【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極６は、基体１５の主面１７に形成されるチタン層６２と、チタン層６２の上面に形成されるプラチナ層６１とからなる２層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体１５の厚み方向に沿って見たときに、検出電極６は、プラチナ層６１の幅方向Ｔにおける両側の縁端６３よりも外向きにチタン層６２が突出してなる突出部６５を、少なくとも１カ所以上に有する。突出部６５がプラチナ層６１の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】燃焼プロセス排ガス等の多成分ガス系に含まれる窒素酸化物、炭化水素、一酸化炭素、酸素等を直接検知可能な化学センサーアレイ及び方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）少なくとも２つの化学／電気活性材料のアレイを含んでなる化学センサーを多成分ガス系に暴露する工程、応答を検出する工程、各化学／電気活性材料の応答を直接測定する工程とを含んでなる。化学／電気活性材料は半導体材料である。測定される応答は、静電容量、電圧、電流、ＡＣインピーダンスまたは、ＤＣ抵抗値である。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

本発明に従い新規な水素センサーの製造方法が提供されるが、該方法は、弾性基板の表面に遷移金属またはその合金薄膜を形成するステップと、上記弾性基板に引張力を印加して、上記基板表面に形成された上記合金薄膜に複数のナノギャップを形成するステップと、を含み、上記薄膜への上記ナノギャップは、上記引張力の印加時には上記薄膜が該引張力の印加方向に伸長すると共に該印加方向に対して垂直方向に収縮し、該引張力を解除すると上記薄膜が該印加方向に収縮すると共に該印加方向に対して垂直方向に伸長することにより形成されることを特徴とする。
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【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【解決課題】 粉末材料の安定供給とプラズマ中での速やかな加熱・溶融・蒸発とを、同時に満たすことができるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末、かかる粉末を用いた堆積膜の製造方法、ならびに、堆積膜を提供する。
【解決手段】 １次粒子の少なくとも一部の粒子が融着してなる２次粒子を含むプラズマスプレーＰＶＤ用粉末であって、該プラズマスプレーＰＶＤ用粉末のＢＥＴ比表面積が、前記２次粒子の平均粒子径から算出した外部比表面積の１００倍以上１５０００倍以下であるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末。 （もっと読む）

感度、選択性および長時間安全性を向上させることができる薄膜型高活性ガスセンサーを開示する。また、その薄膜型高活性ガスセンサーの製造方法であって、製造工程の単純化、薄膜化および小型化を図ることができるものを開示する。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性によるセンサ精度の低下を減少させる水素センサであって、熱ストレス等による割れなどの不具合が生じにくく、電極と検知膜との間で金属が相互拡散しない耐久性が高い水素センサを提供する。
【解決手段】ＴａＮからなるセラミックス層内に、柱状のＰｄ粒子をその軸心をセラミック層の厚さ方向に配向させてセラミックス層内に分散させる検知膜を用いる。これにより、別途の保護膜を設けなくても、検知膜が非水素成分の影響を受けることがなく、また、ヒステリシス特性による水素センサの精度低下を減少できる。 （もっと読む）

【課題】高温の熱履歴を受けても、金属配線の剥離が生じない中空構造素子を提供する。
【解決手段】基板側から順に、基板１と、Ｓｉ含有絶縁層２と、Ｐｔ又はＰｔ基合金の金属配線３と、を有し、基板１は、Ｓｉ含有絶縁層２を中空状態で支持するように構成されている中空構造素子であって、Ｓｉ含有絶縁層２と金属配線３との間には、酸化アルミニウムを主成分とする酸化物４の密着層を有している。Ｓｉ含有絶縁層２は、密着層４と接触する表面がＳｉ含有層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】電池駆動形ガスセンサとして使用しても、その特性が大きく変動しないガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層上に一対の電極を形成し、その上に半導体薄膜からなるガス感知層を形成し、さらにその最表面に選択燃焼層を形成した薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層７と選択燃焼層８との間に触媒拡散防止層９を設けることにより、高湿度環境下においても選択燃焼層８の貴金属触媒がガス感知層７まで拡散しないようにすることで、センサ特性が大きく変化しないようにする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン等の被毒物質に対する被毒耐性が高く、ガス感度の経時的な変化を長期間に亘って抑制できるガスセンサを提供すること。
【解決手段】 ガスセンサ１００は、酸化物半導体からなる感ガス膜１３１と、この感ガス膜１３１上に分散された触媒粒子１３３と、これら感ガス膜１３１及び触媒粒子１３３上に形成された保護層１４０とを有する。このうち保護層１４０は、平均粒子径Ｄが５００ｎｍ以下の酸化物粒子１４１から構成されている。また、保護層１４０は、平均粒子径をＤ（ｎｍ）、保護層１４０の厚みをＴＨ（ｎｍ）としたとき、２０≦ＴＨ／Ｄ≦５００となる形態とされている。 （もっと読む）

【課題】超高感度、高応答性、高選択性、長期安定性の優秀な特性を有する商業的環境有害ガスセンサー具現のための半導体酸化物ナノ繊維を利用したガスセンサー及びそのナノ繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるセンサーは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている金属電極と、前記金属電極上に形成されており、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）ナノ繊維を含む感知層とを含む。したがって、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）は、ＡＢＯ₃型の基本結晶構造を有するので、構造的に安定し、酸素欠陥による非化学量論的な組成を有する代表的な物質であって、表面に多い酸素欠陥を有していて、酸化物の表面で反応ガス吸着及び酸化／還元反応によって大きい電気抵抗の変化を有することができる。 （もっと読む）

【課題】特定ガスに高感応性を有するナノサイズの金属酸化物または金属触媒粒子が塗布された酸化物半導体ナノ繊維を利用したガスセンサーを提供する。
【解決手段】本発明によるガスセンサーは、絶縁基板と、該絶縁基板の上部に形成された金属電極と、該金属電極の上部に形成された高感応性を有するナノ粒子が塗布された酸化物半導体ナノ繊維層とを含む。本発明によれば、酸化物を電気放射用溶液で製造した後、これを電気放射し、熱処理して酸化物半導体ナノ繊維を形成し、次いで、大きい比表面積を有するナノ繊維の表面に特定ガスに高感応性を有するナノサイズの金属酸化物または金属触媒粒子を部分的に塗布し、超高感度、高選択性、高応答性、長期安定性の特性を有する酸化物半導体ナノ繊維ガスセンサーを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】多成分系のガスから特定化学物質を高選択的および高感度に検出でき、さらに装置の小型化および測定時間の短縮化を達成できる化学物質センシング素子を提供する。
【解決手段】導電性基体の表面を化学式（１）または（２）で示される化学構造を含む化合物で表面修飾してなるセンシング部を備え、特定化学物質を検出するための化学物質センシング素子に関する（Ｒ¹とＲ⁴とはＨ、ＣおよびＮのうちいずれかを含む化学構造であり、Ｒ²とＲ⁵とはＨおよびＮのうちいずれかを含む化学構造であり、Ｒ³とＲ⁶とはＨおよびＮａのうちいずれかを含む化学構造である）。
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ＮＯ_ｘ貯蔵材料が、担体、即ち、担体上に含浸されたカリウム塩を包含し、その担体上に含浸されたカリウムが、白金族金属と共に促進され、及び、ＮＯ_ｘ貯蔵材料は、ＮＯ_ｘ貯蔵材料上のＮＯ_ｘ充填の量に基づき変化する電気特性を有する。直接のＮＯ_ｘ測定の装置は、ＮＯ_ｘ貯蔵材料で被覆されたセンサーを含む。ＮＯ_ｘ含有ガスのＮＯ_ｘフラックスを決定する方法は、ガスをその装置に曝し、且つ、装置により生成された信号を、ＮＯ_ｘフラックスの信号見本に転化することを含む。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）