【課題】より小型の光操作装置を提供すること。
【解決手段】外部から光が入力される、または外部に光を出力する光入出力ポートと、光入出力ポートから入射した光を光入出力ポートに向けて出射する、偏波依存特性を有する空間光変調器と、光入出力ポートと空間光変調器との間に配置され、光入出力ポートと空間光変調器と光学的に結合させる集光素子と、集光素子と空間光変調器との間に配置され、入力された光の偏波状態を、単一の偏波方向のみからなるように操作して出力する偏波操作素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に検知できる光変調素子およびこれを用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に、磁化自由層３、上部中間層２１、２２、上部磁化固定層１１、１２とがこの順序で積層された上部素子１Ａと、基板７と磁化自由層３との間に形成される下部素子１Ｂとを備える光変調素子１であって、上部磁化固定層は分離した２つの上部磁化固定層からなり、上部磁化固定層は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層よりも保磁力の大きい磁性体であり、下部素子１Ｂは、補助電極５３、下部磁化固定層１３、下部中間層２３とがこの順序で基板側から積層され、透過した光を磁化自由層３に入射させるための窓部５４が形成され、駆動電極の一方と補助電極５３との間の電気抵抗は、駆動電極間の電気抵抗に比べて大きい。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能であり、駆動電圧のより一層の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、薄板１に形成された光導波路５２、５３と、光導波路５２、５３を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、光制御部の少なくとも一部には、光導波路５２、５３に電界を印加するための制御電極が、第１電極と第２電極とから構成される。第１電極は信号電極３３、３４と接地電極６１、６２とを有すると共に、第２電極は少なくとも接地電極６３を有し、第１電極の信号電極３３、３４と協働して光導波路５２、５３に電界を印加するように構成される。複数の光制御部の間は、コプレーナ型線路、コプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続し、光と電気信号の到達時間がほぼ同じになるように設定する。 （もっと読む）

本出願の実施形態に従う懸濁粒子デバイスの導電層と電源バスとの間の接続部が、良好な接着性および導電性の両方を与えるための金属粒子と結合された接着剤を含む。接着剤が、導電層の表面に設けられる。導電性銅箔または導電性布が、接着剤と接着され、電源バスの少なくとも一部を形成する。
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【課題】自然な立体視画像として観察し得る程度に十分高速な繰り返し周波数で２眼以上のカラー視差画像を表示可能な立体視画像表示装置を簡易な構成かつ低コストで製造する。
【解決手段】一対の部分光透過ミラー２２，２３の間に、３色の光を透過する第１の電極２４と、３色の光を透過するとともに、電圧印加によって屈折率が変化する材料によって形成された変調層２６と、３色の光を透過する線状電極が画素部を分割した分割領域毎に配列された第２の電極２５とを積層して光シャッターアレイ２０を構成し、各線状電極へ電圧印加が順次切り替えられることによって、各線状電極を透過した３色の光が順次切り替えられて部分光透過ミラー２３を透過するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】偏光面の回転角が大きく、小型化ができる光変調素子を提供する。
【解決手段】 グリッド部材３０４は、入射光の波長の半分以下のピッチでＸ軸方向に沿って配置されている５本のＡｌ製の線状部材を有し、電界ベクトルの振動方向がＸ軸方向に平行な直線偏光が入射される。Ｘ方向ライン状電極及びＹ方向ライン状電極に電流を供給するとグリッド部材に磁場が印加され、入射光は偏光方向が＋θ_Ｆのファラデー回転あるいは−θ_Ｆのファラデー回転してグリッド部材から射出される。検光子３０９は、＋θ_Ｆのファラデー回転した光を透過させ、−θ_Ｆのファラデー回転した光を遮光する。 （もっと読む）

【課題】複数チャンネルのＷＤＭ光から所望のチャンネルの所望の波長を選択することができる光可変フィルタアレイ装置を提供すること。
【解決手段】光ファイバ１１−１〜１１−ｍからの波長λ１〜λｎから成るｍチャンネルのＷＤＭ信号光を波長分散素子１７に入射する。波長分散素子１７は入射光をその波長に応じて異なった方向に分散させレンズ１８に加える。レンズ１８では光の各チャンネルの光を帯状に平行とすることによりチャンネルと波長に応じてｘｙ平面に展開する。波長選択素子１９は格子状に形成された画素構造であり、選択すべき各チャンネルと波長に応じた位置の画素を反射状態とする。波長選択素子１９で反射した光は同一の経路を介して光ファイバ１５−１〜１５−ｍより出射される。波長選択素子１９の反射特性を各画素毎に変化させることによって、光フィルタの特性を変化させ、任意のＷＤＭ光の任意の波長を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】焦点距離の変更を高速に行うことができる偏波無依存型可変焦点レンズを提供する。
【解決手段】偏波ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１によって偏波分離された第１の偏波光は、直列に配列された第１の基本単位素子１２と半波長板１３と第２の基本単位素子１４（第１セット）とを透過する。もう一方の偏波分離された第２の偏波光は、光学ミラー１６を介して、直列に配列された第３の基本単位素子１７と半波長板１８と第４の基本単位素子１９（第２セット）とを透過する。第１の基本単位素子と第２の基本単位素子、第３の基本単位素子と第４の基本単位素子のそれぞれは、光軸を中心に互いに９０度の角度をなすように配置する。 （もっと読む）

【課題】精密な階調表現を可能にする空間光変調器を提供する。
【解決手段】空間光変調器は、複数の画素２０が所定パターンで二次元配置された構造を有する。画素２０は光変調素子１３ａ，１３ｂを具備し、光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動したときに光変調素子１３ａ，１３ｂが取り得る状態の組合せによって、反射光の強さの異なる明状態、暗状態及び中間状態の中から選択される所定の光状態を取り得る。空間光変調器では、これらの光状態によって光の階調が作り出され、複数の画素２０のうちの所定画素２０を所定の光状態としたときに、この所定画素２０に隣接する少なくとも１つの画素２０が具備する光変調素子１３ａ，１３ｂを駆動しないことによって、光の階調を制御する。 （もっと読む）

【課題】消光比の高いアイソレータを得る。
【解決手段】透光性基板４、５上に形成された複屈折性材料層を加工して、断面形状が凹凸状の周期構造を有する回折格子１、２をそれぞれ作製し、回折格子１、２の凹部に複屈折性材料層の常光屈折率に等しい屈折率を有する等方性透明材料３を充填して偏光性の回折格子を構成して、それぞれの偏光性の回折格子と透光性基板６とを積層して複層回折型偏光子１００を得て、アイソレータとして用いる。 （もっと読む）

【課題】光変調素子による磁気光学効果を改善する。
【解決手段】光変調素子１０は、１層以上の磁性膜１２を含む磁化固定層と、非磁性膜１３からなる中間層と、光の入射側に配置された１層以上の磁性膜１４を含む磁化反転層とがこの順番に積層された磁性多層膜４と、磁性多層膜４に電流を流すための磁化反転層側の透明電極７と、磁化固定層側の金属電極からなる下部電極３とを備え、透明電極７を介して磁性多層膜４に入射する光を変調する。この磁性多層膜４は、非磁性膜１３が、膜厚６ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｇからなる。この光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてカー回転角が増加し、光変調度を大きくすることができる。また、Ａｇスペーサを用いた光変調素子１０は、従来のＣｕスペーサを用いた光変調素子に比べてＭＲ比が２倍に増加するので、磁化反転層の磁化方向を反転し易くすることができる。 （もっと読む）

【課題】安価なレンズが使用でき、複数の導波路形分光回路の分波波長のずれを補正できる導波路形波長ドメイン光スイッチを提供する。
【解決手段】導波路形分光回路１１４が３回路以上積層された集積化素子１１０と、集積化素子１１０から出射された光を集光する第１レンズ１３０と、第１レンズ１３０からの光をＸ偏光とＹ偏光に分離して異なる角度に出射する偏光分離素子１４０と、これらＸ偏光とＹ偏光を集光する第２レンズ１５０と、集光されたＸ偏光とＹ偏光を任意角度で反射する第１反射型光位相変調器１６０と、第２レンズ１５０と第１反射型光位相変調器との間で、Ｘ偏光とＹ偏光の偏光方向を同じにする１／２波長板１７０と、第１反射型光位相変調器１６０からの光をいずれかの導波路形分光回路１１４に入射させるための第２反射型光位相変調器１８０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】安定して位相変調を行うこと。
【解決手段】光変調器１００は、入力部１１０と、分岐部１２０と、第一導波路１３１と、第二導波路１３２と、干渉部１４０と、第一出力部１５１と、第二出力部１５２と、第一液晶セル１６１と、第二液晶セル１６２と、を備えている。分岐部１２０、第一導波路１３１、第二導波路１３２および干渉部１４０は、入力光を分岐し、分岐した各光を干渉させる光干渉計である。第一液晶セル１６１および第二液晶セル１６２のそれぞれは、光干渉計において分岐された各光のうちの一方の光を通過させ、通過させる光を印加信号に応じて遅延させる。第二液晶セル１６２は第一液晶セル１６１よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】光変調器を偏光無依存型の構成とすること。
【解決手段】光変調器２１００は入射光を位相変調する。光変調器２１００は、ＰＢＳ２１５０と、第一液晶セル２１６１，２１６２と、第二液晶セル２１７１，２１７２と、を備えている。ＰＢＳ２１５０は、入射光を偏波の異なる第一波と第二波に分離する。第一液晶セル２１６１，２１６２は、ＰＢＳ２１５０によって分離された第一波を入力し、位相変調する。第二液晶セル２１７１，２１７２は、ＰＢＳ２１５０によって分離された第二波を入力し、位相変調する。ＰＢＳ２１５０は、第一液晶セル２１６１，２１６２から位相変調されて出力された第一波と、第二液晶セル２１７１，２１７２から位相変調されて出力された第二波とを合波する。 （もっと読む）

【課題】光変調において、高速な動作が可能であり、かつ消費電力を少なくすることができ、また多段階階調性を得ること。
【解決手段】変調する光を透過しかつ導電性を有する透明電極層１４と、強磁性を有しかつ導電性を有する磁性酸化物層１３と、酸化材料を含む酸素供給層１２と、酸素供給層１２から供給される酸素により酸化される導電性膜からなる酸化性電極層１１とがこの順に設けられる。酸化性電極層１１および酸素供給層１２はいずれも非磁性であり、透明電極層１４は垂直磁化性を有するものとすることができる。また、透明電極層１４が透明基板１５の表面に配置される。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】固定層１０１と、中間層１０２と、反転層１０３とが積層された磁気抵抗効果素子１０を有し、固定層１０１に、遷移金属と希土類金属との磁性合金、Ｍｎを含む磁性合金、または、磁性多層膜のうちのいずれかを用いた磁気抵抗効果素子構造体１であって、磁気抵抗効果素子１０の上面に設けられた上部電極１１および磁気抵抗効果素子１０の下面に設けられた下部電極１２の間に、当該電極間を絶縁するための絶縁材１３を備え、絶縁材１３は、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａであり、ＭｇＦ_２誘電体材料１３ａは、固定層１０１の側面に当接して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）