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Fターム[2G001JA11]の内容

放射線を利用した材料分析 (46,695) | 制御、動作、調整、安定化、監視、切換、設定等 (3,483) | 測定ステップ、シーケンス (427)

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Fターム[2G001JA11]に分類される特許

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【課題】 試料に電子線を照射してX線分析を行う電子プローブX線分析装置において、試料表面形状や状態の変化による影響を低減した元素分布像を得る。
【解決手段】 試料または電子線を走査して複数元素の特性X線強度データを二次元的に収集し、二次元データの全ての座標位置について、標準試料を用いて各元素の特性X線強度データを相対強度に変換する。これら相対強度に定量補正計算を施し、各々の元素の質量濃度を得る。座標位置毎の全元素の相対強度または質量濃度の合計値を用いて、各元素の相対強度または質量濃度を規格化し、その値をレベル分けして元素分布像として表示するようにした。さらに必要に応じて、質量濃度を用いて、座標位置毎の原子濃度、化合物濃度、原子個数などを求め、規格化して表示するようにしたので、試料表面形状や状態の変化による影響を低減した元素分布像を得ることができるようになった。 (もっと読む)


【課題】X線反射率法等のビーム入射を伴う分析方法において、分析面に平坦度の低い領域を有する試料の場合でも、高精度で分析ができるようにする。
【解決手段】試料3の分析面の最も平坦な領域を選定し、選定された領域にビームが所定角度で入射されるように試料3の位置を調整する。図5の場合、領域Dではなく、領域Eにビームを入射する。 (もっと読む)


【課題】 サンプルの迅速なXRR及びXRDに基づいた分析用の装置及び方法を提供する。
【解決手段】 サンプルの分析用の装置は、サンプルの表面に向かってX線の収束ビームを案内するべく適合された放射源を含んでいる。同時に、サンプルから散乱したX線を、仰角の範囲にわたって、仰角の関数として検知し、この散乱したX線に応答して出力信号を生成するべく、少なくとも1つの検出器アレイが構成されている。この検出器アレイは、グレージング角で、サンプルの表面から反射したX線を検出器アレイが検知する第1の構造と、サンプルのBragg角の近傍において、表面から回折したX線を検出器アレイが検知する第2の構造と、を具備している。そして、信号プロセッサが、サンプルの表面層の特性を判定するべく、この出力信号を処理する。 (もっと読む)


【課題】コンピュータ断層撮影を行なうためのシステムにおいて、多数の部品を同時にスキャンするために使用できるようにすること。
【解決手段】コンピュータ断層撮影を行なうためのシステムは、放射線源22と、放射線源22から間隔を開けてあり放射線源22から受信した放射線の強度を表わす出力信号を生成する少なくとも1個の放射線検出器24と、放射線源22と少なくとも1個の検出器24の間に配置されて複数の部品32を支持するためのテーブル30と、少なくとも1個のテーブル30と放射線源22とが相対的に又少なくとも1個の検出器24に対して移動可能にしてあることと、少なくとも1個の検出器24からの出力信号を入力信号として受信し、プログラム制御下にテーブル上に支持された部品32の内部構造の少なくとも一部を表わす出力を生成するプロセッサ40と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 検査条件を規定するパラメータの自動設定において、X線がX線異物検出装置の外部に漏洩することを防止できるX線異物検出装置を提供すること。
【解決手段】 X線を照射して被検査物1内の異物を検査するX線異物検出装置100であって、搬送部110と、X線発生器120と、X線ラインセンサ130と、筐体と、複数の遮蔽カーテンと、被検査物1を搬送部110で繰り返し搬送させて検査条件を規定するパラメータの自動設定を行うときに、搬送部110の搬送方向を反転させる制御を含む所定の搬送制御を行う搬送制御手段144とを備えるX線異物検出装置100において、被検査物1の有無を検知する物品検知手段と、物品検知手段からの情報に基づいて、少なくとも搬送制御手段144によって搬送方向が反転するために搬送が停止する間、X線発生器120からのX線照射を一時停止させるX線照射制御手段143とを備えた構成を有している。 (もっと読む)


【課題】 分析中や分析後でも、分析結果の信頼性を損なう試料の帯電が生じていることを簡単に知ることができる電子プローブX線分析装置を提供する。
【解決手段】 試料に帯電が生ずると、照射電流値Ipに対する試料吸収電流値Iaの割合が急激に低下する現象を利用して帯電の有無を判定する。図の照射電流検出器18によって分析開始前に照射電流値Ipが検出され、分析中は試料11から取り出される試料吸収電流Iaを電流測定回路19で測定する。制御/演算装置14は照射電流値Ipに対する試料吸収電流値Iaの割合Ia/Ipを求め、データベース15の予め定めておいた帯電の判定条件データと比較して帯電の有無を監視する。帯電が生じていると判定した場合、分析経過中に表示装置16に表示し再測定を促したり、分析終了後に分析結果とともに帯電の有無の判定結果を表示したりすることにより、信頼性の高い分析結果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】単結晶の外部幾何構成に関係なく、結晶配向の決定および配向固定における精度の向上を確実にする。
【解決手段】単結晶1の固定はサファイアまたは炭化ケイ素などのきわめて硬い材料を用いて正確におこなう。結晶格子の配向を決定するために単結晶が回転テーブル2上に調整可能に位置決めされ、回転テーブルの少なくとも1回転中に、複数のx線反射Rに基づき、結晶格子の配向が決定される。単結晶の固定および基準方向に向けられた支持材における固締を行う前に、基準方向としての回転テーブルの軸(X−X)に対する格子面NEの法線の決定された角度を参照して、結晶格子の配向が実現される。 (もっと読む)


【課題】 装置に設けられる検知手段を減らして、コストを削減し、安価で充分な安全性を確保する。
【解決手段】 開口部4を有する筐体2と、開口部4内に着脱可能に配設されて開口部4の下面を遮蔽し、被検体を搬送する搬送手段10と、開口部4の前面を開閉可能に遮蔽するとともに筐体2及び搬送手段10に支持される遮蔽扉15と、遮蔽扉15の開閉状態を検知して信号を出力する検出手段としてのインターロックスイッチ16と、開口部4内にて被検体にX線を照射するX線照射手段40と、被検体を透過してくるX線を検出して被検体中における異物の混入を検出するX線検出手段50とを備える。 (もっと読む)


【課題】 障害物との干渉を高精度に検出することができ、しかも各回転部の動作範囲を広げかつ自由度の高い回転動作を実現する。
【解決手段】 ω回転台13およびκ回転台14の回転角度をそれぞれ検出するとともに、これら各回転台13,14に関し、あらかじめ回転可能角度領域および回転規制角度領域を相対的に設定しておく。そして、検出された各回転角度情報を、あらかじめ設定した回転可能角度領域および回転規制角度領域と対比して、当該対比結果に基づき検出対象となっている各回転台13,14の回転動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】線幅0.2μm以下のパターンの評価を、高いスループット、かつ、高い信頼性を確保しておこなう。
【解決手段】電子銃2から放出された電子線を矩形に成形し、試料S上の視野を走査し、その走査領域から放出された電子を写像投影光学系で拡大し、その拡大像をシンチレータ51に結像させ、リレー光学系でCCDに導き、二次元像を得る構成の電子線装置において、前記CCDには前記二次元像を映像できる面を少なくとも二つ設け、一方の面が拡大像を受像中に他の面から画像データを取り出すことを特徴とする電子線装置。 (もっと読む)


【課題】原子番号の低い結晶材料或いはワークに用いられる短波長X線回折測定装置及びその方法を提供する。
【解決手段】その装置はX線管1と、入射絞り2と、テーブル4と、サンプルまたはワーク3の位置制限部分に用いられる位置制限受光スリット5、測角器7と、検出器6と、エネルギー分析器9とを備えており、X線管1と検出器6はサンプルまたはワーク3が置かれるテーブル4の両側に位置し、検出器6は回折透過X線の受光に用いられる。本発明の短波長X線回折透過方法によれば、サンプルまたはワーク3を破壊せずに、より厚い結晶材料サンプルまたはワーク3の異なる深さと異なる箇所のX線回折スペクトルを測定し、コンピュータ10でデータ処理を行い、サンプル又はワーク3における各点の位相、残留応力等のパラメーター及びその分布を得ることができる。本発明は、操作が簡単で、測定時間が短いという利点を有し、正確で、かつ信頼できるX線回折スペクトルを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 X線検出器の交換回数を減らして長寿命化を図る。
【解決手段】 X線検出センサ5bは、検出面5baがX線の照射領域平面上で被検査体の搬送方向と直交する方向に検出用パイプ3bの外径よりも2倍以上長くライン状に形成される。現在運用しているX線検出センサ5bの検出面5baのX線検出感度が低下して寿命がきた場合に、検出用パイプ3bと異物検出部5を含む筐体2とを予め設定により分割された検出面5baの幅a分だけY方向に相対移動させ、X線検出センサ5bの検出位置を変更する。X線検出センサ5bの検出位置変更前後では、X線検出センサ5bの検出面5baの未使用領域が遮蔽部材6によって遮蔽される。 (もっと読む)


【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに100eV以上1000eV以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した2次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 (もっと読む)


本発明では、生物組織サンプルに照射を行う方法であって、第1の暴露期間の間、透過性放射線ビームで生物組織サンプルの一部に照射を行うステップと、その後、第2の暴露期間の間、透過性放射線ビームで、同一のまたは隣接する生物組織部分に照射を行うステップと、を有し、前記第2の暴露期間の間、前記組織サンプルに入射する前記放射線の線量は、前記第1の暴露期間の間の前記線量よりも多いことを特徴とする方法について示した。また、本発明では、本発明の方法により作動する機器について示した。

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本発明は、測定時間として設定した時間後でないと濃度の計算結果が得られないという従来の蛍光X線分析の問題点を解決するものである。
本発明の蛍光X線分析方法および蛍光X線分析装置は、試料の測定条件の設定を行った後測定を開始し、試料に含まれている元素の測定濃度と測定精度の計算を行い、この測定精度が予め定めた測定条件を満たす値となったときに測定を終了し、そのときの濃度を出力するように構成されている。 (もっと読む)


X線照射室(7)の上側の試料ステージ(2)上にセットされた試料(1)に対し、試料カバー(6)を試料(1)上方より閉じて試料(1)を囲んだ後、試料(1)の下面にX線を照射し分析する蛍光X線分析方法において、試料ステージ(2)上に試料(1)をセットし、試料カバー(6)を閉じると、カバー検知手段(8)が試料カバー(6)が閉じたことを検知し、自動的にX線源(3)からX線を照射し分析を開始する。 (もっと読む)


【課題】密輸品を検出する。
【解決手段】この方法は、第一の脅威タイプの参照物体を走査したときに測定される参照量の第一の分布を表わすデータを記憶するステップと、当該被検査物体の値を測定するために被検査物体を走査するステップと、上述の値の参照値の中での位置を求めるステップと、被検査物体が第一の脅威タイプである可能性の指標として、上述の値に対応する第一の分布を表わすデータの得点を決定するステップと、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の組成比が未知の場合はロッキングカーブ測定により基板と薄膜の膜厚方向の格子定数の差を評価することはできるが、結晶歪み度合いを評価することはできない。格子定数が組成比、結晶歪みの両方の影響を受けている場合に、それらを切り分けて結晶歪み度合いを評価する方法を提供する。
【解決手段】 XRDによるロッキングカーブと蛍光X線ファンダメンタル・パラメータ法の併用により、結晶性の基板または層上に製膜された、格子定数のミスマッチによる結晶歪みを有する組成比未知の結晶性固溶体薄膜の結晶歪み度合いを分析する。 (もっと読む)


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