【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）

【課題】検出部に半導体ガスセンサを使用するとともにキャリアガスに大気を使用して試料ガス中の可燃性ガス成分を正確に測定することが可能な可燃性ガス測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】キャリアガスに搬送される試料ガス中の可燃性ガス成分を、検出部に半導体ガスセンサを用いたガスクロマトグラフによって測定する方法において、大気吸引部２１から大気を取り込んで触媒筒２３での金属触媒との触媒反応により大気中の可燃性ガスを燃焼させた後、燃焼によって生じた成分及び大気中に含まれる水分及び二酸化炭素を精製器２４で除去して精製大気とし、この精製大気をガスクロマトグラフのキャリアガスとして用いる。 （もっと読む）

【構成】 MEMSガスセンサを用いてガスを検出する。ガスセンサのヒータへの電力を、低レベルと、検出対象ガスの検出に適した高レベルと、０レベルとの間で変化させることにより、低レベルで被毒ガスを蒸発もしくは酸化し、高レベルで検出対象ガスを検出する。
【効果】 MEMSガスセンサの被毒を防止する。 （もっと読む）

【課題】湿式処理によって成膜した酸化金属膜を備え、光照射、水素ガスおよび気圧を測定可能であるセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるセンサは、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（M1）塩にする金属塩生成工程と、金属（M2）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（M1）塩を、金属（M2）塩とする金属固定工程と、上記金属（M2）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む方法によって製造された酸化金属膜を備え、光、水素ガスおよび気圧を検出可能である。 （もっと読む）

【課題】有機シリコーンガスに対する耐被毒性能が高く、ガスセンサの検出感度の回復時間をより短縮化させ、さらに被覆層におけるひび割れや剥離が生じ難いガス検知素子を提供すること。
【解決手段】検出電極２と、金属酸化物半導体を含むガス感応部４と、ガス感応部４を加熱する加熱部３とを備えるガス検知素子であって、ガス感応部４の外周面に、無定形の酸化アルミニウムを含む被覆層５を設けてあるガス検知素子。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】検知感度を低下させることなく、簡素な構造からなるガス検知素子を提供する。
【解決手段】被検知ガスの濃度に応じた検知信号を出力するガス検知素子５０は、絶縁基板１の一方の面に形成された検出電極２と、絶縁基板１の一方の面に検出電極２と離間して形成される加熱部３と、検出電極２と加熱部３とを含む絶縁基板１の一方の面を覆うように設けられる感応部４と、を備える。 （もっと読む）

【構成】
半導体チップの中空部に感ガス部を設けると共に、感ガス部に接続された複数のパッドを設ける。通気性のあるセラミックパッケージもしくはガラスパッケージの、半導体チップ側の面とその反対面とに配線を設けて、互いに接続する。パッケージのチップ側の面の配線に複数のパッドをフリップチップ接続する。
【効果】
ダイボンドもワイヤボンドも無しに、MEMS型ガスセンサをプリント基板へ組み付けることができる。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】より簡便且つ安定的に長期間使用可能な水素センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る水素センサ１は、水素の吸蔵および放出により可逆的に物性値が変化する金属からなる水素感応体１０を、フィルム状、シート状または平板状の樹脂からなる基板１２の表面に薄膜状に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた２つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 （もっと読む）

【課題】低い消費電力でメタン、ＣＯ並びに水素を選択的に検出することができるガス警報器およびガス検出方法を提供する。
【解決手段】薄膜ガスセンサが備えるヒータ層に所定の周期で間欠的に通電し、ガス検出層の抵抗値を計測してガス濃度を求めるに際し、清浄空気中におけるヒータ制御手段による通電加熱中、ガス検出層が第一の温度に到達したときにおけるガス検出層の第一基準抵抗値と、更にガス検出層の温度が上昇して第二の温度に到達したときにおけるガス検出層の第二基準抵抗値と、更にガス検出層の温度が上昇して略一定の第三の温度に到達したときにおけるガス検出層の第三基準抵抗値とをそれぞれ予め保持し、第一〜第三の抵抗値と第一〜第三基準抵抗値とを比較してガス種を判定する。 （もっと読む）

本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
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【課題】吸着燃焼式ガスセンサの感応素子及び補償素子における温度上昇特性の差異によって生じる誤差電位差を小さくして、検出対象ガスの検出感度を向上できるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０、並びに、複数の比較回路部２０、を含むブリッジ回路２を備える。ブリッジ回路２には、複数の比較回路部２０のうち１つの比較回路部２０を増幅器６に接続する比較回路部切換器５０が設けられ、そして、吸着燃焼式ガスセンサ回路部１０が備える感応素子及び補償素子の温度が上昇する過渡期間において、所定の比較回路部切換情報に基づき、複数の比較回路部２０のうち、感応素子と補償素子との温度上昇特性の差異により生じるブリッジ回路２の誤差電位差が最も小さくなる比較回路部２０が増幅器６に接続されるように、比較回路部切換器５０を制御する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有する空気中で、低濃度の水素を検出可能な水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】板状の圧電体１１、圧電体１１の表面の一部に配置されたパラジウム―プラチナ合金からなる薄膜状のガス感応部３２、及びガス感応部３２に接するガスの水素濃度に依存するガス感応部３２の物性の変化を検出する検出部として機能する櫛歯状の電極２２を備える水素ガスセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】室温で動作し水素ガスに対する応答速度が速い水素ガスセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素ガスの検知部となる酸化タングステン膜２と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に設けられた一対の電極３と、前記酸化タングステン膜２の前記水素ガスと接触する側の面に間隔をあけて設けられ前記水素ガスを解離する触媒となる金属微粒子４とを有する水素ガスセンサとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタン及び水素に対する選択性が良く、かつ、十分なＣＯ濃度勾配をもつことにより、高い精度で検知対象を検知することができる半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。
【解決手段】ガス感知膜に吸着した雑ガスをクリーニングするために、センサをヒータにより高温状態（Ｈｉｇｈ）まで加熱し、該高温状態で保持し、ガスを検知し、一酸化炭素の濃度を求めるために、前記センサを第一の低温状態（Ｌｏｗ１）まで下げ、該第一の低温状態で保持し、一酸化炭素のみを更に前記ガス感知膜へ吸着させるために、前記センサを一旦オフ（Ｏｆｆ）にし、該オフ状態で保持し、一酸化炭素に対するメタン及び水素の選択性を測定するために、前記センサを第二の低温状態（Ｌｏｗ２）まで上げ、該第二の低温状態で保持することを特徴とする半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】外部との接続端子部に加わる力による破損を防止し得るガスセンサ、及び耐熱性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】スペーサ４は、電極ピン７ａ、８ａをスペーサ４に設けられた貫通孔４ａに挿通するようにして配置されている。ここで、スペーサ４の溝４ｂの底面までの厚み（貫通孔４ａ深さ）は、外側に突出する電極ピン７ａ、８ａの長さよりも若干低くなるように設定され、電極ピン７ａ、８ａの先端部が、スペーサ４に設けられた溝４ｂの底面に若干突出した状態で配置されている。この電極ピン７ａ、８ａの先端部には、アウトリード５ａ、５ｂ、５ｃが溶接等の手段によって接続されている。そして、スペーサ４の各アウトリード５ａ、５ｂ、５ｃを支える側の略全面を覆うように押さえ部材６を密着させ、スペーサ４と押さえ部材６により、前記アウトリードを挟み込むようにして保持している。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子への水の付着を低減することができるガスセンサを提供する。
【解決手段】筒型のハウジング２０内に形成されるガス検出室２５と、ハウジング２０の鉛直方向上部の開口を閉塞するベース部３０と、ベース部３０の鉛直方向下方に位置するように、ベース部３０に固定されるガス検出素子４０，４０と、ガス検出室２５に検査対象ガスを導入するガス導入口２４と、ベース部３０で結露した水を、ベース部３０から鉛直方向下方に導く結露水案内部材５０Ａと、を備えた。結露水案内部材５０Ａは、円筒体５１からなり、円筒体５１の鉛直方向下端がガス検出素子４０よりも下方に位置するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】実装する際の外部との配線の自由度を高めるとともに、外部との接続端子（アウトリードや電極ピン）に加わる力による破損を防止し得るガスセンサを提供する。
【解決手段】スペーサ４は、電極ピン７ａ、８ａをスペーサ４に設けられた貫通孔４ａに挿通するようにして配置されている。そしてこの電極ピン７ａ、８ａの先端部は、スペーサ４に設けられた溝４ｂの底面に突出した状態で配置されている。この電極ピン７ａ、８ａの先端部には、アウトリード５ａ、５ｂ、５ｃが溶接等の手段によって接続されている。このアウトリード５ａ、５ｂ、５ｃは、スペーサ４の面に平行な方向に延出されると共にこの面と平行な方向に曲げ加工された折り曲げ部を少なくとも一ヶ所設けた構成である。そして、このアウトリードはスペーサ４の表面に形成された溝部４ｂ内に配置された構成である。 （もっと読む）