【課題】裏面のラフネスが大きい透明材料や、欠陥が存在する透明材料などであっても、被加工面を精度良く加工することができるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】レーザー光を用いて透明材料を加工する方法であって、レーザー光の発振波長は、１９３〜１１０００ｎｍであり、且つ、透明材料は、レーザー光の吸収係数が１ｃｍ^−１以下であり、透明材料の被加工面に対し、レーザー光の吸収係数が１μｍ^−１以上のレーザー光吸収物質を付着させるレーザー光吸収物質付着工程と、透明材料に付着させたレーザー光吸収物質の表面側からレーザー光を照射し、透明材料の被加工面に加工を施すレーザー加工工程とを含むことを特徴とする、透明材料のレーザー加工方法である。 （もっと読む）

【課題】磁区細分化処理が施されていない方向性電磁鋼板を変圧器等の鉄心材に切断する際に、効率的に磁区細分化処理を施すことができる切断装置とその切断方法を提案する。
【解決手段】方向性電磁鋼板を所定の形状・寸法に切断する切断装置において、切断前あるいは切断後の方向性電磁鋼板に対して圧延方向と４５〜９０°をなす方向に線状の歪を前記方向性電磁鋼板の全面に付与する磁区細分化処理機構を付設してなることを特徴とする方向性電磁鋼板の切断装置。 （もっと読む）

【課題】切断面に割れや欠けを生じさせること無く単結晶基板を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。
【解決手段】カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも外側領域まで、レーザ光源装置１２からレーザー光線ＬＲを照射する。このレーザー光線ＬＲの照射幅ｔ２は、カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも広くなるように設定する。即ち、レーザー光線ＬＲは、カッティングライン２５のエッジを越えて、半導体チップ２０の形成領域の端部まで細長く照射する。この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Ｓｎを形成し、そこをブレード１１で切断する。 （もっと読む）

【課題】光源からの光を変調して、略円形の等強度線を有する少なくとも１つの光を被照射物に対して照射する光照射装置を提供する。
【解決手段】光照射装置１０は、光を出射するマスク照明系１１と、マスク照明系１１からの光を変調して出射する変調マスク２１と、変調された光を結像して被照射物１８に照射する結像光学系１７とを備えている。変調マスク２１は、円形の輪郭からなる変調領域２２と、各変調領域２２間を埋めるよう形成された非変調領域２３と、を有している。変調領域２２は、光を第１の位相変調量で変調する多数の第１位相変調単位領域２５ａと、各第１位相変調単位領域２５ａを埋めるよう形成され、光を第２の位相変調量で変調する第２位相変調領域２５ｂと、を有している。各第１位相変調単位領域２５ａは、仮想的な円周方向線２７に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】ポリカーボネートの内部に、超短パルスレーザー光を照射し、照射部のみを高い導電性を有する炭素系材質に改質することにより、ポリカーボネート内部に周囲環境に依存せず高い再現性を有する導電性材料を作製する。
【解決手段】ポリカーボネート１の内部に、波長０．３８μｍ以上２．５μｍ以下、パルス幅１ｆｓ以上１０００ｐｓ以下の超短パルスレーザー光２を照射することにより、照射部のみを導電性を有する材料に改質する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の脆性材料基板を分断する際に、飛散物なしに、かつ比較的厚みが厚い基板においても走査数を少なくして容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって、第１及び第２工程を含んでいる。第１工程は、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する。第２工程はパルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査する。そして、以上の工程によって、脆性材料基板の厚みｔに対して、厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで改質層から基板の表面に向かって亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ微細加工技術を応用することによって、自由な曲面形状を視覚に応用でき、かつ、新たな視覚的効果を生み出すことを提案する。また、レーザ特有の加工痕（シェルマーク）を制御しながら積極的に付加することによって、反射や拡散において今までに無い見え方（視覚）を提案する。
【解決手段】まず加工対象物の加工面に対して所定の深さの加工を行うためのレーザ光のエネルギー密度を設定し、そのエネルギー密度のレーザ光を加工面に繰り返し照射した場合に、加工面に所望の微細形状が形成されるショット数を設定する。また、設定されたショット数のレーザ光を加工面に照射するための、加工面でのレーザ照射領域の移動速度を計算し、その計算された移動速度でレーザ照射領域に対して加工面を移動させながら、その設定されたエネルギー密度のレーザ光を照射し、微細形状が形成される加工面表面にレーザ光照射による加工痕にからなる超微細凹凸構造を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、欠陥を確実に修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥をレーザ光により修正するレーザ加工方法において、欠陥の位置情報を取得する欠陥位置情報取得工程（Ｓ１）と、上記レーザ光を照射するレーザ光照射部を、その照射可能領域に上記欠陥が位置するように、上記位置情報に基づき上記基板と相対的に移動させる照射部相対移動工程（Ｓ２，Ｓ８）と、上記欠陥の位置によらず上記基板の非パターン領域に設定された照射領域に、上記レーザ光照射部により上記レーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ９，Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板の面上に形成されたパターンの欠陥を樹脂基板にダメージを与えることなく、レーザ光照射により高品位に修正する。
【解決手段】欠陥修正装置２０１は、フェトム秒単位のパルス幅を有したレーザ光を出射するレーザ３２と、レーザ光の光軸（Ｚ軸）が直交する面を有するフィルム基板２６の面の上に形成されたパターンの欠陥部を修正する修正部と、を備える。修正部は、欠陥部の表面と光軸とが直交するようにレーザ光を欠陥部に照射する。このとき、レーザ光の照射位置を、表面において光軸と直交するＹ軸が延びる方向と当該光軸およびＹ軸のそれぞれと直交するＸ軸が延びる方向とに可変としながら、且つ当該照射位置を光軸に沿って欠陥部の表面からフィルム基板２６の面に至るまで複数回に分けて可変としながら、レーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】同じレーザ光源装置を用いて、加工精度を良好に保ちつつ、レーザ光のパルスエネルギーおよび繰返し周波数を変化させる。
【解決手段】シードLD１５１から射出されたレーザ光を、ファイバ増幅器１５３およびファイバ増幅器１５５により増幅した後、固体レーザ増幅器１５８により増幅する。制御部１６０は、固体レーザ増幅器１５８の固体レーザ媒質を励起する励起光をレーザ光に同期して固体レーザ媒質に照射するように制御するとともに、励起光の単位時間あたりのパワーが所定の値になるように、レーザ光の繰返し周波数に応じて励起光の強度を制御する。本発明は、例えば、レーザリペア装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】２つの光ファイバの融着部から漏れ出る漏洩光によって、それら光ファイバの温度が上昇するのを抑制するための構造を提供する。
【解決手段】ファイバ接続部８は、融着部１１Ｃと、保護部２１と、漏洩光除去部２２とを有する。ノンドープ光ファイバ１１Ａの出射端面および希土類添加光ファイバ１１Ｂの入射端面とが融着されることで、融着部１１Ｃが形成される。ノンドープ光ファイバ１１Ａの出射端面と希土類添加光ファイバ１１Ｂの入射端面とを融着するために、ノンドープ光ファイバ１１Ａの出射端の被覆および希土類添加光ファイバ１１Ｂの入射端の被覆が除去されている。融着部１１Ｃは保護部２１によって覆われる。漏洩光除去部２２は、希土類添加光ファイバ１１Ｂの被覆４４Ｂのうち融着部１１Ｃ近傍の部分を覆うように設けられる。漏洩光除去部２２は、被覆４４Ｂの屈折率以上の屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸１６を形成する。次に、ボール１４を第１の電極２０に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ガラスを用い、ノズル孔が吐出により適したテーパー面を有するノズルプレートを、より簡便に製造することができるノズルプレートの製造方法およびその製造方法を含む液滴噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るノズルプレートの製造方法は、ガラス基板にレーザービームを照射し、前記ガラス基板の前記レーザービームが集光した焦点領域において、前記ガラス基板の改質部分を形成する照射工程と、前記ガラス基板のノズル孔が形成される領域が、前記改質部分となるように、前記レーザービームを前記ガラス基板に対して相対的に走査する走査工程と、前記ガラス基板をウェットエッチングし、前記改質部分を除去するエッチング工程と、前記ガラス基板を所望の厚みまで研削し、ノズル孔を有するノズルプレートを形成する研削工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】偏光板フィルム付きのガラス基板を、強度を低下させることなく容易に分断する。
【解決手段】この分断方法は、ガラス基板を分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、準備工程と、偏光板フィルム除去工程と、分断工程と、を含んでいる。準備工程は、レーザ光を反射可能なレーザ反射膜が少なくとも分断予定ラインに沿って形成されるとともに、レーザ反射膜を挟んで表面に偏光板フィルムが形成されたガラス基板を準備する。偏光板フィルム除去工程は、偏光板フィルムが形成された側から、分断予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、分断予定ライン上の偏光板フィルムを除去する。分断工程は、偏光板フィルムが除去された分断予定ラインに沿ってメカニカルツールによりガラス基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】微細加工及び高精度かつ高品質の加工を行うことができるとともに、高い加工効率を有し、かつ、レーザ光の照射回数を少なくして任意の形状加工においても短時間に加工可能なレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】レーザ加工システムＳは、レーザ光源１００から出力されたフェムトレーザビームの一部を遅延させ、加工対象物Ｍに時間差を与えてフェムトレーザビームを異なる集光スポットＳＰに集光することによって加工対象物Ｍを加工するようになっている。特に、このレーザ加工システムＳは、第１位置に遅延を生じていない第１フェムトレーザビームを照射し、第２位置に遅延を生じさせた第２フェムトレーザビームを照射するようになっている。 （もっと読む）

太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルの基板材料を熱処理するための装置において、該装置は、少なくとも１つのレーザ光源（４ａ，４ｂ）を含む。
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【課題】チッピング防止のために、スクライブラインにレーザを照射して層間絶縁膜の除去を行っても、後のダイシング時に、ダイシングブレードのアライメントが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スクライブライン３とスクライブライン上に形成されたアライメントマーク４１１、４１２とを有する半導体ウエハ１を用意する工程と、半導体ウエハ１のスクライブライン３にレーザを照射する工程とを有し、レーザを照射する工程において、少なくとも一つのアライメントマーク４１１、４１２が残存するようにレーザ照射を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザビームのエネルギを最大限に活用し、かつ、加工領域外の薄膜や基板への熱的ダメージを抑制する。
【解決手段】基板１上に形成された薄膜２の除去方法である。前記基板１を介して除去する薄膜２にレーザビーム３を照射する。前記基板１へのレーザビーム３の入射角を、レーザビーム３の反射が最小となる角を維持しつつ、前記基板１とレーザビーム３を相対移動させる。
【効果】レーザビームのエネルギを最大限に活用できるので、レーザビームの照射時間を長くしたり、照射するレーザビームのエネルギを高める必要がなく、基板上の加工領域外の薄膜や基板に与える熱的ダメージを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】レーザによる加工精度を維持しつつ加工時間を短くして、基板への熱的影響を抑制し得るようにする。
【解決手段】基板１にベッセルビーム４を照射して基板１の端面部１ａをレーザ加工する。レーザビーム５を照射するレーザ発振器と、このレーザ発振器より照射されたレーザビーム５をベッセルビーム４に形成する例えばプリズム３と、基板１の側面から照射した、プリズム３により形成されたベッセルビーム４と、基板１の上下面側の位置を検出するＣＣＤカメラ６ａ、６ｂと、このＣＣＤカメラ６ａ、６ｂにより検出したベッセルビーム４と、基板１の上下面側の位置に基づき、位置制御装置８で、基板１又はプリズム３の位置を制御して加工位置の補正を行う。
【効果】加工精度を維持しつつ効率良く加工することができる。また、加工時間が短くなって、基板への熱的影響が抑制される。 （もっと読む）