【課題】分散安定性が向上し、且つ量子ドットへの電荷注入特性が向上された量子ドット発光材料、および、発光効率が向上し良好な色純度を有する発光デバイスを提供する。
【解決手段】量子ドットと、当該量子ドットの表面に配置された保護材料とを有し、前記保護材料は、下記化学式（１）：Ｘ_１−・・・−Ｘ_ｎ-1−Ｘ_ｎ−Ｙ（但し、化学式（１）において、Ｘ_１〜Ｘ_ｎはそれぞれ独立に炭素数が１０〜６０の電荷輸送性化合物であり、ｎは２以上の整数である。Ｙは連結基である。）で表される化合物が前記連結基により量子ドット表面に連結した構造を有し、前記量子ドットのＨＯＭＯ準位の値をＥ（ＱＤ）、前記保護材料における電荷輸送性化合物Ｘ_１〜Ｘ_ｎのＨＯＭＯ準位の値をそれぞれＥ（Ｘ_１）〜Ｅ（Ｘ_ｎ）とした場合に、特定の数式を満たす、量子ドット発光材料、及び当該量子ドット発光材料を発光層に含む発光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】吸湿した乾燥剤の膨張による吸湿層内樹脂の断面割裂を防止し、高温多湿条件下でもフィルムの強度劣化が起こらず、吸湿性能の改善された乾燥剤含有フィルムを提供する。
【解決手段】乾燥剤含有フィルム１は、支持層３ｂと化学吸着系の乾燥剤を含有する吸湿層２とが交互に積層され、最外層に支持層３ａが配置される構造とする。ここで、最外層の支持層３ａの厚さは１０μｍ以上３０μｍ未満の範囲が好ましい。また、最外層の支持層３ａの外側にアルミニウム箔、アルミニウム蒸着膜、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素等の薄膜を設けてもよく、食品や医薬品の包装材料あるいは、無機／有機ＥＬディスプレイのモジュールあるいは真空断熱材に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】視野角のサイドローブを低減させ、かつ光取り出し効率を向上することができるＥＬ素子を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子は、透光性の基材１１の一方の面に形成された透明な陽極１３と、この陽極１３上に形成された発光層１２と、この発光層１２上に形成された陰極１４と、基材１１の陽極１３と反対の面に設けられ、発光層１２で発生した光を基材１１の一方の面と反対の面から出射するように取り出す複数の凹状レンズ素子１７ａを基材１１の反対の面と平行な方向に配列してなる光取り出し用のレンズシート１７とを備え、凹状レンズ素子１７ａのピッチをＰ、発光層１２と凹状レンズ素子１７ａとの最短距離をＴとした場合に、


の関係を満たす。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのバーナー（２）を含む火炎処理装置に沿って移動するガラス基材（１）上に堆積された少なくとも１つの薄膜を火炎熱処理するための方法であり、この処理が少なくとも１つの薄膜の結晶化率を増大させ及び／又は少なくとも１つの薄膜内の微結晶サイズを増大させるのに適している方法であって、最大の一時的な曲げ「ｂ」が１５０ｍｍ未満でかつ以下の条件、すなわち、ｂ≦０．９×ｄを満たし、式中、曲げ「ｂ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）と、バーナー（２）の先端（６）を通りかつ加熱されない基材の平面（Ｐ１）に平行な平面（Ｐ２）に最も近い基材の点との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、「ｄ」が、加熱されない基材の平面（Ｐ１）とバーナー（２）の先端（６）との間のｍｍ単位で表される距離に対応し、移動方向（５）に垂直な方向での基材の幅「Ｌ」が１．１ｍ以上であることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】光の取出し効率に優れる有機ＥＬ表示装置の提供。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、透明電極及び対向電極と、前記透明電極及び前記対向電極の間に発光層を含む有機化合物層とを有する有機ＥＬ素子と、前記発光層から放出された光の光路上に配置された微粒子含有層とを備える有機ＥＬ表示装置において、前記微粒子含有層は、有機樹脂材料と、第１の微粒子と、前記第１の微粒子よりも重量平均粒子径が大きい第２の微粒子とを含み、前記第１の微粒子が添加された前記有機樹脂材料の屈折率ｎ_１と、前記有機化合物層の平均屈折率ｎ_２とが、｜ｎ_１−ｎ_２｜＜０．２５、を満たし、前記第１の微粒子が添加された前記有機樹脂材料の屈折率ｎ_１と、前記第２の微粒子の屈折率ｎ_３とが、ｎ_３−ｎ_１＞０．２、を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。また、該酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、酸化物半導体層を用い、該酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より高い導電率を有するチタン化合物を含むクラスターを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該第１の導電膜に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングをドライエッチングにより行ってゲート電極層を形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。ドライエッチングを行う前に、少なくともエッチングされた半導体膜の側壁を酸化処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で発光素子の階調を補正する。
【解決手段】複数の発光素子Ｅは、複数の信号線１４の各々に対応して配置されて階調信号Ｘに応じた階調に制御される。補正回路４２は、複数の発光素子Ｅの各々の階調データＰを順次に取得して補正階調データＱを生成する。信号線駆動回路３４は、補正回路４２から順次に供給される補正階調データＱを信号線１４毎に分配するとともに分配後の各補正階調データＱに応じた階調信号Ｘを前記各信号線１４に出力する。補正回路４２は、複数の発光素子Ｅの各々の階調データＰを、当該発光素子Ｅの過去の補正階調データＱに対応した参照データＲを利用して補正する （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の高い微結晶半導体層を形成することを課題とする。また、電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に、窒素を含む絶縁層を形成する。次に、窒素を含む絶縁層上に、シリコンを含む堆積性気体と、窒素を含む酸化気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、酸化珪素層を形成する。次に、酸化珪素層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを用い、プラズマを発生させて、微結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子を備える発光装置において、回路規模の増大や低階調側の再現性の低下を招かずに、駆動トランジスタの特性の経時変化を吸収する。
【解決手段】発光素子Ｐと、書き込まれた電圧を保持する容量素子Ｃ１と、容量素子Ｃ１に保持されている電圧に基づいて、発光素子Ｐを駆動する駆動信号を生成する駆動トランジスタＴＲａとを備えた発光装置１０を提供する。容量素子Ｃ１は、固定の電源電位Ｖｅｌが供給される第１電極Ｒ１と、第２電極Ｒ２とを有する。そして、第２電極Ｒ２に電流を供給して容量素子Ｃ１に電圧を書き込む一方で第２電極Ｒ２の電位を測定し、その後に、測定された電位を第２電極Ｒ２に供給して容量素子Ｃ１に電圧を書き込む処理を繰り返し行う。 （もっと読む）

基板と、第１の方向において基板にわたって行内に形成される行電極のアレイを有する第１の層と、該第１の方向とは異なる第２の方向において前記基板にわたって列内に形成される列電極のアレイを有する第２の層であって、該行電極及び該列電極は重なり合ってピクセル位置を形成する、第１の層及び第２の層と、前記行電極と前記列電極との間に形成され、ピクセルの２次元アレイを形成するものであって、該ピクセルは前記ピクセル位置内に配置される、１つ又は複数の発光材料層と、前記基板上に配置されるものであって、該チップレットの数はピクセルの数よりも少なく、各チップレットは行電極のサブセット及び列電極のサブセットを排他的に制御し、それにより、前記ピクセルを制御して画像を表示する、複数のチップレットとを備える、ディスプレイデバイス。
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【課題】表示パネルモジュールを表示パネル装着用モジュールに装着したときにのみ表示パネルを駆動する。
【解決手段】表示パネル１２を有する表示パネルモジュール１０と、電源２２及び表示パネル駆動回路２５を有する表示パネル装着用モジュール２０とを着脱自在に設け、表示パネルモジュール１０を表示パネル装着用モジュール２０に装着して両モジュール１０，２０同士を電気的に接続したときにのみ表示パネル１２を駆動できるように構成した表示装置１を提供する。 （もっと読む）

ディスプレイデバイスが、基板と、基板上に形成される複数のピクセルであって、各ピクセルは２つ以上のサブピクセルを含み、該複数のピクセルは表示エリアを画定する、複数のピクセルと、表示エリア内の基板上に配置される複数のチップレットであって、各チップレットは少なくとも２つの隣接するピクセルのサブピクセルを制御する、複数のチップレットと、を備える。
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【課題】薄型化を達成しながら、信頼性が高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、可撓性を有する基板上に発光素子が設けられた発光装置を歩留まり良く製造することを目的の一とする。
【解決手段】可撓性を有する基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子を覆う樹脂膜と、を有し、発光素子において隔壁として機能する絶縁層が凸状部有し、樹脂膜がその凸状部を埋没することで、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、作製工程においても、歩留まり良く発光装置を作製することができる。 （もっと読む）

発光ダイオードディスプレイデバイスは、透明基板１０と、透明電極１２と基板との間で該基板上に配置される複数のチップレット２０であって、各チップレットは、光を放射するようにピクセル５を制御するための駆動回路部２６を含み、電荷を蓄積するための蓄積キャパシタを含み、駆動回路部の少なくとも一部を光で照明すると、キャパシタが電荷を漏出する、チップレットと、各チップレットの表面上に配置される駆動回路部とは別に存在する第１の光シールド３０Ａを形成し、駆動回路部上に配置され、該駆動回路部の少なくとも一部を照明から実質的に保護する接続パッド２４であって、該接続パッドは駆動回路に電気的に接続される、接続パッドと、駆動回路と基板との間の駆動回路下に配置され、駆動回路の少なくとも一部を照明から保護する第２の光シールドとを備える。
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【課題】ターゲット材、特に無機ＥＬ素子形成用ターゲット材としての硫化亜鉛成型体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛または硫化亜鉛と銀、銅、マンガンおよび希土類元素の少なくとも１種の元素を含む硫化物とを含む複合硫化物からなり、一方の面と他方の面の硫黄／亜鉛の比が０．９以上であって、これら硫黄／亜鉛の比の差が±０．０５以下であるターゲット材。 （もっと読む）

本発明は、ａ）基板上に導電性膜を形成するステップ；ｂ）前記導電性膜上にエッチングレジストパターンを形成するステップ；およびｃ）前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性膜をオーバーエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）することによって、前記エッチングレジストパターンの幅より小さい線幅を有する導電性パターンを形成するステップを含む導電性パターンの製造方法、およびこれによって製造された導電性パターンを提供する。本発明によれば、超微細線幅を有する導電性パターンを効率的で且つ経済的に提供することができる。
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【課題】本発明では、比較的低い電子加速電圧においても、良好な色純度を有する白色光が生じ、環境への影響の少ない白色蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶母体材料として、（Ｍａ）（Ｍｂ）_２Ｓ_４を有し、発光中心として、Ｐｒ^３＋（プラセオジムイオン）を有する、白色蛍光体：ここで、Ｍａは、Ｓｒ（ストロンチウム）、またはＳｒ（ストロンチウム）の一部もしくは全てがＣａ（カルシウム）に置換された元素であり、Ｍｂは、Ｇａ（ガリウム）、またはＧａ（ガリウム）の一部もしくは全てがＡｌ（アルミニウム）に置換された元素である。 （もっと読む）

【課題】直流駆動が可能な面発光素子に適用でき、十分な発光が得られ且つ長期の使用においても発光が衰えず安定した発光が得られる直流薄膜型無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも電極層２，６と、発光層５と、ｐ型半導体層３を有し、発光層５とｐ型半導体層３との間に、周期律表の第４族〜第６族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する中間層４を有することを特徴とする。 （もっと読む）