【課題】生産工程が単純化された薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置
【解決手段】絶縁基板１１上の光透過型感光性樹脂１２の開口部に形成されたゲート電極１３と、光透過型感光性樹脂及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜１４と、
ゲート絶縁膜の一部の上に形成された半導体層１５、オーミックコンタクト層１６及び保護膜１７と、ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層及び保護膜上の光透過型感光性樹脂１８の２つの開口部に形成されたソース・ドレイン電極１９とを備え、前記ゲート電極及びソース・ドレイン電極が、金属微粒子を含有するインクを用いたインクジェット塗布により形成された電極であることを特徴とする薄膜トランジスタ （もっと読む）

【課題】 高いパターン形成が可能で、かつ生産性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 各画素にＴＦＴ３０が形成されるアクティブマトリクス基板の製造方法において、例えばＴＦＴ３０を構成するゲート電極３１をガラス基板２０上にパターン形成する際、ガラス基板２０上に前駆体２１を塗布し、前駆体２１が塗布されたガラス基板２０の上方から、多孔質のセラミックからなる平板４０に取付けられた鋳型４１を前駆体２１に押し当てて、鋳型４１により前駆体を吸収することでパターン形成する工程が含まれていることを特徴とする。このような押印法によるパターン形成によれば、高いパターン形成が可能であり、また多孔質な平板４０によっても前駆体２１を吸収するため、鋳型４１の交換回数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 基材に反りが生じるのを防ぐことができる透明電極用基板、その製造方法および装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材１１の一方の面１１ａに透明導電膜１２が設けられた透明電極用基板１０を、スプレー熱分解法により製造するにあたって、他方の面１１ｂに溝１３が形成された基材１１を用い、他方の面１１ｂから基材１１を加熱しつつ、一方の面１１ａに、原料溶液をスプレー状に噴射することによって透明導電膜１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる水平電界薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、基板上に形成されたゲートライン１０２と、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜とを介して交差され画素領域を定義するデータライン１０４と、ゲート電極とソース電極とドレイン電極１１２及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、基板上に形成された共通ライン１２０と、画素領域に形成された共通電極１２２及び画素領域に共通電極１２２と水平電界を形成するための画素電極１１８を含み、データライン１０４とソース電極及びドレイン電極が不透明導電パターン及び透明導電パターンを備え、画素電極１１８はドレイン電極の透明導電パターンが伸張され形成され、保護膜が透明導電パターンと境界を成し、透明導電パターンを除いた残りの領域に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像データ信号と感知信号のカップリングを相対的に減らすことができ、外部環境の変化に影響をあまり受けずに高解像度を実現することができる表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、感知素子を内蔵した表示装置に関し、この表示装置は第１及び第２表示領域を有する表示板を含み、この表示板は、第１表示領域に位置する複数の第１画素、第２表示領域に位置する複数の第２画素、そして第２表示領域に位置し、使用者の接触によって外部光を受けて光量に基づいた感知信号を出力する複数の光感知部を含む。本発明によれば、第１表示領域と第２表示領域を分離し、第２表示領域に光感知部を形成することによって、画像データ信号と感知信号のカップリングを相対的に減らすことができ、外部環境の変化に影響をあまり受けずに高解像度を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域およびその近傍への迷光の入射を防ぐことが可能で光リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた配線パターン５と、配線パターン５を覆う層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に設けられた半導体層９と、ゲート絶縁膜１１を介して半導体層９上を横切る状態で設けられ層間絶縁膜７に形成された接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されたゲート電極１３とを備えた薄膜半導体装置１において、ゲート電極１３は、ゲート電極１３が上部に重ねて配置された半導体層９のチャネル領域９ａを挟んだ両側において、接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】黒表示時における斜め方向の光漏れ及び白表示時における色付きの双方を抑制することができる広視野角の半透過型液晶表示装置の提供。
【解決手段】第１の基板（対向基板）の視認面側に第１の基板側から第２位相差板４と第１位相差板３と第１偏光板２とを備え、第２の基板（アクティブマトリクス基板）のバックライト側に第２の基板側から液晶フィルム８と第３位相差板９と第２偏光板１０とを備える構成において、基板の両側に配置される液晶フィルム８のチルト方向と第２位相差板４の遅相軸とを略直交するように配置することにより、プレチルトを起因として生じる位相差の異方性を補償して黒表示時の斜め方向の光漏れを抑制することができると共に、各波長での分散のずれを抑制して白表示時の色付きも抑制することができ、広視野角の半透過型液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗かつ膜質の面内均一性に優れた導電膜を廉価に再現性良く形成することが可能な導電膜の形成方法及び導電膜を提供する。
【解決手段】 本発明の導電膜の形成方法は、金属酸化物粒子を含有する塗布液を基材上に塗布して塗布膜とし、この塗布膜に３２０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下の波長のレーザ光を照射することにより、この塗布膜を導電膜とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルにおいてデータ線の負荷容量の増大およびバラツキを防止する。
【解決手段】液晶に電界を印加する駆動基板１の一部に対向基板１０が重ねられ、当該２枚の基板間に液晶が封入されて表示部が形成されている液晶表示パネルにおいて、駆動基板１は、対向基板１０が重ねられていない周辺領域の一方側に形成され、映像信号に応じて液晶に電界を付与する電圧を印加するデータ線ドライバを接続するために、表示部から引き出されている複数Ｎ本のデータ線ＤＬのうち対応するデータ線に電気的に接続されている複数のドライバ接続端子２Ｃと、複数のドライバ接続端子と反対側の周辺領域に形成され、データ線の検査用回路の一部であるがＮ本のデータ線ＤＬから離れ、電気的に非接続となっている検査用回路３とを有する。
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【課題】フォトリゾグラフィ工程の増加を抑えながら信号端子領域をも含めたａ―Ｓｉ層のアイランド化を行い、全体としての寄生容量の増加を抑えることのできるＬＣＤ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】信号配線、信号引出線、信号端子、ドレイン電極の１部、ソース電極の１部となる領域を厚みの薄いレジストパターン（７３，７４、７６）で、ドレイン電極及びソース電極が互いに対向する位置からゲート電極幅を超えた短い距離の領域に厚みの比較的厚いレジストパターン（７１，７２）を形成して、金属層、コンタクト層をエッチングし、これらレジストパターンをリフローさせたリフローレジストパターン（７５，７７）をマスクにして、半導体層をアイランド化（４１０）する。 （もっと読む）

【課題】画素のＴＦＴに隣接する領域の液晶分子の配向の乱れを少なくし、ざらつき感の無い良好な品質の画像を表示することができる垂直配向型のアクティブマトリックス液晶表示素子を提供する。
【解決手段】複数の画素電極３とＴＦＴ４とゲート配線１１及びデータ配線１２を設けた一方の基板１の内面に、複数の画素電極３の周囲の少なくともＴＦＴ４に隣接する部分にそれぞれ対応させて、他方の基板の内面に設けられた対向電極との間に予め定めた値の電界を形成する補助電極１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】 静電気放電保護機能を備えた電子装置を形成するための静電気放電保護を機能備えたより好ましいＴＦＴアレイ構造を提供する。
【解決手段】 基板、第一方向に沿った前記基板の上にある複数の導線、および前記基板の上にあり、それらの少なくとも一つが前記複数の導線の二導線ごとの間に設置され、それぞれが前記導線から電気的に絶縁される複数の導電部を含む静電気放電保護機能を備えるアレイ基板。 （もっと読む）

【課題】曲面状の投影面全面に渡ってフォーカスの合った投影が可能であり、装置構成が簡単な投影型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】投影型液晶表示装置は、光源１０と、曲面状の光出射面２０Ｓを有した液晶表示パネル２０と、光出射面および投影面１Ｓとそれぞれ間隔を置いて配置され、光軸１０１を有した凸レンズ４０とを備えている。凸レンズ４０の焦点距離をｆ、光出射面２０Ｓの出射点２０Ｐから凸レンズの中心Ｏを通って投影面１Ｓの入射点１Ｐに入射する全ての光線で、それぞれ光出射面および凸レンズ間の光線の光軸１０１と平行な第１距離をａ、かつ、凸レンズおよび投影面間の光線の光軸と平行な第２距離をｂ、とした場合、１／ｆ＝１／ａ＋１／ｂとなるよう光出射面が湾曲している。 （もっと読む）

【課題】ホト工程を使用しないでパターニング工程を遂行し製造工程を単純化すると共にアラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させる。
【解決手段】基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布し、エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドを設け、所定の間隔を置いて位置するソフトモールドと基板を１次アラインメントし、ソフトモールドをエッチレジスト上に配置させた後、ソフトモールドと基板を２次アラインメントし、エッチレジストは第１光照射により極性が変化すると共に、ソフトモールドの溝内に移動し、ソフトモールドの溝内に移動したエッチレジストに第２光を照射し、薄膜上にエッチレジストパターンを形成し、エッチレジストパターンからソフトモールドを分離し、薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 何ら不具合が発生することなく高歩留りで製造され、プラスチックフィルムを基板として使用する、有機ＴＦＴを備えたフレキシブルディスプレイを提供する。
【解決手段】 複数の画素ごとにＴＦＴが設けられたアクティブマトリクス型のフレキシブルディスプレイであって、プラスチックフィルム４０上に、接着層３４と、保護層３２と、保護層３２に埋設されたＴＦＴ用のゲート電極３０ａ，３０ｂと、ＴＦＴ用のゲート絶縁層２８と、ＴＦＴ用のソース電極２４ａ，２４ｘ及びドレイン電極２４ｂ，２４ｙと、ドレイン電極２４ｙに電気的に接続された画素電極２６と、ＴＦＴ用の有機活性層３６ａ，３６ｂと、複数の画素電極２６上にそれぞれ形成された、赤色（Ｒ）発光層、緑色（Ｇ）発光層及び青色（Ｂ）発光層を含む有機ＥＬ層３と、金属電極４６と、封止層４８とが形成されている。 （もっと読む）

本発明は、局所的にレジスト膜を形成する手段と、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下におけるプラズマ処理により局所的に成膜、エッチング、若しくはアッシングする手段を用いて、表示装置製造の低コスト化を実現する表示装置の作製方法について提案する。
本発明の表示装置の製造方法は、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下で、局所的に導電膜を形成し、配線を形成する工程を有することを特徴としている。ここで、配線とは、アクティブマトリクス型の表示装置の画素部においてゲート配線やソース配線として機能する配線の他、外部入力端子から画素部へ信号を送るための接続配線や、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と画素電極とを接続するための配線など、全ての配線を含む。
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【課題】 寄生容量の大きさの違いによる輝度不均一を防止できる液晶ディスプレイ装置の提供。
【解決手段】 第１基板、第２基板、及び第１基板と第２基板の間に介装された液晶層を包含する。第２基板はコモン電極線と交錯する第１導電線を包含し、交錯エリア外の第１導電線は第２基板と画素電極の間に位置し、並びに画素電極の第２基板における投影により被覆され、スイッチ素子が第１導電線と第２導電線にそれぞれ接続され、このほか、誘電層が画素電極と第２基板の間に介装され、並びに第１導電線、コモン電極線と第２導電線を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 高速動作が可能で、ある程度の消費電力の削減も図れ、あるいは検査も容易に行える液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 走査線Ｌとデータ線Ｄの交点に対応して液晶表示画素が形成されている液晶表示マトリックス３００と、走査線を駆動する走査線駆動回路１０１，１０２と、データ線を駆動するデータ線駆動回路２１２とを有する液晶表示装置である。データ線駆動回路は、複数段を備えるシフトレジスタ２２０と、データ線の各々の第１の端側に対応して設けられ、シフトレジスタの出力に応じて映像信号をサンプリングするための複数のスイッチ回路２６１とを有し、データ線の各々の第２の端側には線順次デジタルドライバ２１４を有し、データ線駆動回路２１２は、アナログ映像信号に基づいてデータ線を駆動し、線順次デジタルドライバ２１４は、デジタル映像信号に基づいて前記データ線を駆動する。 （もっと読む）

【課題】品質に関わる検査を安定して行うことが可能であり、しかも、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の表示画素によって構成された有効表示部を備えた表示装置であって、有効表示部に駆動信号を供給する駆動回路を有するフレキシブル配線基板を接続するための接続パッドＣＰ１を有したパッド部ＰＰと、有効表示部を検査する際に検査用の信号が供給される検査用配線８０と、を備え、接続パッドＣＰ１は、検査用配線８０と所定の間隔をおいて対向するように配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、ＴＦＴに対する光の入射を未然に防止することで高品位な画像を表示することを可能とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、画素電極、これに接続された半導体層（１ａ）を含むＴＦＴ、該ＴＦＴに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備えている。このうち走査線は、半導体層中のチャネル領域（１ａ´）に対向するゲート電極としての幅狭部（３ａａ）及び前記チャネル領域に対向しない幅広部（３ａｂ）を含む。幅広部は、遮光性材料から構成すると好ましい。 （もっと読む）