【構成】
ガスセンサのハウジングは、センサ本体を収容している第１の凹部と、周囲のガスから妨害ガスを除去するフィルタを収容している第２の凹部と、第１の凹部と第２の凹部との間のガスの流路とを備えている。第２の凹部は第１の凹部の側方でハウジングの同じ面に設けられている。
【効果】 センサ本体のハウジングにフィルタも収容でき、かつガスセンサをコンパクトにできる。 （もっと読む）

【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層１、３、５、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層２、４とが交互に複数回積層された積層体９を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも１つのガス感応膜層４の両面を挟む２つの電極層３、５について、当該ガス感応膜層４の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部３１、５１と、厚さ方向に貫通する空隙部３２、５２とを交互に形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】構成や製造工程を簡素化しつつ保護ゲル部が感湿膜に付着するのをより効果的に抑制することのできる湿度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度センサ１０は、基板２０の一面２０ａにおいて対向配置された一対の検出電極３１ａ，３１ｂと感湿膜３６を有する湿度検出部３０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０と離れて形成され、ボンディングワイヤ１１５が接続された状態で保護ゲル５０に覆われるパッド４０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０とパッド４０の間に形成され、パッド４０側から湿度検出部３０側への保護ゲル５０の流動を抑制するダム部６０と、を備える。ダム部６０は、検出電極３１ａ，３１ｂと同一材料を用いて一面２０ａに形成されたダミー配線６１と、感湿膜３６と同一材料を用いて形成され、ダミー配線６１の少なくとも一部を覆うダム用感湿膜６２を有する。 （もっと読む）

【構成】
シリコン基板表面の絶縁膜にヒータを備えるガス検知部が設けられ、ガス検知部の周囲で絶縁膜の底部に空洞が設けられ、シリコン基板がハウジングに収容されている。ハウジングに有機溶媒の吸着剤と有機溶媒の酸化触媒とが、ハウジングの外側から内側へ吸着剤、酸化触媒の順に設けられ、被検出雰囲気を吸着剤と酸化触媒とを介してガス検知部へ導くようにされている。
【効果】 有機溶媒による被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極６は、基体１５の主面１７に形成されるチタン層６２と、チタン層６２の上面に形成されるプラチナ層６１とからなる２層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体１５の厚み方向に沿って見たときに、検出電極６は、プラチナ層６１の幅方向Ｔにおける両側の縁端６３よりも外向きにチタン層６２が突出してなる突出部６５を、少なくとも１カ所以上に有する。突出部６５がプラチナ層６１の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高温を使用せず室温付近で検出でき、さらにフッ素系液体等からの妨害ガスの干渉も受けず、簡便にＣ₅Ｆ₈やＣ₄Ｆ₆等のフッ素化炭化水素を検出する方法及び検出センサーを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される、リン−窒素二重結合を有する化合物との反応を用いたフッ素化炭化水素の検出方法、及び検出部に、下記一般式（Ｉ）で表される、リン−窒素二重結合を有する化合物を用いたフッ素化炭化水素の検出センサー。
【化１】
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【構成】
MEMSガスセンサは、シリコン基板に設けた絶縁膜に、SnO2膜とヒータ膜とを設けると共に、SnO2へ到達するガスを処理するフィルタと備えている。電源によりヒータ膜に電力を供給し、SnO2膜を間欠的にかつパルス的に可燃性ガスの検出温度へ加熱し、可燃性ガスを検出すると共に、100〜200℃の被毒ガスの除去温度へSnO2膜を間欠的に加熱する。
【効果】 フィルタを通過した被毒ガスによる被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子膜を用いた小型かつ安価なガスセンサであって、特に、湿度変化に対する安定性が高く、アンモニアやアルコール等のにおい成分の選択的な検出が可能で、車載用として好適なガスセンサを提供する。
【解決手段】基板１０上に設けられた一対の電極１２ａ，１２ｂおよび１３ａ，１３ｂの間に、導電性高分子膜２０が形成されてなり、導電性高分子膜２０にガス成分が付着した際の抵抗値変化を測定して、該ガス成分の濃度を検出するガスセンサであって、導電性高分子膜２０が、ガス成分の付着により抵抗値が変化するアニオン性高分子感ガス膜３２と、アニオン性高分子感ガス膜３２の電荷を打ち消すカチオン性高分子膜３１との、第１の交互積層膜４１を有してなるガスセンサ１００とする。 （もっと読む）

【課題】検知感度を低下させることなく、簡素な構造からなるガス検知素子を提供する。
【解決手段】被検知ガスの濃度に応じた検知信号を出力するガス検知素子５０は、絶縁基板１の一方の面に形成された検出電極２と、絶縁基板１の一方の面に検出電極２と離間して形成される加熱部３と、検出電極２と加熱部３とを含む絶縁基板１の一方の面を覆うように設けられる感応部４と、を備える。 （もっと読む）

【構成】
ガスセンサは、半導体チップと、通気性のあるセラミックもしくはガラスのパッケージとから成る。半導体チップは、半導体チップの一面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜と半導体チップとを貫通するキャビティと、絶縁膜に設けられた感ガス部と、感ガス部に接続されたパッド、とを備えている。パッケージは、半導体チップのパッドとバンプを介してフリップチップ接続されたパッドと、パッケージのパッドからパッケージの他の面まで引き出された配線、とを備えている。
【効果】 雰囲気は感ガス部側から半導体チップ内を貫通でき、チップをフリップチップ接続するとパッケージに組み付けることができ、パッケージ以外のカバーが不要である。 （もっと読む）

【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】化学センサを具備する半導体装置の製造コストを低減し、あるいは、複数の測定原理によって精度の高い検出をする。
【解決手段】半導体装置は、第１のセンサ素子及び第２のセンサ素子を具備し、第１のセンサ素子は、第１の導電層と、第１の導電層上に形成された第１の感応膜とを有し、第２のセンサ素子は、第１の導電層とは異なる第２の導電層と、第２の導電層上に形成された第２の感応膜とを有する。センサ素子の製造方法は、センサ素子のうち導電層を半導体基板に又は半導体基板上に形成する工程（ａ）と、感応膜を構成する成分を含む液体を導電層上にインクジェット装置によって吐出して、感応膜を形成する工程（ｂ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、支持体２、リード線５１，５２，５３、センサ素子６、及び有孔の防曝部材７を備える。前記支持体２は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間８が形成される。前記リード線５１，５２，５３は、前記導体配線に接続されて、前記支持体２から前記配置空間８へ突出する。前記センサ素子６は前記配置空間８内で前記リード線５１，５２，５３によって支持されると共に前記リード線５１，５２，５３に電気的に接続される。前記防曝部材７が前記配置空間８を覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ２は、金属酸化物半導体からなる感ガス体２０及び感ガス体２０内に埋設されたヒータ兼用電極２１を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体２０に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン７は、ヒータ兼用電極２１への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体２０の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体２０の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体２０の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン７は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体２０の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 （もっと読む）

【課題】より簡便且つ安定的に長期間使用可能な水素センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る水素センサ１は、水素の吸蔵および放出により可逆的に物性値が変化する金属からなる水素感応体１０を、フィルム状、シート状または平板状の樹脂からなる基板１２の表面に薄膜状に形成したことを特徴とする。 （もっと読む）