【課題】４以上の多数の元素の中から相解析を行う３元素を簡便に且つ的確に選択できるようにする。
【解決手段】分析者により指定された６元素をｘ、ｙ、ｚ軸の原点を中心とする＋ｘ、＋ｙ、＋ｚ、−ｘ、−ｙ、−ｚの各方向に割り当て、８個の象限の各空間に、分析した各微小領域の３元素のＸ線強度データをプロットした３次元散布図（ＸＹＺ表示）を表示部の画面上に表示させる。３次元散布図上で分析者が任意の位置をクリック操作すると、その位置に応じた３元素が選択され、３次元散布図は、選択された３元素の３元散布図を底面としそれに直交する方向に３元素の強度和をとった三角柱状のグラフ（トライアングル表示）に変更される。同時に、相解析画面には選択された３元素の３元散布図が表示され、該散布図を用いて相解析が可能となる。これにより、簡便な操作で６元素中の任意の３元素の組み合わせを選択することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の三元散布図では表現できなかった３元素の強度の絶対値情報を併せて表示することにより、相解析の効率化や精度向上を図る。
【解決手段】
３元素の強度を強度和で規格化した相対値を表す軸（Ａ軸、Ｂ軸、Ｃ軸）を正三角形の三辺に割り当て、その三角形が載る平面に直交する方向に３元素の強度の和を表す軸（Ｄ軸）を追加した、三角柱状の３次元空間を、マッピング分析において１箇所の微小領域で得られたデータ点をプロットする空間として設定する。そして、この３次元的なグラフを平面化して表示部の画面上に描画する。３次元的なグラフを見る方向を任意に変化可能とすることにより、従来の三元散布図上でのデータ点の位置も把握可能であるとともに、三元素の強度の絶対値も容易に知ることができる。 （もっと読む）

【課題】多様な試料を扱う二次イオン質量分析においても、装置周囲に付着した不純物の影響を排除し、精度のよい分析を行うことができる二次イオン質量分析方法を提供する。
【解決手段】電子線、放射線及び一次イオンから選ばれる１種以上を固体試料に照射し、該固体試料から発生する、電子、放射線及び二次イオンから選ばれる１種以上を検出して固体試料の分析を行う分析装置に用いられる試料ホルダーにおいて、封入された相変化材料が装着されている。 （もっと読む）

【課題】 １ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線のエネルギーを検出することができる高エネルギーＸ線の検出装置と検出方法を提供する。
【解決手段】 所定の方向から入射する入射Ｘ線１の照射によりこれをコンプトン散乱する散乱体１２と、入射Ｘ線に対し特定の方向θにコンプトン散乱された散乱Ｘ線２のエネルギースペクトルを検出する散乱Ｘ線検出器１４と、散乱Ｘ線のエネルギースペクトルから入射Ｘ線のエネルギースペクトルを演算する入射Ｘ線解析器１６と、コンプトン散乱の断面積から入射Ｘ線１のエネルギースペクトルを補正する入射Ｘ線補正器１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 １ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線のエネルギー弁別ができ、かつ高エネルギーＸ線がパルスで発生しても、パイルアップが生じにくい高エネルギーＸ線のエネルギー弁別検査装置と検出方法を提供する。
【解決手段】 被検査物６に向けて１ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線１ａを照射するＸ線発生装置１１と、被検査物を透過して入射する入射Ｘ線１をコンプトン散乱させる散乱体１２と、コンプトン散乱された散乱Ｘ線２の入射Ｘ線に対する散乱角を所定の範囲に制限する遮蔽体１３と、遮蔽体で制限された散乱Ｘ線のエネルギースペクトルを検出する散乱Ｘ線検出器１４と、散乱Ｘ線のエネルギースペクトルから入射Ｘ線のエネルギースペクトルを演算する入射Ｘ線解析器１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な波形分離を用いることなく、固体材料の表面に存在する官能基をより幅広く且つより正確に測定できるようにする。
【解決手段】官能基の測定する方法は、炭素質膜からなる複数の評価用試料を準備する工程（ａ）と、各官能基に対する反応率をあらかじめ測定した複数の標識試薬を準備する工程（ｂ）と、評価用試料と標識試薬とをそれぞれ反応させる工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、評価用試料のそれぞれについてその表面に導入された標識試薬の導入量をＸ線光電子分光測定法により測定する工程（ｃ）と、炭素質膜の表面に存在する各官能基の量を、Ｇ＝Ｒ^-1Ｑに基づいて算出する工程（ｄ）とを備えている。但し、Ｇは各官能基の量を示す行列であり、Ｒは各標識試薬の各官能基に対する反応率を示す行列であり、Ｑは各標識試薬の導入量を示す行列である。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料中のｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を精度よく求めることができる炭素系材料の分析方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線吸収分光法により炭素系材料のｋ殻吸収端スペクトルを測定し、得られたｋ殻吸収端スペクトルから、ｓｐ^２結合量に相応する量Ａと、ｓｐ^３結合量全体に相応する量Ｂと、ｓｐ^３炭素−炭素結合以外のｓｐ^３結合量に相応する量Ｂ１とを求め、前記量Ａをｓｐ^２炭素−炭素結合量とみなし、前記量Ｂから前記量Ｂ１を引いた量Ｂ２をｓｐ^３炭素−炭素結合量に相応する量とみなして、ｓｐ^２炭素−炭素結合量とｓｐ^３炭素−炭素結合量との概算的な割合を求める。 （もっと読む）

【課題】 多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料２１を保持する微分反応評価試料保持部１５を備え、検証条件を保持した状態でＸ線回折装置（Ｘ線発生手段２５、二次元Ｘ線検出手段２６）により試料２１の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐことができるＸ線透過検査装置及びＸ線透過検査方法を提供すること。
【解決手段】 測定対象の元素のＸ線吸収端より低いエネルギーの第１の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第１のＸ線管球１１と、元素のＸ線吸収端より高いエネルギーの第２の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第２のＸ線管球１２と、第１の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第１の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第１のＸ線検出器１３と、第２の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第２の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第２のＸ線検出器１４と、検出された第１の透過Ｘ線の強度の分布を示す第１の透過像と検出された第２の透過Ｘ線の強度の分布を示す第２の透過像とを作成し、第１の透過像と第２の透過像との差分からコントラスト像を得る演算部１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】窒素濃度の高精度な分析を可能にする金属材料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置を提供する。
【解決手段】窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。収容室１１には、金属試料１７が収容される。金属試料１７の表面には、炭素系物質が付着している。一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。これにより、金属試料１７からシアン化物イオンが放出される。金属試料１７から放出されたシアン化物イオンは、二次イオン検出装置１６において二次イオンとして検出される。 （もっと読む）

【課題】試料にイオンビームを照射した際に生じる二次電子の総量のみならず、二次電子の詳細なエネルギー情報をも正確に得て、電子スペクトルとして検出することができ、試料の二次電子放出特性を正確に把握することが可能となる電子スペクトルの測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】被測定試料の表面状態を実質的に変化させないイオンビーム照射条件を選定する照射条件選定工程と、照射条件選定工程で選定されたイオンビーム照射条件に基づいて被測定試料にイオンビームを照射する照射工程と、イオンビームの照射により被測定試料から放出された二次電子スペクトルを、イオンビームの照射軸と異なる方向に設置された同軸円筒鏡型エネルギー分析器を用いて測定する測定工程とを有している電子スペクトルの測定方法およびそれに用いる測定装置。 （もっと読む）

【課題】ＸＰＳ分析に供する試料が粉末の場合、従来の方法では、装置内で粉末試料が飛散する可能性が高く、装置内汚染による測定結果への影響や装置付属機器の不具合に繋がってしまうため、簡易的な方法で粉末試料の飛散を防止するＸ線光電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】粉末試料にバインダを混合及び分散し、バインダを混合及び分散した粉末試料を成形して錠剤（ペレット）化し、錠剤を試料として、バインダにはパラフィンを用いて、パラフィンの融点が４４℃以上５８℃以下であり、パラフィンの含有率が５重量％以上１０重量％以下であることを特徴とするＸ線光電子分光分析方法。 （もっと読む）

【課題】 分光可能な特性Ｘ線を発する元素及び分光可能な分光素子を一覧でき、容易に分析条件を選択できる分析条件選択支援装置及び分析条件選択支援方法を提供する。
【解決手段】分光素子のボタンを配列した分光素子選択部と元素のボタンを配列した元素選択部を有する分析条件選択画面を表示させる選択画面表示手段３１、元素が発する特性Ｘ線と分光素子の関係の情報を格納した分光範囲記憶装置２６、分光範囲記憶装置２６から情報を読み出し、分光素子選択部で指定された分光素子によって分光可能な元素のボタンに対し、特性Ｘ線の種類を元素のボタンに分類表示させる元素選択部表示手段３２、分光範囲記憶装置２６から情報を読み出し、指定された元素によって発せられる特性Ｘ線の種類を元素の特性Ｘ線を分光可能な分光素子のボタンに分類表示させる分光素子選択部表示手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】平行ビーム法を用いたＸ線回折法において、角度分解能が優れていて、Ｘ線強度の低下が少なく、構造が簡素化されたＸ線回折装置およびＸ線回折方法を提供する。
【解決手段】平行ビームのＸ線２４を試料２６に照射して、試料２６からの回折Ｘ線２８をミラー１８で反射させてからＸ線検出器２０で検出する。ミラー１８の反射面は複数の平坦反射面の組み合わせからなり、各平坦反射面の中心点は、試料２６の表面上に中心を有する等角螺旋の上にある。Ｘ線検出器２０は、回折平面に平行な平面内において１次元の位置感応型である。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線が、Ｘ線検出器２０の異なる地点にそれぞれ到達する。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線がＸ線検出器の同一の検出領域上で混在して検出されることを想定して、それらを互いに区別するための補正処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収の少ない材質で構成される試料を、高分解能で撮影可能としたＸ線画像検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線画像検査装置１００は、１０ｋｅＶ以下のＫα特性Ｘ線を発生するＸ線ターゲット５を有する特性Ｘ線発生器１０と、ペルチエ素子２２により冷却される直接入射型冷却Ｘ線ＣＣＤ検出器２０と、を備える。特性Ｘ線発生器１０とＸ線ＣＣＤ検出器との間に配置された試料４０を回転させ、試料４０を透過したＸ線を検出することにより撮像する。Ｘ線ターゲット５は、原子番号が２０から３０までの金属で形成することができる。さらにクロム、銅、ニッケル、鉄のいずれか１つを選択することができる。 （もっと読む）

【課題】コヒーレント性を有するＸ線を、結晶性のある測定試料に照射することによって得られるスペックル状の回折光を用いて、該測定試料の結晶の不均一構造の分布を、容易に得ることができる方法を提供する。
【解決手段】コヒーレントなＸ線光を２分岐し、一方を、結晶性を有する測定試料に照射して得られたスペックル状の回折光と、他方のＸ線光を単結晶の参照結晶に照射して得られた回折光とを、二次元の検出器上で干渉させてホログラムパターンを取得し、このホログラムパターンに対してフーリエ変換を行って、該測定試料の結晶性の不均一性などの結晶構造に関する空間分布情報を得るようにする。こうすることで、スペックル状の回折光から直接、オーバーサンプリング法を用いた演算処理に比べ、容易に上記情報を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングを行うこと。
【解決手段】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングが、標的物質の溶液を、微細製作された流体デバイスの複数のチャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内に同時に導入することによって達成される。次いで、この微細製作された流体デバイスは、チャンバ（９１０２ａ、９１０２ｂ）内の溶液条件を変更するように操作され、それによって、多数の結晶化環境を同時に提供する。 （もっと読む）

【課題】 高い中性子吸収能を有する中性子吸収体およびこれを用いた原子力発電装置用制御棒を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素質焼結体を用いた中性子吸収体１であって、炭化硼素質焼結体中のグラファイトの含有量が１質量％以上１０質量％以下である中性子吸収体１とする。また、このような中性子吸収体１を用いた原子力発電装置用制御棒とする。これらにより、相対密度が高い炭化硼素質焼結体が得られるので、相対密度と比例関係にある中性子吸収能を高くすることができるとともに、圧縮強度も高くなるので、耐久性が向上し、ひいては安全性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第１の層の構成元素に由来する第１の電子の信号強度を測定し、試料から第１の電子とともに放出され、第２の層の構成元素に由来する第２の電子の信号強度であって、前記第２の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第１の運動エネルギー（Ｅｋ（Ｓｉ２ｓ）、Ｅｋ（Ｓｉ２ｐ））よりも低い第２の運動エネルギー（Ｅｋ（１）、Ｅｋ（２）、Ｅｋ（３））を有する第２の電子の信号強度を測定し、第２の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 （もっと読む）