【課題】 キュリー点Ｔｃを高くしてリフロー炉の高温による圧電特性の劣化が無く、耐ノイズ特性の良好な表面実装対応の焦電型赤外線センサ用の焦電体材料を提供する。
【解決手段】 組成式が（Ｐｂ_{（１−ｘ）}Ｃａ_ｘ）_{（１−ａ）}（Ｔｉ_{（１−ｙ）}（Ｍｎ_１／３Ｓｂ_２／３）_ｙ）Ｏ_３（ただし０．１２≦ｘ≦０．２３、０．０４０≦ｙ≦０．１００、−０．０２０≦ａ≦０．０２０）で表される焦電体材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】一時的に感知器回線を挿通可能とする貫通穴を設けた構造を利用して感知器と連携する機能を簡単且つ容易に持たせて多機能化を可能とする。
【解決手段】煙感知器１０の感知器本体１２は、本体中央に上下に貫通する貫通穴１４を備える。感知器本体１２の外面には発光開口１６ａ及び受光開口１８ａが設けられ、透明カバー２０の外側に位置する開放検煙空間に設定された検煙点Ｐに対して発光素子１６から発せられた光に対する散乱光を受光素子１８で受光して火災を判断する。感知器本体１２の貫通穴１４には例えば煙濃度や障害などの感知器状態を表示する状態表示ユニット６４が着脱自在に設けられる。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いて基板に接着されても中空構造の空間に接着膜が形成され難い構造の赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】第１表面２ａと第１表面２ａの反対側の第１裏面２ｂとを有し、第１裏面２ｂに第１凹部４を有し第１表面２ａの第１凹部４と対向する場所に赤外線を検出する赤外線検出部３を有する第１基板２と、第２表面８ａと第２表面８ａの反対側の第２裏面８ｂとを有し、第１凹部４と向かい合う場所の第２裏面８ｂに第２凹部９を有する第２基板８と、第１裏面２ｂと第２裏面８ｂとを接着する接着膜７と、を有し、第２表面８ａに接着剤を付着させて用いられ、第２凹部９が第２裏面８ｂと交差する第２外周部９ｂは第１凹部４が第１裏面２ｂと交差する第１外周部４ｂを囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】センサ本体を覆うキャップ体の周壁に入射する外乱光に起因して誤検出を生じることを回避できる赤外線センサを提供する。
【解決手段】キャップ体２０は、赤外線を透過させる合成樹脂材料からなり、有底の円筒状に形成されており、センサ本体を覆うようにセンサ本体に被せられている。キャップ体２０は、センサ本体の赤外線の受光部に対向する底部２１と、底部２１の外周縁の全周から一方向に立ち上がっておりセンサ本体を包囲する周壁２２とを有している。キャップ体２０は、周壁２２におけるセンサ本体と向き合う内側面に、周壁２２における赤外線の透過量を低減する凹凸２３が形成されている。つまり、周壁２２は、内側面に凹凸２３が形成されることにより、キャップ体２０の側面から入射する外乱光を内側面にて反射して、キャップ体２０の内側への外乱光の透過量を低減している。 （もっと読む）

【課題】赤外線スイッチに対する操作状況を表示可能な赤外線スイッチ等を提供する。
【解決手段】 赤外線を反射物４に照射する発光素子３と、反射物４からの赤外線の反射光を受光し、反射光の強さに応じた出力信号を発生させる受光素子５と、出力信号の値に基づいてスイッチオン、スイッチオフが判定される赤外線スイッチにおいて、比較器７は、出力信号の値を第１の閾値と比較して第１の比較情報を出力し、出力信号の値を第１の閾値と異なる第２の閾値と比較して第２の比較情報を出力する。判定部８は第１の比較情報に基づいて赤外線スイッチのオン、オフを判定し、表示手段は第２の比較情報に基づいて赤外線スイッチに対する操作状況を示すための表示を行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、ＩＣチップ２００と、パッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、赤外線センサチップ１００が一面側に実装されＩＣチップ２００が他面側に実装されるベース基板部３０１と、ベース基板部３０１の上記一面側でベース基板部３０１から突設され赤外線センサチップ１００を囲む第１壁部３０２と、ベース基板部３０１の上記他面側でベース基板部３０１から突設されＩＣチップ２００を囲む第２壁部３０３とを備える。赤外線センサは、赤外線センサチップ１００とＩＣチップ２００とが、ベース基板部３０１を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】光センサにおいて、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減し、取付け対象の電気機器のデザイン性を損ない難くする。
【解決手段】光センサ１は、分光感度が異なる受光素子２ｖ、２ｉと、受光素子２ｖ、２ｉによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路３ｖ、３ｉと、増幅回路３ｖ、３ｉによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路４とを備える。増幅回路３ｖ、３ｉは増幅率が調整可能であり、演算回路４は演算内容が変更可能である。上記増幅率の調整と上記演算内容の変更とにより、検出対象の光の波長領域を２つの波長領域に切り替えることができる。従って、２種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化できる。そのため、製造コストを低減でき、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱容量が小さく、感度や応答性が高く、さらに、分極時に絶縁破壊が発生し難い、小型かつ低コストで量産可能な焦電型センサ素子を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２上に形成された焦電体薄膜４と、焦電体薄膜４上に設置された上部電極３とを有し、上部電極３は、対向配置された２つの電極対３ａ、３ｂと信号取り出し用電極３ｃ、３ｄとを含み、くし形電極を構成している。また、焦電体薄膜４は、信号取り出し用電極３ｃ、３ｄ間に電圧を印加することにより、対向配置された電極対３ａの間、電極対３ｂの間、および電極対３ａと３ｂとの間の部分においては膜の面内方向に分極されている。また、焦電体薄膜４の電極対３ａ、３ｂが存在する領域６の下面の近傍には、導体が存在しない。基板２は、シリコン基板であり、また、焦電体薄膜４の電極対３ａ、３ｂが存在する領域６の下部領域７において、基板２のすべてが除去されている。 （もっと読む）

【課題】光検出の装置および方法を提供する。
【解決手段】特に顕微鏡、分光計またはカメラ用の光検出装置は、複数の単一光子アバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）のアレイで構成される少なくとも１つのシリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）を含み、このアレイは面積が入射光より大きく、特定の最低強度の光が当たるＳＰＡＤだけがアクティブ化され、および／または分析される。この装置を利用する方法。 （もっと読む）

【課題】赤外線をチョッピングし得る領域を十分に広くする。
【解決手段】支持基板２０と、赤外線透過薄膜積層体２３と、基板２０の厚み方向で積層体２３に対向配置されて「機構側支持部」によって支持された赤外線透過薄膜積層体２５とを有し、導電性材料でそれぞれ形成された両積層体２３，２５の間に電圧が印加された状態において両積層体２３，２５が光学的に一体化して厚み方向に赤外線ＩＲを透過させ、かつ、電圧が印加されない状態において両積層体２３，２５の間にギャップ２８が形成されて赤外線ＩＲを反射すると共に、「機構側支持部」が、積層体２５の外縁領域に設けられた支持枠２４ａと、積層体２５の内側領域に設けられた支柱２４ｂとを備え、電圧が印加された状態において、積層体２５の「機構側支持部」によって支持されていない部位が積層体２３に接して両積層体２３，２５が光学的に一体化する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面であるａ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０のａ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルにおけるｎ形ポリシリコン層およびｐ形ポリシリコン層それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に配置されたサーモパイル３０ａとを備え、サーモパイル３０ａの熱電対の２種類の熱電要素が、ｎ形ポリシリコン層３４とｐ形ポリシリコン層３５とである赤外線センサ１００の製造方法であって、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の形成にあたっては、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の基礎となるノンドープのポリシリコン層１３０をＣＶＤ法により形成した後、アニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】キャリア寿命を短縮（制御）することで、テラヘルツ電磁波の発生または検出を効率良く行うことのできる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置１は、基板３と、基板３上に成長させたバッファ層４と、バッファ層４上に成長させた半導体層５と、を備え、半導体層５は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板２を備え、半導体層５上に形成されたアンテナ６を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積分球を用いて光源の光学性能を容易且つ正確に測光することのできる光源の検査装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明の光源の検査装置は、検査対象である光源を取付可能な取付部と、外部に向けて光線を出射するための出射ポートとが設けられた積分球、この出射ポートに対向する積分球内周面の一定範囲の被測光領域の反射光線を出射ポートから測光する測光手段、及び上記被測光領域と上記取付部との間に配設されるバッフルを備える。光源の出射光線が直接被測光領域に入射することをバッフルによって防止し、この被測光領域を測光手段が測光することができるので、取付部の光源の取付状態による測光結果の差異を少なくすることができ、光源の光学性能を容易且つ正確に測光することができる。 （もっと読む）

【課題】熱応答性を改善した赤外線センサを提供すること。
【解決手段】赤外線センサ１０は、メンブレン構造の薄膜サーミスタ３を有する検知用素子１Ｓと、メンブレン構造の薄膜サーミスタ３を有し、検知用素子１Ｓと熱容量が同一の参照用素子１Ｒと、メンブレン構造の薄膜サーミスタ３を有し、参照用素子１Ｒと熱容量が同一の温度補償用素子１Ｃと、検知用素子１Ｓと参照用素子１Ｒと温度補償用素子１Ｃとを搭載する基板２と、を含む。検知用素子１Ｓの薄膜サーミスタ３と参照用素子１Ｒの薄膜サーミスタ３と温度補償用素子１Ｃの薄膜サーミスタ３とは、それぞれ抵抗値及び抵抗温度係数が同一である。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出または発生が効率良く行われ、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置を提供する。
【解決手段】基板３と、基板３上に積層された半導体積層群５と、を備え、半導体積層群５は、第１化合物半導体層５１と、第１化合物半導体層５１上に、第１化合物半導体層５１と屈折率が異なると共に励起光の表面反射を低減できる層厚で成長させた第２化合物半導体層５２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】量子ドットの厚さや大きさを変えるためにエッチング加工を使用すると、量子ドットを利用した赤外線検出器の感度が悪化する。そのため、検出波長帯域を維持しつつ、検出感度を向上させる赤外線検出器が、望まれる。
【解決手段】赤外線検出器は、半導体基板と、前記半導体基板に、複数の量子ドット層及び障壁層を交互に積層することで形成する光吸収層と、を備えている。さらに、複数の障壁層のうち、第１の障壁層は、量子ドット層と接触する第１の面に第１の凸形状を備え、複数の障壁層のうち、第１の面と相対する位置に存在する第２の障壁層は、第１の面に相当する第２の面に第２の凸形状を備え、第１及び第２の凸形状がそれぞれ異なることに対応して、量子ドット層に形成される量子ドットの形状が異なっている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子アレイ部の複数の光電変換素子の増幅後の出力信号が適正レベルであるか否かの判定に関する処理量を、ピーク値を利用する場合の処理量に比べて抑える。
【解決手段】センサ装置は、複数の光電変換素子３１ａを有する光電変換素子アレイ部３１Ａと、今回の電荷蓄積動作による前記複数の光電変換素子３１ａの出力を増幅する増幅器３３Ａと、カウンタ３８と、判定部５１とを備える。カウンタ３８は、１つ以上の基準レベルのそれぞれに関して、前記複数の光電変換素子３１ａのうちの２つ以上の光電変換素子３１ａのうち、増幅器３３Ａにより増幅された出力が当該基準レベル以上であるか又は当該基準レベル以下である光電変換素子の数をカウントする。判定部５１は、カウンタによりカウントされたカウント値に基づいて、増幅器３３Ｂにより増幅された出力が適正レベルであるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器を提供する。
【解決手段】 超電導電磁波測定器１は、電磁波３１を内部に入射させることができる入射窓３を有する断熱容器２と、この断熱容器２内に設けられ、入射窓３と対向する面に凹形状部５ｄを形成する素子基板５と、この素子基板４の凹形状部５ｄの表面に形成される超電導素子６と、この超電導素子６の両端に電極を接続して超電導素子６の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子等の光源の全光束を測るのに積分半球を使うとき、平面ミラーの開口部に光源を一個ずつ配置して測定していたためスループットが悪く、量産時の全数検査に適さなかった。
【解決手段】検査装置は、積分半球１１と、光検出器１２と、プローブカード１３と、ＸＹＺテーブル１４とを備えている。積分半球１１の中心部の開口部に、ＬＥＤ素子３０が連結して配列した集合基板１７を配置し、ＸＹＺテーブル１３にとりつけたプローブカード１４で各ＬＥＤ素子３０を個別に点灯し全光束を測る。このときプローブカード１３には複数の探針１３ａがあり、プローブカード１３は探針１３ａを介して同時に複数のＬＥＤ素子３０と接続する。 （もっと読む）