電子部品の洗浄に使用する超音波洗浄タンクであって、孔部を有する分流プレートに操作可能な状態で分離された上方部と下方部を有する。ピストン様の層流領域を発生させるために、洗浄タンクは、上方部の内部に突起物や障害物が存在しないように製造されている。孔部を通る洗浄流動体に均質流の発生を促進させるように、分流プレートは下方部内に反圧を提供するようになっている。洗浄流動体は電子部品を通過して上昇する。同時に、超音波トランスジューサが洗浄流動体内に超音波エネルギーを供給し、電子部品から汚染物が取り除かれるように超音波キャビテーション現象を促進する。汚染物は層流によって上方に運搬され、洗浄タンクの上縁部から溢れ出る。洗浄タンクはバッチモードまたは循環モードのどちらかで使用できる。 （もっと読む）

【課題】 大型の被洗浄物に対しても全面にわたって充分な強度の超音波振動を印加した洗浄液を供給することができる超音波洗浄装置用振動板を提供する。
【解決手段】 超音波を発振する超音波振動子２１と、超音波振動子２１によって発振される超音波振動が伝播される振動板２２とを含む超音波洗浄装置用振動板２０において、超音波振動子２１の熱膨張係数と振動板２２の熱膨張係数との差が、±１．７×１０^−６／℃以下になるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 薬液の使用を必要とせず、設備費用、環境負荷などが少なく、被洗浄物の電気的特性が限定されず、被洗浄物に付着する除去対象物質を除去する能力、すなわち洗浄性能および洗浄速度の高いウェット処理装置を提供する。
【解決手段】 洗浄活性種を含む洗浄液を基板４の被洗浄面４ａに吐出するノズル２と基板４を矢符２５の方向に搬送する搬送手段３とを含むウェット処理装置１において、純水受入れ口から供給される純水を電気分解して洗浄活性種を生成させる電界印加手段をノズル２内に設け、該電界印加手段により、陽極で生成する洗浄活性種を含む陽極洗浄液と、陰極で生成する洗浄活性種を含む陰極洗浄水とを調製し、ノズル２の下面に設けられる複数の開口部から別々に被洗浄面４ａに向けて吐出する。 （もっと読む）

【課題】 収納体内に被洗浄物を収納して液洗浄すれば、液洗浄は収納体から少量ずつ排出され、この排出の完了によって浸漬洗浄を完了し収納体から被洗浄物を取り出し可能となる。また、洗浄液を少量ずつ排出させながら清浄化洗浄液を収納体に供給すれば、複数の洗浄槽を順次移動させることなく、一つの収納体内で被洗浄物の高純度の洗浄を可能とする。また、収納体の洗浄液排出と同時にまたは液洗浄の完了後に収納体内に洗浄蒸気を導入すれば、被洗浄物を移動することなく液洗浄と蒸気洗浄とを行うことができる。
【解決手段】 被洗浄物を収納体に収納して洗浄液により液洗浄すると共に、この液洗浄の過程で収納体から洗浄液を少量づつ排出する。また、この排出と並行してまたは排出完了後に洗浄蒸気の供給部から洗浄蒸気を収納体内に導入して被洗浄物の蒸気洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】 処理槽内から処理槽底部の排液口を通って排出された処理液が排液管を通ってドレンボックス内へ流入したときに、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って空の状態の処理槽内へ逆流することを防止できる装置を提供する。
【解決手段】 底部に排液口１４が設けられた処理槽１０、処理槽１０内で基板Ｗを保持するリフタ１８、処理槽１０内の下部に設けられた液体噴出ノズル１２から処理槽１０内へ処理液を供給する手段、処理槽１０の排液口１４に連通接続された排液管６４、密閉され底部にドレン排出口７４が設けられ排液管６４が挿入されるドレンボックス７２、および、排液管６４を通し処理液が排出されて空の状態となった処理槽１０内へドレンボックス７２内部の雰囲気ガスが排液管６４を通って逆流するのを防止する液溜めトラップ８０を備えた。 （もっと読む）

【課題】ワークを液体ホーニング処理するホーニングゾーンと、該ホーニングゾーンで液体ホーニング処理されたワークを洗浄処理する洗浄ゾーンとを、外気から遮断されたハウジング内に互いに隣接して備えた液体ホーニング加工機における洗浄ゾーンの汚染を防止すること。
【解決手段】液体ホーニング加工機１のハウジング４内におけるホーニングゾーン５と洗浄ゾーン６との間には、ホーニングゾーン５の雰囲気ガスが洗浄ゾーン６に流入するのを防止する隔壁７が配設されている。さらに、液体ホーニング加工機１は、ホーニングゾーン５で液体ホーニング処理されたワーク２を、搬送槽11内の液72中に浸漬した状態で、ホーニングゾーン５から洗浄ゾーン６に搬送する液中搬送装置10を、ハウジング４内に備える。 （もっと読む）

【課題】 処理槽の上部空間の雰囲気を排気したときに、排気管内に塩が蓄積することを防止してパーティクル発生の原因を取り除くことができる装置を提供する。
【解決手段】 上部に開口を有し処理液を貯留する処理槽１０、処理槽１０内で基板Ｗを保持するリフタ１８、処理槽１０内へ処理液を供給する手段、処理槽１０の上部開口の上方に設けられた排気口３０に連通接続された排気管３２を通して処理槽１０の上部開口上の雰囲気を排気する排気手段、および、排気管３２の途中に連通接続された純水供給管３４を通して排気管３２内へ洗浄用純水を供給する純水供給手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を用いた基板処理において、乾燥性能を低下させることなくレジスト膜の溶解を抑制する。
【解決手段】基板Ｗの浸漬中に第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６から窒素ガスを吐出し、ケーシング５６０内から不要な酸素や水蒸気を排除しておく。そして、純水から基板Ｗを引き揚げつつ、第２の気体吐出部５６６からＩＰＡ蒸気を吐出する。引き揚げられる基板Ｗには、直接的にＩＰＡ蒸気が吹き付けられるので、基板Ｗの表面にＩＰＡが効率よく凝縮する。このため、乾燥性能を低下させることなく、供給するＩＰＡの濃度を低下させることができ、基板Ｗ表面に形成されたレジスト膜の溶解を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】スピンコーターカップ、半導体ウェハ、液晶ガラス基板等の被洗浄物に被着した
有機被膜を、短時間で除去するとともに、洗浄剤を代えずに多数回にわたり繰り返し洗浄
できる生産性、経済性の優れた洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数の噴射口を備えた洗浄液噴射アーム及びすすぎ液噴射アームを、被洗浄
物の上下に噴射口を前記被洗浄物に向けて回転可能に配設して、洗浄液としての炭酸アル
キレン、すすぎ液としての純水を順に、高速で吹き付けて洗浄及びすすぎを行う。炭酸ア
ルキレンによる洗浄、純水によるすすぎの後に、被洗浄物に向けて高速気体を噴射して液
切りする。洗浄後の炭酸アルキレンは、ヒーターを備えた洗浄液再生槽でオゾンで汚染物
質を分解して循環再使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は半導体基板等の微細構造体からレジストのような残留物を除去するための組成物を提供することにある。
【解決手段】 微細構造体から残留物を除去するための組成物であって、二酸化炭素と、化学式ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴Ｆ（Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ独立して水素またはアルキル基を示す。）で示されるフッ化物を含む残留物除去用添加剤と、高圧下で液体状になっている前記二酸化炭素に前記添加剤を溶解させるための相溶化剤とを含むことを特徴とする残留物除去用組成物である。 （もっと読む）

【課題】 水分の脱離及び付着を確実に抑制することができるセラミック溶射部材の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、記憶媒体、及びセラミック溶射部材を提供する。
【解決手段】 基材２１０と、溶射によって基材２１０の表面に形成される溶射被膜２２０とを有するセラミック溶射部材２００を、圧力が２０２．６５ｋＰａ以上、相対湿度が９０％以上の環境下において、温度が１００〜３００℃程度の炉の中で１〜２４時間加熱することにより溶射被膜２２０の外表面を水和処理し、溶射被膜２２０の外表面において主としてセラミックの水酸化物から成る水和処理層２２１を形成し、次に、例えば、圧力が１０１．３ｋＰａの乾燥炉内において、温度が１００℃程度で約２時間以上加熱し、水和処理層２２１に付着した水分を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 薬液処理後の基板面を洗浄した後の洗浄液を、再利用のために、簡単な構成で効率よく回収する。
【解決手段】 第１リキッドナイフ４２１が吐出した洗浄液と、第２リキッドナイフ４２２が吐出した洗浄液とを、基板Ｇ上における第１リキッドナイフ４２１と第２リキッドナイフ４２２との間の領域で衝突させ、この衝突によって基板Ｇの面上で洗浄液の乱流を形成させる。ローラ８１によって搬送される基板Ｇは、基板搬送方向に直交する基板幅方向において傾斜させているため、前工程で処理が施されて基板上に残存している処理液は、基板上で発生した当該乱流によって、傾斜姿勢とされている基板Ｇの下側の側端部に向けて流れる。基板Ｇの幅方向における下側の側端部から流れ落ちた洗浄液を、液置換槽４１の底面に設けられている第１排液口４１１に流入させる。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの液滴を広範囲に噴射でき、液滴が噴射された構造体に短時間で大きな損傷を与えることができ、金属材料の表面の錆や異物を除去する洗浄作業、表面の劣化塗料やコンクリート劣化層、砥石表面の磨耗層を除去するハツリ作業、金属材料や無機材料等の表面と塗料との密着性を向上させるためのアンカーパターン形成、溶接部の酸化皮膜除去等の大面積の表面改質処理、コンクリートや石材等の切断作業等を短時間で行うことができ作業性に優れる液滴噴射ノズルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、高圧液体が供給される液体室と、前記液体室の下流側端部に配設若しくは形成された複数のオリフィス孔部と、前記オリフィス孔部の下流側に配設若しくは形成された噴射口と、隣り合う前記オリフィス孔部間の前記液体室の下流側端部に配設若しくは形成され前記液体室を区画する隔壁と、を備える。
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【課題】 高濃度の薬液ではなく純水のみを用い、しかも複数の薬液槽、純水吐出装置などを用いることがなく、かつ基板汚染物の基板表面からの剥離除去と基板外への排除とを連続して行い得る基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】 水平面２に対して傾斜角度θ１をなすように基板１を傾斜姿勢で保持し、この基板１の被洗浄面１ａに、被洗浄面１ａから間隔ｄ１を開けて純水噴射手段３から加圧状態にある純水を噴射し、被洗浄面１ａ上において上部から下部へ一方向に流れる液膜７を発生させ、被洗浄面１ａに付着する基板汚染物を除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液や処理液の活性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除去能力を大幅に向上させることができる。
【解決手段】基板Ｗに供給された洗浄液Ｓに対してＵＶ照射部３１から紫外線を照射する。このときオゾンを含む洗浄液Ｓは紫外線が照射されたことによって、“O₃ → O(³p)＋ O₂ ”のような励起状態をとり、低エネルギーで酸素ラジカルを得ることができる。したがって、酸素ラジカルを容易に発生させることができ、洗浄液Ｓの活性度を高めることができて、洗浄能力を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージがなく、化学物質等を使用せずに、レジスト剥離能力が高く、しかも構造が簡単なレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】レジストが被着した状態の基板１２を回転機構１３により所定の方向に回転させ、基板上のレジストにスチームおよび粒径の制御された水ミストを噴射することで、スチーム１４の作用により基板１２からレジストを浮き上がらせ、粒径の制御された水ミストにより基板１２から浮き上がっているレジストを剥離させる。 （もっと読む）

【課題】処理むらを防止でき，かつ，パーティクルの発生を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽２に入れた処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する基板処理装置１において，基板Ｗの周縁部を保持溝１５に挿入させることにより基板Ｗを処理液中に保持する保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを備え，前記保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持された基板Ｗの周縁部に対して，基板Ｗのほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給する回転用流体供給口５１と，前記保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持された基板Ｗの周縁部に対して，基板Ｗのほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給する離隔用流体供給口１６と，を備えた。 （もっと読む）

【課題】 各種の薬液処理、水洗及び乾燥処理を同一の処理槽で処理できるようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 上方に開口部を有する箱型の処理槽１１と、この処理槽の開口部を開閉自在に覆う蓋体２１とを備えた基板処理装置において、前記蓋体２１は、その内部に被処理基板Ｗを収容して乾燥する乾燥室２３が形成され、前記処理槽１１は、前記箱型を構成する対向各側壁面に、それぞれ少なくとも３本の処理液供給ノズル管１４ａ〜１４ｃ、１４ａ'〜１４ｃ'が所定間隔をあけて水平に配設され、これらの供給ノズル管１４ａ〜１４ｃ、１４ａ'〜１４ｃ'は切換機構に接続されて対向する側壁側から交互に切り換えて処理液が供給される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理時のウォーターマーク発生をより確実に防止することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理ユニットＳＳには、二つのリンスノズル４１，５１が設けられており、それぞれ独自に別駆動される。洗浄用の混合流体を吐出する洗浄リンスノズル４１は、窒素ガスと純水とを混合して純水液滴を含む混合流体を生成吐出する二流体ノズルである。液膜形成のためのカバーリンスノズル５１も純水液滴を含む混合流体を生成吐出する二流体ノズルである。基板Ｗの直接の洗浄処理を担当する洗浄リンスノズル４１だけでなく、カバーリンスノズル５１をも混合流体を吐出する二流体ノズルとしているため、基板Ｗが疎水性基板であっても、その上面に均一な薄い純水水膜が形成され、洗浄処理時のウォーターマーク発生をより確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理原液を補充するのに最適な時期を決定し，処理液の成分比率と液量とを安定して確保すると共に，処理液の消費量を最小限に抑えることができる処理装置を提供する。
【解決手段】貯留タンク３０に所定の割合で複数の処理原液を補充し，貯留タンク３０内の処理液を基板Ｗに供給して処理する処理装置において，基板Ｗの処理枚数と処理時間とに対応して処理原液を貯留タンク３０に補充する補充機構４０を設け，処理原液を混合して生成した処理液を基板Ｗに供給する。 （もっと読む）