説明

Fターム[4G026BB21]の内容

セラミックスの接合 (5,845) | 被接合基体 (1,080) | 金属、合金 (422)

Fターム[4G026BB21]の下位に属するFターム

Fターム[4G026BB21]に分類される特許

41 - 60 / 131


【課題】ろう材の形成工程のコストを低減できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板1上にコールドスプレー法によりろう材2を形成する工程と、前記ろう材の上に金属板3を配置する工程と、前記金属板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合する工程と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びCMC物品を接合する方法を提供する。
【解決手段】反応性金属を含有するろう材20を物品12間に設け、その後ろう材20と物品12を加熱して物品12内のケイ素と反応性金属とを反応させて、反応性金属のケイ化物相を含有するろう付け部を形成することを伴う。次いで、ろう付け部と物品12を冷却して、2つの物品12及びケイ化物相を含有するろう付け部を含む部品を生成させる。本方法は、物品12の構成成分を熱的に劣化させる温度より低い温度で実施するのが好ましく、ケイ素の融点より低いとより好ましい。 (もっと読む)


本発明は、セラミックの表面(2)を金属の表面(1)に素材結合式に結合するための複ろう部材(3a,4a)において、Si、B、Mn、Sn、Geからなる群より選択される融点を下げる少なくとも1つの成分を含む、少なくとも50質量%のNi含有量を有するNiをベースとするろうからなる少なくとも1つの第1の層(3a)と、合計で1〜15質量%のTi、Hf、Zr、Vからなる群より選択される活性な元素の含有量を有する活性ろう材料からなる少なくとも1つの第2の層(4a)とを備える、セラミックの表面(2)を金属の表面(1)に素材結合式に結合するための複ろう部材(3a,4a)に関する。さらに本発明は、このような複ろう部材を製造する方法及びこのような複ろう部材の使用に関する。
(もっと読む)


【課題】原料収率を向上させ、製造コストを低減させることが可能なハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】成形原料を成形して、流体の流路となる一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する隔壁を有するハニカム成形体を形成し、ハニカム成形体を、セルの延びる方向に平行に切断して、複数のセグメントブロックを形成し、複数のセグメントブロックを焼成して複数のセグメントブロック焼成体を形成し、複数のセグメントブロック焼成体を、ハニカム成形体の形状に戻すように組み立てて、接合材により接合し、複数のハニカムセグメントと複数のハニカムセグメント間に配設された緩衝部とを備えたハニカム構造体を形成するハニカム構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半田またはろう材等を用いて、接合層の厚さが略均一になるように二つの部材を接合する方法および接合層の厚さが略均一な半田またはろう材等の接合材を用いた接合体を提供する。
【解決手段】本発明によって、第1の部材上10に、第1接合材、複数のセルを有するセル構造体および第2接合材を順に積層し、前記第2接合材上に第2の部材20を配設して、加圧下において接合することを特徴とする第1の部材10と第2の部材20との接合方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】多孔質体どうしを接合した積層構造体において、多孔質体の材質によらず接合性に優れるものを提供すること。
【解決手段】第1の多孔質体11と、前記第1の多孔質体11に積層された第2の多孔質体12と、前記第1の多孔質体11と前記第2の多孔質体12との間に介在して両多孔質体間を接合する接合材13とを有する積層構造体1であって、前記第1の多孔質体11と前記第2の多孔質体12との間には、両多孔質体間を連通させる連通部14が形成され、かつ前記接合材13の少なくとも表面部が金属材料からなるもの。 (もっと読む)


【課題】HIPなどの大掛かりな設備を利用することなく、簡易な工程で実現可能なセラミック基板への白金箔の直接接合方法を提供する。
【解決手段】2枚のセラミック基板101,102間に白金箔111を挟み、2枚のセラミック基板101,102及び白金箔111の厚さ方向に押圧力を加えると共に、真空雰囲気中で900℃〜1200℃にて加熱することにより、セラミック基板101,102と白金箔111を接合するようになったセラミック基板への白金箔の直接接合方法である。 (もっと読む)


【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材30を介在させてセラミックス基板20と金属板40,70とを積層した積層体50を、セラミックス基板20および金属板40,70全面を覆う2枚の加圧板60間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程を行い、この接合工程において、加圧板60、セラミックス基板20および金属板40,70の位置決めを、加圧板20の角部21、金属板40,70の角部41,71およびセラミックス基板20の角部21を一致させることにより行い、セラミックス基板20の角部21を構成する辺縁部20a近傍に、金属板40,70との間にろう溜まり空間Aを形成するろう溜まり形成部22が設けられている。 (もっと読む)


【課題】使用率を向上させ、In等の半田材の注入を容易にし、半田等の割れやクラック、剥離を著しく低減できる円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ITOまたはAZO等のセラミックス焼結体からなる複数個の円筒形ターゲットの、少なくとも一方の端部に、内周に向かってテーパ状及び/又は段状の形状を形状とし、円筒形ターゲットと円筒形基材との間隙にIn等の接合材(半田材)を容易にかつ円滑に注入して接合し、スパッタリングターゲットと成した後、使用効率が高く、割れやクラック、剥離のないことを特徴とする、円筒形スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、同時に確保する。
【解決手段】
セラミック体と金属体との接合体であって、セラミック体の表面に設けられた、Ptを主成分としTiを含有するメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられた、Auを主成分として含む金属ロウと、を備え、前記メタライズ層と前記金属ロウとを介して、前記セラミック体と前記金属体とが接合されていることを特徴とする、セラミック体と金属との接合体を提供する。 (もっと読む)


【課題】正電圧の印加により陽極接合した基板接合体の、逆電圧の印加に伴う剥離を防止することができる基板の接合方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板2を陽極13としこれに接合される第1ガラス基板3を陰極14として、シリコン基板2の一方の接合面に第1ガラス基板3を陽極接合する第1接合工程と、接合したシリコン基板2および第1ガラス基板3を陽極13としこれに接合される第2ガラス基板4を陰極14として、シリコン基板2の他方の接合面に第2ガラス基板4を陽極接合する第2接合工程と、を備え、第1ガラス基板3は、その電気抵抗値が第2ガラス基板4の電気抵抗値より低いものとした。 (もっと読む)


【課題】セラミック基体と接続端子との分離を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】長手方向に延びるセラミック基体と、セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、外部回路と電気的に接続する接続端子と、電極パッドと接続端子とを接合する接合部と、を備えるセラミック接合体を利用する。ここで、電極パッドは、セラミック基体と接する第1層と、第1層上に積層されるとともに接合部と接する第2層と、を含む。第1層は、前記第1層に含有される前記セラミック基体のセラミック材料の含有量(wt%)は、前記第2層での含有量よりも多い。第1層の輪郭は、全周において、第2層の輪郭の外側にある。 (もっと読む)


【課題】
セラミックス基材の中に高融点金属電極層を内蔵した従来のセラミックサセプターでは、内蔵電極層とNi電極棒の接合部で破断、折損等が起こり易い。折損、剥離、破断すると修復不能で、高価なサセプターでも廃棄されるのが常である。本発明は耐酸化性、機密性に優れ、破断、折損し難い新しい構造のセラミックスサセプター(通電部材)を提供する。
【解決方法】
セラミックス基材の中に、該基材と共に同時焼成された高融点金属からなる通電体を内蔵し、該通電体の電極端子との接合部露出面が該セラミックス部材の空所の中に位置してなると共に、該空所に電極端子が埋め込まれて該端子と該通電体露出面および該端子と該セラミックス基材の隙間をSi基合金の層で埋めてなる構造の通電体を内蔵するセラミック部材において、該Si合金の層が、該層と接する該通電体露出面および該セラミックス基材面に融着してなることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は複合材料に関し、その複合材料は少なくとも1つのセラミック層又は少なくとも1つのセラミック基板、及び少なくとも1つのセラミック基板の所定の表面の上に金属層で形成された金属皮膜から構成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、近年の過酷な切削条件化に耐え得る強固かつ高剛性に接合されてなる立方晶窒化硼素焼結体工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の立方晶窒化硼素焼結体工具は、80〜98体積%の立方晶窒化硼素と結合相とを含有する立方晶窒化硼素焼結体が、0.1〜10重量%のTiと15〜50重量%のCuとを含有し、かつ残部がAgと不可避不純物とからなる接合層を介して工具母材上に直接接合され、該接合層に接する該立方晶窒化硼素焼結体の接合面における該結合相は該立方晶窒化硼素中に不連続状態で存在し、その不連続状態で存在する各々の結合相において、その面積が0.01〜2μm2となる結合相が結合相の全面積の80%以上を占めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁物と導体ピンとの接合状態の信頼性と、生体の安全性との双方を、同時に確保する。
【解決手段】
セラミック体と金属体との接合体であって、セラミック体の表面に設けられた、Ptを主成分としTiを含有するメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられた、Auを主成分として含む金属ロウと、を備え、前記メタライズ層と前記金属ロウとを介して、前記セラミック体と前記金属体とが接合されていることを特徴とする、セラミックスと金属との接合体を提供する。 (もっと読む)


【課題】熱膨張係数の異なる材質からなる二種の部材を、簡易な方法によってろう付接合して熱伝達効率の高い接合体を形成する方法およびその接合体を用いた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第1の部材1と、前記第1の部材1と熱膨張係数が異なる第2の部材2との間に、ヤング率が150GPa以下でありかつ融点が1500K以下である第3の部材3を、金属ろう材5を介して配設してろう付接合することを特徴とする異材接合体の製造方法が提供される。 (もっと読む)


高輝度放電ランプは、化学フィルを有するアーク管、該アーク管から延長したキャピラリー、前記キャピラリーを通って前記アーク管に供給された電極、及び前記キャピラリーをシールするフリットシールを含み、このフリットシールは、シリカ(SiO2)0重量%超〜5重量%未満とアルミナ(Al23)とジスプロシア(Dy23)及び酸化イットリウム(Y23)の内の一方とを含む。このフリットシール材料は、従来のフリットシール材料でシールされたものと比較して、高い作用温度に耐えることができるので、キャピラリーの長さをより短くすることができる。
(もっと読む)


【課題】多孔質体で構成された部材を備え、接合強度に優れた接合体を提供すること、当該接合体を製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体1は、多孔質体で構成された第1の部材21と、第2の部材22と、第1の部材21と前記第2の部材22とを接合する接合材3とを備えている。接合材3は、シリコーン材料を含有し、エネルギーの付与により接着性が発現し、この接着性により、第1の部材21と第2の部材22とを接合するものである。接合材3は、触媒としての機能を有する物質を含有するものであるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】LTCCと、ガラス成分を少なくしても陽極接合できる低温焼結用磁器組成物の提供。
【解決手段】可動イオンを含む陽極接合可能なガラス粉末とセラミック粉末とを含み、前記セラミック粉末が焼結時にガラス成分と反応結晶相を形成しない純度および組成を有する低温焼結用磁器組成物。前記セラミック粉末は、ガラス粉末のガラスよりも熱膨張係数の大きなセラミック粉末と熱膨張係数の小さなセラミック粉末との混合物とすることが好ましい。 (もっと読む)


41 - 60 / 131