【課題】電子素子において中間層を形成するために使用する場合に特に有効な正孔注入／輸送又は電子阻止特性を有するオリゴマー及びポリマーを含むフィルムを提供する。
【解決手段】特定のフルオレンジイル構造を有する繰り返し単位を有する架橋性オリゴマー又はポリマーの１つ又は複数を含むフィルム （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本開示の目的は、ソース／ドレイン電極の段切れ、ソース／ドレイン電極の損傷といった問題の発生を確実に回避することができ、しかも、島状の平面形状を有するチャネル形成領域を確実に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）基材１１上にゲート電極１２を形成した後、（ｂ）基材１１及びゲート電極１２上に、チャネル形成領域１４を形成すべき領域に凹部２０が設けられたゲート絶縁層１３を形成し、その後、（ｃ）塗布法に基づき凹部２０内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域１４を形成した後、（ｄ）ゲート絶縁層１３の上からチャネル形成領域１４の一部の上に亙りソース／ドレイン電極１５を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】 均斉度が高い有機ＥＬ照明装置を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬ照明装置は、少なくとも第一電極２と有機層４と第二電極３とを備え、有機層４は第一電極２の陽極部２ａと第二電極３の陰極部３ａとによって挟持されている。第二電極は３、陰極部３ａよりも幅狭な電子印加部３ｃを有する。電子印加部３ｃの幅Ｗ４は、第一電極２の正孔印加部２ｃの幅Ｗ１の半分以下である。低抵抗配線部７は、第一電極２の陽極配線部２ｂ上に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】電子受容性及びホール受容性に優れるセリウム錯体を提供する。
【解決手段】下記組成式（１）で表されるセリウム錯体を提供する。
【化１】


（Ｍはセリウムイオンを、Ａは炭素原子、ケイ素原子、窒素原子、窒素カチオン、ホウ素アニオン、リン原子、又はＰ（＝Ｏ）を、それぞれ表す。ｚ＝４のときｍ＝１〜４であり、ｚ＝３のときｍ＝１〜３である。Ｄは直接結合又はヒドロカーボンジイル基を、Ｇはヘテロシクリル基又は水素原子を、Ｌは窒素原子を２個以上有する芳香６員環を含む基を、Ｘは対イオンを、Ｌ’は単座又は２座の配位子を、ａは１〜４の数を、ｂは０〜５の数を、ｃは０〜５の数を、それぞれ表す。） （もっと読む）

【課題】有機層における界面での電気的特性を向上させるとともに有機層の作製を簡単にすることにより、高効率で低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性を有する第１電極２と、少なくとも１つの発光層３３を含む有機層３と、第２電極４とを備えている。有機層３は発光層３３に隣接した層としてインターレイヤー３２を含み、発光層３３とインターレイヤー３２との間に、発光層３３の材料とインターレイヤー３２の材料とが混在した混合領域３４が設けられている。インターレイヤー３２及び発光層３３の一方の材料を塗布しアニール処理することなく乾燥させた後、この表面に、インターレイヤー３２及び発光層３３の他方の材料を塗布することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性、膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性、膜強度の劣化が少ない透明電極、及び、該透明電極を用いた、発光均一性に優れ、高温、高湿度環境下においても発光均一性の劣化が少なく、発光寿命に優れる有機ＥＬ素子を提供することにある。
【解決手段】基板上に、導電性ポリマー及び水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する透明電極において、前記ポリマーが解離性基含有自己分散型ポリマーであり、かつガラス転移温度が、２５℃以上８０℃以下であることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子を用いたトップエミッション方式の発光装置において、光出射側にある第２電極における電圧降下を抑制するために第２電極に接続する補助配線を設けるにあたり、逆テーパー状の側部を有する隔壁を用いて補助配線を形成すると、隔壁の逆テーパー状の側部によって第２電極が段切れし、電圧降下を抑制することができない。
【解決手段】 基板上に形成された逆テーパー状の側部を有する隔壁と、前記隔壁間に形成された第１電極と、前記隔壁上に形成された第３電極と、前記第１電極上と前記第３電極上の一部に形成された有機層化合物と、前記第３電極上と前記有機化合物層上に形成された第２電極とを備える発光装置において、前記有機化合物層は、前記隔壁よりも厚い膜厚で、前記第１電極の上から前記隔壁の上部の一部にかけて連続して形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌまたはＡｌ合金のアノードとの低いコンタクト抵抗が得られると共に短波長領域の良好な透過率が得られる有機ＥＬ用透明導電膜およびこの透明導電膜を用いた有機ＥＬ素子を提供すること。
【解決手段】 有機ＥＬ素子１０の電界発光層２とＡｌまたはＡｌ合金の金属膜３との間に形成される有機ＥＬ用透明導電膜１であって、金属成分元素の含有割合が、原子比で、Ａｌ：０．７〜７％、Ｍｇ：１０〜２５％、残部ＺｎであるＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系酸化物からなる。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子に用いるのに適した熱安定性の高い有機化合物とこの有機化合物を用いた有機発光素子の提供。
【解決手段】陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置される有機化合物層と、を有する有機発光素子であって、前記有機化合物層のうち少なくとも一層が、下記式で例示される６，１２−ジナフチルクリセン誘導体を有することを特徴とする、有機発光素子。
（もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層
する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましくは１２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを１つの構成要素とする電源線駆動回路を有するＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）