【課題】半導体ウエハをトップリングに装着したまま、該トップリングをターンテーブル外にずらすことなく、被研磨面の膜厚をリアルタイムで検出できるポリッシング方法を提供する。
【解決手段】回転するターンテーブル１とターンテーブル１とは独立に回転するトップリング３を有するポリッシング装置により、ターンテーブル１の研磨面に、トップリング３で保持した酸化膜が形成された被研磨物を押圧し、被研磨物の被研磨面を研磨するポリッシング方法であって、ターンテーブル１内に設けられた投光部７および受光部８からなる膜厚測定センサＳを、被研磨物の中心の位置する軌道上に配置し、センサＳによって被研磨面の半径位置が異なる複数点の酸化膜の膜厚時間変化を検出し、被研磨面の研磨プロファイルをトップリング３のバックサイドプレッシャーを用いて研磨中に制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で容易に板状被研削物を均一な厚さに研削する。
【解決手段】研削砥石２７がチャックテーブル１０の回転中心Ｘ上に載るようにチャックテーブル１０の回転中心Ｘと研削ホイール２５の回転中心Ｙとをオフセットして配置する。第１のエアーベアリング１３に１対のチャック側圧力ポートを設け、第２のエアーベアリング２６に１対の砥石側圧力ポートを設ける。第１のエアーベアリング１３のハウジング１２は、ウェーハ９の研削砥石２７に対する当たり面の傾斜角を調整可能に構成する。１対のチャック側圧力ポートと１対の砥石側圧力ポートとで検出した圧力差Ｐ_AC、Ｐ_BWに基づいて、第１のエアーベアリング１３のハウジング１２を傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】 膜を研磨する際に研磨中の膜厚を正確に評価する。
【解決手段】 膜の研磨中に、膜の表面に光を照射して時間差Δｔを隔てた研磨時間ｔ及び研磨時間ｔ−Δｔの反射スペクトルの差分信号を算出し、差分信号を解析することによって研磨時間ｔにおける膜の膜厚を評価する膜厚評価方法において、研磨時間ｔ及び研磨時間ｔ−Δｔの反射スペクトルの振幅強度を揃えるように補正する補正ステップと、差分信号の微小変動を抑制する抑制ステップと、差分信号の振幅の中心を揃える振幅成形ステップと、差分信号から不良成分を除去する除去ステップと、の少なくとも１つを実行する。このようにすると、評価された膜厚のばらつきが小さくなり、膜を研磨する際に研磨中の膜厚を正確に評価できる。 （もっと読む）

【課題】 基板の厚みが２５〜５０μｍと極薄となっても、基板の研削工程中に基板の厚み測定誤差を小さくできる２点式インプロセスゲ−ジ機器の提供。
【解決手段】 接触子１７ｂを支持するア−ム１７ｅを冷却する冷却液供給機構２４、２点式インプロセスゲ−ジ機器１７を研削装置の基台より立設して支持する中空支柱１９を冷却する支柱冷却手段２０、および研削液飛散がア−ム１７ｅ，１７ｆや接触子１７ａ，１７ｂに付着するのを防止する防水カバ−２８を設けた２点式インプロセスゲ−ジ機器１７。 （もっと読む）

【課題】装置及び工程を複雑にすることなく、簡単な方法で研削痕が発生するのを防いで良好な研削面を得る。
【解決手段】研削砥石２７（研削手段）を回転させる砥石軸２１（第１回転軸）の回転数をウェーハ９（被研削物）を回転させるチャック回転軸１５（第２回転軸）の回転数で割った回転数比が整数倍とならないように、チャック回転軸１５の回転数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】切削ブレードに付与される超音波振動の振幅を検出することができる振幅検出手段を備えた切削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルを備えたチャックテーブル機構と、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレード４５を備えた切削手段と、切削ブレード４５に超音波振動を付与する超音波振動子と、超音波振動子に交流電力を印加する電力供給手段とを具備する切削装置であって、切削ブレード４５の径方向の振幅を検出する振幅検出手段１０を具備している。 （もっと読む）

【課題】インゴットから切り出されたウェーハの両面を確実かつ効率良く研削してうねりを除去できるようにする。
【解決手段】第一の面及び第二の面を有するウェーハの両面を研削する場合において、凝固した水溶性樹脂２を介してウェーハＷａを支持基板１に固定し、水溶性樹脂２の凝固点より温度が低い研削水４をウェーハＷａに供給しながら第一の面Ｗ１０を研削し、ウェーハＷａを支持基板１から剥離した後にウェーハの第二の面Ｗ２０を研削する。研削水４の温度が水溶性樹脂２の凝固点より低いため、水溶性樹脂２が溶融することなく、ウェーハＷａが強い保持力で保持された状態で第一の面Ｗ１０が研削され、ウェーハＷａが支持基板１から脱落して飛散することなく、ウェーハの両面に形成されたソーマーク及びうねりを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２０〜５０μｍと極薄の半導体基板とするための基板裏面を平面研削・研磨する生産性の高いインライン方式の平坦化装置の提供。
【解決手段】 基板収納ステ−ジ１０１を室外に、基板エッヂ把持型第一搬送ステ−ジ１０３、室内に時計廻り方向に基板ロ−ディング／アンロ−ディングステ−ジｓ_１、粗研削ステ−ジｓ₂、中仕上研削ステ−ジｓ₃および精密研削ステ−ジｓ₄の４つのステ−ジを１台のインデックス回転テ−ブル２に同心円上に配置した研削加工ステ−ジ１０４、一対の基板仮置台１０５ａ，１０５ｂ、２枚の基板を同時に研磨できる研磨加工ステ−ジ１０６、基板エッジ把持型第二搬送ステ−ジ１０８、および洗浄ステ−ジ１０９を備える平坦化装置１００。 （もっと読む）

【課題】 ２重の押圧力印加構造を有して部分的に押圧力を変えられる研磨装置を使用して膜厚分布に応じて研磨量を部分的に異ならせる時に、簡単な構成でより安定な研磨が行える研磨システムの実現。
【解決手段】 部分的に押圧力が可変の研磨装置70と、膜厚分布測定部80と、制御部70とを備える研磨システムであって、制御部70は、平均押圧力とそれに対する部分押圧力の比率の分布である押圧力分布との押圧力研磨量関係及び目標膜厚分布を記憶しており、制御部は、研磨前膜厚分布と目標膜厚分布から必要研磨量分布を算出する研磨量算出部63と、押圧力研磨量関係に基づいて、必要研磨量分布に応じた平均押圧力と押圧力分布を算出する押圧力分布算出部64とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ガラスやシリコン等の硬脆性材料よりなる被加工物の表面を加工する研削装置及びその制御方法に関し、被加工物の加工中に発生する研削抵抗を制御して、加工後の被加工物の表面品質を向上させることを課題とする。
【解決手段】 ベース２０と、ベース２０上に設けられた滑りガイド２２と、滑りガイド２２上に配置され、研削加工部３２を支持するサドル２３と、ベース２０に設けられ、サドル２３を滑りガイド２２に沿って移動させる駆動装置２６と、サドル２３の位置を検出する位置センサ２４と、サドル２３の位置を制御してワーク３１を砥石５６により加工する位置制御手段７７と、サドル２３が受ける研削抵抗が予め取得された所定の研削抵抗パターンとなるようにサドル２３の位置指令値を生成する研削抵抗制御手段７８とを設け、研削抵抗制御手段７８から生成された位置指令値を位置制御手段７７に供給する。 （もっと読む）

【課題】 Ｏリングに代わる部材で、リテーナリングとキャリアプレート間のシールを作業性良く確実に行えるようにする。
【解決手段】 キャリアプレート２２のカバー２４の外周とリテーナリング２３の外周との合わせ目を、双方の外周に跨がるリング状弾性部３３で締めつけることで、合わせ目からのスラリーの侵入を防止する。リング状弾性部材３３は、両外周側に跨がるバンド状の帯状リング体３３ａと、帯状リング体３３ａの内側に設けられた合わせ目の隙間に挿入される突部３３ｂとから構成されている。装着時にはこの突部３３ｂが、合わせ目の隙間部分に挿入されて、リング状弾性部材３３のズレを防止する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス板の端面を加工する装置において、ガラス板の寸法精度を達成するために、ガラス板の中央を吸引によって固定支持する１対の保持台を用い、該保持台を移動しながらガラス板の端面を加工するガラス板端面加工装置が知られているが、保持台の移動させるために加工装置が複雑となり、また保持台を移動させるためのスペースが必要なため、加工装置をコンパクトに構成させるのが困難。
【解決手段】 押し圧ベルトコンベア３と支持ベルトコンベア２、２’とで挟持されているガラス板７の、対向する両縁の中央ライン下面を、吸引ベルトを用いてガラス板７の下面を吸引してガラス板７を保持し、該吸引ベルトを用いる吸引ベルトコンベア１でガラス板７を水平方向に搬送する装置が設けられているガラス板端面加工装置。 （もっと読む）

【課題】被加工物がワックスにより支持基板に固定されている場合において、ワックスを被加工物に残存させることなく、かつ、生産性を低下させることなく、被加工物を支持基板から取り外す。
【解決手段】支持基板の上面に塗布されたワックスを介して被加工物が支持基板に固定されている場合において、加熱によりワックスを酸化させた後に被加工物を支持基板から取り外すことにより、ワックスが付着していない状態で被加工物を取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】 駆動モータの数を減らすことにより低コスト化可能にする。
【解決手段】 ベース（１１）と、被加工物（５１）を保持する複数の保持部（７０）を備えていてベースのベース面（１２）上に配置された搬送部（６０）と、ベース面上に配置されていて第一および第二の加工ヘッド（２４、３４）を備えた加工部（２０）と、加工部を第一および第二の加工ヘッドと共にベース面に沿って摺動させる第一の駆動部（２５）と、第一および第二の加工ヘッドをベース面に対してそれぞれ垂直に移動させる第二の駆動部（２６、３６）とを具備する加工装置が提供される。さらに、搬送部を回転させる第三の駆動部（６５）を具備し、複数の保持部のそれぞれは搬送部の回転上面に設けられるようにしてもよい。 （もっと読む）

基板研磨装置（１０）は、基板（２０）を平坦かつ鏡面に研磨する。基板研磨装置（１０）は、基板（２０）が押圧される研磨テーブル（１２）と、基板（２０）の膜測定のために、研磨テーブル（１２）から基板（２０）に測定光を投光し、基板（２０）から反射光を受光する投受光装置（２４）と、研磨テーブル（１２）の投受光箇所に設けられる流体室（６８）へ、測定光及び反射光が透過する測定用流体を供給する流体供給路（４２）と、流体室（６８）への測定用流体の供給を制御する流体供給制御装置（５６，５８）とを有する。
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【課題】 ガラス基板等の板状部材表面に生じた傷を効果的に除去できる板状部材表面傷修復装置を提供する。
【解決手段】 板状部材Ｗを保持する保持部材２と、保持部材を板状部材の表面方向に平面運動させる平面運動機構３と、板状部材の表面に接触可能な弧状端部Ｋをもつ棒状砥石４と、棒状砥石をその中心軸線Ｏ廻りに回転させる砥石回転機構５と、棒状砥石の弧状端部を板状部材の表面に圧接可能な圧接機構６とを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】 周囲から研磨用スラリーの浸入を規制することができ、研磨対象物の吸着状態を良好に保持することができる研磨用吸着パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 研磨用吸着パッド１２は、液晶ガラス等の研磨対象物を吸着し、その状態で研磨用スラリーにより研磨対象物を研磨するためのものである。連続気泡構造を有する熱硬化性重合体の発泡体よりなる板状体１９の一方の面を研磨対象物の吸着面２０とし、他方の面に研磨時の温度より高い軟化温度を有するホットメルト接着剤層２１が設けられる。そのホットメルト接着剤層２１の軟化温度より高い温度での加熱及び加圧により板状体１９の周縁が圧縮されて圧縮部２３が形成される。その圧縮部２３にはホットメルト接着剤層２１が溶融し浸透して研磨用スラリーの浸入が規制されるとともに、前記加熱及び加圧により板状体１９の他方の面が支持フィルム２２に接着されている。 （もっと読む）

【課題】微細形状のワークピースを研磨するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】微細形状ワークピースを研磨するためのシステム及び方法。一実施形態では、方法は、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断する段階と、微細形状ワークピースの特徴の状態を判断した後に、キャリアヘッド及び／又は研磨パッドを他方に対して移動して研磨パッドに対して微細形状ワークピースを擦る段階とを含む。キャリアヘッドはまた、複数の圧電部材を担持している。本方法は、更に、複数の圧電部材の少なくとも１つに電圧を印加することにより、判断された特徴の状態に応じて微細形状ワークピースの裏面に圧力を加える段階を含む。別の実施形態では、システムは、ワークピースキャリアアセンブリ、複数の圧電部材、研磨パッド、特徴の状態を判断するための測定ツール、及びコントローラを含む。コントローラは、上述の方法を実行するための命令を収容したコンピュータ可読媒体を有することができる。
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【課題】 加速器部品、高精度加工機、分析機器等の機器を高精度に安定して設置し強固に固定するためにコンクリートあるいはモルタル等の床面を高精度に施工する床面施工方法及び該方法に用いる床面研削装置を提供すること。
【解決手段】 床面の第１の所定範囲を研削し、該第１の所定範囲とは異なる第２の所定範囲を前記第１の所定範囲と面一に研削するようにした。また、床面の施工に使用する床面研削装置において、上下移動機構により加工ヘッド部３４を上下移動させて床面の切り込み量を調節する一方、前後移動機構と左右移動機構により加工ヘッド部３４を前後左右に移動させて床面の所定の範囲を研削するようにした。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハの研磨においても、仕上がり研磨面の平坦性を向上させることができる保持ヘッド、研磨装置および研磨方法を実現する。
【解決手段】 本発明の保持ヘッド、研磨装置および研磨方法は、研磨パッドを有する研磨テーブルとウェハ１４とを相対的に動かし、研磨剤を供給しながらウェハ１４の研磨面１５を研磨パッドに接触させることにより研磨面１５に研磨処理を施す研磨装置の保持ヘッド１１と、研磨面１５に対向するウェハ１４の裏面近傍の保持ヘッド１１内部に設けられた空洞Ａ〜空洞Ｃを満たす温水１２ａ〜１２ｃと、研磨面１５における温度プロファイルが所望の形状になるよう温水１２ａ〜１２ｃの温度を制御する温度制御装置１２を有する。 （もっと読む）