【課題】高感度であり、得られる硬化膜が低誘電率でかつＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）に対する耐性が良好であり、信頼性試験においてパネル表示ムラの発生を抑えたポジ型感光性樹脂組成物、前記感光性樹脂組成物を用いた硬化膜及びその形成方法、並びに、前記硬化膜を備えた有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）少なくとも（ａ１）カルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有する構成単位と、（ａ２）架橋性基を有する構成単位とを有する共重合体、（成分Ｂ）少なくとも（ｂ１）スチレン類に由来する構成単位と、（ｂ２）架橋性基を有する構成単位とを有する共重合体、及び、（成分Ｃ）発生酸のｐＫａが４以下である光酸発生剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィを用いて有機化合物層をパターニングして形成される発光装置において、素子領域の外側の領域における有機化合物層の端部を素子領域内の発光層の端部と同じ条件でエッチングすると、大きな角度になってしまい、その上に形成される第２電極が途切れたり膜厚が薄くなったりして素子を流れる電流の配線抵抗が高くなり、発光装置の非点灯、シェーディングなどの発光不良や高電圧化などの課題が生じる。
【解決手段】 フォトリソグラフィにてパターニングされる複数の有機化合物層の端部のうち、発光素子間に位置せず、かつ、前記第２電極で覆われる領域に位置する端部の傾斜角を、発光素子間に位置する端部の傾斜角よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、Ｃｕ：０．１〜２．５原子％、Ｓｂ：０．１〜１．５原子％、Ｇａ：０．５〜３原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】高い硬化度と優れた電荷輸送性能との両立を可能とする電荷輸送性膜に有用な新規化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物〔一般式（Ｉ）中、Ｆは電荷輸送性サブユニットを示し、Ｌはアルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、及びアルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる（ｎ＋１）価の連結基を示し、Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍは１以上６以下の整数を示し、ｎは２以上３以下の整数を示す。〕。
【化１】



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【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】有機膜上に、光透過性、導電性が従来より高い透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法を提供する。
【解決手段】
有機膜上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法であって、酸素ガスを含まない雰囲気中に、金属酸化物の粒子を放出させ、有機膜上に到達させ、有機膜上に金属酸化物膜２７を形成する金属酸化物膜形成工程と、金属酸化物膜２７を酸化又は還元して第一の透明導電膜２７’を形成する金属酸化物膜改質工程とを有している。成膜中に有機膜が酸素ガス又は酸素イオン、ラジカルで損傷することがない。また金属酸化物膜２７を酸化又は還元させ、その酸素含有量を増減させることにより所望の膜質の透明導電膜２７’が得られる。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性及び膜強度に優れると共に、高温、高湿度環境下においても透明性、導電性及び膜強度の劣化が少ない透明電極を提供する。
【解決手段】透明電極１は、透明な基板１１と、基板１１上に、パターン状に形成された金属材料からなる第１導電層１２と、基板１１上に形成されて第１導電層１２と電気的に接続された、導電性ポリマー及び水系溶剤に分散可能なポリマーを含有する透明な第２導電層１３と、を備え、第１導電層１２は、金属粒子を用いて形成されており、第２導電層１３に含有される水系溶剤に分散可能なポリマーは、解離性基含有自己分散型ポリマーであり、かつ、解離性基含有自己分散型ポリマーの解離性基の５０％以上がアンモニウム塩又は炭素数６以下のアミン塩として中和されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置の画素ＴＦＴとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、前記発光層と陰極の間に、有機化合物を含有する層を有し、かつ前記発光層が少なくとも一種の電子輸送材料と少なくとも一種の正孔輸送材料を含有し、前記電子輸送材料と前記正孔輸送材料の少なくとも一方が発光材料であって、前記発光層において前記正孔輸送材料の濃度が、陽極から前記陰極に向かって減少していることを特徴とする有機電界発光素子。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子が有する透明導電膜における平均膜抵抗の低抵抗化が可能な電気器具を提供する。
【解決手段】電極１０５と、透明導電膜１０８と、電極１０５と透明導電膜１０８とに挟まれたＥＬ層１０７とを有するＥＬ素子を複数有し、ＥＬ素子が有する電極１０５の縁および隣り合う電極１０５の隙間と重なるように、ＥＬ素子が有する透明導電膜１０８に接して遮光性の金属膜１０９を設ける。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機発光ダイオードのための材料を提供する。
【解決手段】フェニルキノリン又はフェニルイソキノリンのフェニル環に２つの炭素原子を介して連結したキノリン又はイソキノリンを有するフェニルキノリン又はフェニルイソキノリン配位子を含む有機金属化合物。これらの化合物はまた、そのキノリン、イソキノリン、又は連結基上に水素及び重水素以外の置換基をも含む。これらの化合物は燐光ＯＬＥＤ中の赤色発光体として用いることができる。特に、これらの化合物は、安定で、狭く且つ効率的な赤色発光をもたらしうる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、さらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供する。
【解決手段】基板上の陽極と陰極との間に、少なくとも１層以上の有機層を有する有機ＥＬ素子において、該有機層の少なくとも１層は特定のホスト化合物及び下記一般式（１）で表されるリン光性化合物を含有する発光層であり、前記有機層は有機溶媒を０．０６〜１２０ｐｐｍ含有する。
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【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて前記半導体層のドレイン領域のみに位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 （もっと読む）