【解決手段】 液体を噴射する噴射孔１２ａを細長く形成して、被加工物２に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Ｌを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Ｌを反射させる第１ミラー２３と、該第１ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Ｌを第１ミラーに全反射させる第２ミラー２４とを設け、
さらに、上記第１ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第１ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第１ミラーと第２ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第１ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、表面に金属膜が形成される被加工基板について、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜を備える被加工基板のレーザダイシング方法であって、被加工基板をステージに載置し、金属膜に対してデフォーカスされたパルスレーザビームを照射し、金属膜を剥離する金属膜剥離ステップと、被加工基板の金属膜が剥離された領域にパルスレーザビームを照射し、被加工基板にクラックを形成するクラック形成ステップを有
することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができるレーザー加工装置用のノズルクリーナを提供する。
【解決手段】ノズルクリーナは、ノズルクリーナ本体と、ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、保持手段上に保持されたノズルクリーナの上面にノズルを下降させてノズルの下面を当接させた後に、保持手段をノズルに対して相対移動させることで、粉塵を除去する。 （もっと読む）

【課題】対象物が照射されるエネルギ分布を均一化する。
【解決手段】本発明に係るレーザアニール装置１は、対象物１１が載置されるステージ２と、照射部１３からの距離に応じて断面積が変化し断面積とエネルギ密度とが反比例するレーザ光１２を照射するレーザ装置３と、対象物１１と照射部１３との相対的位置関係を変化させる移動手段４とを備え、移動手段４は、レーザ光１２の対象物１１への照射位置がステージ２の回転中心から離間するに従って、対象物１１に照射されるレーザ光１２の断面積が小さくなるように相対的位置関係を変化させるものである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池またはエレクトロルミネッセンスデバイスの製造過程における、裏面電極膜及び光電変換層をともに切削除去する加工を支障なく遂行し、透明導電膜等へのダメージを回避する。
【解決手段】最上層にある裏面電極膜３に向けてレーザ光４３を照射して少なくとも裏面電極膜３を切削する第一の照射工程と、第一の照射工程にてレーザ光４３を照射した箇所の近傍にレーザ光４４を照射して裏面電極膜３の下方に残存する光電変換層２を切削する第二の照射工程とを個別に実行することとした。第一の照射工程にて照射するレーザ光４３と、第二の照射工程にて照射するレーザ光４４とは、波長、出力、パルス幅またはビームプロファイルを相異させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の主面および第１の主面とは反対側の第２の主面を有する基板１０と、基板１０の第１の主面上に実装された半導体チップ２０と、半導体チップ２０を封止した樹脂４０と、基板１０の第１の主面上に配置され、樹脂４０の一部をレーザ加工により除去することで樹脂４０から少なくとも一部を露出した半田ボール３０と、基板１０の第２の主面上に配置された半田ボール５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】脆性材料で形成された被加工物をレーザビームのビームパターンによらずに安定して分割加工できる分割加工方法を得ること。
【解決手段】分割加工方法は、脆性材料で形成された被加工物に対しレーザビームを相対的に走査して局部的に溶融し蒸発させることにより、前記被加工物を分割する分割加工方法において、湾曲機構を備えたステージ台に、前記被加工物が分割予定線に沿って破壊応力未満の応力で前記湾曲機構により曲げられるように、前記被加工物を固定する固定ステップと、前記湾曲機構により曲げられた前記被加工物の前記分割予定線に沿ってレーザビームを相対的に走査させる切断ステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】アブレーション加工により発生する粉塵がレーザビームの光路を妨げることのない粉塵排出ユニットを備えたレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】粉塵排出手段は、上壁と底壁と該上壁と該底壁と連結する側壁とを有し、内部に集塵室を画成し該集光器に連結されたケーシングと、該上壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第１の開口と、該底壁に形成されたレーザビームの通過を許容する第２の開口と、該側壁に形成された吸引排気口と、該上壁及び該底壁に接するように該ケーシング内に挿入され、該第２の開口を中央開口と該中央開口の両側の第１及び第２吸引口に分離するＶ形状隔壁と、該第１吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第１流路と、該第２吸引口を該吸引排出口に接続する該ケーシングと該Ｖ形状隔壁により画成された第２流路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】円形以外の楕円ビームやラインビームを走査させ、照射対象面を改質するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】照射対象物１５を照射するレーザビーム３の走査位置を直交関係のＸ走査部４とＹ走査部５とで移動させるレーザビーム位置移動手段（４、５）と、前記レーザビーム３を光軸中心に走査角（θ_i）を回転させるレーザビーム回転手段２と、これらの手段の動作を制御するマイクロプロセッサ８と、前記制御に係る情報を記憶するメモリ９とを具備するレーザ照射装置１であって、前記レーザビーム３の短軸方向３ｂに走査方向Ｐ１を一致させ、刻々変化する前記レーザビーム３の所定の移動位置ごとに設定した前記走査角（θ_i）の方向に前記レーザビーム３を走査させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＨＣ膜に由来する基板の汚染を低減する。
【解決手段】基板の第１の主面を光熱変換膜を介して支持基板に張付ける工程と、支持基板上に露出した光熱変換膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。支持基板上に光熱変換膜を形成する工程と、半導体基板より外側に光熱変換膜が延在するように半導体基板を前記支持基板に張付ける工程と、光熱変換膜に汚染防止処理を行う工程と、支持基板と半導体基板とを分離させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板における嫌熱性部分への熱影響をできるだけ小さく、かつ高速で加工できるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】熱影響を嫌う赤外線受光部１００を有する基板１に対して、その近傍領域２００にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工方法であって、近傍領域２００の内、赤外線受光部１００に近い領域部分２０１に、アブレーション加工条件でレーザ光を照射するアブレーション加工工程と、近傍領域２００の内、赤外線受光部１００から遠い領域部分２０２に、熱加工条件でレーザ光を照射する熱加工工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて短時間で効率的に残留応力の改善と疲労強度の向上を行うことのできるレーザピーニング方法を提供する。
【解決手段】被施工対象物の表面に液体を通してパルス状のレーザビームを、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に照射し、一定の走査長さを走査した後、走査方向（ｘ方向）と直交するピッチ方向（ｙ方向）に一定のピッチ移動させ、走査方向（ｘ方向）に移動させながら一定の走査間隔毎に前記レーザビームを照射する工程を繰り返して、被施工対象物の表面に圧縮残留応力を付与するレーザピーニング方法であって、被施工対象物の部位にかかる負荷の方向及び大きさに応じて、走査方向（ｘ方向）とピッチ方向（ｙ方向）及びこれらの方向における夫々の単位面積当たりの照射密度を変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
レンズと封止樹脂との間に光学的界面が存在しないようにして光取り出し効率を最大限に向上させるとともに、製造上無理がなく、しかもＬＥＤ素子１と確実に光軸を合わせることができるＬＥＤパッケージ１００の製造方法等を提供する。
【解決手段】
ＬＥＤ素子１を透明なシリコーン樹脂で封止して封止層３を形成し、前記封止層３の表面に短パルスレーザを照射して環状の変質部分Ｑを形成し、該変質部分Ｑを取り除くことによって環状の有底溝５を形成し、前記封止層３の表面における前記有底溝５の内周縁５ａで囲まれた領域に、前記シリコーン樹脂とは同種又は別種の透明な第２樹脂を液体状態で供給し、前記内周縁５ａを境界とする表面張力によって当該第２樹脂の盛り上がり部を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の変位に対応して、高精度に焦点の調整およびビーム形状やサイズの調整を行うことを目的とする。
【解決手段】長軸スリット８，短軸スリット９を長軸用と短軸用に区別し、それぞれを個別に可変とすることで、基板の変位に対応して、高精度に焦点の調整およびビーム形状やサイズの調整を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振器からのレーザ光を伝送する光ファイバが大きなコア径を有していても、短手方向の寸法の小さなラインビームに成形することのできるレーザ光学系を提供する。
【解決手段】レーザ発振器２より出力されたレーザ光を伝送する第１の光ファイバ３と、第１の光ファイバ３より出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズ４と、コリメートレンズ４より出射されたレーザ光を複数のセル５ａによって多点スポットのレーザ光に分光する球面アレイレンズ５と、第１の光ファイバ３よりも小さなコア径を有し、球面アレイレンズ５により多点に集光された各レーザ光を入射させ、且つ出射端６ｂがその軸線を互いに平行にして直線状に一列に配列された複数の第２の光ファイバ６と、複数の第２の光ファイバ６より出射されたレーザ光を照射面１２で直線状をなすレーザ光に成形する光学系７〜１１とによりファイバ転送レーザ光学系１を構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いて被処理物に対するより効果的な処理が可能となるレーザ処理装置及び方法を提供することである。
【解決手段】液体の存在のもとで被処理物１００の表面にレーザビームを照射して当該被処理物を処理するレーザ処理装置であって、気体供給機構３４と、液体に前記気体供給機構からの気体を加えて気体含有液を生成する気体含有液生成機構３６、３８、３９と、処理槽１１内において、少なくとも被処理物１００の処理すべき部位を前記気体含有液生成機構からの気体含有液が満たされた状態を形成する処理状態形成機構１５ｃとを有し、前記気体含有液が満たされた状態の被処理物１００の表面の処理すべき部位に前記レーザビームを照射する構成となる。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工装置において、加工箇位置を検出するための撮像手段とレーザー光の集光点との位置関係に経時的にずれが生じる場合であっても、ウェーハの裏面から適正な位置にレーザー光線を照射できるようにする。
【解決手段】レーザー加工装置１に、上面撮像手段７０と下面撮像手段７１とを備え、被加工物を保持する保持手段２に備えた透明な保持板２０に上面撮像手段７０による撮像時の基準位置と下面撮像手段７１による撮像時の基準位置とのずれを検出するための位置ずれ検出用マークを形成し、上面撮像手段７０及び下面撮像手段７１の双方から位置ずれ検出用マークを検出することで、上面撮像手段７０と下面撮像手段７１との位置ずれを認識する。したがって、被加工物の裏面が上方に向けて露出し分割予定ラインが表面に形成されている場合でも、その位置ずれ分を補正して裏面側からレーザー加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ペン操作での基板のエッチングにおいて、パターン再生の正確性は操作者の技量に大きく依存する。
【解決手段】基板材料上に配置されたエッチング領域内にパターンをエッチングする装置であって、基板４に対するエッチングヘッド１２の位置及び向きを計測するユニットと、計測されたエッチングヘッド１２の位置及び向きの関数としてエッチング地点の座標を計算し、エッチング地点について計算された座標が予め記憶されたパターンの図面内に符号化されたエッチングされるべき地点の座標と一致する場合、エッチングを開始し、一致しない場合、エッチングを自動的に停止する制御ユニット１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基材上に形成された多層の被覆膜のうち、特定の被覆膜の応力を調整する表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理方法は、基材10の表面に、引張応力を有する応力膜21とこの応力膜21の上層に被覆された上層膜22とを含む多層の被覆膜20を備える部材に対して行う表面処理方法であって、被覆膜20にパルスレーザを照射することで、上層膜22を除去して応力膜21を表面に露出させ、かつこの応力膜21に対して引張応力を低減又は圧縮応力を付与する。パルスレーザを用いることで、被覆膜20のうち、除去したい上層膜22のみ除去でき、除去後に表面に露出した引張応力を有する応力膜21に対して、その引張応力を低減、更には圧縮応力を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の機械強度を向上させながら、半導体装置の裏面にマークを形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、半導体基板の裏面１Ｘに研磨痕４及び破砕層５によって形成されたマーク６を備え、半導体基板の裏面１Ｘのマーク６が形成されている部分以外の領域の研磨痕４及び破砕層５が除去されているものとする。 （もっと読む）