【課題】熱体検知装置において、増幅部のオフセット電圧値の調整中においても、誤検知を防ぐ。
【解決手段】増幅部１２で増幅された電気信号Ｖａが飽和しないように、増幅部１２のオフセット電圧値を変更（調整）する飽和検知部１７を備えているので、増幅された電気信号Ｖａの飽和を防止して、誤検知をなくし、安定して熱体を検知できる。しかも、増幅部１２のオフセット電圧値を変更するときに、比較部１６の機能が制限されるようにしたので、従来の発明と異なり、飽和検知部１７による増幅部１２のオフセット電圧の調整中においても、比較部１６が、調整の完了していない増幅部１２から出力された、飽和している可能性のある電気信号に基づくデータと、比較電圧部１５の保持するしきい値との大小を比較して熱体検知を示す出力信号Ｈを出力してしまうのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ボロメータ用抵抗材料、それを用いた赤外線検出器用ボロメータ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るボロメータ用抵抗材料は、アンチモン(Ｓｂ)に、窒素(Ｎ)、酸素(Ｏ)及びゲルマニウム(Ｇｅ)からなる群から選択された１つ以上の元素を含むものであって、このような抵抗材料は、優れた特性、すなわち、高いＴＣＲ、低い比抵抗及び低いノイズ定数 を有し、ＣＭＯＳ工程で一般的に用いるスパッタリング法を用いて容易に薄膜で製造され、非冷却型赤外線検出器のボロメータに抵抗体として用いることができ、赤外線検出器に優れた温度精度を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボン薄膜を材料として、室温付近で高いＴＣＲ絶対値を有するボロメータ材料を製造できる技術を提供する。
【解決手段】カーボン薄膜を通電しながら酸処理を施すことによりボロメータ材料を作製する。 （もっと読む）

【課題】少量のメモリでゲイン補正値及びオフセット補正値を算出し、複数の撮像素子の出力値を、同一の対象物に対しては略一致するように補正することができる撮像装置、撮像装置の補正値算出方法及び撮像方法を提供する。
【解決手段】撮像部で撮像された互いに異なる均一な輝度を有する２つの画像を２つのメモリＰ１、Ｐ２にそれぞれ保存しておき、補正値を算出する際、両メモリから前記２つの画像を読み出して、これらの画像を用いてゲイン補正値（又はオフセット補正値）を算出して、一方のメモリに保存し、他方のメモリの画像及び算出された前記ゲイン補正値(又はオフセット補正値)を用いて、オフセット補正値（又はゲイン補正値）を算出する。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子と、光電変換素子とトランジスタまたはダイオードとの少なくとも一方と、をモノリシックに集積化すること、または、ｐ型熱電変換部とｎ型熱電変換部とが干渉を抑制すること。
【解決手段】本発明は、熱電変換を行なう半導体層３８を含む熱電変換素子１００と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層が光電変換を行なう光電変換素子１０２と、前記半導体層３８の少なくとも一部の層を動作層とするトランジスタ１０４またはダイオードと、の少なくとも一方と、を具備する電子装置である。 （もっと読む）

【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が少なく、且つ、赤外線反射防止膜や赤外線光学フィルタ膜の剥れを抑制できるとともに高感度化および低コスト化が可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線検出素子１を収納するパッケージ２と、パッケージ２の開口部２ａを閉塞する第１の赤外線透過部材４１および第２の赤外線透過部材４２とを備え、パッケージ２と第１の赤外線透過部材４１とで囲まれた空間を真空雰囲気としてある。第１の赤外線透過部材４１は、ＺｎＳにより形成され、パッケージ２に対して、パッケージ２の内側から開口部２ａを閉塞する形で鉛フリーのガラスフリットからなる接合部５１により固着され、赤外線光学フィルタ膜４３と赤外線反射防止膜４４とが積層された第２の赤外線透過部材４２は、Ｓｉにより形成され、ガラスフリットに比べて低温での使用が可能な鉛フリーの導電性接着剤からなる接合部５２により、パッケージ２に対して固着されている。 （もっと読む）

【課題】カバー部材に対する赤外線レンズの光軸の位置決め精度を高めることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線レンズ３をカバー部材２２に固着する際には、赤外線レンズ３の光軸方向において当該赤外線レンズ３とカバー部材２２の窓部２ａとを重ね合わせた状態で赤外線レンズ３およびカバー部材２２の窓部２ａを含む所定の空間領域を撮像手段８により撮像し、撮像手段８による撮像により得られた画像内で赤外線レンズ３の陽極３２の開口部３３およびカバー部材２２の窓部２ａそれぞれに対応する各部位を抽出する特定部位抽出処理を行い、特定部位抽出処理により抽出した陽極３２の開口部３３およびカバー部材２２の窓部２ａそれぞれに対応する各部位の中心を求める特徴抽出処理を行い、求めた両方の中心が一致するように赤外線レンズ３とカバー部材２２との相対的な位置を調整し、赤外線レンズ３をカバー部材２２に固着する。 （もっと読む）

【課題】人体を確実に検出できる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】赤外線を検出する複数のセンサ素子52をマトリクス状に配列した赤外線センサ本体41を設ける。赤外線を赤外線センサ本体41の受光面に導く光学系を設ける。光学系により赤外線センサ本体41の受光面に導かれる赤外線の強度分布に応じて、各センサ素子52の感度を調整する感度調整手段61を設ける。感度調整手段61では、赤外線の強度が強い位置のセンサ素子52の感度を低く、赤外線の強度が弱い位置のセンサ素子52の感度が高く調整し、各センサ素子52から出力する検出信号の強度を均等にする。 （もっと読む）

【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム２の一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂと、絶縁性フィルム２の一方の面に形成され第１の感熱素子３Ａ及び第２の感熱素子３Ｂに別々に接続された複数対の導電性の配線膜４と、第１の感熱素子３Ａに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線吸収膜５と、第２の感熱素子３Ｂに対向して絶縁性フィルム２の他方の面に設けられた赤外線反射膜６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易で検出感度の向上が可能な赤外線２次元イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体膜から成る赤外線検出容量ＣＦのうち、容量部分１００は、引出配線１０２および１０４により支持されて、溝部３３０の両側のＳｉ基板に対して保持される。下部電極は、引出配線１０２と結合し、上部電極は、引出配線１０４と結合する。容量部分１００の平面形状は、長方形形状から、対角線方向に互いに対向する１０６の部分および１０８の部分を除いた形状となっている。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂ナノワイヤ及びこれを用いたナノワイヤデバイス
【解決手段】
遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ₂ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。基板として正方晶系のＴｉＯ₂を使用し結晶面を（１１０）面とすると、基板の面に対して９０°の方向にＶＯ₂ナノワイヤ２ａを、結晶面を（１００）面とすると、４５°の方向にＶＯ₂ナノワイヤ２ｂを成長させることができる。ナノワイヤの形成領域が制御でき、径、成長方向、長さが制御されたＶＯ₂ナノワイヤを基板に高密度に形成できる。 （もっと読む）

本電磁波検出装置は、検出した放射線が表すそれぞれの電流（Ｉｍ）を供給する放射線（ＩＲ）検出画素（１０）と、前記画素と接続し、前記画素（１０）が供給する電流を伝送する列（１２）と、伝送列（１２）と接続し、前記画素（１０）が供給する電流を処理する電気モジュール（１４）とを備える。各画素（１０）は、ボロメータ検出器（２０）へのバイアス電圧印加手段（２２）に直列接続しているボロメータ検出器（２０）を含む検出回路（１８）を備え、伝送列（１２）から処理モジュールが（１４）に供給される電流を調節する。装置はさらに、ボロメータ検出器（２０）へバイアス電流を印加し、伝送列（１２）から処理電気モジュール（１４）に供給される電流を調節するバイアス電流印加回路（３４）を有し、前記バイアス電流印可回路（３４）は、検出回路（１８）とは異なり、ボロメータ検出器（２０）とバイアス電圧印加手段（２２）との間に位置する検出回路（１８）の点（３６）でボロメータ検出器（２０）に接続する。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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【課題】熱電変換素子の温度を一定に保つと共に消費電力を抑える。
【解決手段】遮光構造とされる画素１５ａ、１５ｂ中のボロメータ素子と、外部から入射される赤外線を受光する画素２ａ、２ｂ中のボロメータ素子と、を含み、電流ミラー源回路１４、自己発熱制御回路１６は、画素１５ａ、１５ｂ中のボロメータ素子の抵抗値に基づいて、第１の期間において画素１５ａ、１５ｂ、２ａ、２ｂ中のボロメータ素子への電源ＶＤＤ（発熱用電圧）の供給を制御し、第１の期間とは排他的な第２の期間において電流ミラー源回路１４、読み出し回路８は、画素１５ａ、１５ｂ、２ａ、２ｂ中のボロメータ素子に読み出し用電圧を印加するように制御する。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁における信頼性を確保しつつ、高速応答が可能な赤外線撮像素子を提供する。
【解決手段】この発明に係る赤外線撮像素子の製造方法は、ＳＯＩ基板に配置された複数の画素と、画素からの電気信号を読み出す回路とをＳＯＩ基板に有する熱型の赤外線撮像素子の製造方法であって、画素にシリコンダイオードによって温度を検出する検出部を形成する工程を有し、検出部を形成する工程において、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層にシリコンダイオードを形成し、さらにシリコンダイオードを構成するシリコンの表面を熱酸化して熱酸化によって生成された熱酸化膜とＳＯＩ基板の埋め込み酸化膜層とによってシリコンダイオードを被覆する工程を備えりことを特徴とするとする。 （もっと読む）

【課題】常温の大気中で用いても１０^８（ｃｍＨｚ^１／２／Ｗ）以上の比検出能Ｄ^＊が得られる赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】赤外線検出装置２に赤外線が照射されると、白金黒膜２２０が赤外線を吸収して温度が上昇し、その裏面に接している単結晶シリコン層の温度が上昇する。その温度変化によって単結晶シリコン層の抵抗が変化する。この抵抗変化を検出することによって赤外線の強度を検出することができる。単結晶シリコン層の不純物濃度を４×１０^１５〜１×１０^１7／ｃｍ^３の範囲に設定し、単結晶シリコン層１４０の体積を１．２×１０^-１４〜８．０×１０^-１３ｍ^３の範囲に設定すると、高い抵抗温度係数と低い雑音電圧と必要な高速応答性を実現でき、常温大気中での比検出能Ｄ^＊を１０^８以上にできる。 （もっと読む）

本発明は、電磁放射測定のための超小型電子装置に関し、超小型電子装置は、少なくとも1つのボロメータ等の電磁放射検出器(102)と、積分時間中に、検出器により放出された前記電流によって振幅および周波数が変化する、一連のパルス状の第1の信号(S₁)を出力するための積分コンデンサ(112、212、312)を形成する手段を備える積分手段(110、210、310)と、第2の信号(S₂)を発するための、前記第1の信号を制御する手段(120、220、320)とを備え、前記制御手段が、積分時間中に検出された前記第1の信号の各パルスを計数して、所定パルス数Nに達したときに計数終了を示すための計数手段(140、240)を備え、積分終了時間に達して、前記計数手段が所定パルス数Nを計数または算出したときに、第1の信号の振幅に応じた、または第1の信号の振幅に等しい第2の振幅信号を発するために制御手段が実行される、超小型電子装置。
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【課題】常温での検出能力が高い赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】１対の配線１２ａ，１２ｂの間に導電性粒子群を含有している多孔質絶縁体４ａを介在させる。多孔質絶縁体４ａを赤外線吸収膜１６で被覆する。多孔質絶縁体４ａの内部には同一サイズの孔が同一間隔で形成されており、各孔の内部に導電性粒子が収容されている。各導電性粒子の粒径が１〜１０ｎｍであり、隣接する導電性粒子同士の間隔が１〜１０ｎｍであると、クーロンブロッケード現象の発生確率が常温近傍の温度域で温度に対して敏感に変化する関係が得られる。赤外線検出装置１によると、常温常圧で用いても１０^９（ｃｍＨｚ^１／２／Ｗ）以上の比検出能Ｄ^＊が得られる。 （もっと読む）

ナノ熱電対検出器が、２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤを含む。この２つの電極は、増幅器に電気的に接続される。この２つの電極は、一般に約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れており、これをまたいでナノワイヤが配置される。集束素子を配置して、この集束素子からナノワイヤ上にぶつかってナノワイヤを加熱する光子が入れるようにする。ナノワイヤが光によって加熱されることによる電圧変化が増幅器によって検出される。この電圧変化は、ナノワイヤが光から吸収したエネルギーに対応する。このような装置を使用して、単一光子の色を検出することができる。このような装置のアレイを使用して、光を２次元規模で検知することにより、検出器アレイにぶつかる光のエネルギーのわずかな変化を示す画像を提供することができる。 （もっと読む）