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Fターム[3C081BA11]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 形状 (1,329) | 積層、多層構造 (202)

Fターム[3C081BA11]に分類される特許

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【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。
【解決手段】酸性基を有する導電性ポリマー(A)と、カーボンナノチューブ(B)と、バインダーポリマー(C)と、電解質(D)とを含んで構成される導電性薄膜。 (もっと読む)


【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するMEMSデバイスは、基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第1導電補強領域に絶縁補強領域を介して第2導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 (もっと読む)


【課題】ウェハ貫通ビア(TWV)を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された3D相互接続を提供する。
【解決手段】1つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の1つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、1つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 (もっと読む)


【課題】製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能な発電デバイスを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、デバイス基板10の一表面上に形成された第1導電層22のうちカンチレバー部12に重なる第1電極22aと、圧電材料層23のうち第1電極22aに重なる部分からなる圧電体層23aと、第2導電層24のうち圧電体層23aに重なる第2電極24aとで、発電部20を構成する。第2導電層24のうちデバイス基板10の厚み方向において支持部11に重なる部分の一部からなる第2パッド24cと、第2導電層24のうち第2電極24aと第2パッド24cとを繋いでいる部分からなる第2配線24bとを備える。第2導電層24と圧電材料層23との接触領域を規定する絶縁層25の一部が、デバイス基板10の厚み方向において第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】イオン交換膜を用いた比較的大きな力を発生するアクチュエーターを提供する。
【解決手段】第1の可動部と、第2の可動部と、絶縁膜と、を含み、前記第1の可動部は、第1のイオン交換膜と、前記第1のイオン交換膜の一方の面である第1の面に形成された第1の電極と、前記第1のイオン交換膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第2の面に形成された第2の電極と、を有し、前記第2の可動部は、第2のイオン交換膜と、前記第2のイオン交換膜の一方の面である第3の面に形成された第3の電極と、前記第2のイオン交換膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第4の面に形成された第4の電極と、を有し、前記絶縁膜の一方の面である第5の面が前記第2の面に接し、前記絶縁膜の前記一方の面に対向する他の一方の面である第6の面が前記第3の面に接することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高粘度流体や異粘性流体均一に混合でき、酸性溶液等を流通させた場合でも腐食が起こりにくいマイクロミキサーの提供。
【解決手段】第一の微小管状流路を有するプレート5に第二の流体を流通する第二の微小管状流路を有するプレート7が積層した積層部11と、第一の微小管状流路の出口と第二の微小管状流路の出口とに通じ、流体が混合する混合部とを有し、プレートが金属材からなり、第一のプレートと第二のプレートの少なくとも一方が、流体供給路に通ずる微小管状流路の入り口部と、混合部に通ずる微小管状流路の出口部とを有し、該入り口部の微小管状流路が1本の流路で、出口部における微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積が、入り口部における1本の微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積より小さい断面積を有するプレートで、しかも、微小管状流路及び混合部がフッ素樹脂で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】3層チップスケールMEMSデバイスのためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム(MEMS)デバイスのためのシステムおよび方法が提供される。一実施形態では、システムは、第1の外側層と、第1の組のMEMSデバイスを含む第1のデバイス層とを備え、第1のデバイス層は第1の外側層に接合される。システムは、第2の外側層と、第2の組のMEMSデバイスを含む第2のデバイス層とをさらに備え、第2のデバイス層は第2の外側層に接合される。さらに、システムは、第1の側と、第1の側と反対側の第2の側とを有する中央層を備え、第1の側は第1のデバイス層に接合され、第2の側は第2のデバイス層に接合される。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素を用いたMEMSの一層の小型化を実現する。
【解決手段】半導体素子1は、半絶縁性の支持基板11と、支持基板11の表面における一部の領域に形成されたドープ層12と、支持基板11の表面を覆うとともにドープ層12の一部が露呈されるようにドープ層12を覆うグラフィン層13と、グラフィン層13の支持基板11が配置される表面の反対の表面に形成された電極層21,22とを有する。 (もっと読む)


【課題】突き当て治具への突き当てによる他の部材との位置合わせ精度が向上したシリコンチップの製造方法、液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、画像形成装置、及びマイクロポンプを提供する。
【解決手段】厚みの異なる複数の基板の積層体であるシリコンウェハ30を複数のシリコンチップに分離するためのダイシングライン26上の、少なくとも各シリコンチップ24Aに対応する領域毎に、該シリコンウェハ30を厚み方向に貫通した貫通孔22を設ける貫通孔形成工程と、貫通孔22の形成されたシリコンウェハ30を、ダイシングライン26に沿ってダイシングブレードによって切断する切断工程と、を備える。そして、貫通孔22は、シリコンウェハ30を構成する複数の基板の内の最も厚い第1基板(保護基板16)における幅が、該複数の基板の内の該第1基板以外の基板(液室基板14)における幅より狭い。 (もっと読む)


【課題】微小電気機械システム(MEMS)装置のためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、第1の基層と、第1の基層に接合される第1のデバイス層であり、第1の組のMEMSデバイスを含む、第1のデバイス層と、第1のデバイス層に接合される第1の上部層であり、第1の組のMEMSデバイスが密閉して分離される、第1の上部層とを含む第1の二重チップをシステムは備える。第2の基層と、第2の基層に接合される第2のデバイス層であり、第2の組のMEMSデバイスを含む、第2のデバイス層と、第2のデバイス層に接合される第2の上部層であり、第2の組のMEMSデバイスが密閉して分離され、第1の上部層の第1の上部表面が第2の上部層の第2の上部表面に接合される、第2の上部層とを含む第2の二重チップをシステムはさらに備える。 (もっと読む)


【課題】接点同士が凝着しないように剛性をもたせたアクチュエータ
【解決手段】第1接点が設けられた接点部と、第2接点を移動させて第1接点と接触または離間させるアクチュエータと、を備え、アクチュエータは、積層された第1圧電膜および第2圧電膜と、第1圧電膜における第2圧電膜とは反対の面側に設けられた第1絶縁層と、第2圧電膜における第1圧電膜とは反対の面側に設けられた第2絶縁層と、を有するスイッチ装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 カチオン伝導性高分子電解質を用いた、変形応答が大きいアクチュエータを提供する。
【解決手段】 対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に配置されている中間層を有し、前記電極に電圧を印加することにより屈曲変位するアクチュエータにおいて、前記中間層が、エーテル結合部位ならびにアニオン部位を分子内に有するカチオン伝導性高分子電解質および前記エーテル結合部位と相互作用する弱酸性物質を少なくとも有するアクチュエータ。 (もっと読む)


【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。
【解決手段】アスペクト比が104以上のカーボンナノチューブ、イオン液体から構成される導電性フィルムと導電性ポリマーを複合化したアクチュエータ用複合導電性薄膜。 (もっと読む)


【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第1電極および第2電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるMEMSセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板7をエッチングすることにより、柱状部29およびベース部30を形成する。次に、当該柱状部29およびベース部30を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部29からなる絶縁層85およびベース部30の表層部からなるベース絶縁層21を形成する。次に、ベース絶縁層21上にポリシリコン層22を形成し、当該ポリシリコン層22およびベース絶縁層21の積層構造をエッチングして、Z固定電極71およびZ可動電極72の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ50を形成する。そして、当該トレンチ50の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層21直下に凹部20(空洞23)を形成する。 (もっと読む)


【課題】 微細化を図ることと基板に代表される基材の接合強度を十分に確保可能なマイクロチップを提供すること。
【解決手段】 マイクロチップ101は、分離流路3を形成するための溝が形成されており、かつ互いに貼り合わされた2つの基板1を備えており、基板1には、接合面10の端縁に隣接し、かつこの端縁に対して接合面10の法線方向において内方に凹んだ凹部11が形成されている。 (もっと読む)


【課題】変形応答特性の向上と発生力の向上を両立するアクチュエータを提供する。
【解決手段】互いに対向し合う一対の電極13,14と該一対の電極の間に配置される少なくとも電解質を含む中間層15は、少なくともポリマー繊維層を有し、またポリマー繊維層を形成している複数のポリマー繊維21は、三次元的に絡み合って交差しており、ポリマー繊維層は、ポリマー繊維とポリマー繊維が交差する交点20において、融着している部分を有している。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶材料を用いる機械構造部品は、強度を補うために結晶方位の異なる単結晶材料を積層した、複合基板が用いられるが、積層面の接合部にシリコン酸化膜を用いるため、高精度の加工が困難であるという課題があった。
【解決手段】本発明の機械構造部品は、積層するシリコン単結晶の接合面に、高融点金属シリサイド膜を用いる。高融点金属シリサイド膜は、従来用いられるシリコン単結晶のエッチング加工と同様のドライエッチングによって、シリコン単結晶と共に連続的に加工することができ、部品の加工精度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】環境温度などによる共振周波数の変動を調整可能な光偏向器を提供する。
【解決手段】固定ベース60と、光反射面を有するミラー部10と、ミラー部10を揺動可能に支持する弾性支持部材20と、一端が固定ベース60に接続され、他端が弾性支持部材20に接続され、梁状部材に圧電部材が固着された一対の振動梁50とを備え、振動梁50は、交流電圧を印加することで、弾性支持部材20に捻り変形を発生して、ミラー部10を所望共振周波数で回転振動せしめる駆動梁30と、直流電圧を印加することで、弾性支持部材20に応力を与えて、共振周波数を調整する周波数調整梁40とで構成する。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第1の開口4の底部に、パターン開口10を有するパターニングマスク14’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第2の開口5を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第1の開口内の露出を妨げる遮蔽構造11’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第2の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 (もっと読む)


【課題】高価なマイクロリソグラフィ装置を使用せず、比較的安価で、かつ65℃を超える温度で操作する用途に使用可能なマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】固体接着剤の薄いシートを有する基板材料21の表面ににプリンタを用いてワックス20を印刷した後、このワックスをマスキング層として基板を選択的にエッチングし、所望のパターンをを有する固体接着剤22を有する基板を作製する。次にこの基板からマスキング層を除去した後、第2の基板と接着して基板層を形成し、さらにこの基板層を硬化させることで三次元マイクロ流体デバイスを得る。 (もっと読む)


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