【課題】少ない工程数、かつ、適正な研磨量で、隣接する画素電極の間隙と画素電極の表面とを面一とすることのでき、さらに光反射性の画素電極の表面を鏡面とすることのできる電気光学装置の製造方法、該電気光学装置、および当該電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置を製造するにあたって、突条部形成工程において、層間絶縁膜８を選択的にエッチングして、画素電極９ａの形成予定領域に凹部８ｅを形成するとともに、隣接する凹部８ｅの間に突条部８ｆを残す。そして、導電膜形成工程において、層間絶縁膜８の表面側に画素電極９ａを形成するための光反射性導電膜９を形成した後、研磨工程において、光反射性導電膜９を表面から研磨して突条部８ｆを露出させる。突条部８ｆの表面と画素電極９ａの表面とは面一であり、かつ、画素電極９ａの表面は鏡面である。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の小型化を図る。
【解決手段】 モールドフレームは、ｎ個の発光ダイオードの各々が配置されるｎ個の第１の空間と、発光ダイオードの導光板とは反対側に形成され、複数の電子部品が配置される第２の空間と、前記ｎ個の第１の空間のそれぞれと、前記第２の空間とを接続する第３の空間とを有し、前記第３の空間にも、フレキシブル配線基板に実装される複数の電子部品の少なくとも１つの電子部品若しくはその一部が配置される。 （もっと読む）

【課題】コントラスト特性に優れ、応答特性の速い、かつ、視野角特性の優れた液晶表示装置を得る。
【解決手段】画素電極２１とコモン電極２２によって１画素を４個の領域に区画する。画素電極２１とコモン電極２２間に電圧を印加しない状態では、液晶分子４０は垂直配向となっている。画素電極２１とコモン電極２２に電圧を印加すると、横電界によって液晶分子４０は傾くが、液晶分子４０の傾く方向を突起３０によって制御する。突起３０の形成によって、４個の領域における液晶分子４０の傾きの方向を全て異ならしめることが出来る。したがって、視野角特性のすぐれた液晶表示装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】導電性、透明性、耐湿熱性に優れ、タッチパネル型入力装置に好適に用いることができる導電性フィルム、および該導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に、下記一般式で表される繰り返し単位からなるカチオン性のポリチオフェンとポリアニオンとからなる導電性高分子を含む透明導電塗膜層が積層された導電性フィルムであって、該透明導電塗膜層が含有しているＦｅ金属濃度が２０００ｐｐｂ以下であり、該透明導電塗膜層の厚み斑が１０％以下である導電性フィルム。
【化１】


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上４以下のアルキル基を表すか、あるいは一緒になって、任意に置換されていてもよい炭素数１以上１２以下のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示版の製造方法を単純化し、カラーフィルタの形成を容易にする。
【解決手段】基板と、前記基板上に第１方向に延在するゲート線と、前記基板上に形成され前記ゲート線と絶縁されて交差し第２方向に延在するデータ線と、制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記ゲート線及び前記データ線にそれぞれ前記制御端子と前記入力端子が接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された複数のカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され前記複数のカラーフィルタを区画し、前記薄膜トランジスタの出力端子の少なくとも一部領域を取り囲む出力端子保護部を含む遮光部材と、前記遮光部材と前記カラーフィルタの上に形成され、前記出力端子の前記出力端子保護部で囲まれた部分と接触する画素電極を有する薄膜トランジスタ表示板を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、可動電極５は、シリコンを主材料として構成されている。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するとともに、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス装置１０は、基板５０の一方の面側に設けられた複数の画素電極８と、各画素電極８に対応して設けられ、画素電極８に接続された固定電極３と、固定電極３に対向して設けられ、固定電極３側へ変位可能な可動電極５と、可動電極５に静電ギャップを介して対向して設けられた駆動電極２とを備えるスイッチング素子１と、各可動電極５に接続された第１の配線１１と、各駆動電極２に接続された第２の配線１２とを有し、各スイッチング素子１は、可動電極５と駆動電極２との固着を防止する固着防止手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】各有機半導体トランジスタが性能に優れ、かつ、バラツキが少なく、さらに、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１と、上記基板上に形成されたソース電極２およびドレイン電極３と、少なくとも上記ソース電極およびドレイン電極が対向されてなるチャネル領域上が開口部となるように形成された絶縁性隔壁部４と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成された有機半導体層５と、上記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層６と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極７と、を有する有機半導体素子１０であって、上記ソース電極およびドレイン電極の形状が、上記チャネル領域を形成するチャネル部と、上記チャネル部に連結し、上記絶縁性隔壁部の開口部外へ接続されるように形成されたガイド部とを有する。 （もっと読む）

【課題】光に対して透明な金属電極の提供。
【解決手段】透明基板と、複数の開口部を有する金属電極層とを具備してなる光透過型金属電極。この金属電極層は切れ目無く連続しており、また、前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、利用する可視光域波長３８０〜７８０ｎｍの１／３以下である部位が全面積の９０％以上であり、平均開口部径が１０ｎｍ以上、入射光の波長の１／３以下の範囲にあり、前記開口部の中心間ピッチが平均開口部径以上、入射光の波長の１／２以下の範囲にあり、さら金属電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 複数のＤＡＣを搭載したアクティブマトリックス基板を用いた液晶表示装置において、各ＤＡＣの出力特性がばらつくと出力画像に固定パターンとして目視でき画像の低下になる。
【解決手段】
基板上に配された複数の画素電極を有する画素部と、入力されたデジタル映像信号をアナログ映像信号に変換して前記画素部に出力するためのデジタルアナログ変換回路を複数有するデジタルアナログ変換部と、を前記基板に有し、更に複数の前記デジタルアナログ変換回路の出力特性の差異を所定の範囲内に収めるための調整手段を有し、前記調整手段は、トリミングによる抵抗値の調整が可能な組成物を有する抵抗体を有する。 （もっと読む）

【課題】真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いることなく、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができる導電膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成した後、インクジェット方式によって導電膜用インクを塗布して高濡れ性領域の上に導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素寸法が微細化された液晶表示パネルを有する表示装置において、充分な大きさの保持容量を構成する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置において、前記第１基板は、前記各画素の少なくとも一部に設けた透過表示領域に、前記第１基板に近い側から順に、第１透明電極、第１絶縁膜、第２透明電極、第２絶縁膜、第３透明電極の積層構造を有し、前記第１透明電極と前記第２透明電極とは電気的に絶縁されており、前記第１絶縁膜を介して第１保持容量を形成し、前記第２透明電極と前記第３透明電極とは電気的に絶縁されており、前記第２絶縁膜を介して第２保持容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきが抑制されたフォトダイオード、表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のアクティブ素子が形成されたアクティブマトリクス基板１と、フォトダイオード１０とを有する表示装置を用いる。フォトダイオード１０は、第１導電型の第１の半導体領域（ｐ層６）と、真性半導体領域（ｉ層７）と、第１導電型の第２の半導体領域（ｐ層８）と、導電型が第１導電型の逆となった第２導電型の第３の半導体領域（ｎ層９）とが設けられたシリコン膜１１を備えている。シリコン膜１１は、アクティブマトリクス基板のベース基板（ガラス基板４）上に設けられている。第１の半導体領域（ｐ層６）、真性半導体領域（ｉ層７）、第２の半導体領域（ｐ層８）、及び第３の半導体領域（ｎ層９）は、シリコン膜１１の面方向に沿って、順に一列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】優れた形状加工性及び作業性を維持しつつ、接続信頼性を向上させた電子デバイスの接続構造を提供する。
【解決手段】本発明は、導電層１２と、その導電層１２に対向して配置された基板１６と、導電層１２の上面の一部と直接接触した下面を有し、かつ導電層１２の上面上に非接着の状態で固定された金属箔１７ａ、ｂと、導電層１２の上面、金属箔１７ａ、ｂの上面及び基板１６の下面に接着した接着フィルム１８とを備える電子デバイス１０の接続構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】１枚のマザーガラス基板と複数枚の半導体基板を用いて、半導体基板よりも大きな面積を有する表示部を作製し、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】矩形の半導体基板を複数枚用意し、１枚のマザーガラス基板と貼り合わせて接着を行う。貼り合わせの際に複数枚の半導体基板間の境界線で間隔または重畳部分が生じてもそれらの間隔または重畳部分に単結晶半導体層が重ならない画素構成とする。第１の発光素子を含む第１の単位セルは、２個のＴＦＴが配置され、第２の発光素子を含む第２の単位セルは４個のＴＦＴが配置され、第３の発光素子を含む第３の単位セルにはＴＦＴが配置されない。第３の単位セルと第４の単位セルの間に境界線が位置する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路内蔵型の表示装置において、光センサーを表示領域の近傍に配置しても、光センサーが表示領域駆動の電気的なノイズの影響を受けにくい表示装置を提供する。
【解決手段】光センサー３５１と、表示領域３１０に形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路に接続され駆動信号を伝達する複数のバスライン（走査線２０１、データ線２０２）と、前記複数のバスラインを駆動する駆動回路（走査線駆動回路３０１、データ線駆動回路３０２）を備えたアクティブマトリクス基板１０１により構成される表示装置であって、前記光センサーは、前記複数のバスラインで区切られた複数のサブ領域に分割して配置されてなり、前記複数のサブ領域は前記アクティブマトリクス回路と前記駆動回路の中間に配置される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で特性ばらつきが抑えられた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上にゲート電極を設ける工程と、前記ゲート電極の上に絶縁層を設ける工程と、前記絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を設ける工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極を結合してチャネルを形成する有機半導体層を設ける工程と、を含む基本有機薄膜トランジスタを形成する基本有機薄膜トランジスタ形成工程と、前記基本有機薄膜トランジスタの前記ゲート電極に所定の電圧を印加するゲート電圧印加工程と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極の何れかを流れる電流の大きさを測定する電流測定工程と、前記電流が所定の値を超える場合、前記電流が所定の値となるように前記チャネルを形成する前記有機半導体層の一部を除去する有機半導体層除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、第１ＳＴＩ分離層３２と、第２ＳＴＩ分離層３３と、絶縁膜４１と、抵抗素子３４とを有する。第２ＳＴＩ分離層３３は、第１ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。第２ＳＴＩ分離層３３上には、電気抵抗を得るために用いられる抵抗素子３４が、絶縁膜４１を介して形成されている。絶縁膜４１は、製造過程において第２ＳＴＩ分離層３３に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子３４に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 （もっと読む）

【課題】素子の配列の正確度が向上した液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁マザー基板を提供し、波長が３５５ｎｍ未満であり、絶縁マザー基板が１０％以上の吸光率を有するようなレーザ光を照射して、絶縁マザー基板の内部にアラインマークを形成し、形成したアラインマークを基準に絶縁マザー基板上に多数の素子を形成し、絶縁マザー基板をカットして複数の絶縁単位基板を形成することを含む液晶表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コストの抑制、生産性の向上等を実現できるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板上に第１バンクを形成する処理と、第１バンクによって形成された開口部に、吐出ヘッドより第１の機能液を供給して、開口部の内側に、ゲート電極を形成する処理と、開口部に、吐出ヘッドより第２の機能液を供給して、開口部の内側のゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する処理と、開口部に、吐出ヘッドより第３の機能液を供給して、開口部の内側のゲート絶縁膜上に、半導体層を形成する処理と、を含む。 （もっと読む）