ボーリングボールを研磨、つや出しまたは洗浄するためのボーリングボール表面処理装置は、ハウジングと、ハウジング内に移動可能に配置され、ボーリングボールを回転可能に保持し一時待機領域と表面処理領域との間でボーリングボールを往復するように移動させるボール移動ユニットと、表面処理領域においてボーリングボールを支持し回転させる表面処理ディスクと、ボーリングボールが表面処理領域から運び出された際、一時待機領域においてボーリングボールを一時的に支持する一時支持ディスクと、表面処理ディスクおよび一時支持ディスクを回転駆動させるためのディスク駆動ユニットとを有しており、表面処理ディスクはボーリングボールと摩擦接触する表面処理要素を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハに傷が付いて抗折強度が低下することなく、厚さを正確に計測しながらウエーハを研削する。
【解決手段】チャックテーブル１４上に保持したウエーハ１上に水を供給して水膜Ｗを形成し、この水膜Ｗに、計測器５１の滑走部材５２を滑走させながら、滑走部材５２に固定した送受器５３の送波部５７からウエーハ１に向けて超音波を送波する。送受器５３の受波部５８で、ウエーハ１１の上面と下面から反射波を受け、その時間差に基づいてウエーハ１の厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板を吸着シートから効率よく安定して剥離することができるガラス基板の剥離装置を提供する。
【解決手段】本発明のガラス基板剥離装置１０によれば、高圧水供給ノズル１６、１６…からガラス基板Ｇの対向する二辺部に向けて高圧水３０を噴射させ、高圧水３０の圧力によって二辺部の縁部を離間させる。そして、ガラス基板Ｇの角部１を吸着保持するパッドＡ群５０を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの角部１を吸着シート２２から剥離する。次に、ガラス基板Ｇの縁部２を吸着保持するパッドＢ群５２を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの縁部２を吸着シート２２から剥離する。次いで、パッドＣ群５４を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの縁部２よりも内側に位置する部分３を吸着シート２２から剥離する。そして最後に、パッドＤ群５６を剥離方向に上昇移動させ、ガラス基板Ｇの中央部４を吸着シート２２から剥離する。 （もっと読む）

【課題】被研磨面の研磨レートの研磨面温度への依存性が高いＣＭＰプロセスにおいても、被研磨面の高い研磨レートを維持しながら均一な研磨プロファイルを得ることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被研磨面９を研磨テーブル１の研磨面８に接触させ、被研磨面９と研磨面８の相対運動により被研磨面９を研磨する研磨装置において、研磨面８に向けて圧縮ガス等の気体を吹き出す流体吹出機構３０と、研磨面８の温度分布を測定するサーモグラフィ４０と、コントローラ５０とからなる研磨面温度制御手段２０を備えた。被研磨面９を研磨する際に、研磨面温度制御手段２０は、サーモグラフィ４０の測定結果に基づいて、気体の吹き出し流量、温度、吹付位置を決定することで、流体の吹き出しを制御し、研磨面８を所定の温度分布にすることで、被研磨面９の研磨レートを均一にする。 （もっと読む）

【課題】細長い形状の被加工物を研削砥石で研削しても、被加工物がのけぞることのないようにしたワーク加工装置用治具を提供する。
【解決手段】被加工物１の円弧面を嵌合させる円弧状溝部１１ｂ及び被加工物１を固定する固定部１１ａを有する側面Ｌ字状のスペーサ部材１１と、スペーサ部材１１を挟持する固定用及び可動用バイス１２ａ、１２ｂと、固定用バイス１２ａを装置本体に固定する固定用プレート１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】比較的少ない工数で大型のワークの表面を平坦に加工する平面加工装置を提供するとともに、加工されたワークを表面が平面になるように支持する方法を提供すること。【解決手段】ワークＷを、３ヶ所の高さが固定の固定式支持体１の真空吸着部上に載せて保持固定する。次に変位式支持体２のエアシリンダにエアを供給して上昇させワークＷの裏面に接触した時点で、変位式支持体２の高さ方向の位置を固定し、ワークＷを保持固定する。この状態で、加工ヘッド１０を移動させ、ワークＷの表面を研磨研削し平面に加工する。このようにして加工したワークを、例えば露光装置のワークステージとして用いる場合には、加工したときの固定式支持体１の配置と同じ位置関係になるように支持体を配置して、加工したときと同じ支持状態を再現させることにより、ワークの表面が平坦になるように設置する。 （もっと読む）

【課題】サイズや形状にかかわらず被保持物品を保持することができ、作業用の電力等を抑制し、コスト削減が可能なシンプルな構成の保持テーブル、被保持物品の処理装置、及び半導体ウェーハの処理装置を提供する。
【解決手段】バックグラインド装置１の処理台３に設けられる基台４０と、基台４０の表面に平面円形に凹み形成される窪み穴４１と、窪み穴４１を被覆して半導体ウェーハＷを着脱自在に密着保持する変形可能な保持層４３と、保持層４３に被覆された窪み穴４１内の空気を真空ポンプ４５の駆動に基づき外部に排気する排気路４４とを備える。半導体ウェーハＷの大きさに対応できるよう保持層４３の大きさを設定すれば、設定以下のサイズの半導体ウェーハＷ等をそのまま使用しても、空気がリークせず、小口径の半導体ウェーハＷをも密着し続けることができる。 （もっと読む）

【課題】 研磨対象の表面を鏡面に仕上げる研磨において、表面全域について平坦度を向上させて研磨することができ、そして平坦度を良好にし得る研磨を短時間で行える鏡面研磨方法および鏡面研磨装置を提供すること
【解決手段】 支持台２に研磨対象（試料１）を固定し、試料１には研磨バイト３を対面させ、両者の狭間へ磁気研磨液４を供給する。磁気研磨液４には非磁性の砥粒を混合し、αセルロースなどの増粘剤を混合する。研磨バイト３は遊星歯車３０の軸端に取り付け、複数を試料１に対面させる。遊星歯車機構は、太陽歯車３１の外側に複数の遊星歯車３０を配置し、さらに外側に内歯車３２を噛み合わせてあり、太陽歯車３１の軸部に連係した駆動モータ１０により駆動する。したがって、研磨バイト３は自転と公転の２つの運動が行えて試料１の表面に対する移動が平均化し、研磨作用のばらつきを低減できる。 （もっと読む）

【課題】キャリアへの負荷を軽減かつ一定にでき、精度のよい研磨を行えるワーク研磨方法を提供する。
【解決手段】太陽ギヤ１８およびインターナルギヤ２０の少なくとも一方の駆動モータの回転トルクを計測し、該計測した回転トルクの最小値を検出し、該検出した最小回転トルクもしくは該最小回転トルクよりも所要トルクだけ大きいランニング回転トルクとなるように太陽ギヤ１８、インターナルギヤ２０、および上下定盤１２、１４のうちの少なくとも１つの回転速度を変更してワークの研磨を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨工程全体を通じて研磨圧力をほぼ一定に保つ。
【解決手段】ロードセル８１の上方位置に研磨ヘッド２０を位置させたうえで、ロードセルの荷重検出面と研磨ヘッド２０との間の距離を所定間隔に保ち、研磨パッド４２を上記荷重検出面に接触させて研磨ヘッドの圧力室内に高圧空気を供給させ、ロードセルにより検出される研磨ヘッドからの押付け荷重が目標値と一致したときの高圧空気の圧力を研磨時供給圧力ｐｐとして検出する第１の工程と、ウエハＷの上方位置に研磨ヘッドを位置させたうえで、ウエハＷの表面と研磨ヘッドとの間の距離を上記所定間隔に保ち、研磨パッドをウエハＷの表面に接触させて圧力室内に高圧空気を供給させ、圧力室内の圧力を第１の工程において検出した研磨時供給圧力ｐｐに保持した状態でウエハＷの研磨を行う第２の工程とを交互に行う。 （もっと読む）

【課題】ドレッシングが行われる時間を正確に把握することができるドレッシング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るドレッシング装置は、研磨パッド１５の研磨面１６をドレッシング工具１のドレッシング面２に当接させながら研磨パッド１５をドレッシング面２内で相対移動させて研磨パッド１５のドレッシングを行うように構成されたドレッシング装置ＤＡにおいて、ドレッシング面２と平行な面内でのドレッシング工具１の振れ量を測定する変位センサ２２，２３と、変位センサ２２，２３により測定されたドレッシング工具１の振れ量に基づいてドレッシング面２が研磨面１６に当接していた時間を測定するコントローラ３０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】液晶用ガラスの研削研磨加工を全自動で実施可能な両面研削研磨方法を提供する。
【解決手段】送出側カセット手段１と、加工前仮置き台２と、研削研磨加工手段３と、洗浄手段４と、反転手段５と、加工後仮置き台６と、保護用テープ貼着手段７と、保護用テープ剥離手段８と、収納側カセット手段９と、第１の移送手段１０と、第２の移送手段１１と、第３の移送手段１２とを用いて、対向基板に研削又は研磨加工する工程と、反転させて基板を上方にする工程と、保護用テープ貼着手段７に移送させる工程と、保護用テープを貼着する工程と、基板に研削又は研磨加工する工程と、反転させて対向基板を上方にする工程と、保護用テープを剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガイドローラのみでテープをガイドして加圧ヘッドに送ることができ、テープを汚したりする等の悪影響を与えることがない。
【解決手段】供給リール１１Ａから供給されて巻取りリール１２Ａに巻き取られるテープ１０Ａの経路に配設され、テープ１０Ａを基板１表面に加圧させる加圧ヘッド４Ａと、加圧ヘッド４Ａと巻取りリール１２Ａ間に配設され、テープ１０Ａにテンションを付与するテンションローラ３７Ａと、テンションローラ３７Ａと巻取りリール１２Ａ間のみに配設され、テープ１０Ａを送るキャプスタンローラ２７Ａと、キャプスタンローラ２７Ａにテープ１０Ａを圧接させるピンチローラ２９Ａと、巻取りリール１２Ａとキャプスタンローラ２７Ａとを同期して回転させる回転駆動手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容易かつ正確にワークと砥石との相対角度の変化を検出できる研削盤を提供すること。
【解決手段】研削盤は、ワーク８を支持するワーク台５と、砥石１６を回転駆動しつつ支持する砥石台１３と、砥石台１３を支持台１２上で、角度調節し得る可動機構とを備え、第１のセンサ５３と第２のセンサ５４との変位の差により砥石１６の傾きを検出する。このとき２つのセンサ５３，５４間の距離はワーク８の研削の幅より大きく構成されている。そのため、傾きのみを抽出するとともにセンサ５３，５４の見かけ感度を高め、正確にワーク８と砥石１６との相対角度の変化を検出できる。 （もっと読む）

【課題】板状研削物の仕上がり面精度を低下させることなく、研削時間を短くする。
【解決手段】第２のエアーベアリング２６に支持された研削ホイール２５の研削砥石２７を第１のエアーベアリング１３に支持されたチャックテーブル１０上のウェーハ９に押し付け、研削砥石２７がウェーハ９を実際に研削し始めるときの第１のエアーベアリング１３に設けた１対のチャック側圧力ポート４１，４２の圧力差Ｐ０_Ac又は、第２のエアーベアリング２６に設けた１対の砥石側圧力ポート４３，４４の圧力差Ｐ０_Bwを計測し、記憶する。研削砥石２７の切り込みを停止して研削ホイール２５とチャックテーブル１０とに溜まった撓みを開放するときに計測される１対のチャック側圧力ポート４１，４２の圧力差Ｐ_AC又は１対の砥石側圧力ポート４３，４４の圧力差Ｐ_BWが、記憶された圧力差Ｐ０_Ac又はＰ０_Bwまで低下したときに研削砥石をウェーハ９から離脱させる。 （もっと読む）

【課題】支持部材と貼り合わされた半導体ウェーハを正確な厚みに仕上げることができる半導体ウェーハ裏面の研削方法及び半導体ウェーハ研削装置を提供する。
【解決手段】回路パターン３ｃが形成された表面３ａ側に支持基材４が貼り合わされた半導体ウェーハ３の裏面３ｂを研削する半導体ウェーハ裏面の研削方法であって、半導体ウェーハ３単体の研削加工前の厚みｔ１を計測した後、この厚みｔ１から研削加工後の最終厚みδ３を減算して求められた取代δ２に基づいて、半導体ウェーハ３の裏面３ｂを研削する。 （もっと読む）

【課題】改善されたハイドロパッドを提供し、両面研削装置でこのハイドロパッドを使用することにより研削過程後に改善されたワークジオメトリを得る。
【解決手段】円板状ワークの同時両面研削のための装置であって、２つのほぼ円形の研削車が設けられており、該研削車の研削面は軸方向で互いに向かい合って位置しており、円板状ワークを静圧式に支承するための同様に互いに向かい合って位置する２つの装置が設けられており、これらの装置は、少なくともそれぞれ１つの静圧式の支承部と、ワークと静圧式の支承装置との間の間隔を測定するための少なくともそれぞれ１つの動圧ノズルとを有している形式のものにおいて、静圧式の両支承装置の、ワークに面した各表面が平らに形成されておらず、即ち、表面とワークとの間の間隔が、静圧式の支承装置の、研削車に面した縁部で最小の値になり、この間隔は、研削車への距離が離れるほど増大する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記に鑑みなされたもので、グラインド時における薄板の厚みばらつきの抑制に資することのできる安価な固定キャリア及び薄板のグラインド方法を提供する。
【解決手段】 剛性を有する支持基材２と、支持基材２の表面周縁部に張架され、バックグラインドされる半導体ウェーハＷを着脱自在に密着保持する屈曲可能な可撓性の保持層１０とを備える。また、支持基材２と保持層１０とを半導体ウェーハＷよりもそれぞれ拡径に形成し、支持基材２と保持層１０との間に区画空間５を形成し、支持基材２の凹んだ表面４には、保持層１０を接着支持する複数の突起７を形成するとともに、支持基材２には、区画空間５に連通する給排孔６を穿孔し、半導体ウェーハＷを保持した状態でその厚みを測定しながらのバックグラインド作業に使用したり、半導体ウェーハＷ用の基板収納容器に収納する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記に鑑みなされたもので、グラインド時における薄板の厚みばらつきの抑制に資することのできる安価な固定キャリア及びその製造方法並びに薄板のグラインド方法を提供する。
【解決手段】 剛性を有する支持基材２と、支持基材２の表面周縁部に張架され、バックグラインドされる半導体ウェーハを着脱自在に密着保持する変形可能な可撓性の保持層１０とを備える。また、支持基材２と保持層１０とを半導体ウェーハよりもそれぞれ拡径に形成し、支持基材２と保持層１０との間に区画空間５を形成し、支持基材２の凹んだ表面４には、保持層１０を接着支持する複数の突起７を形成するとともに、支持基材２には、区画空間５に連通する給排孔６を穿孔する。そして、支持基材２や突起７に接着した保持層１０を凹凸に変形させてその凸部先端面１１を平坦にグラインドし、平面精度をレンジで３．０μｍ以内とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板表面にサポートプレートの貫通孔跡が転写されず、又基板表面に削りムラが生じない基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｗと接着剤層２によって一体化されたサポートプレート１において、シート６が貼着された面を吸着ヘッド７上面に載置して吸引固定し、この状態で基板Wの
上面（回路を形成していない面）をグラインダ８によって研削する。 （もっと読む）