【課題】シリカフィラーを含む封止樹脂中の金属細片の大きさおよび個数を検出する方法を提供すること。
【解決手段】シリカフィラーを含む封止樹脂中に含まれる金属細片を検出する方法であって、前記封止樹脂を有機溶剤に溶解する工程、前記樹脂が溶解した前記有機溶剤中の前記シリカフィラーを酸で処理して前記シリカフィラーを選択的に溶解し、前記金属細片を単離する工程、前記金属細片の大きさおよび個数を測定する工程、を含む、検出方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表裏面及びウェハ周縁部の両方を評価することができ、容器や器具による分析試料液の汚染を減らすことができる半導体基板評価装置及び半導体基板評価方法を提供すること。
【解決手段】基板保持部３と、下部に開口部を有する疎水性の試料液保持部４と、試料液保持部に設けられた開閉弁部と、開閉弁部を介して試料液保持部内にガスを供給するガス供給管１１と、開閉弁部を介して試料液保持部内のガスを排出するガス排出管１２とを備え、基板保持部で保持した疎水性の半導体基板２と、試料液保持部で保持して開口部からはみ出すように露出させた分析試料液とを接触させる。 （もっと読む）

【課題】純度９９．０％以上の高純度シリカ質粉末について、測定試料の調製が容易となり、かつ、高精度の分析を行うことができる蛍光Ｘ線分析によるシリカ質粉末の不純物濃度分析方法を提供する。
【解決手段】不純物濃度未知の全粒子の粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下のシリカ質粉末試料の表面を、濃度既知の単一の不純物元素を含む標準溶液でコーティングし、乾燥、焼成およびプレス成型したバインダ含有量０重量％のペレット状試料を作製し、前記ペレット状試料について、蛍光Ｘ線分析によりＸ線強度と不純物濃度との関係を表す検量線を作成し、前記検量線に基づいて、蛍光Ｘ線分析により測定したＸ線強度を対照させて、不純物濃度を定量する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置表面に付着している微小異物を採取し、精度の良い観察、分析を行うことができる試料作製装置および試料作製方法を提供する。
【解決手段】 埋包試料３０は、無機固体物１２中に微小異物１０を埋め込ませて採取したものである。無機固体物１２が試料ホルダ１４ａ、１４ｂの左右方向に退けられ、微小異物１０が上下の試料ホルダ１４ａと１４ｂの対向面にそれぞれ直接接触するに至るまで埋包試料３０を圧縮する。微小異物と上下の試料ホルダとの接触部分を結ぶ経路は、微小異物１０以外の第３物質である無機固体物１０によって阻害されることがない測定経路となる。 （もっと読む）

残留ガスの分析により、ＥＵＶ真空系、特にＥＵＶリソグラフィ装置における脱ガスを測定するための、残留ガスの分析前に脱ガスを誘起する方法が提案される。まさに低揮発性炭化水素も、ＥＵＶリソグラフィ装置（１０）の稼働開始時の光学コンポーネント（１５、１６、１８、１９）の汚染への無視できない影響を有することが判明しており、しかしこの低揮発性炭化水素は従来の方法では検出されない。表面活性化のための刺激ユニット（３２、３４）によって残留ガス分析のために脱ガスを誘起することにより、低揮発性炭化水素も、通常の残留ガス分析計（３１、３３）の検出限界を超える濃度内で残留ガス中に存在することが達成される。これにより、ＥＵＶリソグラフィ装置（１０）の内部空間が、高すぎる汚染を懸念する必要なく稼働を開始し得るために十分にきれいであるかどうかを、もっとより正確に予測し得ることが達成される。そのため実質的には、残留ガス分析の比較的高い感度が効果的に達成される。
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【課題】レチクルのような検査対象物の洗浄後にその検査面に残留する汚染を分析する際に、検査の信頼度を向上させることができる汚染分析装置及びその方法を提供する。
【解決手段】検査対象物の検査面に残留する汚染を分析する装置であって、前記検査対象物の検査面と液とを接触させて、サンプリング液を抽出するサンプリングモジュールと、前記サンプリング液から前記検査対象物の検査面に残留する汚染物質を分析する分析器とを備え、前記サンプリングモジュールは、前記検査対象物の検査面が収容可能な収容空間が形成された液槽と、前記液槽の収容空間に液を供給する液供給ノズルとを備える。 （もっと読む）

【課題】 小さな容積の容器中のガスを質量分析する場合に、ガスが測定中に減少して、測定のタイミングによって絶対量や組成比が正しく測定できない問題あった。
【解決手段】 オリフィスを通して真空排気される容積Ｖの試料室の内部でガスを内部に有する容器を開封し、開封後の複数の時刻Ｔで試料室の内部のガスを質量分析してガスの検出強度Ｍ（Ｔ）を得て、複数の時刻Ｔの検出強度Ｍ（Ｔ）とオリフィスのコンダクタンスＣとから、下記の式（１）に基づいて容器中の内部のガス量Ｑを得る。
Ｍ（Ｔ）＝Ａ・Ｃ／Ｓ・Ｑ／Ｖ・ｅｘｐ（−Ｃ（Ｔ−Ｔ０）／Ｖ）＋Ｂ ・・式（１）
ただし、Ａ：感度補正係数、Ｓ：ポンプの排気量、Ｔ０：容器を開封した時刻、Ｂ：バックグラウンド強度。
以上の方法により容積の小さい容器中に含まれるガスであってもそのガスを精度良く分析できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置からの排ガス中に含まれるフルオロコンパンズ等の被測定対象成分の排出重量を正確に求めるために、半導体製造装置の下流に設置されたポンプからのポンプ排出ガスの流量を高精度かつ正確に求め、これにより被測定対象成分の排出重量を高精度に求められるようにする。
【解決手段】半導体製造装置１からの排ガスを吸引するとともにシールガスが供給されるポンプ４の上流側または下流側において、排ガスに標準ガスを既知量添加し、排ガスとシールガスと標準ガスとが混合されてなり、ポンプから排出されるポンプ排出ガス中の標準ガスの濃度を定量し、得られた標準ガス濃度と標準ガス添加量とからポンプ排出ガスの流量を算出し、ポンプ排出ガス中の被測定対象成分の濃度を定量し、この被測定対象成分濃度を前記ポンプ排出ガス流量とに基づいて、被測定対象成分の排出重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 装置のコストアップが生じることなく探針の交換作業を効率的に行う。
【解決手段】 試料室２内において、第１の探針６の先端部をメタルデポジションによりダミー部材１１に固着し、イオンビーム１ｂの照射により第１の探針６を切断して先端側部分６ｂと基端側部分６ａとに分離し、ダミー部材１１を移動させて当該先端側部分６ｂを移動し、保持部材１３に固定された第２の探針１２を当該基端側部分６ａにメタルデポジションにより固着し、イオンビーム１ｂの照射により第２の探針１２と保持部材１３とを分離し、その後保持部材１３を第２の探針１２から移動させる。 （もっと読む）

【課題】 構成のシンプル化及び装置全体の低コスト化を図りつつ、少流量、高粘度、高温度の試料液でも測定部の通過流量を安定よく一定に維持して長時間に亘る連続使用時にもＴＯＣ濃度を常に高精度な測定状態に保つことができる連続式ＴＯＣ濃度測定装置を提供する。
【解決手段】 測定対象となる試料液の測定フロー７に、チュービングポンプ６の逆転により空気を吸い込み、その後の正転復帰により順方向に流動する試料液の二つのフォトセンサ１４ａ，１４ｂ間での流動に要する時間から現在の流量を計測する流量計測部５と、その計測流量に基づいて試料液流量を自動補正するフィードバック式流量制御系８とを組み込み、それらによる流量計測及び流量自動補正動作を、連続測定中に定期的かつ自動的に行うように構成している。
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Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置。本発明の好適な実施形態は、マイクロマニピュレータと、真空圧を用いてマイクロプローブ先端をサンプルに付着させる中空マイクロプローブとを使用する。小さな真空圧をマイクロプローブ先端を通してラメラに印加することによって、ラメラをより確実に保持することができ、静電力だけを用いるよりも、ラメラの配置をより正確に制御することができる。勾配の付いた先端を有し、その長手軸線周囲に回転させることも可能なプローブを用いることによって、抽出されたサンプルをサンプル・ホルダ上に平坦に置くことができる。これによってサンプルの配置および配向を正確に制御することが可能になるので、分析の予測可能性および処理能力が大幅に増大される。
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Ｓ／ＴＥＭサンプルの調製および分析用の改良された方法および装置である。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成用、特に小さい形状（厚さ１００ｎｍ未満）のＴＥＭラメラ用の改良された方法が提供される。新規なサンプル構造およびミリング・パターンの新規な用途は、大きな反りまたは歪みなしで５０ｎｍの薄さのＳ／ＴＥＭサンプルの作成を可能にする。本発明の好ましい実施形態により、ＴＥＭサンプル作成を一部または全部自動化するための方法、ＴＥＭサンプルの作成および分析のプロセスを労力のより少ないものにするための方法、ならびにＴＥＭ分析のスループットおよび再現性を高めるための方法が提供される。
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【課題】コンパクトで持ち運び可能な装置として容易に構築され、特に、スループットが変化する場合でさえ、高い信頼性と計数精度とを提供する空気細菌捕集装置の提供。
【解決手段】捕集媒体とスクリーンカバー間の規定の相対的な移動を有し、その中に固定された捕集ストリップを有する収容部は回転可能であり、スクリーンカバーは決められた位置に固定される。スクリーンカバーは、収容部が決められた位置に固定されるならば、回転可能に構成されてもよい。相対移動を得るために、捕集ストリップを収容部内で移動させることができる。細菌で満たされた空気は次の方法で移送される。カバーの中心開口および流路開口を通じ、空気は捕集ストリップの凹部内の捕集媒体の表面に到達し、そこで、空中移送の慣性沈着が生じる。空気は、収容部を過ぎて外部ドラムスペースに流れ続け、ファンにより楕円形の穴を通して引き込まれ、空気細菌捕集装置の底部から排出される。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工による薄板化を行うＴＥＭ用観察試料の作製において、ＦＩＢ加工試料台への試料設置における試料表面の傾斜誤差を精度高く補正する。
【解決手段】観察を行う試料表面とその近傍の斜面部に、それぞれ直線状をなす目印があり、各部の目印の直線状位置関係に関し、一直線に繋がっていない場合、あるいは平行関係にない場合、ＦＩＢ加工面は所定の位置から傾いており、試料台の回転機構などを用いて、前記関係が一直線に繋がるように調整することで、試料面の傾斜を補正する。 （もっと読む）

【課題】広い濃度範囲で高い測定精度を得ることができる排気ガス分析装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る排気ガス分析装置は、排気ガスの一部が流れる第１の配管１２と、第１の配管１２に希釈ガスを導入して前記排気ガスを希釈する希釈ガス導入手段１５ｂと、第１の配管１２を流れる希釈後の排気ガスに含まれる特定物質の濃度を測定する濃度測定手段３と、第１の配管１２を流れる希釈前の排気ガスの流量を測定する第１の流量測定手段１２ｂと、濃度測定手段３及び第１の流量測定手段１２ｂそれぞれの測定結果に基づいて、希釈後の排気ガスに含まれる特定成分の濃度が一定範囲内に収まるように希釈ガス導入手段１５ｂを介して希釈ガスの導入量を制御し、かつ濃度測定手段３による測定結果、第１の流量測定手段１２ｂによる測定結果、及び希釈ガス導入量に基づいて、希釈前の排気ガスにおける特定物質の濃度を算出する演算制御部４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】反応し及び／又は核を形成してガス中に浮遊する汚染粒子を生成する少なくとも１種の不純物を含有するガスを処理装置に供給するための改良方法の提供。
【解決手段】粒子計数器及び／又は粒子捕獲フィルタを用いて処理装置の上流側でガスの流れをサンプリングしてこのガスの流れ中の汚染粒子の量を検出することと、粒子量が所定の量を超過したならば信号を発生させることが挙げられる。この方法を実施するための装置は、供給源、少なくとも１つの処理手段、この処理手段の上流側且つ該供給源の下流側の粒子計数器、少なくともこの粒子計数器と電気通信状態にあるマイクロプロセッサ、そして随意的に、該粒子計数器と並列の粒子捕獲フィルタ、を含む。該方法及び装置は、集積回路の製造において有用である。 （もっと読む）

【課題】分析領域にダメージを与えることなく分析可能な試料をつくることができる、分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。次に、分析領域２１の近傍に形成された、クラック１４や異物１５を分析する際に邪魔となる障壁１２に応力を加えて除去する。このとき、障壁１２と繋がっていた基板１３の一部分１３ａから分析領域２１に亀裂３１が伝わったとしても、分析領域２１の周囲に形成した亀裂防止溝２２によって、分析領域２１に亀裂３１が進行することを抑えることができる。これにより、クラック１４や異物１５の状態を、障壁１２を除去する前の状態に維持することができ、クラック１４を観察したり異物１５の元素を特定したりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
従来よりも加工時間を長くすることなくイオンビームによる試料の断面形成の加工精度を向上せしめ、試料を割断することなく微小試料を分離または分離準備する時間を短縮するイオンビーム加工技術を提供する。
【解決手段】
イオン源１からイオンビームを引き出す軸と、前記イオンビームを第１の試料ステージ１３に載置された試料１１に照射するイオンビーム照射軸とが傾斜関係にある構造とし、さらに、前記試料からイオンビーム加工により摘出した試料片３０３を載置する第２の試料ステージ２４が、傾斜軸周りに回転することによりイオンビームの前記試料への照射角度を可変できる傾斜機能を持ち、前記イオンビーム照射軸に垂直な面に前記イオン源からイオンビームを引き出す軸を投影した線分が、前記第２の試料ステージの傾斜軸を前記イオンビーム照射軸に垂直な面に投影した線分と少なくとも略平行関係とすることが可能な構造であることを特徴とする。 （もっと読む）