【課題】銅箔（配線パターン）の同一平面内に抵抗素子および誘電体（キャパシタ素子）を形成することに起因する寸法精度の低下を回避すると共に、ＬＣＲ回路を形成する配線長が長くなることに起因する電気特性の低下（寄生容量やインダクタンス成分の発生）を解消する上で好適な多層配線板を提案する。
【解決手段】絶縁樹脂層と配線パターン層との積層構成からなり、キャパシタ，レジスタ，抵抗，インダクタなどの受動素子部品を内蔵してなる多層配線基板において、少なくとも１層の配線パターン層には、片面に抵抗素子，他面にキャパシタ素子が、別々の側の面に形成された構成の配線パターン層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】アンテナとして十分に機能する導電膜を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にトランジスタを含む素子形成層と、素子形成層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられたアンテナとして機能する導電膜とを有し、トランジスタと導電膜は電気的に接続され、絶縁膜は溝を有し、絶縁膜の表面および溝に沿って導電膜を設ける。なお、絶縁膜が有する溝は、絶縁膜を貫通させて設けてもよいし、絶縁膜を貫通させずに絶縁膜に凹部を形成して設けてもよい。溝の構造はどのように設けてもよく、例えばテーパー状等に設けることができる。 （もっと読む）

この発明は、高周波プラグコネクタの高周波チューニング法において、高周波接続用接点（２１−２８）と圧接接続用接点（３１−３８）の双方を有するプリント回路基板（３）を具える。各高周波接続用接点（２１−２８）はそれぞれの圧接接続用接点（３１−３８）に接続される。ニアエンド・クロストークを引き起こす静電結合が高周波接点間に発生する。一方の面のみで電気接続用接点（２６）に接続された少なくとも１つの第１導体路（４６）がプリント回路基板（３）の上に配置され、プリント基板の上及び／又は内部に配置された少なくとも１つの第２導体路（４４）とともにキャパシタ（Ｃ_４６）を形成する。装置の少なくとも１つの周波数依存パラメータを求め、この周波数依存パラメータを設定パラメータと比較し、これら２つの間の差に応じて、一方の面に接続された導体路（４６）を部分的に除去するか、又は完全に分離する。
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本発明は、抵抗器及びコンデンサを形成するために有用なものである多層構造体に関する。また、本発明の多層構造体は、印刷回路板、又は、その他の微細な電子デバイスを製造するためにも有用なものである。本発明の多層構造体は、第１の導電層と、第１の熱硬化ポリマー層と、熱抵抗フィルム層と、第２の熱硬化ポリマー層と、第２の導電層に電気めっきされたニッケル−リン電気抵抗材料層とが、順次付けられた層からなる構造を備えるものである。
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【課題】 誘電体層として、誘電体フィラーと樹脂からなる絶縁樹脂を使用した構成であっても、高容量のコンデンサを得ることが可能な形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板に設けた下電極上に、誘電体フィラーと絶縁樹脂が混合されているペースト状あるいはフィルム状の誘電体から構成された誘電体層設け、予めレーザーにより処理した後、上電極を形成することで、従来のコンデンサよりもコンデンサの容量値をアップしたコンデンサを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】小形化および高周波帯域動作に適した受動素子内蔵形の回路配線基板及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】回路配線基板１において、互いに誘電率が異なり板面に沿う方向に相互に隣接された第1基板部分２１及び第２基板部分２２によって構成された平板状の絶縁基板２と、少なくとも前記第２基板部分２２に設けられた受動素子と、前記受動素子の電極部分を構成する素子用導電層Ｃ１ａ乃至Ｃ５ａ、Ｌ１、Ｌ２等と、前記導電層に電気的に接続され前記第１基板部分に設けられた回路配線層３１ａ乃至３４ａ等とを備え、前記第1及び第２基板部分はそれぞれの板面が前記絶縁基板の平板状板面にほぼ面一に揃うように配置され、前記素子用導電層及び回路配線層は前記絶縁基板の板面上に並置されている。 （もっと読む）

【課題】より高いＩＣスイッチング速度に対処するために、改善された電圧応答と組み合わされた優れた配電インピーダンス低減を可能にすること。
【解決手段】電力コアが、少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ２４０を含む少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ層と、少なくとも１つの平面型コンデンサ積層薄板３４０とを備え、この平面型コンデンサ積層薄板３４０が、少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ２４０に電荷を供給するための低インダクタンス経路として機能し、少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ２４０が、平面型コンデンサ積層薄板３４０のうちの少なくとも１つに並列で接続され、電力コアが、少なくとも１つの信号層に相互接続される電力コアデバイスである。 （もっと読む）

【課題】 1GHzを超える高周波数下での使用が可能であり、低製造コストの高周波回路用圧延銅箔を得る。
【解決手段】 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I₍₂₀₀₎）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I_o(200)）に対し、I₍₂₀₀₎／I_o(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ（以下、Raとする）が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ（以下、Rzとする）が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】 強度、密着性に優れる半田パッド構造にすることによって密着性、電気接続性、信頼性に優れるプリント配線板を提供する。
【解決手段】 半田パッド７７Ｕは、Ｎｉ層７２、Ｐｄ層７３からなる複合層の間に形成され、該複合層上の半田７６αは、鉛が含有されていない半田からなる。Ｐｄ層（パラジウム層）が半田をハジク現象などを低下させるために、半田との密着性を向上させることができる。Ｐｄ層は、金層と比較して剛性に優れているために、熱応力がＰｄ層内で吸収されて、緩衝され、熱応力により半田バンプもしくは半田層への応力を伝達させることを低減させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層及び配線層の剥離やクラックの発生を防止すると共に、表皮効果に基づく高周波伝送損失を低減する配線基板を提供する。
【解決手段】
絶縁層及び配線層を有する配線基板において、前記配線層２、４、６、８は金属部からなり、金属部の厚さ方向の中間部位（第二の金属層２ｂ、４ｂ、６ｂ、８ｂ）が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなる。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板または他のマイクロ電子デバイスに内蔵されているキャパシタ層形成に有用なキャパシタ層形成材の製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ層形成材の製造方法であって、工程Ａ：第１導電層の上に第１熱硬化性ポリマー層を設ける。工程Ｂ：第１導電層の上に設けた第１熱硬化性ポリマー層上に、更に重合可能層を設け２層の複合樹脂層とし複合樹脂層付導電層を得る。工程Ｃ：第２導電層の表面上に第２熱硬化性ポリマー層を設け、第２熱硬化樹脂層付導電層を得る。工程Ｄ：前記複合樹脂層付導電層の重合可能層と、第２熱硬化樹脂層付導電層の表面の第２熱硬化性ポリマー層とを接触させ積層する。工程Ｅ：重合可能層に重合反応を起こして張り合わせ、第１熱硬化性ポリマー層／重合反応層／第２熱硬化性ポリマー層の誘電層を備えるキャパシタ層形成材とすることを特徴とする製造方法等を採用する。 （もっと読む）

【課題】１５０℃程度の高温下に長期間放置しても、絶縁フィルムと銅箔表面との密着強度（ピール強度）が大幅に低下することのない銅メタライズド樹脂を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂と、該絶縁樹脂の少なくとも片面に設けた銅または／および銅合金からなる銅薄膜層とからなる銅メタライズド樹脂であって、前記銅薄膜層と絶縁樹脂との接合部近傍の銅薄膜層組成が、銅に対し銅以外の少なくとも１種類の金属が１％以上７０％以下の比率であることを特徴とする銅メタライズド樹脂、およびその製造方法である。 本発明は、１５０℃程度の高温下に長期間放置しても、絶縁フィルムと銅含有層との密着強度（ピール強度）が大幅に低下することのない銅メタライズド樹脂、特に微細回路形成および／またはＣＯＦ実装に適した銅メタライズド樹脂とその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】繰り返し折り曲げても断線不良の起きない、接続信頼性が高いフレキシブル基板及びその製造方法、さらにその基板を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル性を有するデバイスであって、基板に形成される金属配線12の少なくとも一部が導電性高分子により覆われている。具体的には、基板11上に金属の配線12を形成し、その配線上を覆うように導電性高分子の配線13を形成し、金属配線12と導電性高分子配線13とを多層構造にする。 （もっと読む）

【課題】下部電極層が形成される回路層に微細な回路パターンが形成でき、下部電極層の不要な部分が形成されず、寄生インダクタンスの発生を防止できるキャパシタ内蔵型プリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ内蔵型プリント基板は、絶縁層１１１と、絶縁層１１１の上に形成された下部電極層１１２ａと、下部電極層１１２ａの周囲に形成された回路パターン１１２ｂと、下部電極層１１２ａと回路パターン１１２ｂの間に充填され、下部電極層１１２ａと回路パターン１１２ｂの間を絶縁する絶縁樹脂１１５と、下部電極層１１２ａの上に形成された誘電体層１１３ａと、誘電体層１１３ａの上に形成された上部電極層１１４ａなどで構成される。 （もっと読む）

【課題】スルーホール又はビアホール充填用の導電ペーストについて、電気伝導性に優れると共に、高い熱伝導率を有するものを提供する。
【解決手段】金属フィラーと、潜在性硬化剤とエポキシ樹脂とからなる樹脂成分と、を含んでなり、プリント配線板に設けられたスルーホール又はビアホールを充填するために用いられる導電ペーストであって、樹脂成分を１００重量部とした場合、２０００〜１００００重量部の金属フィラーを含むスルーホール又はビアホール充填用導電ペーストである。このとき、金属フィラーは、タップ密度４．５ｇ／ｃｃ以上の金属粉からなるものが好ましく。また、金属フィラーは、タップ密度及び比表面積の異なる２種以上の金属粉を混合したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用可能で、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層2と下部電極形成に用いる第２導電層4との間に誘電層3を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層4はニッケル層又はニッケル合金層であることを特徴としたキャパシタ層形成材を採用する。そして、当該第２導電層4としてのニッケル層又はニッケル合金層の厚みが１０μｍ〜１００μｍであるものを用いることが好ましい。更に、誘電層3は、第２導電層4を構成するニッケル層又はニッケル合金層の上にゾル−ゲル法で形成する場合に適したものを採用する。 （もっと読む）

【課題】導電性および基板との密着性に優れ、厚膜化が可能な導電膜の形成方法、かかる導電膜の形成方法により形成された導電膜を有する配線基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電膜の形成方法は、基板２上に、所定パターンの導電膜３を形成する方法であり、基板２上に、導電膜３のパターンとほぼ等しいパターンとなるように、液滴吐出法により金属粒子３１ａを含有する金属膜３１を形成し、その後、無電解メッキを少なくとも１回行うことにより、金属膜３１の表面を覆うようにメッキ膜３２を形成して、導電膜３を得る。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用出来る、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層に銅層の表面に異種金属層として硬質ニッケルメッキ層、コバルトメッキ層、ニッケル−コバルト合金メッキ層、２層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層、２層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層、３層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層、３層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層等を備える複合箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】 表面粗さを抑えながら絶縁基板との密着性を維持し、高周波特性、ファインパターン化に最適な表面処理銅箔を提供し、並びに該表面処理銅箔を用い、高周波特性、ファインパターン化に優れた回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は、未処理銅箔の少なくとも片面に粗化粒子を付着させ、表面の粗さＲｚが0.６〜２．０μｍ、明度値が３５以下とした、粗化処理面を有する表面処理銅箔であり、該表面処理銅箔を使用した回路基板である。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子のサイズを縮小させ、且つ段差等に起因した信頼性の低下を阻止する。
【解決手段】 基板２０と、基板２０上に形成された絶縁層３０と、絶縁層３０上に選択的に形成された１対の第２配線層９０Ａ，９０Ｂとを備えたプリント配線板であって、絶縁層３０内に、基板２０上に選択的に形成された１対の第１配線層４０Ａ，４０Ｂと、各第１配線層４０Ａ，４０Ｂ間に各第１配線層４０Ａ，４０Ｂに対してハーフエッチングされて形成された１対の導電層５０Ａ，５０Ｂと、各導電層５０Ａ，５０Ｂの一部を被覆するように形成された貴金属層６０Ａ，６０Ｂと、各導電層５０Ａ，５０Ｂ間に貴金属層６０Ａ，６０Ｂに密着して形成された抵抗体７０と、各第１配線層４０Ａ，４０Ｂと各第２配線層９０Ａ，９０Ｂとを電気的に接続する接続層８０とを備えたプリント配線板。 （もっと読む）