【課題】ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、かつプラズマ光発生部近傍の残留プラズマを排気して光学系の損傷及びＸ線の吸収損失を抑制することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】対向配置された１対の同軸状電極１０と、放電環境保持装置２０と、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、１対の同軸状電極間に管状放電を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込めプラズマ光８を発光させる。さらに、プラズマ光発光後の残留プラズマ３ａの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極１２より電位の低い仮想電極４１を形成する仮想電極形成装置４０を備え、残留プラズマを仮想電極４１による静電気力により加速させて高速排気する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを所望の励起準位まで加熱して有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発光させることができ、かつジュール加熱による入熱を大幅に低減することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】各同軸状電極１１に極性を反転させた放電電圧を印加して、１対の同軸状電極にそれぞれ面状放電２を発生させ、対向する中間位置に単一のプラズマ３を形成する。次いで面状放電を１対の同軸状電極間の管状放電４に繋ぎ換えて、管状放電によりプラズマ３を軸方向に封じ込め、同軸状電極間にプラズマ光８を発生させる。管状放電において、極短パルスの高繰り返し構造を持ったパルス電圧を用いることにより、プラズマのジュール加熱を抑制し、少ないプラズマのジュール加熱で長時間（１〜１０μｓ）のプラズマ閉じ込めが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成サイトに対する各種要素の配置自由度を向上する。
【解決手段】チャンバ装置は、オブスキュレーション領域を有する外部装置と共に用いられるチャンバ装置であって、ＥＵＶ光の生成が内部で行われるチャンバ１０と、前記チャンバ１０内に配置され、前記ＥＵＶ光を集光する集光ミラー１４と、前記集光ミラー１４を前記チャンバ１０に固定する支持部と、前記チャンバに設けられ、前記集光ミラー１０で集光されたＥＵＶ光Ｌ２を前記外部装置へ導入するための出力口Ｗ１４と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光出力を安定化する。
【解決手段】ドライバレーザから出力されたレーザ光をもとに極端紫外光をバースト出力する極端紫外光生成装置であって、過去にバースト出力された極端紫外光のパラメータログをもとに、バースト出力される極端紫外光の少なくとも１パルス目を含む１パルス以上の先頭側パルスエネルギーのエネルギー制御を行うエネルギー制御部を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光光源装置の中間集光点以降における照度分布特性が悪化したことをリアルタイムで検知すると共に、悪化した照度分布を修正できるようにすること。
【解決手段】ＥＵＶ光源装置において、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知する円筒形状の検知手段２０を設ける。中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光は、検知手段２０の開口２０ａを通過するので、露光処理中あっても中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。また、上記ＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡６を移動させることにより、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光光源装置において、均一な角度分布特性を得るための集光鏡の位置調整を、短時間で行うことができるようにすること。
【解決手段】制御部１０の分布データベース１０ａに、不均一な角度分布特性画像データと、この不均一な角度分布特性を均一な角度分布特性にするための集光鏡の移動方向および移動量と登録しておく。角度分布特性測定器１２により、角度分布画像データを取得したら、この角度分布特性画像データを、分布データベース１０ａに登録された画像と比較し、角度分布特性画像データの中から、取得した現在の角度分布特性と最もよく一致する画像データを選ぶ。そして、選び出した画像データに対応づけて記憶されている、均一な角度分布特性にするための集光鏡６の移動方向および移動量のデータを読み出し、これに基づいて、集光鏡移動手段１１により、集光鏡６を移動させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内光学要素の汚染を低減する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザシステムと共に用いられる極端紫外光生成装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内のレーザ光が照射される所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記所定の領域付近に磁場を生成するための磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、レーザ光がターゲット物質に照射された際に発生し磁力線に沿って流れるイオンを回収するためのイオン回収部と、前記チャンバ内にエッチングガスを導入するガス導入部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】光学素子の性能劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザシステムと共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を生成する磁場生成部と、前記磁場の磁力線方向に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されることで生成され、前記磁力線に沿って移動する帯電粒子を回収する帯電粒子回収部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時の作業スペースを確保しつつ有限のスペース内に収めることを可能にする。
【解決手段】収容スペース１００内に設置され、収容スペース１００外に配置されたチャンバ内に供給された極端紫外光の発生源となるターゲットに照射するレーザ光を出力するレーザ装置１は、マスタオシレータ１１から出力されたレーザ光を増幅する第３〜第５増幅器ユニットＰＡ３〜ＰＡ５と、第３〜第５増幅器ユニットに励起エネルギーを供給する第３〜第５電源ユニットＤ３〜Ｄ５と、外部電力を第３〜第５電源ユニットＤ３〜Ｄ５へ配電する配電盤５０と、第４電源ユニットＤ４および第５電源ユニットＤ５を配電盤５０に対して移動可能にするレールＲ１およびＲ２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】水素または同様の雰囲気を用いたＥＵＶ装置に適した代替の汚染物質トラップを提供する。
【解決手段】汚染物質トラップがＥＵＶ放射源装置内で用いられる。ＥＵＶ放射ビームが発生されて低圧ガス雰囲気を通り仮想放射源点に合焦される。ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ放射が通過する低圧水素雰囲気中にプラズマを生成する。電極を含む汚染物質トラップは、放射ビームが仮想放射源点に近接する最中に放射ビーム内または周りに位置付けられる。ＤＣバイアス源が電極に接続されて、プラズマによって負帯電された汚染物質粒子をビーム経路外に偏向させるように向けられた電界を発生させる。追加のＲＦ電極および／またはイオナイザはプラズマを増強させて粒子の帯電を増加する。偏向電極は、短時間の間、ＲＦバイアスで動作させられて、それにより増強されたプラズマを確実に消失させる。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光発生装置における高効率でしかもコンパクト、低価格なデブリ回収装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光発生装置において、バルク高温超伝導体とパルス磁場発生用のコイルを極低温に冷却できるようにした構造体による磁場発生装置とその磁場発生装置の磁力線の通る中心軸を中空とし、駆動用レーザ光とマイクロ波の導波管となるようにする。ＥＵＶ光を発生するプラズマ近傍が、マイクロ波の開放共鳴領域内になるように、マイクロ波の反射鏡をプラズマ発生点に対して磁場発生装置と反対側に適切に配置し、磁場とマイクロ波によるＥＣＲ共鳴により、中性デブリをほぼ完全にイオン化し、デブリのプラズマ閉じ込め、そして、磁場発生装置の中空部へのデブリの移動による高効率でしかもコンパクト、低価格なデブリ回収装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光光源装置において、集光鏡アッセンブリの熱変形による集光性能の悪化を防止すること。
【解決手段】極端紫外光光源装置に用いられる集光鏡アッセンブリは、径の異なる回転楕円面または回転双曲面形状の複数の反射シェル２１から構成され、この反射シェル２１が入れ子状に配置され、その端部が保持構造体２２で保持されている。反射シェル２１には冷媒を流す冷却チャネルが、反射面の裏面側の面上であって反射シェルの軸方向に取り付けられている。この冷却チャネルが補強材の働きをし、反射シェル２１の熱変形を抑制することができる。なお、反射シェル２１の材質としてモリブデンを用いことによりさらに熱変形を抑制することができ、保持構造体２２に冷却チャンネルを設けることにより、さらに効果的に集光鏡アッセンブリを冷却し、その熱変形を抑制することができる。 （もっと読む）

スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが貫通した材料体を備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。放射の第２波長は、放射の第１波長よりも短い。材料体は、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金、またはタングステン‐レニウム合金、またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。 （もっと読む）

放射源は、低圧力水素環境が与えられているチャンバとして、リソグラフィ装置用の極端紫外線を生成する。微量の保護化合物（例えばＨ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ_２、Ｏ_２、ＮＨ_３、またはＮＯ_ｘ）がチャンバに供給されてチャンバ内の金属（例えばチタン）コンポーネント上の保護酸化物膜を維持することを助ける。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィシステムにＳＯＣＯＭＯシステムを組み込む場合に、より安価で、単純で堅牢なシステムを提供する。
【解決手段】ＬＰＰターゲットシステム４０は、Ｓｎペレット（液滴）源２０を備える。Ｓｎペレット（液滴）源２０は、上述のＳｎペレット（液滴）２２を吐出する。Ｓｎペレット（液滴）２２は、比較的低質量のペレットであって、レーザ光線１３が照射されると、略等方性のＥＵＶ３０を生成する。このため、ＬＰＰ２４と中間焦点ＩＦとの間に光学軸Ａ１に沿って多層シェル型ＧＩＣミラーＭＧを配置することができる。レンズ１７は、レーザ光線１３を焦点Ｆ１３に収束させる。 （もっと読む）

【課題】異なる処理装置の仕様に対してＥＵＶチャンバの仕様変更を少なくすることができるＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】極端紫外光を用いて処理を行う処理装置に極端紫外光を供給する極端紫外光源装置であって、処理装置に供給するための極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内において生成された極端紫外光を集光して前記処理装置に出射する集光ミラーと、チャンバと処理装置との間において極端紫外光の経路を画定するとともに、極端紫外光の経路を外部から隔離する光路接続モジュールとを具備する。 （もっと読む）

極紫外光システムは、増幅光ビームを生成する駆動レーザシステムと、ターゲット位置でターゲット材料を生成するように構成されたターゲット材料送出システムと、駆動レーザシステムから出射された増幅光ビームを受け取り、かつ増幅光ビームをターゲット位置に向けて誘導するように構成されたビーム送出システムと、計測システムとを含む。ビーム送出システムは、ターゲット位置に増幅光ビームを集束させるように構成かつ配置された収束レンズを含む。計測システムは、収束レンズから反射した増幅光ビームの一部分と収束レンズから反射した案内レーザビームの一部分とを集光するように構成された集光システムを含む。集光システムは、これらの部分を光学的に分離するように構成された二色性光デバイスを含む。 （もっと読む）

極紫外光システムは、増幅光ビームを生成する駆動レーザシステムと、ターゲット位置でターゲット材料を生成するように構成されたターゲット材料送出システムと、極紫外光集光器及びターゲット位置を収容する内部真空空間を定める極紫外光真空チャンバと、駆動レーザシステムから出射された増幅光ビームを受け取り、かつ増幅光ビームをターゲット位置に向けて誘導するように構成されたビーム送出システムとを含む。ビーム送出システムは、増幅光ビームのサイズを拡張するビーム拡張システムと、ターゲット位置に増幅光ビームを集束させるように構成かつ配置された集束要素とを含む。 （もっと読む）