【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】高精度で、しかも、高い量産性、高い歩留りにて、補強部が備えられたミラー本体部を有するミラー構造体を提供する。
【解決手段】ミラー構造体１０は、（Ａ）ミラー本体部２２、及び、該ミラー本体部２２の表面に設けられた光反射層２１を備えたミラー２０、（Ｂ）ミラー２０を支持するミラー支持部２７、並びに、（Ｃ）ミラー支持部２７を保持する保持部４０から成り、ミラー本体部２２の裏面には、貼合せ層１０４を介して補強部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】マスク形状を変更しなくとも、梁のバネ定数を調整することが可能な力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る基板に形成されたセンサ部は、絶縁層と半導体層とから成るアンカ部と、半導体層から成る浮遊部とを有し、浮遊部は、錘部と、錘部に設けられた可動電極と、可動電極と検出軸方向で対向する固定電極と、錘部を検出軸方向に変位可能とする梁部とを有し、錘部が梁部を介してアンカ部に支持されており、センサ部を形作るマスクを形成する工程と、マスクから露出された半導体層を除去する工程と、絶縁層の一部を除去する工程とを有し、梁部とアンカ部とを構成する半導体層が、上記した２つの方向に交差する方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】引出電極間の短絡による圧電アクチュエーターの駆動不良の減少した圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子７３の形成工程後、エッチング工程において、後に形成される引出電極９０間の振動板５３の少なくとも一部を、エッチング残り上電極膜８３が除去され、振動板５３が除去されない条件でエッチングする。圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。したがって、引出電極９０間の短絡によって生じる圧電アクチュエーターの駆動不良が減少した圧電アクチュエーターの製造方法を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】硬さや耐摩耗性を電鋳製品よりも向上させた金属部材とその成形型及びその製造方法を提供し、部材の長寿命化と磨耗の激しい部位での使用を可能にする。
【解決手段】本発明による金属部材は、無電解ニッケルめっきにより形成され、リン又はホウ素の内、少なくとも一種類の元素を含むことを特徴とし、析出時で硬度Ｈｖ＝７００程度を有しており、加熱によりＨｖ＝１０００程度まで上昇するので、耐磨耗性が向上すると同時に、微細構造に係るスベリを防止するので、クリープや応力緩和等の機械的特性を改善することができる （もっと読む）

【課題】 検出電極を基板に固定せずに可動できるようにした高感度（＝狭ギャップ）な静電容量型の慣性センサにおいて、外乱振動や衝撃などで可動質量体の変位量を正しく測定できない虞がある。
【解決手段】 可動検出電極（２１Ａ）に対向して固定部（２５Ａ）を設け、可動検出電極（２１Ａ）を変位させた後、機械的に固定する。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】気密封止光偏向器パッケージを有する画像表示装置における往復走査の同期方式はパッケージ外に設けた光ビーム検出器の検出信号に基づいて行っていたために、有効光ビームへの影響が大きく、装置が大型化する。
【解決手段】封止ガラス１は中央に光学透過窓１１を有し、その周辺に遮光カバー１２ａが形成された遮光部１２を有する。光偏向器２をセラミック実装基板３のキャビティ３ａ内に配置し、セラミック実装基板３のキャビティ３ａを封止ガラス１によって気密封止してある。有機薄膜フォトセンサ４ａ、４ｂはパッケージ内部にあって、光偏向器２のマイクロミラー２１から反射される走査光ビームが通過する光学透過窓１１の極近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。
【解決手段】まず、ＰＬＬＡの薄膜層を形成する（薄膜形成工程）。その後、このＰＬＬＡ薄膜層に対してＦＩＢ加工を行う（加工工程）。薄膜形成工程においては、まず、ＰＬＬＡを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する（塗布液準備：Ｓ１）。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する（回転塗布：Ｓ２）。
次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。ここでは、ＰＬＬＡ薄膜層１２の厚さを１μｍ以下となるように設定し、イオンビームの電流を１ｎＡ以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの簡素化が可能で、低電圧駆動による高ストローク出力が可能なアクチュエータを用いた乱流制御装置を提供する。
【解決手段】流体との境界面を形成する壁に設置される乱流制御装置であって、振動板(30)の面上に第１電極(40)、圧電体膜(44)及び第２電極(46)が積層されて成るダイアフラム型圧電アクチュエータ(20)群を備える。第１電極(40)及び第２電極(46)間への電圧印加により可動部(32)を変位せて流体との境界面を変形させることで、壁乱流を制御する。 （もっと読む）

【課題】電子回路とＭＥＭＳとを一般的な半導体製造技術を用いて一体化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に設けられた電子回路と、電子回路が設けられた領域とは別の領域に設けられ少なくとも圧電体を含むＭＥＭＳを備える。電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 （もっと読む）

【課題】トーションバー加工時のばらつきを抑制する光偏向器、光偏向器の製造方法、光学装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】光偏向器Ａは、光を反射する可動板１と、一端が可動板に固定され、他端が支持体に固定され、可動板を回転振動可能に軸支する一対のトーションバー２ａ、２ｂと、可動板を回転振動させる駆動機構と、を備えている。このトーションバー２ａ、２ｂは、単結晶シリコンを含んでおり、また、トーションバー２ａ、２ｂの可動板１表面に垂直であってトーションバー軸支方向の断面における形状は、断面の可動板表面垂直方向の略中央部を中心線とし、略相同である２つの略等脚台形が上底及び下底の何れか短い方同士を中心線で接合した形状である。 （もっと読む）

【課題】面内プルインの発生をより確実に抑制できるＭＥＭＳ素子、ならびにこれを用いた可動式ミラーおよび光スイッチ装置を提供すること。
【解決手段】所定の間隔を有して配置された固定櫛歯電極と可動櫛歯電極とを備え、前記可動櫛歯電極が可動基準面に対して角度をなす方向に移動するＭＥＭＳ素子であって、前記固定櫛歯電極および前記可動櫛歯電極の静電引力作用面が、前記可動基準面内において円弧形状を有している。好ましくは、前記静電力作用面の円弧形状の中心が、前記可動基準面内において前記可動櫛歯電極が回転する際の回転軸と一致する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】反射面を備える可動板の有効面積を確保しつつ、可動板の慣性モーメントを低減させた光偏向器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反射面と側面を備える可動板と、所定の軸の周りに可動板を回動可能に支持する支持部とを有し、可動板の側面が軸に向かって窪んでいる。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）