像を取得した箇所の間に、欠陥が存在するか否かを判定する判定部２４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の３次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Ｆに略平行な角度をなし、かつ転動面Ｐに略直角な角度をなす１次観察断面Ｐ１を切断・研磨して形成した後、この１次観察断面Ｐ１を観察して介在物３と亀裂４の位置を特定する１次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Ｆに対して略直角な角度をなす２次観察断面Ｐ２を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真６を取得する２次観察工程と、前記断層写真６を３次元に再構築して３次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物３及び亀裂４の３次元構造観察方法であって、前記２次観察断面Ｐ２を連続的に形成する所定間隔が０．０５〜０．５μｍ、前記収束イオンビームの加速電圧が２０〜３５ｋＶ、ビーム電流が０．５〜１０ｎＡの範囲であること。 （もっと読む）

【課題】サンプリング不良により生じる欠陥の誤検出を解消する。
【解決手段】ピクセルに対して異なる電圧の検査信号を二次元で互いに交互に印加する際に得られるピクセルの信号強度パターンの特徴を利用し、検査対象のピクセルに対してｙ方向で隣接するピクセルの信号強度と比較対照することによって、サンプリング不良によるｘ方向のサンプリング点の行が欠如した場合であっても、サンプリング行に含まれるピクセルについて欠陥検出を行う。検査対象のピクセルに対してｙ方向に隣接するピクセルの信号強度との比較対照において、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と異なる信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定し、検査対象のピクセルのサンプリング点の信号強度がｙ方向にずれたピクセルのサンプリング点の信号強度と同じ信号強度レベルであるときには正常なピクセルと判定する。 （もっと読む）

【課題】結晶性ドメインを自動的に分析すること。
【解決手段】電子顕微鏡像の複数の領域それぞれについてフーリエ変換を行なうことによりフーリエ像を生成し（Ｓ１６）、前記フーリエ像の角度に対する強度を演算し（Ｓ１８）、前記強度に基づいて、前記電子顕微鏡像内の結晶性ドメインを分析する（Ｓ２６）結晶粒方位の分析方法。 （もっと読む）