【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】画像形成システムを用いて対象領域の三次元モデルを生成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ｘ線画像形成システムにおいて、ターゲット・オブジェクト上の対象領域の三次元表現を生成する方法を提供する。本方法は、既知の幾何学的形状の基準マーカーを使用する。対象領域及び基準マーカーが、複数の所定位置において画像形成される。各々の所定位置についての基準マーカーの予測される画像を計算し、各々の所定位置における基準マーカーのキャプチャされた画像と比較する。予測される画像とキャプチャされた画像との間の相違を用いて、各々の所定位置についての対象領域の修正された画像を生成し、これらの修正された画像を用いて、対象領域の三次元モデルを生成する。本方法は、高価な機械的位置決めシステムを必要とすることなく、ｘ線画像形成システムにおける対象領域の有用な三次元モデルを生成することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料１０に照射するイオン照射部と、試料から第１の方向１０６に散乱する散乱イオンを通過させるための第１の開口部３４ａと、試料から第１の方向と異なる第２の方向１１４に散乱する散乱イオンを通過させるための第２の開口部３４ｂとが形成された制限板２４と、制限板の第１の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第２の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部２８と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マイクロＣＴを用いたステント内再狭窄評価方法に関する。
【解決手段】本発明は、血管内部にステントを植え込み、一定期間が経過した後、ステントが植え込まれた部分の血管の再狭窄の具合をマイクロＣＴを用いて定量的に分析し、３次元立体像を得ることにより、より正確な分析が可能なマイクロＣＴを用いたステント内再狭窄評価方法に関する。 （もっと読む）

【課題】モアレのビジビリティ低下を抑制することができ、高画質な位相像や微分位相像を取得することが可能となるトモシンセシス撮像装置及びトモシンセシス画像の撮像方法を提供する。
【解決手段】被検査物内部の奥行き情報を取得するトモシンセシス撮像装置であって、
遮蔽格子は、透過部と遮蔽部とが周期的に配列され、これらの周期が互いに異なる周期を有する、少なくとも２つの部分遮蔽格子の積層によって構成され、
２つの部分遮蔽格子を周期の方向に移動させ、積層による部分遮蔽格子間の各遮蔽部の重なり状態を制御する制御手段を備え、
電磁波源の回転による電磁波源の入射方向に応じて、制御手段により各遮蔽部の重なり状態を制御し、
電磁波源から出射され遮蔽格子の透過部を透過する電磁波が、各遮蔽部による遮蔽を抑制する。 （もっと読む）

【課題】完全視野（ＦＯＶ）及び限定型ＦＯＶでの撮像能力を提供しつつ、計算機式断層写真法（ＣＴ）システムの費用を削減する。
【解決手段】検出器アレイ１８は、検出器アレイ１８まで、第一のＦＯＶ１２０の外部で第二のＦＯＶ１２２まで通過したＸ線１０８を受光するように配置され、第一の分解能を提供する第一のピクセル・アレイ１１０と、第一のＦＯＶ１２０を通過したＸ線１１２を受光するように配置され、第一の分解能とは異なる第二の分解能を提供する第二のピクセル・アレイ１１４とを含んでいる。システムは、検出器アレイからの出力を受け取るように構成されているデータ取得システム（ＤＡＳ）と、対象の撮像データの投影を取得して、撮像データを用いて対象の画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線に基づいた分析の際に対象物にビームをマッチングさせる際の問題点を解決する。
【解決手段】検査方法は、サンプルの表面上においてスポットを画定するべく合焦されるＸ線ビームを使用してサンプルを照射する段階を含んでいる。表面上の特徴部を横断するスキャン経路に沿ってスポットをスキャンするべく、サンプル及びＸ線ビームの中の少なくとも１つをシフトさせる。スポットが異なる個々の程度の特徴部とのオーバーラップを具備しているスキャン経路に沿った複数の場所において、Ｘ線ビームに応答してサンプルから放射される蛍光Ｘ線の個々の強度を計測する。スキャン経路における放射蛍光Ｘ線の調節値を演算するべく、複数の場所において計測された強度を処理する。調節済みの値に基づいて、特徴部の厚さを推定する。 （もっと読む）

【課題】低接触抵抗、高はんだ濡れ性及び低挿入力を有するＳｎ系めっき材を提供する。
【解決手段】Ｓｎ系めっき材１０は、金属基材１１、金属基材１１上に形成された下地めっき１２、下地めっき１２上に形成されたＡｇを含むＳｎ系めっき１３を備える。Ｓｎ系めっき材１０は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ｓｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Sn）及びＡｇの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ_Ag）がＳｎ系めっき１３表面からＤ_Sn、Ｄ_Agの順で存在し、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＡｇが１〜２００μｇ／ｃｍ²であり、Ｓｎ系めっき１３に含まれるＳｎが２〜２２０μｇ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】対象物から過去に撮影された画像を検索することができる、または過去に撮影された画像から対象物あるいは対象物中のどの部分かがわかることができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】テーブルに過去に記憶された複数の外観像からなる外観像群Iの中から対象となる外観像Ｉ_１を選択する。選択された外観像Ｉ_１に関連付けられ、かつテーブルに過去に記憶されたＸ線透視像F_１００を読み出してモニタ１０Ｍに表示すると、選択された外観像Ｉ_１の対象物（サンプル）から、それに関連付けられたＸ線透視像F_１００を表示することができ、対象物から過去に撮影された画像を検索することができる。 （もっと読む）

【課題】触媒濃度の極めて低い条件化においてＸＲＦ分析を実施するに際し、高精度のＸＲＦ分析結果を得ることのできる触媒特定方法を提供する。
【解決手段】マトリックス担体に金属触媒が担持されてなる触媒コート層１において、Ｘ線照射によって励起される金属触媒に固有のＸ線エネルギとＸ線強度を検出する蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）を使用して、金属触媒の濃度もしくは分布を特定する触媒特定方法であって、Ｘ線照射方向に１００μｍ以下の厚みを有する触媒コート層１を準備する第１のステップと、触媒コート層１にＸ線を照射して金属触媒の濃度もしくは分布を特定する第２のステップからなる。 （もっと読む）

【課題】介在物を起点とする金属の破壊現象を解明するための介在物及び亀裂の３次元構造観察方法において、効率的で高精度な観察方法を提供する。
【解決手段】転動疲労を受けた部材の転動軌道直下において、転動体転がり方向Ｆに略平行な角度をなし、かつ転動面Ｐに略直角な角度をなす１次観察断面Ｐ１を切断・研磨して形成した後、この１次観察断面Ｐ１を観察して介在物３と亀裂４の位置を特定する１次観察工程と、更に収束イオンビームを用いて、前記転動体転がり方向Ｆに対して略直角な角度をなす２次観察断面Ｐ２を所定間隔で連続的に形成して、連続的な断層写真６を取得する２次観察工程と、前記断層写真６を３次元に再構築して３次元的な内部の介在物と亀裂の構造を評価する画像処理工程とを含む、介在物３及び亀裂４の３次元構造観察方法であって、前記２次観察断面Ｐ２を連続的に形成する所定間隔が０．０５〜０．５μｍ、前記収束イオンビームの加速電圧が２０〜３５ｋＶ、ビーム電流が０．５〜１０ｎＡの範囲であること。 （もっと読む）

【課題】２つのＸ線画像上の被検査物の大きさの違いを、異物検出性能の低下が無視できる程度に低減することができるＸ線異物検出装置を提供すること。
【解決手段】Ｘ線管３２をその鉛直軸上の位置を調整可能に支持する支持機構７１と、第１のＸ線画像データにおける被検査物Ｗの幅方向の波形である第１の波形と第２のＸ線画像データにおける被検査物Ｗの幅方向の波形である第２の波形とを取得して比較し、第２の波形の幅が第１の波形の幅より大きいときは、Ｘ線管３２の調整方向が鉛直軸上方であると判定するとともに、第２の波形の幅が第１の波形の幅より小さいときは、Ｘ線管３２の調整方向が鉛直軸下方であると判定する調整判定部８１と、調整判定部８１により判定された調整方向を表示する表示器５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造することができ、Ｘ線ＣＴ装置から得られる投影イメージにおいて、測定対象物の内部形状を含む形状寸法を精度良く校正することができ、かつ、該Ｘ線ＣＴ装置における内部形状を含む形状測定性能を効果的に評価することができるＸ線ＣＴ装置の校正及び評価用の標準ゲージ、並びに該Ｘ線ＣＴ用の標準ゲージを用いたＸ線ＣＴ装置の校正方法及び評価方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明のＸ線ＣＴ装置の校正及び評価用の標準ゲージ１０は、ベリリウム成型体１１と、該ベリリウム成型体１１を内包し、Ｘ線ＣＴ装置から得られる投影イメージにおいてベリリウム成型体１１と異なるコントラストで示される外装体１２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被写体を、眼の疲労が少ない立体像で表示しつつ、同一の視線上に被写体の断層画像を表示することが可能な撮影画像合成表示装置を提供する。
【解決手段】撮影画像合成表示装置３は、インテグラル方式の立体画像撮影装置１で撮影された要素画像群である被写体要素画像群と断層画像記憶装置２に予め記憶されている被写体の断層画像とを入力する画像入力手段３０と、被写体要素画像群をインテグラル方式の立体像として表示する立体像表示手段３３０と、断層画像を表示する断層画像表示手段３３１と、立体像表示手段３３０が表示する映像光と断層画像表示手段３３１が表示する映像光とを光路上で合成する合成手段３３２と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】 透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法によるシリコン母材上のシリコン酸化膜中の窒素の深さ方向濃度分布測定においては、既知の濃度の標準試料によってその信号強度との比較から、測定試料における窒素濃度の定量を行っている。窒素イオンに係わる分子イオンの検出信号は、試料測定時に試料室内真空度や試料最表面に汚染状態によって変化するため、測定試料が変わるたびに、毎回その状態における標準試料を測定して、それとの比較で定量を行う必要があり、時間と手間が非常にかかっていた。
【解決手段】予め、例えば二次イオン質量分析におけるＳｉＯ^＋の検出信号強度の一次イオン照射時間依存性において、信号強度極小値を示す照射時間と測定試料のピーク濃度との関係から、真空度や汚染に依存しない検量線を導出し、それから測定試料のピーク濃度を定量する。これにより短時間で従来法と同等の定量化された深さ方向濃度分布を得ることが可能となった。 （もっと読む）