【課題】３相交流の電流を検出する装置において、装置寸法を抑えつつも当該装置自体の以上を判別できるようにする。
【解決手段】バスバーＢＵ，ＢＶ，ＢＷにそれぞれ１つの電流センサＳＵ，ＳＶ，ＳＷが設けられる。両端のバスバーＢＵ及びＢＷに設けられた電流センサＳＵ及びＳＷには、それぞれ対応するバスバーＢＵ及びＢＷを取り囲む集磁コアＣＵ及びＣＷが設けられる。電流センサＳＵ及びＳＷはそれぞれ対応する集磁コアＣＵ及びＣＷに設けられた間隙内に配設されている。一方、中央のバスバーＢＶに設けられた電流センサＳＶには、集磁コアが設けられていない。Ｖ相の電流センサＳＶに対する他相からの磁気の影響は、それら他相の集磁コアＣＵ及びＣＷにより遮蔽される。電流センサＳＵ，ＳＶ，ＳＷの検出した電流値の総和が０でない場合に、異常と判定する。 （もっと読む）

【課題】磁気コアのヒステリシス特性の影響を最小限に抑えながら、低コスト化、低消費電流化を図るようにした電流検出装置を提供する。
【解決手段】本発明は、測定電流が流れる導線１を囲む磁気コア２に巻回した励磁コイル３と、励磁コイル３に極性の反転する励磁電流を供給し、励磁電流の変化に応じた信号を出力する発振回路４と、発振回路４からの出力信号に基づいて導線１に流れる電流を検出する検出回路５とを備えている。発振回路４が励磁コイル３に供給する励磁電流は、磁気コア２の磁束密度が残留磁束密度以上になるようにした。 （もっと読む）

【課題】製造上の手間・コスト削減を図りつつ、感度向上を図る。
【解決手段】アイランド部１２と一次導体１３とセンサリード端子１４とを同一の平板から打ち出してリードフレームを形成し且つ、一次導体１３をアイランド部１２と電気的に切り離すとともに、前記アイランド部１２の、平面視方形のＩＣチップ１１と同等形状を有するアイランド本体２１を取り囲む略コの字状を有するコの字部３１を備えて形成する。アイランド本体２１にＩＣチップ１１を載置し、ＩＣチップ１１とセンサリード端子１４とをボンディングワイヤ１５により接続する。このときＩＣチップ１１の角部１１ａ、１１ｂの仮想的な面取り曲線上に、コの字部３１のコーナー部３１ａ、３１ｂと対向するように磁場変換素子４１を１以上配置する。そして、各磁場変換素子４１の検出信号の総和を演算し、これを電流センサ１０の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】 コアの金型コストおよび部品コストが安く，ボビンとケースを固定するためのカバー等の部品が不要な電流センサを得る。
【解決手段】 コアを略コの字形でそれぞれの二辺が板厚方向にオフセットして配置された同一形状の板状コア二枚で構成する。
また，ボビンをケースに挿入した後に，二枚の略コの字形コアをケース外壁に設けたコア挿入孔から挿入し，コアによってボビンとケースを固定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、環状の磁気コアを備えている電流センサに関する。
【解決手段】磁気コアが、測定すべき電流が流される一次導体を囲んでおり、磁気コアが、空隙を有しており、空隙内には、磁気コアの磁気誘導を計測するためのセンサ要素が配置されており、空隙の断面積が、磁気コアの断面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】被測定電流が通流する電流線に高周波領域の電圧変動が生じても電流測定精度の低下を抑制可能な電流センサを提供すること。
【解決手段】第１出力配線（１３１ａ、１３１ｂ）に対し電流線（２）を通流する電流（Ｉ）の誘導磁界（Ｈ）による第１出力信号を出力する第１磁気検出素子（１１ａ）と、第２出力配線（１３１ｃ、１３１ｄ）に対し第１出力信号と略逆相の関係にある第２出力信号を出力する第２磁気検出素子（１１ｂ）と、を備え、電流線（２）の電圧変動に起因する第１出力配線（１３１ａ、１３１ｂ）の電圧変動の影響と第２出力配線（１３１ｃ、１３１ｄ）の電圧変動の影響とが同等になるように、第１出力配線（１３１ａ、１３１ｂ）の導電パターン（１３２）へのインピーダンスと第２出力配線（１３１ｃ、１３１ｄ）の導電パターン（１３２）へのインピーダンスとを異ならせたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消磁パルスを印加する指示を与える外部回路や、指示を与えるタイミングの管理を不要とすることが可能な、電流センサ及び電流検出方法を提供する。
【解決手段】消磁パルス発生回路３０は、スイッチ２０がオンされたときの電圧の立ち上がりを契機として消磁パルスＶpを発生し、消磁パルスＶpを二次巻線７０に印加する。遅延回路５０は、電源電圧Ｖccを、スイッチ２０がオンされてから所定の期間だけ遅延させてセンサ回路６０に供給する。 （もっと読む）

【課題】大電流で半導体損失を減少させ、小電流で相対リップル値を減少させること。
【解決手段】本発明は、測定される電流が流れ、磁場を形成する第一コイル巻線と、補償電流が流れ、第一巻線を補償する磁場を生成する第二コイル巻線と、ギャップ付磁心と、第二巻線に直列に接続される終端抵抗と、第一、及び第二巻線の合成生磁場にさらされるセンサ手段と、センサ手段のダウンストリームに接続されるブースター回路とを備える。前記センサ手段は、前記補償電流を第二巻線へ、前記終端抵抗を介して供給する。前記ブースター回路は、パルス幅・密度変調電圧信号を生成するパルス幅・密度変調部を備えたイッチング式増幅部を有する。前記変調部は、スイッチング周波数を用いて、前記補償電流をパルス幅・密度変調電流へ変化させる。前記変調部のスイッチング周波数は、小電流においてスイッチング周波数が高く、大電流において低いという意味で補償電流の関数である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜微細パターン等で形成され磁気平衡動作を伴う電流センサにおいて、成膜時の応力やバイアス磁界を印加することによる磁歪現象等により発生する正負感度差を低減する効果を得る。
【解決手段】 設置基板上に配置され薄膜微細パターン等で形成された磁気抵抗効果素子のハーフブリッジ回路、およびブリッジ回路に対して、前述の磁気抵抗効果素子と絶縁層を介して配置される補償導電線から発生する磁界が全ての磁気抵抗効果素子に均一に印加せず、一部印加されない磁気抵抗効果素子を配置することで、成膜時の応力やバイアス磁界を印加することによる磁歪現象等で発生する正負感度差を補正することができる。 （もっと読む）

【課題】被測定電流が通流する電流線に急激な電圧変動が生じても電流測定精度の低下を抑制可能な電流センサを提供すること。
【解決手段】被測定電流（Ｉ）が通流する電流線（２）の延在方向に対して主表面（１２ａ）が略直交するよう配置された配線基板（１２）と、配線基板（１２）の主表面（１２ａ）に配置され、当該配置位置における磁場の大きさに略比例する出力を与える出力端子（ｂ、ｃ）及び電流線（２）から出力端子（ｂ、ｃ）への電磁波をシールドするシールド端子（ａ、ｄ）を有する磁気検出素子（１１ａ、１１ｂ）と、を備え、シールド端子（ａ、ｄ）は、出力端子（ｂ、ｃ）と電流線（２）との間に設けられ固定電位が与えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差による耐久性の問題を改善すると共にコスト面においても改善を図ることが可能なシャント抵抗式電流センサを提供する。
【解決手段】シャント抵抗式電流センサ１は、略平板形状のバスバ１０と、バスバ１０上に設置された回路基板２０と、バスバ１０のうち回路基板２０の搭載箇所においてバスバ１０から延在され、回路基板２０と電気接続される接続端子部４０と、回路基板２０上に設置され、バスバ１０に流れる被測定電流の大きさを検出するために接続端子部４０を介して回路基板２０に印加される電圧値を検出する電圧検出ＩＣ３０と、を備え、接続端子部４０は、対となって突き合わされて形成される共に、それぞれがバスバ１０の平板部よりも立ち上げられて片持ち状となっている。 （もっと読む）

【課題】電流検出装置において、１つの電流検出装置で２つのバスバーを流れる電流によって発生する２つの方向の磁束を感度よく検出可能な構成を提供することである。
【解決手段】第１バスバー３０及び第２バスバー３２は、それぞれを含む平面が直交するように配置する。第１バスバー３０、第２バスバー３２をそれぞれ流れる電流により発生する第１磁束線Ｍ１ｂ、第２磁束線Ｍ２ｂが直交する磁束直交位置Ｏ２に関して、第１磁束線Ｍ１ｂの接線上の片側及び他側に第１磁気抵抗素子ＭＲＸａ、ＭＲＸｂを配置する。磁束直交位置Ｏ２に関して、第２磁束線Ｍ２ｂの接線上の片側及び他側に第２磁気抵抗素子ＭＲＹａ、ＭＲＹｂを配置する。各第１磁気抵抗素子ＭＲＸａ、ＭＲＸｂに対し逆方向のバイアス磁束と、各第２磁気抵抗素子ＭＲＹａ、ＭＲＹｂに対し逆方向のバイアス磁束とを発生させる磁石４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の作業性を向上させることができる安価な電流検出装置。
【解決手段】導体１１を流れる被測定電流の方向に直交する面上で該導体を囲むように配置されて磁気回路の一部を形成する第１磁性体部１２と、磁気回路の磁路に配置されて磁界を検出するセンサ部１３と、第１磁性体部とセンサ部を覆うように設けられた第１絶縁体部１４と、第１絶縁体部から離れる方向に摺動することにより導体を組み込み可能な状態にされ、導体が組み込まれた後に第１絶縁体部に近づく方向に摺動することにより導体を流れる被測定電流の方向に直交する面上で該導体を囲むように配置されて磁気回路の他の一部を形成する第２磁性体部１５を備える。 （もっと読む）

【課題】被測定電流に検出精度を一層向上させることが可能なシャント抵抗式電流センサを提供する。
【解決手段】シャント抵抗式電流センサ１は、導電部材からなるバスバ１０と、バスバ１０上に設置された回路基板２０と、回路基板２０上に設置され、バスバ１０に流れる被測定電流の大きさを検出するために回路基板２０に印加される電圧値を検出する電圧検出ＩＣ３０と、を備え、回路基板２０は、バスバ１０に流れる被測定電流により生じる磁界によって発生する誘導電流を打ち消す補正回路パターン２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】被測定電流が通流する電流線に高周波領域の電圧変動が生じても電流測定精度の低下を抑制可能な電流センサを提供すること。
【解決手段】被測定電流が通流する電流線（２）の周囲の第１位置に配置された第１磁気センサ（１１ａ）と、第１位置における被測定電流による誘導磁界の強度より弱い誘導磁界の強度となる第２位置に配置された第２磁気センサ（１１ｂ）と、第１磁気センサ（１１ａ）の出力と第２磁気センサ（１１ｂ）の出力との差を算出する演算部（１２）と、を有し、第１磁気センサ（１１ａ）から演算部（１２）の入力端までの信号経路（Ｌ１）と電流線（２）との間に形成される寄生容量（Ｃ１）と、第２磁気センサ（１１ｂ）から演算部（２）の入力端までの信号経路（Ｌ２）と電流線（２）との間に形成される寄生容量（Ｃ２）と、が略等しくなるように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シャント抵抗の本体と端子部材とを別体とした構成において、センシング精度を向上させた構成を提供する。
【解決手段】シャント抵抗器は、抵抗本体と、抵抗本体に対して電気的に接続する端子部材２１と、を備える。端子部材２１は、抵抗本体に接触する抵抗接続部２３と、抵抗接続部２３から延伸して設けられる回路接続部２４と、を有する。回路接続部２４は、スリット２７が形成されることにより２分割されている。そして、前記スリット２７は、抵抗接続部２３の一部まで形成されている。このように、回路接続部２４を２分割するスリット２７を抵抗接続部２３まで形成することにより、２本の回路接続端子２２同士が根元部分で繋っていないので、当該回路接続端子２２に流れる電流の経路がクロスしない。これにより、２本の回路接続端子２２それぞれに流れる電流が安定するので、このシャント抵抗器を用いた電流検出のセンシング精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】従来例の構成では基板上の配線パターンによっては、被測定電流が流れる被測定電流路に近い位置に磁気センサ素子を設けることができず、感度を高められないことがあった。
【解決手段】磁気センサ素子と磁気センサ素子が配置された絶縁基板とを備えて構成された電流センサであって、絶縁基板には被測定電流路が配置される切り欠け部または孔が設けられ、磁気センサ素子は第１の磁気センサ素子と第２の磁気センサ素子とを有し、第１の磁気センサ素子と第２の磁気センサ素子とが切り欠け部または孔を挟んで配置され、絶縁基板の切り欠け部または孔に被測定電流路が配置された際に、被測定電流路の軸方向と直交する回転対称軸に対して、第１の磁気センサと第２の磁気センサとが等距離に対称配置されるとともに、第１の磁気センサと第２の磁気センサとを結ぶ仮想線と被測定電流路の軸方向とが直交しないように絶縁基板を傾けて配置したことを特徴とした。 （もっと読む）

【課題】縦引き３相電線のいずれに取り付けた場合でも、誤動作を起こさないことを課題とする。
【解決手段】両端２相の短絡電流による第１のコイル２０の誘導起電力を必要な値まで抑制することを目的として、第１のコイル２０と逆特性の第２のコイル３０を配置する。ただし配置位置としては、第２のコイル３０は、Ｖ相２２０までの距離が、第１のコイル２０のＶ相２２０までの距離より長いところとする。これにより、自相以外の両端２電線に流れた短絡電流による誘導起電力を抑制し、誤動作を防止することができる。また、第２のコイルの配置位置を元の筺体内とすることができるため、設計コストを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】正確に２次巻線抵抗の温度補償をすることができる電流検出装置を提供すること。
【解決手段】電流検出装置は、変成器１と、変成器１の２次側の端子間に接続された負担抵抗２と、負担抵抗２の両端に生ずる電圧を増幅する電圧増幅器５と、負担抵抗２と並列に変成器１の２次側の一方の端子に接続された入力抵抗３と、入力抵抗３とともに電圧増幅器５の増幅率を決定する帰還抵抗４と、を備え、入力抵抗３は、サーミスタを含んで構成され、かつ、変成器１の巻線抵抗１１の温度特性を補償するものである。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）