基板処理装置及び基板処理方法

【課題】処理むらを防止でき，かつ，パーティクルの発生を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽２に入れた処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する基板処理装置１において，基板Ｗの周縁部を保持溝１５に挿入させることにより基板Ｗを処理液中に保持する保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを備え，前記保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持された基板Ｗの周縁部に対して，基板Ｗのほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給する回転用流体供給口５１と，前記保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持された基板Ｗの周縁部に対して，基板Ｗのほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給する離隔用流体供給口１６と，を備えた。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，例えば半導体基板等の被処理体を処理槽内の処理液に浸漬させて洗浄等の処理を行う基板処理装置，及び，基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を処理槽内に貯溜した処理液に浸漬させ，ウェハに洗浄などの処理を施す工程が行われている。処理槽内には，複数の保持溝が並べて設けられた保持部材が備えられ，ウェハの周縁部を各保持溝に挿入させることにより，ウェハを等間隔で並べて保持するようになっている。
【０００３】
従来，ウェハの周縁部にローラを接触させ，ローラの回転によってウェハを周方向に回転させる装置が知られている（例えば，特許文献１，２参照）。また，ウェハの周縁に沿って液流を噴出させることにより，ウェハを周方向に回転させる装置が知られている（例えば，特許文献３参照）。このようにウェハを回転させ，保持溝に対して周縁部を移動させると，処理液が周縁部にも効率よく接触するので，ウェハの処理むらを防止することができる。
【０００４】
【特許文献１】特許第３５２９０３０号
【特許文献２】実用新案登録第２５８７３０４号
【特許文献３】特開平１１−３０７４９０号公報
【０００５】
しかしながら，ローラによってウェハを回転させる場合，ローラとウェハの周縁部とが擦れて摩耗し，パーティクルが発生する問題があった。また，保持溝上でウェハを回転させると，保持溝とウェハの周縁部の間でも摩耗が生じ，パーティクルが発生する問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は，処理むらを防止でき，かつ，パーティクルの発生を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため，本発明によれば，処理槽に入れた処理液中に基板を浸漬させて処理する基板処理装置であって，基板の周縁部を保持溝に挿入させることにより基板を処理液中に保持する保持部材を備え，前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給する回転用流体供給口と，前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給する離隔用流体供給口と，を備えたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【０００８】
この基板処理装置にあっては，前記離隔用流体供給口を前記保持溝に設けても良い。また，前記離隔用流体供給口を前記保持溝の最奥部に設け，前記保持溝の内側に，基板の表裏面に対して略垂直に第２の基板離隔用流体を供給する第２の離隔用流体供給口を設けても良い。
【０００９】
処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体及び／又は基板回転用流体として供給するようにしても良い。また，処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体として供給する離隔用流体供給路と，処理槽内の処理液を回収して前記基板回転用流体として供給する回転用流体供給路とを備え，前記離隔用流体供給路と回転用流体供給路とに，それぞれポンプを備えても良い。さらに，前記保持溝を前記保持部材に複数設け，前記複数の保持溝の各々に前記基板を挿入して，前記基板を複数枚並べて保持し，隣り合う基板同士の間に向かって処理液を供給する処理液供給口を設けても良い。
【００１０】
また，本発明によれば，処理槽に入れた処理液中に基板を浸漬させて処理する基板処理方法であって，基板の周縁部を保持溝に挿入させて基板を処理液中に保持し，前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給することにより，基板の周縁部を前記保持溝から離隔させながら，前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給して基板を回転させることを特徴とする，基板処理方法が提供される。
【００１１】
この基板処理方法にあっては，処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体及び／又は基板回転用流体として供給しても良い。また，前記基板離隔用流体の流量と前記基板回転用流体の流量を，それぞれ制御するようにしても良い。前記基板を複数枚並べて処理液中に保持し，隣り合う基板同士の間に向かって処理液を供給するようにしても良い。
【００１２】
また，前記基板回転用流体の供給より先に，前記基板離隔用流体の供給を開始するようにしても良い。さらに，基板離隔用流体と基板回転用流体を供給しながら，処理液中に処理液を供給して基板を処理し，処理液の供給を停止し，その後，基板回転用流体の供給を停止した後に，前記基板離隔用流体の供給を停止し，基板を処理槽から搬出するようにしても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば，基板離隔用流体の供給によって基板を保持溝から離した状態とし，基板回転用流体の供給によって基板を回転させる構成としたことにより，基板の周縁部が摩耗せず，パーティクルが発生することを防止できる。基板を保持溝から離すことにより，基板を円滑に回転させることができる。基板を回転させることにより，基板全体を均一に処理することができる。特に，保持溝に対して基板の周縁部が移動することにより，処理液が基板の周縁部に効率よく接触するので，周縁部の処理むらを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板としてのウェハＷを洗浄する基板処理装置に基づいて説明する。図１及び図２に示すように，本実施の形態にかかる基板処理装置１は，処理液を貯溜する処理槽２を備えている。処理槽２は，内槽３と，内槽３の上部の開口を囲むように形成された外槽４によって構成されている。
【００１５】
内槽３の内部にはウェハガイド１０が設置されている。ウェハガイド１０には，複数枚の略円板形のウェハＷを並べて保持するための３本の保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが設置されている。保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは，それぞれ内槽３の左側面，右側面，底部に沿って，前後方向（図１において手前側から後側に向かう方向）に向けて延設されている。
【００１６】
図３に示すように，各保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃには，ウェハＷの周縁部が挿入される断面略Ｙ字状の保持溝１５が前後方向に複数並べて設けられている。各ウェハＷは，各保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの保持溝１５に右端部，左端部，下端部をそれぞれ挿入させた状態で保持され，これにより複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて配列されるようになっている。各保持溝１５の内側には，基板離隔用流体として処理液を供給する離隔用流体供給口１６が設けられている。図３及び図４に示すように，各離隔用流体供給口１６は，保持溝１５の最奥部である底面に開口されており，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持されたウェハＷの周縁部に対して，ウェハＷのほぼ中心に向かって離隔用処理液を噴射するように設けられている。ウェハＷの周縁部は離隔用処理液によって押し上げられ，保持溝１５の内面から離れて処理液中に浮いた状態で，保持溝１５内に保持される。保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの内部には，各離隔用流体供給口１６に処理液を供給するための供給管路１７が設けられている。
【００１７】
図１に示すように，供給管路１７には，離隔用流体供給管２１が接続されている。離隔用流体供給管２１の上流端は，内槽３の側壁に開口された導出管２２を介して，内槽３に接続されている。本実施の形態において，離隔用流体供給路２３は，導出管２２と離隔用流体供給管２１とによって構成されている。離隔用流体供給管２１には，ポンプ２５及びフィルタ２６が上流側からこの順に介設されている。離隔用流体供給管２１はフィルタ２６の下流側で分岐して，各保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの供給管路１７に接続されている。従って，ポンプ２５を駆動させると，内槽３内の処理液が導出管２２に流入して離隔用流体供給管２１に供給され，フィルタ２６を通過して浄化された後，各保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの供給管路１７に送液され，各離隔用流体供給口１６から保持溝１５内のウェハＷの周縁部に向かって供給される。こうして，内槽３内の処理液を回収して離隔用処理液として供給するようになっている。なお，ポンプ２５としては，例えばマグネットポンプ，軸流ポンプ又は渦巻きポンプ等を使用しても良く，無脈動のものを使用すると良い。
【００１８】
また，図１に示すように，内槽３の内部には，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂが設けられている。各処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂには，処理液を吐出させる複数の処理液供給口３１が，ウェハＷの配列方向（前後方向）に沿って並べて開口されている。なお，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂは，ウェハガイド１０によって保持されたウェハＷの下方に配置され，上方に向かって処理液を噴出させることが好ましい。そうすれば，処理液供給口３１から供給される処理液によって，ウェハＷに接触した処理液を押し上げて内槽３から外槽４にオーバーフローさせることができ，処理液が効率良く置換される。図示の例では，ウェハＷの左下方と右下方に，それぞれ処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂを配置している。また，各処理液供給口３１は，隣り合うウェハＷ同士の間の隙間に向かって開口させ，各隙間に向かって処理液を噴射するように配置すると良い。このようにすると，ウェハＷの間に処理液が効率良く流れ，ウェハＷの表裏面に処理液が効率的に供給されるので，処理効率を向上させることができる。さらに，各処理液供給口３１からウェハＷのほぼ中心側に向かって処理液が供給されるようにしても良い。これにより，ウェハＷの中心側まで処理液の液流をより効率良く接触させることができる。
【００１９】
各処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂには，外槽４から処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂに処理液を循環させるための循環路３５が接続されている。循環路３５の入口は，外槽４の底面に接続されている。循環路３５には，ポンプ３７，フィルタ３８，ヒータ３９が外槽４側からこの順に介設されている。循環路３５はヒータ３９の下流側で分岐して，各処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂに接続されている。従って，ポンプ３７を駆動させると，内槽３から外槽４にオーバーフローした処理液が循環路３５によって送液され，フィルタ３８を通過して浄化され，ヒータ３９によって温度調整された後，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂによって再び内槽３内に供給されるようになっている。このように，処理液の再利用を図り，その消費量を節約している。なお，ポンプ３７としては，例えばベローズポンプ又は軸流ポンプ等を使用しても良く，無脈動のものを使用すると良い。
【００２０】
さらに，内槽３の内部には，ウェハＷを回転させるように液流を発生させる回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂが設けられている。図５に示すように，各回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂには，基板回転用流体として処理液を供給する複数の回転用流体供給口５１が，ウェハＷの配列方向（図５においては左右方向）に並べて開口されている。図１に示すように，各回転用流体供給口５１は，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃによって保持されたウェハＷの周縁部に対して，ウェハＷのほぼ周方向に向かって回転用処理液を噴射するように設けられている。また，回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂの各回転用流体供給口５１，互いに同じ回転方向に沿う向き（図示の例では，ウェハＷを左回転させる方向）に回転用処理液を噴射するように向けられている。図示の例では，ウェハＷの左下に配置された回転用流体ノズル５０Ａの回転用流体供給口５１は，右下に向かって回転用処理液を噴射し，ウェハＷの右下に配置された回転用流体ノズル５０Ｂの回転用流体供給口５１は，右上に向かって回転用処理液を噴射するようになっている。従って，ウェハＷの周縁部は，回転用流体供給口５１から供給される回転用処理液によって左回転方向に押し動かされ，これによりウェハＷが左回転するようになっている。なお，各回転用流体供給口５１は，各ウェハＷの周縁に対応した位置に配置すると良い。このようにすると，回転用処理液がウェハＷの周縁部に効率的に供給され，ウェハＷを効率良く回転させることができる。
【００２１】
回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂには，回転用流体供給管５５が接続されている。回転用流体供給管５５は，前述した導出管２２を介して内槽３に接続されている。図示の例では，導出管２２の下流端から前述した離隔用流体供給管２１と回転用流体供給管５５とが分岐するように設けられている。本実施の形態において，回転用流体供給路５６は，導出管２２と回転用流体供給管５５とによって構成されている。回転用流体供給管５５には，ポンプ５７及びフィルタ５８が上流側からこの順に介設されている。回転用流体供給管５５はフィルタ５８の下流側で分岐して，各回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂに接続されている。従って，ポンプ５７を駆動させると，内槽３内の処理液が導出管２２に流入して回転用流体供給管５５に供給され，フィルタ５８を通過して浄化された後，各回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂに送液され，各回転用流体供給口５１からウェハＷの周縁部に向かって供給される。即ち，内槽３内の処理液を回収して回転用処理液として供給するようになっている。なお，ポンプ５７としては，例えばマグネットポンプ，軸流ポンプ又は渦巻きポンプ等を使用しても良く，無脈動のものを使用すると良い。
【００２２】
次に，以上のように構成された基板処理装置１を用いた処理方法について説明する。先ず，図示しない搬送装置によって，ウェハＷを複数枚並べて保持した状態で，内槽３の開口上方に搬送する。そして，処理液が貯留された内槽３内に搬送装置を下降させ，複数枚のウェハＷを処理液に浸漬させ，ウェハガイド１０に受け渡す。ウェハガイド１０にウェハＷを受け渡したら，搬送装置を上昇させて内槽３から退出させる。各ウェハＷは，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの各保持溝１５に周縁部が挿入された状態で，所定間隔を空けて保持される。なお，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの各保持溝１５にウェハＷの周縁部が挿入される前に，離隔用流体供給口１６から離隔用処理液の供給を開始しても良い。そうすれば，保持溝１５にウェハＷの周縁部を挿入させる際，ウェハＷの周縁部が離隔用処理液によって保持溝１５から離隔する向きに押されるので，ウェハＷの周縁部を保持溝１５の内面に接触させることなく，保持溝１５内に挿入させることができる。また，ウェハＷの周縁部を保持溝１５に挿入してから，離隔用流体供給口１６からの処理液の供給を開始しても良い。
【００２３】
こうしてウェハガイド１０にウェハＷを保持させた状態で，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂから処理液を隣り合うウェハＷ同士の間に向かって供給して，ウェハＷの間から上方に向かう液流を形成し，内槽３から処理液をオーバーフローさせながらウェハＷを液処理する。さらに，回転用流体ノズル５０Ａ，５０ＢからウェハＷの周縁部に対して，ウェハＷの周方向に沿って回転用処理液を供給する。各ウェハＷは，回転用処理液の液流に沿って，ウェハＷの中央部を中心として左回転させられる。こうしてウェハＷを回転させて処理することにより，ウェハＷ全体を均一に処理することができる。また，ウェハＷの周縁部は，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの各保持溝１５に対して左回転方向に移動する。従って，ウェハＷの左端，右端，下端が保持溝１５内に挿入されたままにならず，処理液がウェハＷの周縁部全体に効率良く接触するので，ウェハＷの周縁部に処理むらが発生することを防止できる。
【００２４】
各保持溝１５内では，離隔用流体供給口１６から離隔用処理液を噴出させることにより，ウェハＷの周縁部が保持溝１５の内面から離隔した状態で保持される。図３に示すように，離隔用流体供給口１６から供給された処理液は，ウェハＷの周縁に対して略垂直に，ウェハＷのほぼ中心に向かって噴出される。これにより，ウェハＷの周縁が保持溝１５の外側に向かって押され，保持溝１５の最奥部から離隔する。また，離隔用処理液はウェハＷの周縁と最奥部との間からウェハＷの表裏面側に分かれるように流れ，ウェハＷの表裏面と保持溝１５の両側面との間をそれぞれ通過して，保持溝１５の外側に放出される。従って，ウェハＷの表面周縁部と裏面周縁部も，離隔用処理液の液流によって保持溝１５の両側面から押し離された状態になる。このように，ウェハＷは保持溝１５内に挿入されながらも，保持溝１５の内面に接触せず，処理液中に浮遊した状態で保持される。従って，ウェハＷを回転させても，ウェハＷの周縁部と保持溝１５とが摺擦しないので，ウェハＷの周縁部や保持溝１５が摩耗したり，摩耗によりパーティクルが発生したりすることを防止できる。また，ウェハＷを円滑に回転させることができる。なお，離隔用処理液の供給は，回転用流体の供給より先に開始することが好ましい。そうすれば，ウェハＷの周縁部を保持溝１５から離隔させた状態でウェハＷの回転を開始させることができるので，ウェハＷと保持溝１５が摺擦せず，回転を円滑に開始させることができる。
【００２５】
内槽３中の処理液の一部は，離隔用流体供給路２３及び回転用流体供給路５６によって回収され，離隔用処理液又は回転用処理液として再利用される。また，外槽４にオーバーフローした処理液は，循環路３５によって循環され，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂから再び内槽３内に供給される。こうして処理液の再利用を図ることにより，処理液の消費量を節約することができる。
【００２６】
離隔用処理液の供給流量又は供給圧力は，離隔用流体供給管２１に備えたポンプ２５によって調整し，ウェハＷの周縁部が保持溝１５から飛び出したりしないように制御する。また，回転用処理液の供給流量又は供給圧力は，回転用流体供給管５５に備えたポンプ５７によって調整し，これによりウェハＷの回転速度を制御するようになっている。このように，離隔用流体供給管２１と回転用流体供給管５５にそれぞれポンプ２５，５７を備え，離隔用処理液と回転用処理液を異なるポンプ２５，５７によって送液する構成としたことにより，離隔用処理液の供給流量又は供給圧力，回転用処理液の供給流量又は供給圧力をそれぞれ最適な値に個別に制御することができる。従って，ウェハＷの保持溝１５からの離隔位置と回転を，それぞれ好適に制御することができる。
【００２７】
ウェハＷの処理が終了したら，処理液供給ノズル３０Ａ，３０Ｂからの処理液の供給を停止させた後，回転用処理液の供給を停止させてウェハＷの回転を停止させ，図示しない搬送装置を内槽３の開口上方から下降させ，ウェハガイド１０に保持された複数枚のウェハＷを搬送装置によって把持し，内槽３から上昇させる。こうして，ウェハガイド１０からウェハＷを受け取って内槽３から搬出させる。なお，離隔用処理液の供給は，回転用処理液の供給を停止した後に停止させることが好ましい。このようにすると，ウェハＷの回転が停止するまでは，ウェハＷの周縁部を保持溝１５から離隔させることができるので，ウェハＷや保持溝１５が回転により擦れることを防止できる。そして，回転用処理液と離隔用処理液の供給を停止させ，ウェハＷの周縁部を保持溝１５に接触させた後に，ウェハＷを搬送装置によって把持し，搬出するようにしても良い。また，ウェハＷを搬出する際，離隔用処理液の供給は継続し，各保持溝１５からウェハＷの周縁部が抜き取られた後に，離隔用処理液の供給を停止するようにしても良い。このようにすると，ウェハＷの周縁部を保持溝１５の内面に接触させることなく，保持溝１５から抜き取ることができる。
【００２８】
かかる基板処理装置１によれば，離隔用処理液の供給によってウェハＷを保持溝１５から離して浮かせた状態とし，回転用処理液の供給によってウェハＷを回転させる構成としたことにより，ウェハＷの周縁部や保持溝１５が摩耗せず，パーティクルが発生することを防止できる。また，ウェハＷを保持溝１５から離すことにより，ウェハＷを円滑に回転させることができる。ウェハＷを回転させることにより，ウェハＷ全体を均一に処理することができる。保持溝１５に対してウェハＷの周縁部を移動させ，ウェハＷの周縁部に処理液を効率よく接触させることができる。従って，ウェハＷの処理むらを防止することができる。
【００２９】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００３０】
本実施の形態では，基板離隔用流体，基板回転用流体として用いる処理液は，それぞれ内槽３内から回収することとしたが，かかる離隔用処理液，回転用処理液は，処理液供給源から直接供給するようにしても良い。即ち，離隔用流体供給口６１Ａ，６１Ｂや回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂを介して，処理液供給源から処理槽２内に処理液が供給されるようにしても良い。
【００３１】
本実施の形態では，基板離隔用流体，基板回転用流体として，それぞれ内槽３内から回収した処理液を用いることとしたが，基板離隔用流体や基板回転用流体はかかるものに限定されない。例えば，基板離隔用流体又は基板回転用流体として気泡を噴出させるようにしても良い。この場合も，気泡流によってウェハＷを保持溝１５から離隔又は回転させることができる。また，例えばＰＯＵ式処理槽のように，処理槽内の処理液を他の処理液に置換したり，処理槽内の液に他の処理液を混合させたりする工程がある場合（例えば，純水に薬液を注入して混合液を生成する場合など）は，かかる他の処理液を基板離隔用流体や基板回転用流体として供給しても良い。例えば，ＰＯＵ式処理槽において，薬液に浸漬させてウェハＷを処理する間は，基板離隔用流体，基板回転用流体としてそれぞれ薬液を使用する。そして，処理槽内の薬液を純水に置換する間は，基板離隔用流体，基板回転用流体をそれぞれ薬液から純水に切り換えて供給する。そして，純水に浸漬させてウェハＷを処理する間も，基板離隔用流体，基板回転用流体としてそれぞれ純水を使用する。このように，処理槽内の処理液の種類に応じて，基板離隔用流体と基板回転用流体の種類も切り換えて供給すると良い。
【００３２】
離隔用流体供給口１６は，各保持溝１５に２個以上設けても良い。例えば図６に示すように，保持溝１５の最奥部に，２個の離隔用流体供給口６１Ａ，６１Ｂを開口させても良い。図６において，離隔用流体供給口６１Ａ，６１Ｂは，保持溝１５の最奥部において左右に並べて設けられ，ウェハＷ周縁の左右に基板離隔用流体を噴射することにより，ウェハＷを保持溝１５の最奥部から離隔させるようになっている。離隔用流体供給口６１Ａから供給された基板離隔用流体は，ウェハＷの周縁右側に向かって供給され，ウェハＷの表面と保持溝１５の左側面との間に流れる。離隔用流体供給口６１Ｂから供給された基板離隔用流体は，ウェハＷの周縁左側に向かって供給され，ウェハＷの裏面と保持溝１５の右側面との間に流れる。この場合も，ウェハＷを保持溝１５から好適に浮かせることができる。
【００３３】
また，例えば図７に示すように，保持部材と別に設けた離隔用流体ノズルに離隔用流体供給口を設けても良い。図７に示す例では，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃに隣接して離隔用流体ノズル６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃがそれぞれ配置されており，各離隔用流体ノズル６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃに，複数の離隔用流体供給口６４がそれぞれ設けられている。各離隔用流体供給口６４は，ウェハＷの周縁に対応する位置に設けられ，ウェハＷの周縁に対して略垂直方向に，基板離隔用流体を噴出するようになっている。このようにしても，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの保持溝１５からウェハＷを離隔させて保持することができる。
【００３４】
また，例えば図８に示すように，保持溝１５の内側に，第２の基板離隔用流体を供給する第２の離隔用流体供給口を設けても良い。図８においては，保持溝１５の左側面及び右側面に，それぞれ第２の離隔用流体供給口６５Ａ，６５Ｂが開口されている。第２の離隔用流体供給口６５Ａは，ウェハＷの表面に対して略垂直に第２の基板離隔用流体を噴出し，第２の離隔用流体供給口６５Ｂは，ウェハＷの裏面に対して略垂直に第２の基板離隔用流体を噴出するようになっている。この場合も，ウェハＷの表裏面を第２の基板離隔用流体によって押すことで，保持溝１５の左右両側面から効果的に離隔させることができる。なお，第２の基板離隔用流体としては，様々な流体を用いることが可能である。例えば図８に示すように，第２の離隔用流体供給口６５Ａ，６５Ｂを供給管路１７に接続して，処理液を第２の基板離隔用流体として供給するようにしても良い。
【００３５】
回転用流体供給口は回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂに設けることとしたが，例えば図９に示すように，回転用流体供給口を保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃに設けても良い。図９に示す例では，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの保持溝１５の最奥部に離隔用流体供給口６７が設けられ，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃの側面に，回転用流体供給口６８が設けられている。回転用流体供給口６８は，離隔用流体供給口６７に対して傾斜した方向に向かい，ウェハＷの周方向に沿った方向に向かって基板回転用流体を噴出するようになっている。このようにしても，基板離隔用流体によってウェハＷを保持溝１５から離隔させながら，基板回転用流体をウェハＷの周縁部に沿って噴射して，ウェハＷを回転させることができる。なお，回転用流体供給口６８は保持溝１５内に開口させても良い。また，保持溝１５に離隔用流体供給口６７を設けず，保持部材１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃに回転用流体供給口６８のみを設け，離隔用流体供給口６７は，保持部材と別に設けた離隔用流体ノズルなどに設けることとしても良い。この場合も，ウェハＷを保持溝１５から離隔させながら基板回転用流体によって回転させることができる。
【００３６】
本実施の形態では，離隔用流体供給路２３と回転用流体供給路５６にそれぞれポンプ２５，５７を備えることとしたが，図１０に示すように，同一のポンプによって基板離隔用流体と基板回転用流体を送液するようにしても良い。図１０に示す例では，内槽３に接続された導出管７０にポンプ７１，フィルタ７２が介設されており，フィルタ７２の下流側において，離隔用流体供給管７５と回転用流体供給管７６とが分岐して設けられている。そして，導出管７０と離隔用流体供給管７５とによって離隔用流体供給路８１が構成され，導出管７０と回転用流体供給管７６とによって回転用流体供給路８２が構成されている。従って，ポンプ７１の駆動により，内槽３内の処理液が導出管７０に流入してフィルタ７２を通過して浄化された後，離隔用流体供給管７５と回転用流体供給管７６とにそれぞれ送液される。なお，この場合，ポンプ７１としては，例えば渦巻きポンプ等を使用すると良く，無脈動のものを使用すると良い。また，離隔用流体供給管７５と回転用流体供給管７６に，それぞれ流量調節弁８５，８６を介設しても良い。このようにすれば，流量調節弁８５，８６によって，基板離隔用流体の供給流量と基板回転用流体の供給流量をそれぞれ個別に制御することができる。
【００３７】
本実施の形態では，ウェハガイド１０は内槽３内に固定され，搬送装置が内槽３内に昇降する構成とし，内槽３内において搬送装置とウェハガイド１０との間でウェハＷの受け渡しする場合を説明したが，図１１に示すように，ウェハガイド１０を内槽３に対して昇降可能にして，内槽３の外部において，ウェハガイド１０にウェハＷを保持させるようにしても良い。この場合も，基板回転用流体の供給を開始するより先に，離隔用流体供給口１６から基板離隔用流体の供給を開始して，ウェハＷの周縁部を保持溝１５から離隔させた状態にしてから，回転用流体ノズル５０Ａ，５０Ｂから基板回転用流体を供給して，ウェハＷを回転させることとしても良い。また，ウェハＷを内槽３から搬出するときは，基板回転用流体の供給を停止してウェハＷの回転を停止させた後に，離隔用流体供給口１６からの基板離隔用流体の供給を停止することとしても良い。このようにすると，ウェハＷの回転中は，常にウェハＷの周縁部を保持溝１５から離隔させることができる。従って，ウェハＷが擦れることを防止できる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は，処理槽を用いて基板の洗浄処理やエッチング処理などの処理を行う基板処理装置，及び，基板処理方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理装置の構成を説明する概略断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線による基板処理装置の概略断面図である。
【図３】保持部材の拡大断面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ線による保持部材の断面図である。
【図５】回転用流体ノズルの斜視図である。
【図６】別の実施の形態にかかる離隔用流体供給口の配置を示す，保持部材の断面図である。
【図７】離隔用流体ノズルに離隔用流体供給口を設けた実施形態にかかる保持部材の断面図である。
【図８】第２の離隔用流体供給口を設けた実施形態にかかる保持部材の断面図である。
【図９】保持部材に回転用流体供給口を設けた実施形態にかかる保持部材の断面図である。
【図１０】別の実施の形態にかかる離隔用流体供給路と回転用流体供給路を示す説明図である。
【図１１】ウェハガイドを内槽に対して昇降させる実施形態にかかる基板処理装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｗウェハ
１基板処理装置
２処理槽
３内槽
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ保持部材
１６離隔用流体供給口
３０Ａ，３０Ｂ処理液供給ノズル
５０Ａ，５０Ｂ回転用流体ノズル
５１回転用流体供給口

【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽に入れた処理液中に基板を浸漬させて処理する基板処理装置であって，
基板の周縁部を保持溝に挿入させることにより基板を処理液中に保持する保持部材を備え，
前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給する回転用流体供給口と，
前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給する離隔用流体供給口と，を備えたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２】
前記離隔用流体供給口を前記保持溝に設けたことを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記離隔用流体供給口を前記保持溝の最奥部に設け，
前記保持溝の内側に，基板の表裏面に対して略垂直に第２の基板離隔用流体を供給する第２の離隔用流体供給口を設けたことを特徴とする，請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体及び／又は基板回転用流体として供給することを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体として供給する離隔用流体供給路と，処理槽内の処理液を回収して前記基板回転用流体として供給する回転用流体供給路とを備え，
前記離隔用流体供給路と回転用流体供給路とに，それぞれポンプを備えたことを特徴とする，請求項１，２，３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記保持溝を前記保持部材に複数設け，
前記複数の保持溝の各々に基板を挿入して，基板を複数枚並べて保持し，
隣り合う基板同士の間に向かって処理液を供給する処理液供給口を設けたことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理槽に入れた処理液中に基板を浸漬させて処理する基板処理方法であって，
基板の周縁部を保持溝に挿入させて基板を処理液中に保持し，
前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ中心に向かって基板離隔用流体を供給することにより，基板の周縁部を前記保持溝から離隔させながら，前記保持部材によって保持された基板の周縁部に対して，基板のほぼ周方向に向かって基板回転用流体を供給して基板を回転させることを特徴とする，基板処理方法。
【請求項８】
処理槽内の処理液を回収して前記基板離隔用流体及び／又は基板回転用流体として供給することを特徴とする，請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記基板離隔用流体の流量と前記基板回転用流体の流量を，それぞれ制御することを特徴とする，請求項７又は８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板を複数枚並べて処理液中に保持し，
隣り合う基板同士の間に向かって処理液を供給することを特徴とする，請求項７，８又は９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記基板回転用流体の供給より先に，前記基板離隔用流体の供給を開始することを特徴とする，請求項７，８，９又は１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
基板離隔用流体と基板回転用流体を供給しながら，処理液中に処理液を供給して基板を処理し，
処理液の供給を停止し，
その後，基板回転用流体の供給を停止した後に，前記基板離隔用流体の供給を停止し，
基板を処理槽から搬出することを特徴とする，請求項７，８，９，１０又は１１に記載の基板処理方法。

【図１】